RU2365969C1 - Current mirror - Google Patents

Current mirror Download PDF

Info

Publication number
RU2365969C1
RU2365969C1 RU2008100481/09A RU2008100481A RU2365969C1 RU 2365969 C1 RU2365969 C1 RU 2365969C1 RU 2008100481/09 A RU2008100481/09 A RU 2008100481/09A RU 2008100481 A RU2008100481 A RU 2008100481A RU 2365969 C1 RU2365969 C1 RU 2365969C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
output
current mirror
input
transistor
current
Prior art date
Application number
RU2008100481/09A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Николай Николаевич Прокопенко (RU)
Николай Николаевич Прокопенко
Даниил Николаевич Конев (RU)
Даниил Николаевич Конев
Андрей Васильевич Хорунжий (RU)
Андрей Васильевич Хорунжий
Original Assignee
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") filed Critical Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС")
Priority to RU2008100481/09A priority Critical patent/RU2365969C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2365969C1 publication Critical patent/RU2365969C1/en

Links

Images

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

FIELD: radio engineering and communication.
SUBSTANCE: invention relates to radio engineering and commutation and can be used as a functional unit incorporated with various analog signal amplifiers, various-purpose analog microcircuits, e.g. operational amplifiers (OA), voltage stabilisers and comparators. Proposed current mirror comprises input (1) and output (2) transistors with their bases interconnected, while their emitters are connected to bus (3) of the 1st power source. Note here that input transistor collector is connected with current mirror input (4), while output transistor collector is connected with current mirror output (5). Additionally, proposed circuit incorporates 1st (6) and 2nd (7) transistors and extra inverting current amplifier (8) with its input (9) connected to collector of the said 1st transistor and its output (10) connected to current mirror output (5). Emitter of the 2nd transistor (7) is connected to that of the 1st transistor and to current mirror input (4). Bases of the 1st and 2nd are connected to the circuit (11) of setting static potential. Note here that collector of the 2nd transistor is connected with the base of input (1) and output (2) transistors.
EFFECT: higher accuracy of current transmission.
5 cl, 23 dwg

Description

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве функционального узла различных устройств усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, операционных усилителях (ОУ), стабилизаторах напряжения, компараторах).The invention relates to the field of radio engineering and communication and can be used as a functional unit of various devices for amplifying analog signals, in the structure of analog microcircuits for various functional purposes (for example, operational amplifiers (op amps), voltage stabilizers, comparators).

Основой большинства современных операционных усилителей, стабилизаторов напряжения, компараторов являются так называемые «токовые зеркала» (повторители тока), которые по существу являются управляемыми источниками опорного тока [1-56]. В патентной литературе эти устройства с одним и тем же функциональным назначением присутствуют в классе H03F, а также классах G05F, Н03К МПК. Качественные показатели многих аналоговых устройств определяются параметрами токовых зеркал. Именно этим объясняется большое число патентов, посвященных данному подклассу функциональных узлов [1-56].The basis of most modern operational amplifiers, voltage stabilizers, comparators are the so-called "current mirrors" (current repeaters), which are essentially controlled reference current sources [1-56]. In the patent literature, these devices with the same functional purpose are present in the class H03F, as well as classes G05F, H03K IPC. Qualitative indicators of many analog devices are determined by the parameters of current mirrors. This explains the large number of patents devoted to this subclass of functional units [1-56].

Ближайшим прототипом (фиг.1) заявляемого устройства является токовое зеркало, описанное в патенте фирмы Analog Devices (США) 6.573.795 (фиг.1), содержащее входной 1 и выходной 2 транзисторы, базы которых объединены, а эмиттеры подключены к шине 3 первого источника питания, причем коллектор входного транзистора 1 связан со входом 4 токового зеркала, а коллектор выходного транзистора 2 соединен с выходом 5 токового зеркала. Кроме этого данное техническое решение описано в патентах США №3.906.386, 4.158.178, 4.352.057, 4.965.510, 4.700.144, 3.950.708, 6.163.216, 5.220.289, 6.429.744.The closest prototype (figure 1) of the claimed device is a current mirror described in the patent of Analog Devices (USA) 6.573.795 (figure 1), containing input 1 and output 2 transistors, the bases of which are combined, and the emitters are connected to bus 3 of the first power supply, and the collector of the input transistor 1 is connected to the input 4 of the current mirror, and the collector of the output transistor 2 is connected to the output 5 of the current mirror. In addition, this technical solution is described in US patents No. 3,906.386, 4.158.178, 4.352.057, 4.965.510, 4.700.144, 3.950.708, 6.163.216, 5.220.289, 6.429.744.

