RU2010139858A - Солнечный элемент - Google Patents

Солнечный элемент Download PDF

Info

Publication number
RU2010139858A
RU2010139858A RU2010139858/28A RU2010139858A RU2010139858A RU 2010139858 A RU2010139858 A RU 2010139858A RU 2010139858/28 A RU2010139858/28 A RU 2010139858/28A RU 2010139858 A RU2010139858 A RU 2010139858A RU 2010139858 A RU2010139858 A RU 2010139858A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
conductive layer
photoelectric conversion
solar cell
conversion layer
low refractive
Prior art date
Application number
RU2010139858/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2455730C2 (ru
Inventor
Мива ВИТАИ (JP)
Мива ВИТАИ
Казуя САЙТО (JP)
Казуя САЙТО
Такаси КОМАЦУ (JP)
Такаси КОМАЦУ
Йосио ИДЕ (JP)
Йосио ИДЕ
Син АСАРИ (JP)
Син АСАРИ
Юсуке МИЗУНО (JP)
Юсуке МИЗУНО
Михо ШИМИЗУ (JP)
Михо ШИМИЗУ
Original Assignee
Улвак, Инк. (Jp)
Улвак, Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Улвак, Инк. (Jp), Улвак, Инк. filed Critical Улвак, Инк. (Jp)
Publication of RU2010139858A publication Critical patent/RU2010139858A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2455730C2 publication Critical patent/RU2455730C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/0543—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising light concentrating means of the refractive type, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/056—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means the light-reflecting means being of the back surface reflector [BSR] type
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

1. Солнечный элемент, содержащий: ! подложку, обладающую оптической прозрачностью; ! предусмотренный на подложке фотоэлектрический преобразователь, включающий в себя передний электрод, обладающий оптической прозрачностью, слой фотоэлектрического преобразования и тыльный электрод, обладающий светоотражающей способностью; и ! низкопреломляющий проводящий слой, выполненный из проводящего материала, обладающего оптической прозрачностью, прилегающий к слою фотоэлектрического преобразования и расположенный на противоположной подложке стороне слоя фотоэлектрического преобразования, причем ! низкопреломляющий проводящий слой предусмотрен между слоем фотоэлектрического преобразования и тыльным электродом, и между слоем фотоэлектрического преобразования и тыльным электродом предусмотрен только этот низкопреломляющий проводящий слой. ! 2. Солнечный элемент по п.1, в котором низкопреломляющий проводящий слой имеет структуру, в которой в SiO2 введены легирующие добавки. ! 3. Солнечный элемент по любому из пп.1 и 2, в котором толщина низкопреломляющего проводящего слоя составляет от 40 нм до 80 нм. ! 4. Солнечный элемент по п.3, в котором показатель преломления низкопреломляющего проводящего слоя составляет от 1,4 до 2,0 относительно длины волны от 450 нм до 1000 нм.

Claims (4)

1. Солнечный элемент, содержащий:
подложку, обладающую оптической прозрачностью;
предусмотренный на подложке фотоэлектрический преобразователь, включающий в себя передний электрод, обладающий оптической прозрачностью, слой фотоэлектрического преобразования и тыльный электрод, обладающий светоотражающей способностью; и
низкопреломляющий проводящий слой, выполненный из проводящего материала, обладающего оптической прозрачностью, прилегающий к слою фотоэлектрического преобразования и расположенный на противоположной подложке стороне слоя фотоэлектрического преобразования, причем
низкопреломляющий проводящий слой предусмотрен между слоем фотоэлектрического преобразования и тыльным электродом, и между слоем фотоэлектрического преобразования и тыльным электродом предусмотрен только этот низкопреломляющий проводящий слой.
2. Солнечный элемент по п.1, в котором низкопреломляющий проводящий слой имеет структуру, в которой в SiO2 введены легирующие добавки.
3. Солнечный элемент по любому из пп.1 и 2, в котором толщина низкопреломляющего проводящего слоя составляет от 40 нм до 80 нм.
4. Солнечный элемент по п.3, в котором показатель преломления низкопреломляющего проводящего слоя составляет от 1,4 до 2,0 относительно длины волны от 450 нм до 1000 нм.
RU2010139858/28A 2008-04-25 2009-04-24 Солнечный элемент RU2455730C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008-115981 2008-04-25
JP2008115981 2008-04-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010139858A true RU2010139858A (ru) 2012-05-27
RU2455730C2 RU2455730C2 (ru) 2012-07-10

Family

ID=41216938

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010139858/28A RU2455730C2 (ru) 2008-04-25 2009-04-24 Солнечный элемент

