RU2433523C1 - Precision differential operational amplifier - Google Patents

Precision differential operational amplifier Download PDF

Info

Publication number
RU2433523C1
RU2433523C1 RU2010119727/08A RU2010119727A RU2433523C1 RU 2433523 C1 RU2433523 C1 RU 2433523C1 RU 2010119727/08 A RU2010119727/08 A RU 2010119727/08A RU 2010119727 A RU2010119727 A RU 2010119727A RU 2433523 C1 RU2433523 C1 RU 2433523C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
transistor
collector
bus
input
output
Prior art date
Application number
RU2010119727/08A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Николай Николаевич Прокопенко (RU)
Николай Николаевич Прокопенко
Виталий Николаевич Гришков (BY)
Виталий Николаевич Гришков
Михаил Владимирович Солодко (RU)
Михаил Владимирович Солодко
Original Assignee
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") filed Critical Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС")
Priority to RU2010119727/08A priority Critical patent/RU2433523C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2433523C1 publication Critical patent/RU2433523C1/en

Links

Images

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

FIELD: radio engineering. ^ SUBSTANCE: precision differential operational amplifier comprises the first (1) and the second (2) input transistors, emitters of which are connected to the output of reference current source (3), also joined with the first (4) bus of the supply source, the first (5) auxiliary transistor, emitter of which via the first (6) auxiliary resistor is connected to the second (7) bus of the supply source, the base is connected to the source of shift voltage (8), and the collector is connected to the collector of the second (2) input transistor, the output (9) transistor, the base of which is connected with the collector of the second (2) input transistor, the collector is connected with the second (7) bus of the supply source, and the emitter is connected to the device output and via the current-stabilising dipole (10) is connected with the first (4) bus of the supply source. The source of the reference current (3) comprises the first (11) and the second (12) current mirrors, the outputs of which are combined and are the output of the reference current source (3), the input of the first (11) current mirror is connected with the collector of the first (13) additional transistor, the input of the second (12) current mirror is connected to the collector of the second (14) additional transistor, the bases of the first (13) and the second (14) additional transistors are connected to the base of the first (5) auxiliary transistor, and their emitters via the appropriate first (15) and the second (16) additional resistors are connected to the second (7) bus of the supply source. ^ EFFECT: reduced Usm and increased Kosp and Kossph. ^ 3 cl, 8 dwg

Description

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, прецизионных операционных усилителях, стабилизаторах напряжения, компараторах).The invention relates to the field of radio engineering and communication and can be used as a device for amplifying analog signals in the structure of analog microcircuits for various functional purposes (for example, precision operational amplifiers, voltage stabilizers, comparators).

В современной микроэлектронике широко применяются двухкаскадные дифференциальные операционные усилители (ДУ) с несимметричным включением активной нагрузки во входном каскаде, при котором нагрузкой одного из входных транзисторов является транзисторный источник опорного тока, а нагрузка второго входного транзистора - отсутствует [1-8]. Такая архитектура имеет ряд преимуществ по динамическим параметрам в сравнении с ДУ на основе классических управляемых токовых зеркал. Однако существенный недостаток таких ДУ - повышенный уровень систематической составляющей напряжения смещения нуля (U) из-за несимметрии архитектуры, а также невысокий коэффициент ослабления помехи по питанию (Кос.п) и коэффициент ослабления входных синфазных напряжений (Коc.сф).In modern microelectronics, two-stage differential operational amplifiers (ДУ) are widely used with asymmetric inclusion of the active load in the input stage, in which the load of one of the input transistors is the transistor reference current source, and the load of the second input transistor is absent [1-8]. Such an architecture has a number of advantages in terms of dynamic parameters in comparison with the remote control based on classic controllable current mirrors. However, a significant drawback of such DEs is the increased level of the systematic component of the zero bias voltage (U cm ) due to the asymmetry of the architecture, as well as the low power-supply noise reduction coefficient (K OS ) and the attenuation coefficient of input common-mode voltages (K oc.sf ).