Существенный недостаток известного токового зеркала состоит в том, что оно не обеспечивает высокую точность передачи по току в том случае, если статические потенциалы на коллекторах входного 1 и выходного 2 транзисторов существенно отличаются друг от друга. Следует отметить, что такой режим работы токовых зеркал характерен при их использовании в схемах многих операционных усилителей (ОУ) с типовой архитектурой. Кроме этого погрешность передачи входного тока в схеме фиг.1 зависит от коэффициента усиления по току базы транзистора 2 (β2). Вследствие этих недостатков известного устройства напряжение смещения нуля ОУ на его основе измеряется единицами милливольт. В большинстве случаев это неприемлемо.A significant disadvantage of the known current mirror is that it does not provide high current transfer accuracy if the static potentials on the collectors of the input 1 and output 2 of the transistors are significantly different from each other. It should be noted that this mode of operation of current mirrors is characteristic when they are used in the circuits of many operational amplifiers (op amps) with a typical architecture. In addition, the error in the transmission of the input current in the circuit of Fig. 1 depends on the current gain of the base of transistor 2 (β 2 ). Due to these disadvantages of the known device, the zero-bias voltage of an op-amp based on it is measured in units of millivolts. In most cases this is unacceptable.

Основная цель предлагаемого изобретения состоит в повышении точности передачи по току токового зеркала и, как следствие, в уменьшении напряжения смещения нуля Uсм и повышении коэффициента ослабления входного синфазного сигнала (Кос.сф) в операционных усилителях на его основе. Дополнительная цель - повышение на 1-2 порядка коэффициента усиления по напряжению (Ку) ОУ.The main objective of the invention is to increase the accuracy of current transmission of the current mirror and, as a result, to reduce the bias voltage U cm and increase the attenuation coefficient of the input common mode signal (K OS.sf ) in operational amplifiers based on it. An additional goal is to increase by 1-2 orders of the voltage gain (K y ) of the op-amp.

Поставленная цель достигается тем, что в токовом зеркале фиг.1, содержащем входной 1 и выходной 2 транзисторы, базы которых объединены, а эмиттеры подключены к шине 3 первого источника питания, причем коллектор входного транзистора 1 связан со входом 4 токового зеркала, а коллектор выходного транзистора 2 соединен с выходом 5 токового зеркала, предусмотрены новые элементы и связи - в схему введены первый 6 и второй 7 дополнительные транзисторы и вспомогательный инвертирующий усилитель тока 8, вход 9 которого соединен с коллектором первого 6 дополнительного транзистора, а выход 10 связан с выходом 5 токового зеркала, эмиттер второго дополнительного транзистора 7 соединен с эмиттером первого дополнительного транзистора 6 и подключен ко входу 4 токового зеркала, базы первого 6 и второго 7 дополнительных транзисторов соединены с цепью установления статического потенциала 11, причем коллектор второго дополнительного транзистора 7 связан с базами входного 1 и выходного 2 транзисторов.This goal is achieved by the fact that in the current mirror of Fig. 1, containing the input 1 and output 2 transistors, the bases of which are combined, and the emitters are connected to the bus 3 of the first power source, and the collector of the input transistor 1 is connected to the input 4 of the current mirror, and the collector of the output transistor 2 is connected to the output 5 of the current mirror, new elements and connections are provided - the first 6 and second 7 additional transistors and an auxiliary inverting current amplifier 8 are introduced into the circuit, the input 9 of which is connected to the collector of the first 6 additional body transistor, and the output 10 is connected to the output 5 of the current mirror, the emitter of the second additional transistor 7 is connected to the emitter of the first additional transistor 6 and connected to the input 4 of the current mirror, the base of the first 6 and second 7 additional transistors are connected to the static potential setting circuit 11, and the collector of the second additional transistor 7 is connected to the bases of the input 1 and output 2 of the transistors.

