RU2455730C2 - Солнечный элемент - Google Patents

Солнечный элемент Download PDF

Info

Publication number
RU2455730C2
RU2455730C2 RU2010139858/28A RU2010139858A RU2455730C2 RU 2455730 C2 RU2455730 C2 RU 2455730C2 RU 2010139858/28 A RU2010139858/28 A RU 2010139858/28A RU 2010139858 A RU2010139858 A RU 2010139858A RU 2455730 C2 RU2455730 C2 RU 2455730C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
conductive layer
layer
low
photoelectric conversion
back electrode
Prior art date
Application number
RU2010139858/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2010139858A (ru
Inventor
Мива ВАТАИ (JP)
Мива ВАТАИ
Казуя САЙТО (JP)
Казуя САЙТО
Такаси КОМАЦУ (JP)
Такаси КОМАЦУ
Йосио ИДЕ (JP)
Йосио ИДЕ
Син АСАРИ (JP)
Син АСАРИ
Юсуке МИЗУНО (JP)
Юсуке МИЗУНО
Михо ШИМИЗУ (JP)
Михо ШИМИЗУ
Original Assignee
Улвак, Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Улвак, Инк. filed Critical Улвак, Инк.
Publication of RU2010139858A publication Critical patent/RU2010139858A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2455730C2 publication Critical patent/RU2455730C2/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/0543—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising light concentrating means of the refractive type, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/056—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means the light-reflecting means being of the back surface reflector [BSR] type
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

Солнечный элемент содержит: подложку, обладающую оптической прозрачностью; предусмотренный на подложке фотоэлектрический преобразователь, включающий в себя передний электрод, обладающий оптической прозрачностью, слой фотоэлектрического преобразования и тыльный электрод, обладающий светоотражающей способностью; и низкопреломляющий проводящий слой, выполненный из проводящего материала, обладающего оптической прозрачностью, прилегающий к слою фотоэлектрического преобразования и расположенный на противоположной подложке стороне слоя фотоэлектрического преобразования. Причем низкопреломляющий проводящий слой предусмотрен между слоем фотоэлектрического преобразования и тыльным электродом. Между слоем фотоэлектрического преобразования и тыльным электродом предусмотрен только этот низкопреломляющий проводящий слой. Толщина низкопреломляющего проводящего слоя составляет от 40 нм до 80 нм, а показатель преломления низкопреломляющего проводящего слоя составляет от 1,4 до 2,0 относительно длины волны от 450 нм до 1000 нм. Изобретение обеспечивает возможность улучшить коэффициент отражения на границе раздела между низкопреломляющим проводящим слоем и слоем фотоэлектрического преобразования и возможность сдерживать увеличение технологических процессов. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