Ближайшим прототипом заявляемого устройства является ДУ по патенту США №6531920, fig.5. Он содержит первый 1 и второй 2 входные транзисторы, эмиттеры которых соединены с выходом источника опорного тока 3, связанного также с первой 4 шиной источника питания, первый 5 вспомогательный транзистор, эмиттер которого через первый 6 вспомогательный резистор связан со второй 7 шиной источника питания, база подключена к источнику напряжения смещения 8, а коллектор соединен с коллектором второго 2 входного транзистора, выходной 9 транзистор, база которого соединена с коллектором второго 2 входного транзистора, коллектор связан со второй 7 шиной источника питания, а эмиттер соединен с выходом устройства и через токостабилизирующий двухполюсник 10 связан с первой 4 шиной источника питания.The closest prototype of the claimed device is the remote control of US patent No. 6531920, fig.5. It contains the first 1 and second 2 input transistors, the emitters of which are connected to the output of the reference current source 3, also connected to the first 4 bus of the power source, the first 5 auxiliary transistor, the emitter of which is connected through the first 6 auxiliary resistor to the second 7 bus of the power source, base connected to a bias voltage source of 8, and the collector connected to the collector of the second 2 input transistor, output 9 transistor, the base of which is connected to the collector of the second 2 input transistor, the collector is connected to the second 7 w another power source, and the emitter is connected to the output of the device and through a current-stabilizing two-terminal 10 connected to the first 4 bus power source.

Существенный недостаток известного ДУ состоит в том, что он имеет повышенное значение систематической составляющей напряжения смещения нуля (U), т.е. составляющей, зависящей от схемотехники ДУ, а также невысокие значения Кос.п и Кос.сф.A significant drawback of the known DE is that it has an increased value of the systematic component of the zero bias voltage (U cm ), i.e. a component that depends on the remote control circuitry, as well as low values of K OS.P and K OS.SF.

Основная задача предполагаемого изобретения состоит в уменьшении U и повышении Кос.п и Кос.сф.The main objective of the proposed invention is to reduce U cm and increase K OS.P and K OS.F.

Поставленная задача решается тем, что в дифференциальном усилителе фиг.1, содержащем первый 1 и второй 2 входные транзисторы, эмиттеры которых соединены с выходом источника опорного тока 3, связанного также с первой 4 шиной источника питания, первый 5 вспомогательный транзистор, эмиттер которого через первый 6 вспомогательный резистор связан со второй 7 шиной источника питания, база подключена к источнику напряжения смещения 8, а коллектор соединен с коллектором второго 2 входного транзистора, выходной 9 транзистор, база которого соединена с коллектором второго 2 входного транзистора, коллектор связан со второй 7 шиной источника питания, а эмиттер соединен с выходом устройства и через токостабилизирующий двухполюсник 10 связан с первой 4 шиной источника питания, предусмотрены новые элементы и связи - источник опорного тока 3 содержит первое 11 и второе 12 токовые зеркала, выходы которых объединены и являются выходом источника опорного тока 3, вход первого 11 токового зеркала соединен с коллектором первого 13 дополнительного транзистора, вход второго 12 токового зеркала соединен с коллектором второго 14 дополнительного транзистора, базы первого 13 и второго 14 дополнительных транзисторов соединены с базой первого 5 вспомогательного транзистора, а их эмиттеры через соответствующие первый 15 и второй 16 дополнительные резисторы подключены ко второй 7 шине источника питания.The problem is solved in that in the differential amplifier of figure 1, containing the first 1 and second 2 input transistors, the emitters of which are connected to the output of the reference current source 3, which is also connected to the first 4 bus of the power source, the first 5 auxiliary transistor, the emitter of which is through the first 6, an auxiliary resistor is connected to the second 7 bus of the power source, the base is connected to a bias voltage source of 8, and the collector is connected to the collector of the second 2 input transistor, output 9 is a transistor, the base of which is connected to the collector of the second 2 input transistor, the collector is connected to the second 7 bus of the power source, and the emitter is connected to the output of the device and connected through the current stabilizing two-terminal 10 to the first 4 bus of the power source, new elements and communications are provided - the reference current source 3 contains the first 11 and second 12 current mirrors, the outputs of which are combined and are the output of the reference current source 3, the input of the first 11 current mirrors is connected to the collector of the first 13 additional transistor, the input of the second 12 current mirrors is connected to lecturer second additional transistor 14, the base 13 of the first and second additional transistors 14 are connected to the base 5 of the first auxiliary transistor, and their emitters via respective first 15 and second 16 additional resistors 7 connected to the second power supply bus.

Схема усилителя-прототипа показана на чертеже фиг.1. На чертеже фиг.2 представлена схема заявляемого устройства в соответствии с п.1 формулы изобретения.The amplifier circuit of the prototype is shown in the drawing of figure 1. The drawing of figure 2 presents a diagram of the inventive device in accordance with claim 1 of the claims.

