RU2365969C1 - Current mirror - Google Patents
Current mirror Download PDFInfo
- Publication number
- RU2365969C1 RU2365969C1 RU2008100481/09A RU2008100481A RU2365969C1 RU 2365969 C1 RU2365969 C1 RU 2365969C1 RU 2008100481/09 A RU2008100481/09 A RU 2008100481/09A RU 2008100481 A RU2008100481 A RU 2008100481A RU 2365969 C1 RU2365969 C1 RU 2365969C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- output
- current mirror
- input
- transistor
- current
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве функционального узла различных устройств усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, операционных усилителях (ОУ), стабилизаторах напряжения, компараторах).The invention relates to the field of radio engineering and communication and can be used as a functional unit of various devices for amplifying analog signals, in the structure of analog microcircuits for various functional purposes (for example, operational amplifiers (op amps), voltage stabilizers, comparators).
Основой большинства современных операционных усилителей, стабилизаторов напряжения, компараторов являются так называемые «токовые зеркала» (повторители тока), которые по существу являются управляемыми источниками опорного тока [1-56]. В патентной литературе эти устройства с одним и тем же функциональным назначением присутствуют в классе H03F, а также классах G05F, Н03К МПК. Качественные показатели многих аналоговых устройств определяются параметрами токовых зеркал. Именно этим объясняется большое число патентов, посвященных данному подклассу функциональных узлов [1-56].The basis of most modern operational amplifiers, voltage stabilizers, comparators are the so-called "current mirrors" (current repeaters), which are essentially controlled reference current sources [1-56]. In the patent literature, these devices with the same functional purpose are present in the class H03F, as well as classes G05F, H03K IPC. Qualitative indicators of many analog devices are determined by the parameters of current mirrors. This explains the large number of patents devoted to this subclass of functional units [1-56].
Ближайшим прототипом (фиг.1) заявляемого устройства является токовое зеркало, описанное в патенте фирмы Analog Devices (США) 6.573.795 (фиг.1), содержащее входной 1 и выходной 2 транзисторы, базы которых объединены, а эмиттеры подключены к шине 3 первого источника питания, причем коллектор входного транзистора 1 связан со входом 4 токового зеркала, а коллектор выходного транзистора 2 соединен с выходом 5 токового зеркала. Кроме этого данное техническое решение описано в патентах США №3.906.386, 4.158.178, 4.352.057, 4.965.510, 4.700.144, 3.950.708, 6.163.216, 5.220.289, 6.429.744.The closest prototype (figure 1) of the claimed device is a current mirror described in the patent of Analog Devices (USA) 6.573.795 (figure 1), containing
Существенный недостаток известного токового зеркала состоит в том, что оно не обеспечивает высокую точность передачи по току в том случае, если статические потенциалы на коллекторах входного 1 и выходного 2 транзисторов существенно отличаются друг от друга. Следует отметить, что такой режим работы токовых зеркал характерен при их использовании в схемах многих операционных усилителей (ОУ) с типовой архитектурой. Кроме этого погрешность передачи входного тока в схеме фиг.1 зависит от коэффициента усиления по току базы транзистора 2 (β2). Вследствие этих недостатков известного устройства напряжение смещения нуля ОУ на его основе измеряется единицами милливольт. В большинстве случаев это неприемлемо.A significant disadvantage of the known current mirror is that it does not provide high current transfer accuracy if the static potentials on the collectors of the
Основная цель предлагаемого изобретения состоит в повышении точности передачи по току токового зеркала и, как следствие, в уменьшении напряжения смещения нуля Uсм и повышении коэффициента ослабления входного синфазного сигнала (Кос.сф) в операционных усилителях на его основе. Дополнительная цель - повышение на 1-2 порядка коэффициента усиления по напряжению (Ку) ОУ.The main objective of the invention is to increase the accuracy of current transmission of the current mirror and, as a result, to reduce the bias voltage U cm and increase the attenuation coefficient of the input common mode signal (K OS.sf ) in operational amplifiers based on it. An additional goal is to increase by 1-2 orders of the voltage gain (K y ) of the op-amp.