Схема заявляемого устройства в соответствии с п.1 формулы изобретения показана на фиг.2.A diagram of the inventive device in accordance with claim 1 of the claims is shown in figure 2.

На фиг.3 показана схема токового зеркала фиг.2 в соответствии с п.2 и п.3 формулы изобретения для случая, когда в качестве цепи установления статического потенциала 11 используется общая шина 12 первого 3 и второго 13 источников питания. При этом входной токовый сигнал моделируется источником Iвх, а свойства нагрузки - двухполюсником R4.Figure 3 shows a diagram of the current mirror of figure 2 in accordance with claim 2 and claim 3 of the claims for the case when the common bus 12 of the first 3 and second 13 power supplies is used as the circuit for establishing the static potential 11. When this input current signal is modeled Rin source I and load properties - two-pole R4.

На фиг.4 изображен другой вариант построения токового зеркала (п.4 формулы изобретения) для случая, когда в качестве цепи установления статического потенциала 11 используется выход 5 токового зеркала.Figure 4 shows another embodiment of the construction of the current mirror (paragraph 4 of the claims) for the case when the output 5 of the current mirror is used as the circuit for establishing the static potential 11.

Схема фиг.5 соответствует п.5 формулы изобретения. Она включает дополнительный неинвертирующий усилитель тока 14, у которого Кi=1.The scheme of figure 5 corresponds to paragraph 5 of the claims. It includes an additional non-inverting current amplifier 14, in which K i = 1.

На фиг.6 в качестве примера представлена схема «перегнутого» каскодного усилителя на базе заявляемого токового зеркала.In Fig.6, as an example, a diagram of a “bent” cascode amplifier based on the inventive current mirror is presented.

На фиг.7 показана схема операционного усилителя на базе токового зеркала - прототипа в среде компьютерного моделирования РSpice на моделях интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар». Здесь напряжение смещения нуля Uсм=-4,4 мВ.Figure 7 shows a diagram of an operational amplifier based on a current mirror - a prototype in the computer simulation environment of RSpice on models of integrated transistors of the Federal State Unitary Enterprise NPP Pulsar. Here, the zero bias voltage U cm = -4.4 mV.

На фиг.8 в среде PSpice представлена схема операционного усилителя на основе заявляемого токового зеркала фиг.5, на базе которой производилось измерение величины напряжения смещения нуля. Здесь Uсм=0,44 мВ (без учета случайного разброса параметров элементов).On Fig in the environment of PSpice presents a diagram of an operational amplifier based on the inventive current mirror of figure 5, on the basis of which the measurement of the magnitude of the bias voltage zero. Here U cm = 0.44 mV (without taking into account the random spread of the parameters of the elements).

На фиг.9 показаны графики частотной зависимости коэффициента усиления по напряжению ОУ фиг.7 и фиг.8. Они показывают, что предлагаемое токовое зеркало увеличивает Ку на 48 дБ, т.е. более чем в 100 раз.In Fig.9 shows graphs of the frequency dependence of the gain of the voltage of the op-amp of Fig.7 and Fig.8. They show that the proposed current mirror increases K y by 48 dB, i.e. more than 100 times.

На фиг.10 представлена схема токового зеркала-прототипа в среде компьютерного моделирования PSpice на моделях интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар», а на фиг.11 - зависимость его выходного тока от входного. Фиг.12 иллюстрирует зависимость относительной погрешности передачи тока от численных значений Iвх.Figure 10 presents a diagram of the current mirror of the prototype in the computer simulation environment PSpice on models of integrated transistors of FSUE NPP Pulsar, and figure 11 shows the dependence of its output current on the input. 12 illustrates the dependence of the relative error of the current transmission on the numerical values of I in .

На фиг.13 показана схема токового зеркала, соответствующего фиг.4, в среде компьютерного моделирования PSpice на моделях интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар», а на фиг.14 и фиг.15 - его основные характеристики.On Fig shows a diagram of the current mirror corresponding to figure 4, in a computer simulation environment PSpice on the models of integrated transistors FSUE NPP "Pulsar", and on Fig and Fig - its main characteristics.