Description

ПРЕДПОСЫЛКИ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Область настоящего изобретения
Настоящее изобретение относится к солнечному элементу.
Эта заявка испрашивает приоритет по Японской заявке на патент № 2008-115981, поданной 25 апреля 2008 г., содержание которой целиком включено сюда по ссылке.
Уровень техники
В последние годы, ввиду эффективного использования энергии, солнечные батареи используют более широко, чем когда-либо раньше.
В качестве солнечных элементов известны солнечные элементы кремниевого ряда, такие как кремниевый солнечный элемент с использованием монокристаллического кремния, поликремниевый солнечный элемент с использованием слоя поликремния или аморфный кремниевый солнечный элемент с использованием аморфного кремния.
Солнечный элемент кремниевого ряда образован фотоэлектрическим преобразователем, в котором, например, слоями уложены прозрачный электрод, который служит передним электродом и который сформирован на принимающей свет поверхности стеклянной подложки и состоит из прозрачного проводящего оксида (ППО) или тому подобного, полупроводниковый слой (слой фотоэлектрического преобразования), который сформирован на переднем электроде и состоит из кремния, и тонкая пленка серебра (Ag), которая сформирована в качестве тыльного электрода.
Полупроводниковый слой обладает слоистой структурой, которую называют pin-переходом, в котором генерирующая электроны и дырки при приеме света пленка кремния (i-типа) проложена между пленками кремния p-типа и n-типа.
Следовательно, солнечный свет, который падает на стеклянную подложку, сначала проходит через передний электрод и подается в полупроводниковый слой.
При этом, когда входящая в состав солнечного света частица энергии, которую называют фотоном, падает на пленку i-типа, посредством фотоэлектрического эффекта генерируются электрон и дырка. Электрон движется к пленке n-типа, а дырка движется к пленке p-типа.
Вышеупомянутые электрон и дырка отводятся соответственно с переднего электрода и тыльного электрода, и тем самым возможно преобразовать оптическую энергию в электрическую энергию.
С другой стороны, свет, который прошел через полупроводниковый слой, отражается передней поверхностью тыльного электрода и подается в полупроводниковый слой снова, поэтому в полупроводниковом слое снова генерируются электроны и дырки и оптическая энергия преобразуется в электрическую энергию.
Однако из света, который падает на тыльный электрод после прохождения через полупроводниковый слой в вышеописанном солнечном элементе, большая часть света отражается границей раздела между полупроводниковым слоем и тыльным электродом, а часть света немного входит в тыльный электрод.
В результате на границе раздела между полупроводниковым слоем и тыльным электродом происходят потери на поглощение, которые обусловлены светом, входящим в тыльный электрод, и существует проблема того, что эффективность выработки электроэнергии солнечным элементом ухудшается.
Кроме того, в том случае, когда тыльный электрод уложен слоями на полупроводниковом слое, существует опасность того, что материал (например, Ag), составляющий тыльный электрод, продиффундирует в полупроводниковый слой.
Следовательно, для того чтобы улучшить коэффициент отражения, предотвратить диффузию составляющего тыльный электрод материала в полупроводниковый слой или т.п., между тыльным электродом и полупроводниковым слоем может быть сформирован прозрачный электрод, такой как GZO (ZnO, в который введена легирующая добавка Ga).
В этом случае солнечный свет, который прошел через полупроводниковый слой, разделяется на свет, который снова подается в полупроводниковый слой после полного отражения границей раздела между полупроводниковым слоем и прозрачным электродом, и свет, который снова подается в полупроводниковый слой после прохождения через прозрачный электрод и отражения границей раздела между прозрачным электродом и тыльным электродом.
Из-за этого, поскольку возможно отразить солнечный свет до того, как он падает на тыльный электрод на пути света, который падает на солнечный элемент, полагают, что потери на поглощение на границе раздела между полупроводниковым слоем и тыльным электродом снижаются, и эффективность выработки энергии солнечным элементом может быть улучшена.
Однако разница между показателем преломления прозрачного электрода (например, показатель преломления GZO составляет n=2,05 или более) и показателем преломления полупроводниковой пленки (например, показатель преломления пленки Si составляет приблизительно n=3,8-4,0) является небольшой, и процент полного отражения на границе раздела между полупроводниковым слоем и прозрачным электродом является низким.
Более точно, солнечный свет, который падает на прозрачный электрод под небольшим углом падения, отражается только на границе раздела между полупроводниковым слоем и прозрачным электродом, не удовлетворяя условиям полного отражения.
По этой причине отраженный солнечный свет проходит через прозрачный электрод и падает на тыльный электрод.
То есть имеется проблема того, что коэффициент отражения на прозрачном электроде является низким.
Например, как раскрыто в нерассмотренной японской заявке на патент, первая публикация № 2007-266095, известна конструкция, в которой между тыльным электродом и прозрачным электродом, состоящим из GZO или тому подобного, вводят управляющий показателем преломления слой, состоящий из SiO2, показатель преломления которого меньше, чем показатель преломления прозрачного электрода, и обладающий толщиной от 5 до 25 нм.
Однако при вышеописанной традиционной технологии, так как толщина пленки управляющего показателем преломления слоя мала, трудно регулировать толщину пленки управляющего показателем преломления слоя так, чтобы она была той толщиной пленки, которую рассчитывают с учетом оптической длины пути или т.п. между полупроводниковым слоем и тыльным электродом.
Кроме того, несмотря на то, что управляющий показателем преломления слой может предотвратить диффузию составляющего тыльный электрод материала в полупроводниковый слой, того оптического эффекта, что коэффициент отражения улучшается при вышеописанной толщине пленки управляющего показателем преломления слоя, не получают.
Кроме того, при введении управляющего показателем преломления слоя между слоем фотоэлектрического преобразования и тыльным электродом в дополнение к прозрачному электроду, состоящему из GZO или тому подобного, количество стадий производства солнечных элементов увеличивается, и существует проблема того, что эффективность производства ухудшается.
СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Таким образом, настоящее изобретение было сделано для того, чтобы решить упомянутые выше проблемы и имеет своей целью предоставить солнечный элемент, в котором возможно улучшить коэффициент отражения на границе раздела между низкопреломляющим проводящим слоем и слоем фотоэлектрического преобразования и возможно сдерживать увеличение технологических процессов.