Поставленная цель достигается тем, что в токовом зеркале фиг.1, содержащем входной 1 и выходной 2 транзисторы, базы которых объединены, а эмиттеры подключены к шине 3 первого источника питания, причем коллектор входного транзистора 1 связан со входом 4 токового зеркала, а коллектор выходного транзистора 2 соединен с выходом 5 токового зеркала, предусмотрены новые элементы и связи - в схему введены первый 6 и второй 7 дополнительные транзисторы и вспомогательный инвертирующий усилитель тока 8, вход 9 которого соединен с коллектором первого 6 дополнительного транзистора, а выход 10 связан с выходом 5 токового зеркала, эмиттер второго дополнительного транзистора 7 соединен с эмиттером первого дополнительного транзистора 6 и подключен ко входу 4 токового зеркала, базы первого 6 и второго 7 дополнительных транзисторов соединены с цепью установления статического потенциала 11, причем коллектор второго дополнительного транзистора 7 связан с базами входного 1 и выходного 2 транзисторов.This goal is achieved by the fact that in the current mirror of Fig. 1, containing the
Схема заявляемого устройства в соответствии с п.1 формулы изобретения показана на фиг.2.A diagram of the inventive device in accordance with
На фиг.3 показана схема токового зеркала фиг.2 в соответствии с п.2 и п.3 формулы изобретения для случая, когда в качестве цепи установления статического потенциала 11 используется общая шина 12 первого 3 и второго 13 источников питания. При этом входной токовый сигнал моделируется источником Iвх, а свойства нагрузки - двухполюсником R4.Figure 3 shows a diagram of the current mirror of figure 2 in accordance with
На фиг.4 изображен другой вариант построения токового зеркала (п.4 формулы изобретения) для случая, когда в качестве цепи установления статического потенциала 11 используется выход 5 токового зеркала.Figure 4 shows another embodiment of the construction of the current mirror (
Схема фиг.5 соответствует п.5 формулы изобретения. Она включает дополнительный неинвертирующий усилитель тока 14, у которого Кi=1.The scheme of figure 5 corresponds to
На фиг.6 в качестве примера представлена схема «перегнутого» каскодного усилителя на базе заявляемого токового зеркала.In Fig.6, as an example, a diagram of a “bent” cascode amplifier based on the inventive current mirror is presented.
На фиг.7 показана схема операционного усилителя на базе токового зеркала - прототипа в среде компьютерного моделирования РSpice на моделях интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар». Здесь напряжение смещения нуля Uсм=-4,4 мВ.Figure 7 shows a diagram of an operational amplifier based on a current mirror - a prototype in the computer simulation environment of RSpice on models of integrated transistors of the Federal State Unitary Enterprise NPP Pulsar. Here, the zero bias voltage U cm = -4.4 mV.
На фиг.8 в среде PSpice представлена схема операционного усилителя на основе заявляемого токового зеркала фиг.5, на базе которой производилось измерение величины напряжения смещения нуля. Здесь Uсм=0,44 мВ (без учета случайного разброса параметров элементов).On Fig in the environment of PSpice presents a diagram of an operational amplifier based on the inventive current mirror of figure 5, on the basis of which the measurement of the magnitude of the bias voltage zero. Here U cm = 0.44 mV (without taking into account the random spread of the parameters of the elements).
На фиг.9 показаны графики частотной зависимости коэффициента усиления по напряжению ОУ фиг.7 и фиг.8. Они показывают, что предлагаемое токовое зеркало увеличивает Ку на 48 дБ, т.е. более чем в 100 раз.In Fig.9 shows graphs of the frequency dependence of the gain of the voltage of the op-amp of Fig.7 and Fig.8. They show that the proposed current mirror increases K y by 48 dB, i.e. more than 100 times.
На фиг.10 представлена схема токового зеркала-прототипа в среде компьютерного моделирования PSpice на моделях интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар», а на фиг.11 - зависимость его выходного тока от входного. Фиг.12 иллюстрирует зависимость относительной погрешности передачи тока от численных значений Iвх.Figure 10 presents a diagram of the current mirror of the prototype in the computer simulation environment PSpice on models of integrated transistors of FSUE NPP Pulsar, and figure 11 shows the dependence of its output current on the input. 12 illustrates the dependence of the relative error of the current transmission on the numerical values of I in .