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20110030780A1 (ru)
EP (1) EP2273559A4 (ru)
JP (1) JPWO2009131212A1 (ru)
KR (1) KR101169452B1 (ru)
CN (1) CN101971356A (ru)
RU (1) RU2455730C2 (ru)
TW (1) TW201003941A (ru)
WO (1) WO2009131212A1 (ru)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101133953B1 (ko) 2010-07-09 2012-04-05 성균관대학교산학협력단 실리카 반사방지막의 제조 방법 및 이를 이용한 실리콘 태양전지
JP5632697B2 (ja) * 2010-10-12 2014-11-26 株式会社カネカ 薄膜太陽電池
KR101022749B1 (ko) * 2010-12-09 2011-03-17 한국기계연구원 광 여과부를 구비하는 선택적 광 투과형 태양전지
RU2542887C2 (ru) * 2013-07-05 2015-02-27 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) Энергоэффективное охлаждающее устройство
RU198378U1 (ru) * 2020-02-28 2020-07-02 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук Концентраторный солнечный элемент

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58111379A (ja) * 1981-12-24 1983-07-02 Seiko Epson Corp 薄膜太陽電池
JPH0548129A (ja) * 1991-08-21 1993-02-26 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置
JPH05145095A (ja) * 1991-11-18 1993-06-11 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力素子
JP2775543B2 (ja) * 1992-01-27 1998-07-16 シャープ株式会社 光電変換装置
JPH07321362A (ja) * 1994-05-24 1995-12-08 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置
JPH10190028A (ja) * 1996-12-26 1998-07-21 Idemitsu Kosan Co Ltd 高屈折率透明導電膜および太陽電池
RU2224331C2 (ru) * 2001-11-23 2004-02-20 Институт физики им. Л.В.Киренского СО РАН Фотоприемник (варианты)
JP2003179241A (ja) 2001-12-10 2003-06-27 Kyocera Corp 薄膜太陽電池
JP2004260014A (ja) * 2003-02-26 2004-09-16 Kyocera Corp 多層型薄膜光電変換装置
EP1650812B2 (en) * 2003-07-24 2019-10-23 Kaneka Corporation Method for making a silicon based thin film solar cell
UA77251C2 (ru) * 2004-08-02 2006-11-15 Валерій Євгенович Родіонов Тонкопленочный солнечный элемент
WO2007074683A1 (ja) * 2005-12-26 2007-07-05 Kaneka Corporation 積層型光電変換装置
JP2007266095A (ja) 2006-03-27 2007-10-11 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 光電変換セル、光電変換モジュール、光電変換パネルおよび光電変換システム
KR100833675B1 (ko) * 2007-01-30 2008-05-29 (주)실리콘화일 반투명 결정질 실리콘 박막 태양전지
EP2207209A4 (en) * 2007-10-30 2014-12-03 Sanyo Electric Co SOLAR CELL

Also Published As

Publication number Publication date
CN101971356A (zh) 2011-02-09
JPWO2009131212A1 (ja) 2011-08-25
TW201003941A (en) 2010-01-16
KR20100119886A (ko) 2010-11-11
KR101169452B1 (ko) 2012-07-27
EP2273559A4 (en) 2013-01-09
EP2273559A1 (en) 2011-01-12
WO2009131212A1 (ja) 2009-10-29
RU2455730C2 (ru) 2012-07-10
US20110030780A1 (en) 2011-02-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2008096711A1 (ja) 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュール用波長変換型集光フィルム
ES2702658T3 (es) Módulo fotovoltaico solar
US20100126577A1 (en) Guided mode resonance solar cell
WO2008105411A1 (ja) 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法
WO2009151679A3 (en) Integrated solar cell with wavelength conversion layers and light guiding and concentrating layers
RU2010139858A (ru) Солнечный элемент
US20100126579A1 (en) Solar cell having reflective structure
CN203055993U (zh) 一种半透明有机太阳能电池
WO2010107796A3 (en) Asymmetric waveguide
JPH11307795A (ja) 太陽電池モジュール
CN104576793A (zh) 一种双面镀膜光伏玻璃
US10424678B2 (en) Solar cell with double groove diffraction grating
KR101025929B1 (ko) 광도파로를 구비하는 태양전지 모듈
JP2011165754A (ja) 太陽電池モジュール
WO2009005083A1 (ja) 型フィルム一体型集光フィルム、太陽電池セル及び太陽電池モジュール
JP2011165755A (ja) 太陽電池モジュール
JP2011199235A5 (ru)
CN202004002U (zh) 单晶硅太阳能电池用叠层减反射膜
JP4924724B2 (ja) 太陽電池パネル
US9842947B2 (en) Photoconversion device with enhanced photon absorption
JP2009158288A5 (ru)
TW200929578A (en) Transparent sola cell module
CN105247690A (zh) 聚光设备
CN109065732A (zh) 一种兼具宽光谱减反射和紫外滤光功能的钙钛矿电池及其玻璃盖板
CN101764171A (zh) 具有反射结构的太阳能电池