На фиг.16 приведена схема токового зеркала, соответствующего фиг.3, в среде компьютерного моделирования PSpice на моделях интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар», а на фиг.17 - зависимость относительной погрешности передачи тока от численных значений Iвх.In Fig.16 shows a diagram of the current mirror corresponding to Fig.3, in a computer simulation environment PSpice on models of integrated transistors of the Federal State Unitary Enterprise NPP Pulsar, and Fig.17 shows the dependence of the relative error of current transmission on the numerical values of I input .

На фиг.18 приведена другая модификация схемы токового зеркала, соответствующего фиг.4, в среде компьютерного моделирования PSpice на моделях интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар», а на фиг.19 и фиг.20 - его основные характеристики.Fig. 18 shows another modification of the current mirror circuit corresponding to Fig. 4 in the computer simulation environment PSpice on models of integrated transistors of the Federal State Unitary Enterprise NPP Pulsar, and Fig. 19 and Fig. 20 show its main characteristics.

На фиг.21 приведена другая модификация схемы токового зеркала, соответствующего фиг.3, в среде компьютерного моделирования PSpice на моделях интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар», а на фиг.22 и фиг.23 - его основные характеристики.On Fig shows another modification of the current mirror circuit corresponding to figure 3, in a computer simulation environment PSpice on models of integrated transistors FSUE NPP "Pulsar", and on Fig and Fig - its main characteristics.

Следует заметить, что схемы фиг.21, фиг.18 отличаются от других более низкими значениями относительной погрешности передачи тока за счет введения симметрирующих p-n переходов в коллекторную цепь транзистора 1.It should be noted that the circuits of Fig.21, Fig.18 differ from others in lower values of the relative error of current transmission due to the introduction of balancing pn junctions in the collector circuit of transistor 1.

Токовое зеркало фиг.2 содержит входной 1 и выходной 2 транзисторы, базы которых объединены, а эмиттеры подключены к шине 3 первого источника питания, причем коллектор входного транзистора 1 связан со входом 4 токового зеркала, а коллектор выходного транзистора 2 соединен с выходом 5 токового зеркала. В схему введены первый 6 и второй 7 дополнительные транзисторы и вспомогательный инвертирующий усилитель тока 8, вход 9 которого соединен с коллектором первого 6 дополнительного транзистора, а выход 10 связан с выходом 5 токового зеркала, эмиттер второго дополнительного транзистора 7 соединен с эмиттером первого дополнительного транзистора 6 и подключен ко входу 4 токового зеркала, базы первого 6 и второго 7 дополнительных транзисторов соединены с цепью установления статического потенциала 11, причем коллектор второго дополнительного транзистора 7 связан с базами входного 1 и выходного 2 транзисторов.The current mirror of figure 2 contains the input 1 and output 2 transistors, the bases of which are combined, and the emitters are connected to the bus 3 of the first power source, and the collector of the input transistor 1 is connected to the input 4 of the current mirror, and the collector of the output transistor 2 is connected to the output 5 of the current mirror . The first 6 and second 7 additional transistors and an auxiliary inverting current amplifier 8 are introduced into the circuit, the input 9 of which is connected to the collector of the first 6 additional transistor, and the output 10 is connected to the output 5 of the current mirror, the emitter of the second additional transistor 7 is connected to the emitter of the first additional transistor 6 and connected to the input 4 of the current mirror, the base of the first 6 and second 7 additional transistors are connected to a circuit for establishing a static potential 11, and the collector of the second additional trans 7 torus connected with the bases of the input 1 and output 2 transistors.

Во всех предлагаемых схемах коэффициент передачи по току вспомогательного инвертирующего усилителя тока 8 близок к двум единицам.In all proposed schemes, the current transfer coefficient of the auxiliary inverting current amplifier 8 is close to two units.

В схеме фиг.3. в качестве цепи установления статического потенциала 11 используется общая шина 12 первого 3 и второго 13 источников питания.In the diagram of figure 3. as a circuit for establishing a static potential 11, a common bus 12 of the first 3 and second 13 power sources is used.