На фиг.13 показана схема токового зеркала, соответствующего фиг.4, в среде компьютерного моделирования PSpice на моделях интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар», а на фиг.14 и фиг.15 - его основные характеристики.On Fig shows a diagram of the current mirror corresponding to figure 4, in a computer simulation environment PSpice on the models of integrated transistors FSUE NPP "Pulsar", and on Fig and Fig - its main characteristics.
На фиг.16 приведена схема токового зеркала, соответствующего фиг.3, в среде компьютерного моделирования PSpice на моделях интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар», а на фиг.17 - зависимость относительной погрешности передачи тока от численных значений Iвх.In Fig.16 shows a diagram of the current mirror corresponding to Fig.3, in a computer simulation environment PSpice on models of integrated transistors of the Federal State Unitary Enterprise NPP Pulsar, and Fig.17 shows the dependence of the relative error of current transmission on the numerical values of I input .
На фиг.18 приведена другая модификация схемы токового зеркала, соответствующего фиг.4, в среде компьютерного моделирования PSpice на моделях интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар», а на фиг.19 и фиг.20 - его основные характеристики.Fig. 18 shows another modification of the current mirror circuit corresponding to Fig. 4 in the computer simulation environment PSpice on models of integrated transistors of the Federal State Unitary Enterprise NPP Pulsar, and Fig. 19 and Fig. 20 show its main characteristics.
На фиг.21 приведена другая модификация схемы токового зеркала, соответствующего фиг.3, в среде компьютерного моделирования PSpice на моделях интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар», а на фиг.22 и фиг.23 - его основные характеристики.On Fig shows another modification of the current mirror circuit corresponding to figure 3, in a computer simulation environment PSpice on models of integrated transistors FSUE NPP "Pulsar", and on Fig and Fig - its main characteristics.
Следует заметить, что схемы фиг.21, фиг.18 отличаются от других более низкими значениями относительной погрешности передачи тока за счет введения симметрирующих p-n переходов в коллекторную цепь транзистора 1.It should be noted that the circuits of Fig.21, Fig.18 differ from others in lower values of the relative error of current transmission due to the introduction of balancing pn junctions in the collector circuit of
Токовое зеркало фиг.2 содержит входной 1 и выходной 2 транзисторы, базы которых объединены, а эмиттеры подключены к шине 3 первого источника питания, причем коллектор входного транзистора 1 связан со входом 4 токового зеркала, а коллектор выходного транзистора 2 соединен с выходом 5 токового зеркала. В схему введены первый 6 и второй 7 дополнительные транзисторы и вспомогательный инвертирующий усилитель тока 8, вход 9 которого соединен с коллектором первого 6 дополнительного транзистора, а выход 10 связан с выходом 5 токового зеркала, эмиттер второго дополнительного транзистора 7 соединен с эмиттером первого дополнительного транзистора 6 и подключен ко входу 4 токового зеркала, базы первого 6 и второго 7 дополнительных транзисторов соединены с цепью установления статического потенциала 11, причем коллектор второго дополнительного транзистора 7 связан с базами входного 1 и выходного 2 транзисторов.The current mirror of figure 2 contains the
Во всех предлагаемых схемах коэффициент передачи по току вспомогательного инвертирующего усилителя тока 8 близок к двум единицам.In all proposed schemes, the current transfer coefficient of the auxiliary inverting
В схеме фиг.3. в качестве цепи установления статического потенциала 11 используется общая шина 12 первого 3 и второго 13 источников питания.In the diagram of figure 3. as a circuit for establishing a
В схеме фиг.4 в качестве цепи установления статического потенциала 11 используется выход 5 токового зеркала.In the circuit of FIG. 4, the
В схеме фиг.5 выход 10 вспомогательного инвертирующего усилителя тока 8 связан с выходом 5 токового зеркала через дополнительный неинвертирующий усилитель тока 14.In the circuit of FIG. 5, the output 10 of the auxiliary inverting
Рассмотрим работу заявляемого устройства фиг.2.Consider the operation of the inventive device of figure 2.