Для того чтобы решить описанную выше проблему, солнечный элемент по настоящему изобретению включает в себя: подложку, обладающую оптической прозрачностью; предусмотренный на подложке фотоэлектрический преобразователь, включающий в себя передний электрод, обладающий оптической прозрачностью, слой фотоэлектрического преобразования и тыльный электрод, обладающий светоотражающей способностью; и низкопреломляющий проводящий слой, показатель преломления которого меньше или равен 2,0, причем этот низкопреломляющий проводящий слой выполнен из проводящего материала, обладающего оптической прозрачностью, прилегает к слою фотоэлектрического преобразования и расположен на противоположной подложке стороне слоя фотоэлектрического преобразования.
При такой конфигурации, поскольку показатель преломления низкопреломляющего проводящего слоя меньше или равен 2,0, возможно увеличить разницу между показателем преломления слоя фотоэлектрического преобразования и показателем преломления низкопреломляющего проводящего слоя по сравнению с обычно используемым прозрачным электродом (показатель преломления n=2,05 или более).
В результате, возможно улучшить процент полного отражения на границе раздела между слоем фотоэлектрического преобразования и низкопреломляющим проводящим слоем.
По этой причине свет с небольшим углом падения относительно низкопреломляющего проводящего слоя также удовлетворяет условиям полного отражения и возможно улучшить коэффициент отражения на границе раздела между слоем фотоэлектрического преобразования и низкопреломляющим проводящим слоем.
Поэтому, поскольку возможно улучшить коэффициент отражения света, возможно увеличить эффективность выработки электроэнергии.
Кроме того, в солнечном элементе по настоящему изобретению предпочтительно, чтобы низкопреломляющий проводящий слой был предусмотрен между слоем фотоэлектрического преобразования и тыльным электродом и между слоем фотоэлектрического преобразования и тыльным электродом был предусмотрен только этот низкопреломляющий проводящий слой.
При такой конфигурации свет, проходящий через слой фотоэлектрического преобразования, отражается перед тыльным электродом на пути света, который падает на солнечный элемент, и возможно подавить количество света, который проходит через низкопреломляющий проводящий слой и падает на тыльный электрод.
Посредством такой конструкции можно снизить потери на поглощение света на тыльном электроде.
В этой конструкции, предусматривая только низкопреломляющий проводящий слой между слоем фотоэлектрического преобразования и тыльным электродом, возможно сдерживать увеличение технологических процессов и сохранить эффективность производства по сравнению с традиционной конструкцией, в которой между слоем фотоэлектрического преобразования и тыльным электродом в дополнение к прозрачному электроду предусмотрен управляющий показателем преломления слой.
Кроме того, поскольку низкопреломляющий проводящий слой предусмотрен прилегающим к слою фотоэлектрического преобразования, то возможно предотвратить диффузию составляющего тыльный электрод материала в слой фотоэлектрического преобразования.
Кроме того, в солнечном элементе по настоящему изобретению предпочтительно, чтобы низкопреломляющий проводящий слой обладал структурой, в которой в SiO2 введены легирующие добавки.
При такой конфигурации, поскольку в качестве материала низкопреломляющего проводящего слоя выбирают SiO2, возможно понизить показатель преломления низкопреломляющего проводящего слоя до приблизительно 1,5.
Следовательно, введением легирующих добавок возможно сделать SiO2 проводящим.
По этой причине нет необходимости формировать низкопреломляющий проводящий слой с небольшой толщиной для того, чтобы обеспечить проводимость между слоем, прилегающим к слою фотоэлектрического преобразования (например, тыльным электродом) через этот низкопреломляющий проводящий слой, и слоем фотоэлектрического преобразования или нет необходимости формировать контактное отверстие или что-то подобное на низкопреломляющем проводящем слое для того, чтобы создать контакт между обоими этими слоями.
Следовательно, возможно легко сформировать низкопреломляющий проводящий слой в таком состоянии, когда учтена оптическая длина пути или тому подобное, при сохранении улучшения коэффициента отражения на границе раздела между низкопреломляющим проводящим слоем и слоем фотоэлектрического преобразования.
В соответствии с настоящим изобретением, поскольку показатель преломления низкопреломляющего проводящего слоя меньше или равен 2,0, возможно увеличить разницу между показателем преломления слоя фотоэлектрического преобразования и показателем преломления низкопреломляющего проводящего слоя по сравнению с используемым обычно прозрачным электродом (показатель преломления n=2,05 или более).
Следовательно, возможно увеличить процент полного отражения на границе раздела между слоем фотоэлектрического преобразования и низкопреломляющим проводящим слоем.
По этой причине свет, который падает на низкопреломляющий проводящий слой под небольшим углом падения, также удовлетворяет условиям полного отражения, и возможно улучшить коэффициент отражения на границе раздела между слоем фотоэлектрического преобразования и низкопреломляющим проводящим слоем.
Поэтому, поскольку возможно улучшить коэффициент отражения света, то возможно улучшить эффективность выработки электроэнергии.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
Фиг.1 является видом в поперечном сечении, показывающим солнечный элемент типа с аморфным кремнием по одному варианту осуществления настоящего изобретения.
Фиг.2A и 2B являются диаграммами, иллюстрирующими результат измерения в испытании моделированием при Состоянии 1 и показывающими коэффициент отражения (%) в зависимости от длины волны (нм).
Фиг.3A и 3B являются диаграммами, иллюстрирующими результат измерения в испытании моделированием при Состоянии 2 и показывающими коэффициент отражения (%) в зависимости от длины волны (нм).
Фиг.4A и 4B являются диаграммами, иллюстрирующими результат измерения в испытании моделированием при Состоянии 3 и показывающими коэффициент отражения (%) в зависимости от длины волны (нм).
ОПИСАНИЕ ПРЕДПОЧТИТЕЛЬНЫХ ВАРИАНТОВ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
Далее солнечный элемент, относящийся к варианту осуществления настоящего изобретения, будет описан со ссылкой на чертежи.
Солнечный элемент
Фиг.1 является видом в поперечном сечении, показывающим солнечный элемент типа с аморфным кремнием.
Как показано на фиг.1, солнечный элемент 10 является солнечным элементом так называемого одиночного типа с фотоэлектрическим преобразователем 12, сформированным на стороне 11a (в дальнейшем называемой задней стороной 11a) прозрачной подложки 11, которая обладает изоляционными свойствами.
Подложка 11 состоит из изоляционного материала, обладающего высоким уровнем прозрачности для солнечного света и долговечности, такого как стекло или прозрачная смола. Длина подложки 11 составляет, например, приблизительно 3500 мм.
В солнечном элементе 10 солнечный свет падает на сторону, противоположную той стороне подложки, к которой обращен фотоэлектрический преобразователь 12, то есть другую сторону 11b подложки 11 (в дальнейшем называемую передней стороной 11b).