В схеме фиг.4 в качестве цепи установления статического потенциала 11 используется выход 5 токового зеркала.In the circuit of FIG. 4, the output 5 of the current mirror is used as the circuit for establishing the static potential 11.

В схеме фиг.5 выход 10 вспомогательного инвертирующего усилителя тока 8 связан с выходом 5 токового зеркала через дополнительный неинвертирующий усилитель тока 14.In the circuit of FIG. 5, the output 10 of the auxiliary inverting current amplifier 8 is connected to the output 5 of the current mirror through an additional non-inverting current amplifier 14.

Рассмотрим работу заявляемого устройства фиг.2.Consider the operation of the inventive device of figure 2.

В статическом режиме в схеме фиг.2 устанавливаются следующие токиIn static mode, in the circuit of figure 2, the following currents are set

Iк1=Iвх-4Iб,I k1 = I in -4I b ,

Iэ1=Iк1+Iб=Iвх-3Iб,I e1 = I k1 + I b = I in -3I b ,

Iк6=2Iб, I10=Ki122Iб=4Iб,I k6 = 2I b , I 10 = K i12 2I b = 4I b ,

Iэ2=Iэ1=Iвх-3Iб,I e2 = I e1 = I in -3I b ,

Iк2=Iэ2-Iб=Iвх-4Iб,I k2 = I e2 -I b = I in -4I b ,

Iвых=Iк2+I10=Iвх,I out = I k2 + I 10 = I in ,

где Кi12=2 - модуль коэффициента усиления по току инвертирующего усилителя тока 8;where K i12 = 2 is the current gain module of the inverting current amplifier 8;

Iб - ток базы; Iк- ток коллектора; I э- ток эмиттера транзисторов; Iвх- входной ток.I b - base current; I to - collector current; I e - emitter current of transistors; I in - input current.

Таким образом, без учета эффекта Эрли транзистора 6 коэффициент передачи по току предлагаемого устройства равен единице, так как:Thus, without taking into account the Earley effect of transistor 6, the current transfer coefficient of the proposed device is equal to unity, since:

Iвых=Iвх.I out = I in .

В устройстве-прототипе данная составляющая коэффициента передачи определяется формулой:In the prototype device, this component of the transmission coefficient is determined by the formula:

Figure 00000001
,
Figure 00000001
,

где β2=5÷20 - коэффициент усиления по току базы транзистора 2.where β 2 = 5 ÷ 20 is the current gain of the base of transistor 2.

Таким образом, заявляемое устройство более качественно выполняет функции токового зеркала и может применяться в аналоговых устройствах по данному функциональному назначению. При этом единичный коэффициент передачи по току обеспечивается в широком диапазоне изменения Iвx (два-три порядка).Thus, the claimed device performs better the functions of a current mirror and can be used in analog devices for this functional purpose. At the same time, a single current transfer coefficient is provided in a wide range of changes in I x (two to three orders of magnitude).

Особенность предлагаемого токового зеркала состоит также в том, что в нем обеспечивается «выравнивание» статических напряжений на входе 4 и выходе 5 за счет соответствующего выбора напряжения цепи установления статического потенциала 11. Это также существенно уменьшает Uсм. Кроме этого, подключение базы транзисторов 6 и 7 к выходу 5 токового зеркала создает условия для уменьшения погрешности токового зеркала за счет взаимной компенсации эффектов Эрли в транзисторах 1 и 2.A feature of the proposed current mirror is also that it provides “equalization” of static voltages at input 4 and output 5 by appropriate selection of the voltage of the circuit establishing static potential 11. This also significantly reduces U cm . In addition, connecting the base of transistors 6 and 7 to the output 5 of the current mirror creates the conditions for reducing the error of the current mirror due to the mutual compensation of Earley effects in transistors 1 and 2.

Замечательная особенность токового зеркала фиг.4 состоит также в том, что при его использовании в операционных усилителях коэффициент усиления по напряжению (Ку) повышается более чем на два порядка (фиг.9). Это связано с эффектом взаимной компенсации влияния на коэффициент усиления паразитных выходных проводимостей транзисторов 1 и 2 в выходном узле 5 токового зеркала.A remarkable feature of the current mirror of FIG. 4 is also that when it is used in operational amplifiers, the voltage gain (K y ) rises by more than two orders of magnitude (FIG. 9). This is due to the effect of mutual compensation of the influence on the gain of the spurious output conductivities of transistors 1 and 2 in the output node 5 of the current mirror.