В статическом режиме в схеме фиг.2 устанавливаются следующие токиIn static mode, in the circuit of figure 2, the following currents are set
Iк1=Iвх-4Iб,I k1 = I in -4I b ,
Iэ1=Iк1+Iб=Iвх-3Iб,I e1 = I k1 + I b = I in -3I b ,
Iк6=2Iб, I10=Ki122Iб=4Iб,I k6 = 2I b , I 10 = K i12 2I b = 4I b ,
Iэ2=Iэ1=Iвх-3Iб,I e2 = I e1 = I in -3I b ,
Iк2=Iэ2-Iб=Iвх-4Iб,I k2 = I e2 -I b = I in -4I b ,
Iвых=Iк2+I10=Iвх,I out = I k2 + I 10 = I in ,
где Кi12=2 - модуль коэффициента усиления по току инвертирующего усилителя тока 8;where K i12 = 2 is the current gain module of the inverting
Iб - ток базы; Iк- ток коллектора; I э- ток эмиттера транзисторов; Iвх- входной ток.I b - base current; I to - collector current; I e - emitter current of transistors; I in - input current.
Таким образом, без учета эффекта Эрли транзистора 6 коэффициент передачи по току предлагаемого устройства равен единице, так как:Thus, without taking into account the Earley effect of
Iвых=Iвх.I out = I in .
В устройстве-прототипе данная составляющая коэффициента передачи определяется формулой:In the prototype device, this component of the transmission coefficient is determined by the formula:
, ,
где β2=5÷20 - коэффициент усиления по току базы транзистора 2.where β 2 = 5 ÷ 20 is the current gain of the base of
Таким образом, заявляемое устройство более качественно выполняет функции токового зеркала и может применяться в аналоговых устройствах по данному функциональному назначению. При этом единичный коэффициент передачи по току обеспечивается в широком диапазоне изменения Iвx (два-три порядка).Thus, the claimed device performs better the functions of a current mirror and can be used in analog devices for this functional purpose. At the same time, a single current transfer coefficient is provided in a wide range of changes in I x (two to three orders of magnitude).
Особенность предлагаемого токового зеркала состоит также в том, что в нем обеспечивается «выравнивание» статических напряжений на входе 4 и выходе 5 за счет соответствующего выбора напряжения цепи установления статического потенциала 11. Это также существенно уменьшает Uсм. Кроме этого, подключение базы транзисторов 6 и 7 к выходу 5 токового зеркала создает условия для уменьшения погрешности токового зеркала за счет взаимной компенсации эффектов Эрли в транзисторах 1 и 2.A feature of the proposed current mirror is also that it provides “equalization” of static voltages at
Замечательная особенность токового зеркала фиг.4 состоит также в том, что при его использовании в операционных усилителях коэффициент усиления по напряжению (Ку) повышается более чем на два порядка (фиг.9). Это связано с эффектом взаимной компенсации влияния на коэффициент усиления паразитных выходных проводимостей транзисторов 1 и 2 в выходном узле 5 токового зеркала.A remarkable feature of the current mirror of FIG. 4 is also that when it is used in operational amplifiers, the voltage gain (K y ) rises by more than two orders of magnitude (FIG. 9). This is due to the effect of mutual compensation of the influence on the gain of the spurious output conductivities of
За счет предлагаемого токового зеркала в ОУ на его основе также существенно повышается коэффициент ослабления синфазных сигналов (Кос.сф) и коэффициент подавления помехи по питанию (Кпп). Этот эффект объясняется тем, что коэффициент передачи по току предлагаемого токового зеркала более близок к единице, чем в известном устройстве. В целом это повышает Кос.сф и Кпп, уменьшает Uсм.Due to the proposed current mirror in the op-amp based on it, the attenuation coefficient of common-mode signals (K os.sf ) and the suppression coefficient of power interference (K pp ) are also significantly increased. This effect is explained by the fact that the current transfer coefficient of the proposed current mirror is closer to unity than in the known device. In general, it increases K OS.F and K PP , reduces U see
Полученные выше выводы подтверждаются результатами моделирования предлагаемой схемы в среде PSpice.The above findings are confirmed by the simulation results of the proposed circuit in the environment of PSpice.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОКBIBLIOGRAPHIC LIST
1. Патент РФ №1.329.6391. RF patent No. 1.329.639
2. Патент США №3.681.6232. US Patent No. 3,681.623
