JP5632697B2 - 薄膜太陽電池 - Google Patents
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Description
すなわち、本発明は、基板上に、透明電極層、少なくとも1つの光電変換ユニット、裏面金属電極層がこの順に形成された薄膜太陽電池において、上記光電変換ユニットと裏面金属電極層の間に、透明導電性酸化物層を備えることを特徴とする薄膜太陽電池に関し、透明導電性酸化物層は、酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物を有し、かつ、酸化ケイ素および酸化インジウムを、それぞれ1〜4重量%含有することを特徴とする。
基板として無アルカリガラス(厚み0.7mm、商品名OA−10、日本電気硝子社製)を用い、この基板上に透明導電性酸化物層として亜鉛−ケイ素−インジウム複合酸化物(ISZO)を80nm製膜した。製膜条件は、基板温度を室温とし、ターゲットとして亜鉛−ケイ素−インジウム複合酸化物(ISZO、組成ZnO:SiO2:In2O3=96:2:2)を、キャリアガスとしてアルゴンを100sccm使用して、0.2Paの圧力で0.8W/cm2のパワー密度をかけて製膜した。
以下表1に示すように、酸化亜鉛・酸化ケイ素・酸化インジウムの組成比を変えて透明導電性酸化物層を作製した。
実施例6では、本発明における透明導電性酸化物層を用いた薄膜太陽電池を作製した。以下に詳細を示す(図2参照)。基板1として無アルカリガラス(厚み1.1mm、商品名OA−10、日本電気硝子社製)を使用した。透明電極層3には熱CVD法により作製したフッ素化酸化錫(F:SnO2)を用いた。この際の透明電極層3の膜厚は800nm、シート抵抗は10オーム/□、ヘイズ値は15〜20%とした。
透明導電性酸化物層2を、比較例2に示した条件で実施した以外は実施例6と同じ条件で薄膜太陽電池を作製した。このようにして形成された薄膜太陽電池の光電変換特性を表2に示す。
2 透明導電性酸化物層
3 透明電極層
4 光電変換ユニット
4−1 第1の光電変換ユニット
4−2 透明導電性中間層
4−3 第2の光電変換ユニット
5 裏面電極層
Claims (2)
- 基板上に,透明導電性酸化物からなる透明電極層、少なくとも1つの光電変換ユニット、および裏面金属電極層がこの順に形成された薄膜太陽電池において、
上記光電変換ユニットと裏面金属電極層の間に、さらに透明導電性酸化物層を備え、
前記透明導電性酸化物層は、酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物を有し、かつ、酸化ケイ素および酸化インジウムを、それぞれ1〜4重量%含有することを特徴とする、
薄膜太陽電池。 - 上記透明導電性酸化物層の抵抗率が7×10-3Ωcm以下であり、且つ85℃・85%RHの環境下で1000時間放置した時の抵抗率の変化が0.8〜1.2であることを特徴とする、請求項1に記載の薄膜太陽電池。
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