За счет предлагаемого токового зеркала в ОУ на его основе также существенно повышается коэффициент ослабления синфазных сигналов (Кос.сф) и коэффициент подавления помехи по питанию (Кпп). Этот эффект объясняется тем, что коэффициент передачи по току предлагаемого токового зеркала более близок к единице, чем в известном устройстве. В целом это повышает Кос.сф и Кпп, уменьшает Uсм.Due to the proposed current mirror in the op-amp based on it, the attenuation coefficient of common-mode signals (K os.sf ) and the suppression coefficient of power interference (K pp ) are also significantly increased. This effect is explained by the fact that the current transfer coefficient of the proposed current mirror is closer to unity than in the known device. In general, it increases K OS.F and K PP , reduces U see

Полученные выше выводы подтверждаются результатами моделирования предлагаемой схемы в среде PSpice.The above findings are confirmed by the simulation results of the proposed circuit in the environment of PSpice.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОКBIBLIOGRAPHIC LIST

1. Патент РФ №1.329.6391. RF patent No. 1.329.639

2. Патент США №3.681.6232. US Patent No. 3,681.623

3. Патент США №3.813.6073. US Patent No. 3,813.607

4. Патент США №3.835.4104. US Patent No. 3,835,410

5. Патент США №4.008.441, H03f3/165. US Patent No. 4.008.441, H03f3 / 16

6. Патент США №4.013.9736. US Patent No. 4.013.973

7. Патент США №4.030.044 (фиг.3)7. US patent No. 4.030.044 (figure 3)