На чертеже фиг.3 приведена схема источника опорного тока 3 в заявляемом ДУ в соответствии с п.2 формулы изобретения.The drawing of figure 3 shows a diagram of a reference current source 3 in the claimed remote control in accordance with claim 2 of the claims.

На чертеже фиг.4 приведена схема заявляемого ДУ в соответствии с п.2 формулы изобретения, а также специальном (по п.3 формулы изобретения) подключении коллектора первого 1 входного транзистора к эмиттеру согласующего транзистора 21.The drawing of figure 4 shows a diagram of the claimed remote control in accordance with paragraph 2 of the claims, as well as special (according to claim 3 of the claims) connecting the collector of the first 1 input transistor to the emitter of the matching transistor 21.

На чертеже фиг.5 показана обобщенная схема ДУ-прототипа (прототип №1) в среде компьютерного моделирования PSpice на моделях интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар», а на чертеже фиг.6 - модифицированного ДУ-прототипа по патенту США №6531920, fig.5.The drawing of figure 5 shows a generalized diagram of the remote control prototype (prototype No. 1) in the computer simulation environment PSpice on the models of integrated transistors of the Federal State Unitary Enterprise NPP Pulsar, and the drawing of figure 6 shows a modified remote control prototype according to US patent No. 6531920, fig. 5.

На чертеже фиг.7 показана схема заявляемого устройства фиг.2 в среде компьютерного моделирования PSpice на моделях интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар».The drawing of Fig.7 shows a diagram of the inventive device of Fig.2 in a computer simulation environment PSpice on models of integrated transistors of FSUE NPP Pulsar.

На чертеже фиг.8 приведены температурные зависимости напряжения смещения нуля U трех сравниваемых схем ДУ фиг.7, фиг.6 и фиг.5.The drawing of Fig. 8 shows the temperature dependence of the zero bias voltage U cm of the three compared control circuits of Fig. 7, Fig. 6 and Fig. 5.

Прецизионный дифференциальный операционный усилитель фиг.2 содержит первый 1 и второй 2 входные транзисторы, эмиттеры которых соединены с выходом источника опорного тока 3, связанного также с первой 4 шиной источника питания, первый 5 вспомогательный транзистор, эмиттер которого через первый 6 вспомогательный резистор связан со второй 7 шиной источника питания, база подключена к источнику напряжения смещения 8, а коллектор соединен с коллектором второго 2 входного транзистора, выходной 9 транзистор, база которого соединена с коллектором второго 2 входного транзистора, коллектор связан со второй 7 шиной источника питания, а эмиттер соединен с выходом устройства и через токостабилизирующий двухполюсник 10 связан с первой 4 шиной источника питания. Источник опорного тока 3 содержит первое 11 и второе 12 токовые зеркала, выходы которых объединены и являются выходом источника опорного тока 3, вход первого 11 токового зеркала соединен с коллектором первого 13 дополнительного транзистора, вход второго 12 токового зеркала соединен с коллектором второго 14 дополнительного транзистора, базы первого 13 и второго 14 дополнительных транзисторов соединены с базой первого 5 вспомогательного транзистора, а их эмиттеры через соответствующие первый 15 и второй 16 дополнительные резисторы подключены ко второй 7 шине источника питания.The precision differential operational amplifier of figure 2 contains the first 1 and second 2 input transistors, the emitters of which are connected to the output of the reference current source 3, also connected to the first 4 bus of the power source, the first 5 auxiliary transistor, the emitter of which is connected through the first 6 auxiliary resistor to the second 7 by a power supply bus, the base is connected to a bias voltage source of 8, and the collector is connected to the collector of the second 2 input transistor, output 9 is a transistor, the base of which is connected to the WTO collector 2 input transistors, the collector is connected to the second 7 bus of the power source, and the emitter is connected to the output of the device and connected through the current-stabilizing two-terminal 10 to the first 4 bus of the power source. The reference current source 3 contains the first 11 and second 12 current mirrors, the outputs of which are combined and are the output of the reference current source 3, the input of the first 11 current mirrors is connected to the collector of the first 13 additional transistor, the input of the second 12 current mirrors is connected to the collector of the second 14 additional transistor, the bases of the first 13 and second 14 additional transistors are connected to the base of the first 5 auxiliary transistor, and their emitters are connected to volt through the corresponding first 15 and second 16 additional resistors 7 swarm power supply bus.