Фотоэлектрический преобразователь 12 выполнен с удерживанием полупроводникового слоя 14 (слоя фотоэлектрического преобразования) между передним электродом 13 и тыльным электродом 15 и сформирован на всей площади подложки 11, за исключением периферии задней стороны 11a.
Передний электрод 13 состоит из металлоксидного продукта, обладающего оптической прозрачностью, например, так называемого прозрачного проводящего оксида (ППО), такого как GZO или ITO (оксид индия-олова), и сформирован на задней стороне 11a подложки 11.
Полупроводниковый слой 14 сформирован на переднем электроде 13.
Полупроводниковый слой 14 имеет структуру с pin-переходом, в которой, например, пленка аморфного кремния i-типа (не показана) проложена между пленкой аморфного кремния p-типа (не показана) и пленкой аморфного кремния n-типа (не показана).
В структуре с pin-переходом пленка аморфного кремния p-типа, пленка аморфного кремния i-типа и пленка аморфного кремния n-типа уложены на переднем электроде 13 слоями в таком порядке.
Когда солнечный свет падает на полупроводниковый слой 14 и частица энергии, которая входит в состав солнечного света, падает на пленку аморфного кремния i-типа, за счет фотоэлектрического эффекта генерируются электрон и дырка.
Затем электрон движется к пленке аморфного кремния n-типа, а дырка движется к пленке аморфного кремния p-типа.
Вышеупомянутые электрон и дырка отводятся соответственно из переднего электрода 13 и тыльного электрода 15, тем самым возможно преобразовать оптическую энергию в электрическую энергию (фотоэлектрическое преобразование).
Тыльный электрод 15 расположен на противоположной переднему электроду 13 стороне полупроводникового слоя 14.
Тыльный электрод 15 состоит из проводящей пленки металла, такого как Ag или Cu, и сформирован предпочтительно с использованием, например, отожженной при низкой температуре нанопасты металла (Ag).
Тыльный электрод 15 также служит отражающим слоем, который отражает солнечный свет, проходящий через полупроводниковый слой 14, и снова подает солнечный свет в полупроводниковый слой 14.
Кроме того, предпочтительно, чтобы вышеописанный фотоэлектрический преобразователь 12 имел текстурированную структуру, в которой на передней поверхности и задней поверхности каждого слоя сформированы микронеровности, которые не показаны на фигуре.
В этом случае возможно улучшить эффективность преобразования оптической энергии солнечным элементом 10, поскольку могут быть достигнуты эффект призмы, при котором удлиняется оптический путь света, падающего на каждый слой, и эффект, при котором свет удерживается внутри.
При этом между полупроводниковым слоем 14 и тыльным электродом 15 предусмотрен низкопреломляющий проводящий слой 16.
Другими словами, низкопреломляющий проводящий слой 16 является прилегающим к слою 12 фотоэлектрического преобразования и размещен на противоположной подложке 11 стороне слоя 12 фотоэлектрического преобразования.
Низкопреломляющий проводящий слой 16 сформирован на всей поверхности пленки аморфного кремния n-типа полупроводникового слоя 14.
Только этот низкопреломляющий проводящий слой 16 сформирован между полупроводниковой пленкой 14 и тыльным электродом 15.
В качестве материала, выбранного для низкопреломляющего проводящего слоя 16, предпочтительно используют материал с низким сопротивлением, обладающим свойством барьера, при котором материал, составляющий тыльный электрод 15, предохраняется от диффузии в полупроводниковый слой 14, и электропроводностью, при которой сохраняется электрическая проводимость между тыльным электродом 15 и полупроводниковым слоем 14.
Кроме того, предпочтительно, чтобы показатель преломления n низкопреломляющего проводящего слоя 16 был меньше или равен 2,0 для того, чтобы увеличить процент полного отражения на границе раздела между полупроводниковым слоем 14 и низкопреломляющим проводящим слоем 16.
Более точно, предпочтительно, чтобы показатель преломления n был от 1,4 до 1,9, а толщина пленки d (ссылаясь на Фиг.1) была от 40 нм до 80 нм.
Кроме того, более предпочтительно, чтобы показатель преломления n был от 1,44 до 1,50, а толщина пленки d была от 50 нм до 75 нм.
Как описано выше, поскольку низкопреломляющий проводящий слой 16 сформирован так, что его показатель преломления n меньше или равен 2,0, возможно увеличить разницу между показателем преломления (n=3,8-4,0) полупроводникового слоя 14 и показателем преломления низкопреломляющего проводящего слоя 16.
Соответственно, возможно улучшить процент полного отражения на границе раздела между полупроводниковым слоем 14 и низкопреломляющим проводящим слоем 16.
Благодаря этому свет с небольшим углом падения относительно низкопреломляющего проводящего слоя 16 также удовлетворяет условиям полного отражения и возможно отражать падающий на низкопреломляющий проводящий слой 16 солнечный свет с высокой степенью эффективности на границе раздела между полупроводниковым слоем 14 и низкопреломляющим проводящим слоем 16.
Кроме того, формируя низкопреломляющий проводящий слой 16 имеющим толщину пленки d в 40 нм или более, возможно легко регулировать толщину пленки низкопреломляющего проводящего слоя 16 при производстве так, чтобы это была та толщина пленки, которую рассматривают с учетом оптической длины пути или тому подобного между полупроводниковым слоем 14 и тыльным электродом 15.
Кроме того, тыльный электрод 15 предохраняется от диффузии в полупроводниковый слой 14, и возможно улучшить коэффициент отражения благодаря низкопреломляющему проводящему слою 16.
С другой стороны, формируя низкопреломляющий проводящий слой имеющим толщину пленки в 80 нм или менее, возможно сохранить проницаемость солнечного света в низкопреломляющем проводящем слое 16.
По этой причине возможно предотвратить поглощение солнечного света низкопреломляющим проводящим слоем 16.
В качестве материала, составляющего низкопреломляющий проводящий слой 16 по вышеизложенному варианту осуществления, предпочтительно используют SiO2, а его электропроводность получают введением легирующих добавок в SiO2.
Поскольку низкопреломляющий проводящий слой 16 формируют на пленке аморфного кремния n-типа полупроводникового слоя 14, предпочтительно, чтобы в качестве легирующей добавки, которую вводят в SiO2 низкопреломляющего проводящего слоя 16, была использована легирующая добавка n-типа. Поэтому возможно предотвратить диффузию в полупроводниковый слой 14.
В качестве легирующей добавки n-типа могут быть выбраны, например, фосфор (P), мышьяк (As), сурьма (Sb), висмут (Bi), литий (Li), магний (Mg) или им подобные.
Кроме того, в случае, если высокотемпературный обжиг не проводят при формировании низкопреломляющего проводящего слоя 16 или тыльного электрода 15, то вместо легирующей добавки n-типа в полупроводниковый слой 14 можно ввести легирующую добавку p-типа, т.к. легирующие добавки вряд ли диффундируют в полупроводниковый слой 14.
В качестве легирующей добавки p-типа могут быть выбраны, например, бор (B), галлий (Ga), алюминий (Al), индий (In), талий (Tl), бериллий (Be) или им подобные.