8. Патент США №4.057.7638. US Patent No. 4.057.763

9. Патент США №4.095.1899. US Patent No. 4,095.189

10. Патент США №4.117.41710. US Patent No. 4.117.417

11. Патент США №4.241.31511. US Patent No. 4,241.315

12. Патент США №4.345.21312. US Patent No. 4,345.213

13. Патент США №4.412.186, H03f3/0413. US Patent No. 4,412.186, H03f3 / 04

14. Патент США №4.462.005, H03f3/0414. US Patent No. 4,462.005, H03f3 / 04

15. Патент США №4.471.23615. US patent No. 4.471.236

16. Патент США №4.473.79416. US Patent No. 4,473,794

17. Патент США №4.567.44417. US Patent No. 4,567,444

18. Патент США №4.591.804, H03f3/0418. US Patent No. 4,591.804, H03f3 / 04

19. Патент США №4.769.61919. US Patent No. 4,769.619

20. Патент США №4.855.68620. US Patent No. 4,855.686

21. Патент США №4.879.524, H03f3/2621. US Patent No. 4.879.524, H03f3 / 26

22. Патент США №4.897.61422. US Patent No. 4,897.614

23. Патент США №4.937.515, G05f3/2623. US Patent No. 4,937.515, G05f3 / 26

24. Патент США №4.990.86424. US Patent No. 4,990.864

25. Патент США №5.053.71825. US Patent No. 5.053.718

26. Патент США №5.079.518, Н03К 3/1626. US patent No. 5.079.518, H03K 3/16

27. Патент США №5.164.65827. US Patent No. 5.164.658

28. Патент США №5.357.188, G05f3/2628. US patent No. 5.357.188, G05f3 / 26

29. Патент США №5.373.25329. US patent No. 5.373.253

30. Патент США №5.394.079, G05f3/1630. US patent No. 5.394.079, G05f3 / 16

31. Патент США №5.399.99131. US Patent No. 5,399.991

32. Патент США №5.512.815, G05f3/1632. US patent No. 5.512.815, G05f3 / 16

33. Патент США №5.572.11433. US Patent No. 5,572.114

34. Патент США №5.633.61234. US Patent No. 5,633.612

35. Патент США №5.721.51235. US Patent No. 5,721.512

36. Патент США №5.933.05536. US patent No. 5.933.055

37. Патент США №5.969.57437. US patent No. 5.969.574

38. Патент США №5.986.50738. US patent No. 5.986.507

39. Патент США №6.016.05039. US Patent No. 6.016.050

40. Патент США №6.570.43840. US Patent No. 6,570,438

41. Патент США №6.573.79541. US Patent No. 6,573.795

42. Патент США №6.586.91842. US Patent No. 6,586.918

43. Патент США №6.606.00143. US patent No. 6.606.001

44. Патент США №6.291.97744. US Patent No. 6,291.977

45. Патент США №6.300.80345. US patent No. 6.300.803

46. Патент США №6.528.98146. US Patent No. 6,528.981

47. Патент США №6.630.81847. US Patent No. 6,630.818

48. Патент США №6.633.19848. US Patent No. 6,633.198

49. Патент США №6.639.45249. US Patent No. 6,639.452

50. Патент США №6.657.48150. US Patent No. 6,657.481

51. Патент США №6.677.80751. US Patent No. 6,677.807

52. Патент США №6.680.60552. US Patent No. 6,680.605

53. Патент США №6.816.01453. US patent No. 6.816.014

54. Патент РФ RU 219327354. RF patent RU 2193273

55. Патентная заявка США 2004/08168855. US patent application 2004/081688

56. Патентная заявка США 2003/003049256. US patent application 2003/0030492

Claims (5)

1. Токовое зеркало, содержащее входной (1) и выходной (2) транзисторы, базы которых объединены, а эмиттеры подключены к шине (3) первого источника питания, причем коллектор входного транзистора (1) связан со входом (4) токового зеркала, а коллектор выходного транзистора (2) соединен с выходом (5) токового зеркала, отличающееся тем, что в схему введены первый (6) и второй (7) дополнительные транзисторы и вспомогательный инвертирующий усилитель тока (8), вход (9) которого соединен с коллектором первого (6) дополнительного транзистора, а выход (10) связан с выходом (5) токового зеркала, эмиттер второго дополнительного транзистора (7) соединен с эмиттером первого дополнительного транзистора (6) и подключен ко входу (4) токового зеркала, базы первого (6) и второго (7) дополнительных транзисторов соединены с цепью установления статического потенциала (11), причем коллектор второго дополнительного транзистора (7) связан с базами входного (1) и выходного (2) транзисторов.1. A current mirror containing input (1) and output (2) transistors, the bases of which are combined, and emitters are connected to the bus (3) of the first power source, and the collector of the input transistor (1) is connected to the input (4) of the current mirror, and the collector of the output transistor (2) is connected to the output (5) of the current mirror, characterized in that the first (6) and second (7) additional transistors and an auxiliary inverting current amplifier (8) are introduced into the circuit, the input (9) of which is connected to the collector the first (6) additional transistor, and the output (10) is connected to the output the current mirror house (5), the emitter of the second additional transistor (7) is connected to the emitter of the first additional transistor (6) and connected to the input (4) of the current mirror, the base of the first (6) and second (7) additional transistors are connected to the static establishment circuit potential (11), and the collector of the second additional transistor (7) is connected to the bases of the input (1) and output (2) transistors. 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что коэффициент передачи по току вспомогательного инвертирующего усилителя тока (8) близок к двум единицам.2. The device according to claim 1, characterized in that the current transfer coefficient of the auxiliary inverting current amplifier (8) is close to two units. 3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что в качестве цепи установления статического потенциала (11) используется общая шина (12) первого (3) и второго (13) источников питания.3. The device according to claim 1, characterized in that the common bus (12) of the first (3) and second (13) power sources is used as the circuit for establishing the static potential (11). 4. Устройство по п.1, отличающееся тем, что в качестве цепи установления статического потенциала (11) используется выход (5) токового зеркала.4. The device according to claim 1, characterized in that the output (5) of the current mirror is used as the circuit for establishing the static potential (11). 5. Устройство по п.1, отличающееся тем, что выход (10) вспомогательного инвертирующего усилителя тока (8) связан с выходом (5) токового зеркала через дополнительный неинвертирующий усилитель тока (14). 5. The device according to claim 1, characterized in that the output (10) of the auxiliary inverting current amplifier (8) is connected to the output (5) of the current mirror through an additional non-inverting current amplifier (14).
RU2008100481/09A 2008-01-09 2008-01-09 Current mirror RU2365969C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2008100481/09A RU2365969C1 (en) 2008-01-09 2008-01-09 Current mirror