3. Патент США №3.813.6073. US Patent No. 3,813.607
4. Патент США №3.835.4104. US Patent No. 3,835,410
5. Патент США №4.008.441, H03f3/165. US Patent No. 4.008.441, H03f3 / 16
6. Патент США №4.013.9736. US Patent No. 4.013.973
7. Патент США №4.030.044 (фиг.3)7. US patent No. 4.030.044 (figure 3)
8. Патент США №4.057.7638. US Patent No. 4.057.763
9. Патент США №4.095.1899. US Patent No. 4,095.189
10. Патент США №4.117.41710. US Patent No. 4.117.417
11. Патент США №4.241.31511. US Patent No. 4,241.315
12. Патент США №4.345.21312. US Patent No. 4,345.213
13. Патент США №4.412.186, H03f3/0413. US Patent No. 4,412.186, H03f3 / 04
14. Патент США №4.462.005, H03f3/0414. US Patent No. 4,462.005, H03f3 / 04
15. Патент США №4.471.23615. US patent No. 4.471.236
16. Патент США №4.473.79416. US Patent No. 4,473,794
17. Патент США №4.567.44417. US Patent No. 4,567,444
18. Патент США №4.591.804, H03f3/0418. US Patent No. 4,591.804, H03f3 / 04
19. Патент США №4.769.61919. US Patent No. 4,769.619
20. Патент США №4.855.68620. US Patent No. 4,855.686
21. Патент США №4.879.524, H03f3/2621. US Patent No. 4.879.524, H03f3 / 26
22. Патент США №4.897.61422. US Patent No. 4,897.614
23. Патент США №4.937.515, G05f3/2623. US Patent No. 4,937.515, G05f3 / 26
24. Патент США №4.990.86424. US Patent No. 4,990.864
25. Патент США №5.053.71825. US Patent No. 5.053.718
26. Патент США №5.079.518, Н03К 3/1626. US patent No. 5.079.518,
27. Патент США №5.164.65827. US Patent No. 5.164.658
28. Патент США №5.357.188, G05f3/2628. US patent No. 5.357.188, G05f3 / 26
29. Патент США №5.373.25329. US patent No. 5.373.253
30. Патент США №5.394.079, G05f3/1630. US patent No. 5.394.079, G05f3 / 16
31. Патент США №5.399.99131. US Patent No. 5,399.991
32. Патент США №5.512.815, G05f3/1632. US patent No. 5.512.815, G05f3 / 16
33. Патент США №5.572.11433. US Patent No. 5,572.114
34. Патент США №5.633.61234. US Patent No. 5,633.612
35. Патент США №5.721.51235. US Patent No. 5,721.512
36. Патент США №5.933.05536. US patent No. 5.933.055
37. Патент США №5.969.57437. US patent No. 5.969.574
38. Патент США №5.986.50738. US patent No. 5.986.507
39. Патент США №6.016.05039. US Patent No. 6.016.050
40. Патент США №6.570.43840. US Patent No. 6,570,438
41. Патент США №6.573.79541. US Patent No. 6,573.795
42. Патент США №6.586.91842. US Patent No. 6,586.918
43. Патент США №6.606.00143. US patent No. 6.606.001
44. Патент США №6.291.97744. US Patent No. 6,291.977
45. Патент США №6.300.80345. US patent No. 6.300.803
46. Патент США №6.528.98146. US Patent No. 6,528.981
47. Патент США №6.630.81847. US Patent No. 6,630.818
48. Патент США №6.633.19848. US Patent No. 6,633.198
49. Патент США №6.639.45249. US Patent No. 6,639.452
50. Патент США №6.657.48150. US Patent No. 6,657.481
51. Патент США №6.677.80751. US Patent No. 6,677.807
52. Патент США №6.680.60552. US Patent No. 6,680.605
53. Патент США №6.816.01453. US patent No. 6.816.014
54. Патент РФ RU 219327354. RF patent RU 2193273
55. Патентная заявка США 2004/08168855. US patent application 2004/081688
56. Патентная заявка США 2003/003049256. US patent application 2003/0030492
Claims (5)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2008100481/09A RU2365969C1 (en) | 2008-01-09 | 2008-01-09 | Current mirror |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2008100481/09A RU2365969C1 (en) | 2008-01-09 | 2008-01-09 | Current mirror |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2365969C1 true RU2365969C1 (en) | 2009-08-27 |
Family
ID=41149995
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2008100481/09A RU2365969C1 (en) | 2008-01-09 | 2008-01-09 | Current mirror |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2365969C1 (en) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2544780C1 (en) * | 2013-11-12 | 2015-03-20 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" | Low-voltage cmos current mirror |
RU2720365C1 (en) * | 2019-11-25 | 2020-04-29 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Current mirror for operation at low temperatures |
RU2720557C1 (en) * | 2019-11-22 | 2020-05-12 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Multifunctional current mirror on complementary field-effect transistors with control pn-junction for operation at low temperatures |