На чертеже фиг.3, в соответствии с п.2 формулы изобретения, каждое первое 11 и второе 12 токовые зеркала идентичны и содержат выходной транзистор 17, коллектор которого является выходом токового зеркала, а база - его входом, входной транзистор 18, коллектор которого соединен с базой выходного транзистора 17, эмиттер связан с первой 4 шиной источника питания, а база подключена к эмиттеру выходного транзистора 17 и через дополнительный p-n переход 19 соединена с первой 4 шиной источника питания.In the drawing of FIG. 3, in accordance with claim 2, each of the first 11 and second 12 current mirrors is identical and contains an output transistor 17, the collector of which is the output of the current mirror, and the base is its input, an input transistor 18, the collector of which is connected with the base of the output transistor 17, the emitter is connected to the first 4 bus of the power source, and the base is connected to the emitter of the output transistor 17 and through an additional pn junction 19 is connected to the first 4 bus of the power source.

Кроме этого на чертеже фиг.4 в соответствии с п.3 формулы изобретения, коллектор первого 1 входного транзистора связан со второй 7 шиной источника питания через источник опорного тока 20 и соединен с эмиттером согласующего транзистора 21, база которого подключена к эмиттеру выходного транзистора 9, а коллектор соединен с первой 4 шиной источника питания.In addition, in the drawing of FIG. 4, in accordance with claim 3, the collector of the first 1 input transistor is connected to the second 7 bus of the power source through the reference current source 20 and connected to the emitter of the matching transistor 21, the base of which is connected to the emitter of the output transistor 9, and the collector is connected to the first 4 bus power supply.

Рассмотрим работу ДУ фиг.2.Consider the operation of the remote control of figure 2.

Статический режим прецизионного ОУ фиг.2 устанавливается напряжением источника смещения U8 и резисторами 15, 16, 6, которые должны быть идентичны. Поэтому коллекторные токи транзисторов 13, 14, 5 одинаковы и равны величине I0 (например, 0,5 мА или 1 мА).The static mode of the precision op amp of FIG. 2 is set by the voltage of the bias source U 8 and resistors 15, 16, 6, which must be identical. Therefore, the collector currents of the transistors 13, 14, 5 are the same and equal to the value of I 0 (for example, 0.5 mA or 1 mA).

В качестве идентичных токовых зеркал 11 и 12 рекомендуется использовать хорошо известные схемы Вильсона (фиг.3), которые обладают высокой точностью передачи входного тока на выход (Ki12=-1), а также предельными значениями выходного сопротивления (Rвых), близкого к сопротивлению закрытого коллекторного перехода применяемых транзисторов.As identical current mirrors 11 and 12, it is recommended to use the well-known Wilson circuits (Fig. 3), which have a high accuracy of transmitting the input current to the output (K i12 = -1), as well as limiting values of the output resistance (R o ) close to resistance of the closed collector junction of the applied transistors.

Авторам пока не известны другие варианты построения токовых зеркал 11 и 12, обладающих данной совокупностью параметров. Простейшие токовые зеркала имеют либо низкое выходное сопротивление Rвых=20·30 кОм, либо большую погрешность передачи входного тока на его выход, либо первый и второй недостаток одновременно. Однако дальнейшее развитие микросхемотехники позволит, в принципе, применять и другие новые токовые зеркала в качестве функциональных узлов 11 и 12.The authors are not yet aware of other options for constructing current mirrors 11 and 12 with this set of parameters. Simple current mirrors have a low output resistance R O = 20 · 30 ohms or greater transmission error of the input current at its output, or lack of first and second simultaneously. However, the further development of microcircuitry will allow, in principle, the use of other new current mirrors as functional units 11 and 12.

При рассматриваемых допущениях коллекторные и базовые токи транзисторов схемы фиг.2 принимают следующие значения:Under the assumptions considered, the collector and base currents of the transistors of the circuit of figure 2 take the following values:

Figure 00000001
Figure 00000001

Figure 00000002
Figure 00000002

Figure 00000003
Figure 00000003

Figure 00000004
Figure 00000004

Figure 00000005
Figure 00000005

где Iбi - ток базы i-ro транзистора;where I bi is the base current of the i-ro transistor;

β - коэффициент усиления по току базы n-p-n транзисторов схемы при Iэ=I0.β is the current gain of the base npn of the transistors of the circuit at I e = I 0 .