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2008100481/09A RU2365969C1 (en) 2008-01-09 2008-01-09 Current mirror

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2365969C1 true RU2365969C1 (en) 2009-08-27

Family

ID=41149995

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2008100481/09A RU2365969C1 (en) 2008-01-09 2008-01-09 Current mirror

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2365969C1 (en)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2544780C1 (en) * 2013-11-12 2015-03-20 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" Low-voltage cmos current mirror
RU2720365C1 (en) * 2019-11-25 2020-04-29 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Current mirror for operation at low temperatures
RU2720557C1 (en) * 2019-11-22 2020-05-12 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Multifunctional current mirror on complementary field-effect transistors with control pn-junction for operation at low temperatures
RU2721386C1 (en) * 2019-11-13 2020-05-19 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ) Trigger two-stage rs flip-flop
RU2721943C1 (en) * 2020-01-31 2020-05-25 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Low-temperature input stage of operational amplifier with high attenuation of input common-mode signal on complementary field-effect transistors with control p-n junction
RU2721940C1 (en) * 2020-01-30 2020-05-25 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Buffer amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures
RU2721942C1 (en) * 2020-01-30 2020-05-25 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Low-temperature two-stage operational amplifier with paraphase output on complementary field-effect transistors with control p-n junction
RU2721945C1 (en) * 2020-01-31 2020-05-25 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Input stage of differential operational amplifier with paraphase output on complementary field-effect transistors

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2544780C1 (en) * 2013-11-12 2015-03-20 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" Low-voltage cmos current mirror
RU2721386C1 (en) * 2019-11-13 2020-05-19 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ) Trigger two-stage rs flip-flop
RU2720557C1 (en) * 2019-11-22 2020-05-12 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Multifunctional current mirror on complementary field-effect transistors with control pn-junction for operation at low temperatures
RU2720365C1 (en) * 2019-11-25 2020-04-29 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Current mirror for operation at low temperatures
RU2721940C1 (en) * 2020-01-30 2020-05-25 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Buffer amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures
RU2721942C1 (en) * 2020-01-30 2020-05-25 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Low-temperature two-stage operational amplifier with paraphase output on complementary field-effect transistors with control p-n junction
RU2721943C1 (en) * 2020-01-31 2020-05-25 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Low-temperature input stage of operational amplifier with high attenuation of input common-mode signal on complementary field-effect transistors with control p-n junction
RU2721945C1 (en) * 2020-01-31 2020-05-25 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Input stage of differential operational amplifier with paraphase output on complementary field-effect transistors

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2365969C1 (en) Current mirror
RU2523124C1 (en) Multi-differential operational amplifier
RU2346388C1 (en) Differential amplifier
RU2416155C1 (en) Differential operating amplifier
RU2367996C1 (en) Current mirror
RU2331964C1 (en) Voltage-to-current converter
RU2433523C1 (en) Precision differential operational amplifier
RU2412530C1 (en) Complementary differential amplifier
RU2416149C1 (en) Differential operating amplifier with low zero offset voltage
RU2343627C1 (en) Current mirror
RU2365029C1 (en) Cascode difference amplifier with low offset voltage
RU2362202C1 (en) Current mirror
RU2362203C1 (en) Current mirror
RU2416152C1 (en) Differential operating amplifier
RU2365971C1 (en) Current mirror
RU2621289C1 (en) Two-stage differential operational amplifier with higher gain
RU2343626C1 (en) Current mirror
RU2346383C1 (en) Current mirror
RU2412540C1 (en) Differential operating amplifier
RU2293433C1 (en) Differential amplifier with increased weakening of input cophased signal
RU2412537C1 (en) Differential operating amplifier
RU2390914C1 (en) Cascode differential amplifier with low voltage of zero shift
RU2459348C1 (en) Operational amplifier having gain adjustment circuit
RU2402150C1 (en) Current mirror with load circuit in form of cascade at transistor with common emitter
RU2416150C1 (en) Differential operating amplifier

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20130110