Как описано выше, поскольку в качестве составляющего низкопреломляющий проводящий слой 16 материала используют SiO2, этот низкопреломляющий проводящий слой 16 обладает свойством барьера, который препятствует диффузии, и электропроводностью, возможно установить показатель преломления n низкопреломляющего проводящего слоя 16 равным приблизительно 1,46.
Кроме того, в качестве способа формирования вышеописанного низкопреломляющего проводящего слоя 16 могут быть выбраны способ распыления, способ CVD (способ химического осаждения из паровой фазы), способ нанесения покрытия испарением или подобные им, и этот способ выполняют на подложке 11, на которой был сформирован полупроводниковый слой 14.
Кроме того, в дополнение к вышеописанному способу, может быть применимым способ вжигания пастообразного вещества после того, как это пастообразное вещество нанесено.
В том случае когда формирование пленки осуществляют способом распыления, предпочтительно, чтобы была использована мишень, в которую легирующие добавки были введены заранее.
Кроме того, в случае способа CVD предпочтительно, чтобы пленку формировали в то время, как газообразное вещество в качестве легирующей добавки вводят в камеру.
Кроме того, в случае использования пастообразного вещества, после нанесения составляющего низкопреломляющий проводящий слой 16 материала и вышеописанного составляющего тыльный электрод 16 материала, их оба можно отжигать вместе.
Помимо этого, в качестве материала, удовлетворяющего состоянию вышеописанного низкопреломляющего проводящего слоя 16, может быть выбран материал, в котором вышеописанные легирующие добавки введены в SiO2, MgF2 (n=1,37), Al2O3 (n=1,65) или им подобным, а также и SiO2.
Испытания моделированием
Здесь авторы изобретения изложили различные условия для формирования слоя между полупроводниковым слоем и тыльным электродом, выполнили испытания моделированием измерения коэффициентов отражения сформированных при этих условиях солнечных элементов и сравнили результаты моделирования друг с другом.
Солнечный элемент в данном испытании имел конструкцию, в которой прозрачный электрод, состоящий из ZnO, был предусмотрен между полупроводниковым слоем и тыльным электродом или имел конструкцию, в которой вместо прозрачного электрода предусмотрен низкопреломляющий проводящий слой, в котором в SiO2 была введена легирующая добавка n-типа.
Кроме того, относительно света, который прошел через полупроводниковый слой, коэффициент отражения представляет собой тот процент света, который был отражен на границе раздела между полупроводниковым слоем и прозрачным электродом или низкопреломляющим проводящим слоем, и тот процент света, который был отражен на границе раздела между прозрачным электродом или низкопреломляющим проводящим слоем и тыльным электродом.
Условия испытаний в ходе данной проверки описываются следующим образом.
Кроме того, солнечный элемент Состояния 1 означает конструкцию традиционного солнечного элемента, а солнечный элемент Состояния 3 означает конструкцию солнечного элемента по варианту осуществления изобретения.
Для сравнения солнечный элемент Состояния 2 означает конструкцию, в которой изменяют толщину пленки солнечного элемента Состояния 3.
Состояние 1: Слоистая конструкция (подложка/передний электрод/полупроводниковый слой/прозрачный электрод (ZnO)/тыльный электрод)
Показатель преломления n прозрачного электрода: 2,05.
Толщина пленки d прозрачного электрода: 80,0 нм.
Состояние 2: Слоистая конструкция (подложка/передний электрод/полупроводниковый слой/низкопреломляющий проводящий слой (легирующая добавка n-типа введена в SiO2)/тыльный электрод)
Показатель преломления n низкопреломляющего проводящего слоя: 1,46.
Толщина пленки d низкопреломляющего проводящего слоя: 8,0 нм.
Состояние 3: Слоистая конструкция (подложка/передний электрод/полупроводниковый слой/низкопреломляющий проводящий слой (легирующая добавка n-типа введена в SiO2)/тыльный электрод)
Показатель преломления n низкопреломляющего проводящего слоя: 1,46.
Толщина пленки d низкопреломляющего проводящего слоя: 54,5 нм.
Фиг.2A-4B являются диаграммами, показывающими коэффициент отражения (%) в зависимости от длины волны (нм).
Фиг.2A, 3A и 4A показывают коэффициенты отражения в том случае, когда угол падения был равен 0°, а фиг.2B, 3B и 4B показывают коэффициенты отражения в том случае, когда угол падения был равен 45°.
Фиг.2A и 2B показывают коэффициенты отражения в случае Состояния 1, фиг.3A и 3B показывают коэффициенты отражения в случае Состояния 2, а фиг.4A и 4B показывают коэффициенты отражения в случае Состояния 3.
Во-первых, в результатах испытаний моделированием при Состоянии 1, как показано на фиг.2A, коэффициент отражения был низким, например 95% или менее, в коротковолновой области (например, длина волны от 300 до 500 нм), а по мере движения к длинноволновой области (например, длина волны 600 нм или более) коэффициент отражения стал выше.
Предполагают, что коэффициент отражения является низким в коротковолновой области из-за того, что имеет место сдвиг фаз между светом, который был отражен на границе раздела между прозрачным электродом и полупроводниковым слоем, и светом, который был отражен на границе раздела между тыльным электродом и прозрачным электродом, причем оба света интерферируют друг с другом и подавляют друг друга, в результате чего свет не подавался в полупроводниковый слой.
Кроме того, полагают, что коэффициент отражения не становится 100%-ным, потому что из света, который падал на тыльный электрод после прохождения через прозрачный электрод, большая часть света была отражена границей раздела между прозрачным электродом и тыльным электродом, но часть света немного входила в тыльный электрод, и существуют потери на поглощение, так что свет поглощается тыльным электродом.
С другой стороны, как показано на фиг.2B, коэффициент отражения в случае, когда угол падения был равен 45°, резко снижается вблизи длины волны 500 нм.
Полагают, что, как описано выше, это происходит из-за интерференции, которая вызвана сдвигом фаз между светом, который был отражен на границе раздела между прозрачным электродом и полупроводниковым слоем, и светом, который был отражен на границе раздела между прозрачным электродом и тыльным электродом, из-за потерь на поглощение в тыльном электроде или тому подобного.
Во-вторых, в результатах испытаний моделированием при Состоянии 2, как показано на фиг.3A, был получен практически постоянный коэффициент отражения в коротковолновой области и от коротковолновой области до длинноволновой области, однако коэффициент отражения был ниже, чем в Состоянии 1.
С другой стороны, как показано на фиг.3B, относительно коэффициента отражения в случае, когда угол падения был равен 45°, коэффициент отражения был полностью низким от коротковолновой области до длинноволновой области, но имели место колебания коэффициента отражения.