RU2721386C1 (en) * | 2019-11-13 | 2020-05-19 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ) | Trigger two-stage rs flip-flop |
RU2721943C1 (en) * | 2020-01-31 | 2020-05-25 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Low-temperature input stage of operational amplifier with high attenuation of input common-mode signal on complementary field-effect transistors with control p-n junction |
RU2721940C1 (en) * | 2020-01-30 | 2020-05-25 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Buffer amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures |
RU2721942C1 (en) * | 2020-01-30 | 2020-05-25 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Low-temperature two-stage operational amplifier with paraphase output on complementary field-effect transistors with control p-n junction |
RU2721945C1 (en) * | 2020-01-31 | 2020-05-25 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Input stage of differential operational amplifier with paraphase output on complementary field-effect transistors |
-
2008
- 2008-01-09 RU RU2008100481/09A patent/RU2365969C1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2544780C1 (en) * | 2013-11-12 | 2015-03-20 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" | Low-voltage cmos current mirror |
RU2721386C1 (en) * | 2019-11-13 | 2020-05-19 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ) | Trigger two-stage rs flip-flop |
RU2720557C1 (en) * | 2019-11-22 | 2020-05-12 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Multifunctional current mirror on complementary field-effect transistors with control pn-junction for operation at low temperatures |
RU2720365C1 (en) * | 2019-11-25 | 2020-04-29 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Current mirror for operation at low temperatures |
RU2721940C1 (en) * | 2020-01-30 | 2020-05-25 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Buffer amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures |
RU2721942C1 (en) * | 2020-01-30 | 2020-05-25 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Low-temperature two-stage operational amplifier with paraphase output on complementary field-effect transistors with control p-n junction |
RU2721943C1 (en) * | 2020-01-31 | 2020-05-25 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Low-temperature input stage of operational amplifier with high attenuation of input common-mode signal on complementary field-effect transistors with control p-n junction |
RU2721945C1 (en) * | 2020-01-31 | 2020-05-25 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Input stage of differential operational amplifier with paraphase output on complementary field-effect transistors |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2365969C1 (en) | Current mirror | |
RU2523124C1 (en) | Multi-differential operational amplifier | |
RU2346388C1 (en) | Differential amplifier | |
RU2416155C1 (en) | Differential operating amplifier | |
RU2367996C1 (en) | Current mirror | |
RU2331964C1 (en) | Voltage-to-current converter | |
RU2433523C1 (en) | Precision differential operational amplifier | |
RU2412530C1 (en) | Complementary differential amplifier | |
RU2416149C1 (en) | Differential operating amplifier with low zero offset voltage | |
RU2343627C1 (en) | Current mirror | |
RU2365029C1 (en) | Cascode difference amplifier with low offset voltage | |
RU2362202C1 (en) | Current mirror | |
RU2362203C1 (en) | Current mirror | |
RU2416152C1 (en) | Differential operating amplifier | |
RU2365971C1 (en) | Current mirror | |
RU2621289C1 (en) | Two-stage differential operational amplifier with higher gain | |
RU2343626C1 (en) | Current mirror | |
RU2346383C1 (en) | Current mirror | |
RU2412540C1 (en) | Differential operating amplifier | |
RU2293433C1 (en) | Differential amplifier with increased weakening of input cophased signal | |
RU2412537C1 (en) | Differential operating amplifier | |
RU2390914C1 (en) | Cascode differential amplifier with low voltage of zero shift | |
RU2459348C1 (en) | Operational amplifier having gain adjustment circuit | |
RU2402150C1 (en) | Current mirror with load circuit in form of cascade at transistor with common emitter | |
RU2416150C1 (en) | Differential operating amplifier |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20130110 |