Полагают, что это происходит из-за того, что в том случае, когда толщина пленки была относительно низка, легко происходит интерференция, которая вызвана сдвигом фаз между светом, который был отражен на границе раздела между прозрачным электродом и полупроводниковым слоем, и светом, который был отражен на границе раздела между прозрачным электродом и тыльным электродом, помимо потерь на поглощение на тыльном электроде.
То есть в случае, когда толщина пленки составляла приблизительно 8 нм, было трудно регулировать толщину пленки низкопреломляющего проводящего слоя так, чтобы она была той толщиной пленки, которая рассматривалась с учетом оптической длины пути или тому подобного между полупроводниковым слоем и тыльным электродом, как описано выше, и не был получен тот оптический эффект, что коэффициент отражения улучшается.
Далее, в результатах испытаний моделированием при Состоянии 3, как показано на фиг.4A, когда угол падения был равен 0°, было возможно получить полностью равномерный коэффициент отражения от коротковолновой области до длинноволновой области, конкретно, коэффициент отражения был приблизительно 99%.
С другой стороны, как показано на фиг.4B, относительно коэффициента отражения в том случае, когда угол падения был равен 45°, было возможно получить коэффициент отражения в приблизительно 100% полностью от коротковолновой области до длинноволновой области.
Кроме того, в результатах моделирования, когда толщина низкопреломляющего проводящего слоя была равна толщине пленки (80 нм) при Состоянии 1 (не показано), был получен отличный результат, что коэффициент отражения улучшен по сравнению с Состоянием 1.
Как упоминалось выше, солнечный элемент 10 по этому варианту осуществления имеет конструкцию, в которой низкопреломляющий проводящий слой 16, показатель преломления n которого меньше или равен 2,0, предусмотрен между полупроводниковым слоем 14 и тыльным электродом 15.
При такой конфигурации, предусматривая низкопреломляющий проводящий слой 16 между полупроводниковым слоем 14 и тыльным электродом 15, возможно предотвратить диффузию составляющего тыльный электрод 15 материала в полупроводниковый слой 14.
В частности, при установлении показателя преломления низкопреломляющего проводящего слоя 16 равным или меньшим 2,0, возможно увеличить разницу между показателем преломления полупроводникового слоя 14 и показателем преломления низкопреломляющего проводящего слоя 16 по сравнению с тем случаем, когда предусмотрен обычно используемый прозрачный электрод (показатель преломления n составляет 2,05 или более).
Соответственно, возможно улучшить процент полного отражения на границе раздела между полупроводниковым слоем 14 и низкопреломляющим проводящим слоем 16.
Благодаря этому свет с небольшим углом падения относительно низкопреломляющего проводящего слоя 16 также удовлетворяет условиям полного отражения, и по этой причине возможно улучшить коэффициент отражения на границе раздела между полупроводниковым слоем 14 и низкопреломляющим проводящим слоем 16.
Помимо этого, на пути падающего на солнечный элемент света, с помощью отражения света, который проходит через полупроводниковый слой 14 перед тыльным электродом 15, возможно подавить количество света, который проходит через низкопреломляющий проводящий слой 16 и падает на тыльный электрод 15.
По этой причине возможно снизить потери на поглощение света на тыльном электроде 15.
Как результат, поскольку возможно улучшить коэффициент отражения солнечного элемента 10, то возможно улучшить эффективность выработки электроэнергии.
Помимо этого, предусматривая только низкопреломляющий проводящий слой 16 между полупроводниковым слоем 14 и тыльным электродом 15, возможно сдерживать увеличение технологических процессов и сохранить эффективность производства по сравнению с традиционным случаем, когда управляющий показателем преломления слой предусмотрен между полупроводниковым слоем 14 и тыльным электродом 15 в дополнение к прозрачному электроду.
Более того, вводя легирующие добавки в SiO2 в качестве низкопреломляющего проводящего слоя 16 по этому варианту осуществления, возможно сделать SiO2 проводящим.
По этой причине нет необходимости формировать низкопреломляющий проводящий слой с малой толщиной для того, чтобы обеспечить проводимость между тыльным электродом 15 и полупроводниковым слоем 14 или нет необходимости формировать контактное отверстие или что-то подобное на низкопреломляющем проводящем слое для того, чтобы создать контакт между полупроводниковым слоем 14 и тыльным электродом 15.
Поэтому возможно легко сформировать низкопреломляющий проводящий слой 16 в таком состоянии, когда учтена оптическая длина пути или тому подобное, при сохранении улучшения коэффициента отражения на границе раздела между низкопреломляющим проводящим слоем 16 и полупроводниковым слоем 14.
Кроме того, технический объем изобретения не ограничивается вышеописанными вариантами осуществления, и в дополнение к вышеописанным вариантам осуществления могут быть проделаны различные модификации без отступления от объема изобретения.
То есть та конструкция или подобная ей, которые выбраны в вышеописанном варианте осуществления, является примером, и данная конструкция или подобная ей могут быть соответствующим образом модифицированы.
Например, в вышеописанном варианте осуществления описан солнечный элемент типа с аморфным кремнием, однако может быть выбран солнечный элемент типа с микрокристаллическим кремнием или солнечный элемент типа с кристаллическим кремнием (монокристаллическим кремнием, поликремнием).
Кроме того, в вышеописанном варианте осуществления описан солнечный элемент одиночного типа, но может быть выбран солнечный элемент каскадного типа, в котором аморфный кремний и микрокристаллический кремний удерживаются между парой электродов.
В солнечном элементе каскадного типа коротковолновый свет поглощается первым полупроводниковым слоем (например, аморфным кремнием), а длинноволновый свет поглощается вторым полупроводниковым слоем (например, микрокристаллическим кремнием), и тем самым возможно улучшить эффективность выработки электроэнергии.
Помимо этого, предусматривая между этими полупроводниковыми слоями промежуточный электрод, улучшают характеристики чувствительности фотоэлектрического преобразователя, поскольку часть света, проходящая через первый полупроводниковый слой и достигающая второго полупроводникового слоя, отражается промежуточным электродом и снова падает на первый полупроводниковый слой, и промежуточный электрод вносит свой вклад в улучшение эффективности выработки электроэнергии.
В этом случае применима конструкция, в которой низкопреломляющий проводящий слой предусмотрен между тыльным электродом и полупроводниковым слоем.
Кроме того, применима конструкция, в которой низкопреломляющий проводящий слой по настоящему изобретению предусмотрен вместо промежуточного электрода, предусмотренного между аморфным кремнием и микрокристаллическим кремнием.
Промышленная применимость
Как подробно описано выше, настоящее изобретение применимо к солнечным элементам, в которых возможно улучшить коэффициент отражения на границе раздела между низкопреломляющим проводящим слоем и слоем фотоэлектрического преобразования и возможно сдерживать увеличение технологических процессов.

Claims (2)

1. Солнечный элемент, содержащий:
подложку, обладающую оптической прозрачностью;
предусмотренный на подложке фотоэлектрический преобразователь, включающий в себя передний электрод, обладающий оптической прозрачностью, слой фотоэлектрического преобразования и тыльный электрод, обладающий светоотражающей способностью; и
низкопреломляющий проводящий слой, выполненный из проводящего материала, обладающего оптической прозрачностью, прилегающий к слою фотоэлектрического преобразования и расположенный на противоположной подложке стороне слоя фотоэлектрического преобразования, причем
низкопреломляющий проводящий слой предусмотрен между слоем фотоэлектрического преобразования и тыльным электродом, между слоем фотоэлектрического преобразования и тыльным электродом предусмотрен только этот низкопреломляющий проводящий слой, толщина низкопреломляющего проводящего слоя составляет от 40 нм до 80 нм, а показатель преломления низкопреломляющего проводящего слоя составляет от 1,4 до 2,0 относительно длины волны от 450 нм до 1000 нм.
2. Солнечный элемент по п.1, в котором низкопреломляющий проводящий слой имеет структуру, в которой в SiO2 введены легирующие добавки.
RU2010139858/28A 2008-04-25 2009-04-24 Солнечный элемент RU2455730C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008115981 2008-04-25
JP2008-115981 2008-04-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010139858A RU2010139858A (ru) 2012-05-27
RU2455730C2 true RU2455730C2 (ru) 2012-07-10

Family

ID=41216938

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010139858/28A RU2455730C2 (ru) 2008-04-25 2009-04-24 Солнечный элемент

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20110030780A1 (ru)
EP (1) EP2273559A4 (ru)
JP (1) JPWO2009131212A1 (ru)
KR (1) KR101169452B1 (ru)
CN (1) CN101971356A (ru)
RU (1) RU2455730C2 (ru)
TW (1) TW201003941A (ru)
WO (1) WO2009131212A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2542887C2 (ru) * 2013-07-05 2015-02-27 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) Энергоэффективное охлаждающее устройство
RU198378U1 (ru) * 2020-02-28 2020-07-02 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук Концентраторный солнечный элемент

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101133953B1 (ko) 2010-07-09 2012-04-05 성균관대학교산학협력단 실리카 반사방지막의 제조 방법 및 이를 이용한 실리콘 태양전지
JP5632697B2 (ja) * 2010-10-12 2014-11-26 株式会社カネカ 薄膜太陽電池
KR101022749B1 (ko) * 2010-12-09 2011-03-17 한국기계연구원 광 여과부를 구비하는 선택적 광 투과형 태양전지

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003179241A (ja) * 2001-12-10 2003-06-27 Kyocera Corp 薄膜太陽電池
RU2001131679A (ru) * 2001-11-23 2003-08-27 Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН Фотоприемник (варианты)
JP2004260014A (ja) * 2003-02-26 2004-09-16 Kyocera Corp 多層型薄膜光電変換装置
UA77251C2 (ru) * 2004-08-02 2006-11-15 Валерій Євгенович Родіонов Тонкопленочный солнечный элемент

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58111379A (ja) * 1981-12-24 1983-07-02 Seiko Epson Corp 薄膜太陽電池
JPH0548129A (ja) * 1991-08-21 1993-02-26 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置
JPH05145095A (ja) * 1991-11-18 1993-06-11 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力素子
JP2775543B2 (ja) * 1992-01-27 1998-07-16 シャープ株式会社 光電変換装置
JPH07321362A (ja) * 1994-05-24 1995-12-08 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置
JPH10190028A (ja) * 1996-12-26 1998-07-21 Idemitsu Kosan Co Ltd 高屈折率透明導電膜および太陽電池
RU2224331C2 (ru) * 2001-11-23 2004-02-20 Институт физики им. Л.В.Киренского СО РАН Фотоприемник (варианты)
ATE512467T1 (de) * 2003-07-24 2011-06-15 Kaneka Corp Verfahren zur herstellung einer dünnschichtsiliziumsolarzelle
WO2007074683A1 (ja) * 2005-12-26 2007-07-05 Kaneka Corporation 積層型光電変換装置
JP2007266095A (ja) 2006-03-27 2007-10-11 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 光電変換セル、光電変換モジュール、光電変換パネルおよび光電変換システム
KR100833675B1 (ko) * 2007-01-30 2008-05-29 (주)실리콘화일 반투명 결정질 실리콘 박막 태양전지
JP4940309B2 (ja) * 2007-10-30 2012-05-30 三洋電機株式会社 太陽電池

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2001131679A (ru) * 2001-11-23 2003-08-27 Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН Фотоприемник (варианты)
JP2003179241A (ja) * 2001-12-10 2003-06-27 Kyocera Corp 薄膜太陽電池
JP2004260014A (ja) * 2003-02-26 2004-09-16 Kyocera Corp 多層型薄膜光電変換装置
UA77251C2 (ru) * 2004-08-02 2006-11-15 Валерій Євгенович Родіонов Тонкопленочный солнечный элемент

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2542887C2 (ru) * 2013-07-05 2015-02-27 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) Энергоэффективное охлаждающее устройство
RU198378U1 (ru) * 2020-02-28 2020-07-02 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук Концентраторный солнечный элемент

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2009131212A1 (ja) 2011-08-25
WO2009131212A1 (ja) 2009-10-29
CN101971356A (zh) 2011-02-09
EP2273559A1 (en) 2011-01-12
RU2010139858A (ru) 2012-05-27
US20110030780A1 (en) 2011-02-10
KR101169452B1 (ko) 2012-07-27
KR20100119886A (ko) 2010-11-11
EP2273559A4 (en) 2013-01-09
TW201003941A (en) 2010-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10256353B2 (en) Solar cell
US8133747B2 (en) Textured rear electrode structure for use in photovoltaic device such as CIGS/CIS solar cell
JP4811945B2 (ja) 薄膜光電変換装置
US20080223436A1 (en) Back reflector for use in photovoltaic device
US20080236661A1 (en) Solar cell
US20100180941A1 (en) Antireflection film of solar cell, solar cell, and method of manufacturing solar cell
WO2005011002A1 (ja) シリコン系薄膜太陽電池
JP2015039020A (ja) 集光能力を有する素子になされた改善
US20140261660A1 (en) TCOs for Heterojunction Solar Cells
JP2003298088A (ja) シリコン系薄膜光電変換装置
RU2455730C2 (ru) Солнечный элемент
EP4145536B1 (en) Solar cell and method for manufacturing the same
KR20110070541A (ko) 박막 태양전지 및 그 제조방법
Soman et al. Tuneable and spectrally selective broadband reflector–modulated photonic crystals and its application in solar cells
TWI453932B (zh) 光伏模組和製造ㄧ具有電極擴散層之光伏模組的方法
US20120097227A1 (en) Solar cells
US20090165850A1 (en) Transparent conductive film and solar cell using the same
KR101622088B1 (ko) 태양전지
JP5542025B2 (ja) 光電変換装置
JP5542038B2 (ja) 薄膜太陽電池およびその製造方法、薄膜太陽電池モジュール
JPH05145096A (ja) 透過型太陽電池
JP2015141941A (ja) 太陽電池および太陽電池モジュール
Bittkau et al. Geometrical light trapping in thin c-Si solar cells beyond lambertian limit
KR101685350B1 (ko) 태양 전지 모듈
JP2013535830A (ja) 透明電極を製造する方法、光電池を製造する方法、ならびに構造