Как следствие, в узле «А» происходит полная взаимная компенсация всех токов, сходящихся в этом узле при uвх=0As a result, in node "A" there is a complete mutual compensation of all currents converging in this node with u in = 0

Figure 00000006
Figure 00000006

Как следствие, систематическая составляющая напряжения смещения нуля U ДУ фиг.2 близка к нулю.As a result, the systematic component of the zero bias voltage U cm ДУ of Fig. 2 is close to zero.

Данные выводы подтверждаются результатами компьютерного моделирования фиг.8 ДУ фиг.5, фиг.6 и фиг.7 - предлагаемая схема фиг.7 имеет систематическую составляющую Uсм≈0,8 мкВ и малый температурный дрейф Uсм в то время как известные устройства фиг.5 и фиг.6 характеризуются повышенными уровнями Uсм=3,8÷4,8 мВ.These conclusions are confirmed by the results of computer simulation of FIG. 8; FIG. 5, FIG. 6 and FIG. 7 - the proposed circuit of FIG. 7 has a systematic component U cm ≈0.8 μV and a small temperature drift U cm while the known devices of FIG. .5 and 6 are characterized by elevated levels of U cm = 3.8 ÷ 4.8 mV.

При изменении напряжения питания

Figure 00000007
токи коллекторов транзисторов 5, 14, 13, 2 изменяются одинаково на величину iп и, следовательно, в узле «А» происходит взаимная компенсация равных приращений iк5=iп и iк2=iп.Это является необходимым условием повышения коэффициента ослабления помехи по питанию ДУ фиг.2.When the supply voltage changes
Figure 00000007
the currents of the collectors of transistors 5, 14, 13, 2 change identically by the value of i p and, therefore, in the node “A” there is a mutual compensation of equal increments i k5 = i p and i k2 = i p. This is a necessary condition for increasing the interference attenuation coefficient power supply remote control figure 2.

Увеличение коэффициента ослабления входных синфазных напряжений ДУ фиг.2 обеспечивается применением токовых зеркал фиг.3, которые имеют повышенное сопротивление.The increase in the attenuation coefficient of the input common-mode voltages of the remote control of FIG. 2 is provided by the use of current mirrors of FIG. 3, which have an increased resistance.

В схеме ДУ фиг.4 по п.3 формулы изобретения реализуются предельные значения коэффициента усиления по напряжению в режиме повторителя сигналов.In the remote control circuit of FIG. 4 according to claim 3, the limit values of the voltage gain in the signal repeater mode are implemented.

Таким образом, заявляемое устройство имеет существенные преимущества по сравнению с прототипом.Thus, the claimed device has significant advantages compared to the prototype.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОКBIBLIOGRAPHIC LIST

1. Патент США №6531920.1. US patent No. 6531920.

2. Патентная заявка SU №2007/0152753, fig.5c.2. Patent application SU No. 2007/0152753, fig.5c.

3. Патент США №6396346.3. US Patent No. 6396346.

4. Патентная заявка SU №2008/0129384, fig.5.4. Patent application SU No. 2008/0129384, fig. 5.

5. Патент Японии JP 51-112253.5. Japanese Patent JP 51-112253.

6. Патент США №5075636, fig.1.6. US Patent No. 5075636, fig. 1.

7. Патент СА 02072436, fig.2.7. Patent CA 02072436, fig. 2.

8. Патент США №5262688, fig.3.8. US Patent No. 5262688, fig. 3.

Claims (3)

1. Прецизионный дифференциальный операционный усилитель, содержащий первый (1) и второй (2) входные транзисторы, эмиттеры которых соединены с выходом источника опорного тока (3), связанного также с первой (4) шиной источника питания, первый (5) вспомогательный транзистор, эмиттер которого через первый (6) вспомогательный резистор связан со второй (7) шиной источника питания, база подключена к источнику напряжения смещения (8), а коллектор соединен с коллектором второго (2) входного транзистора, выходной (9) транзистор, база которого соединена с коллектором второго (2) входного транзистора, коллектор связан со второй (7) шиной источника питания, а эмиттер соединен с выходом устройства и через токостабилизирующий двухполюсник (10) связан с первой (4) шиной источника питания, отличающийся тем, что источник опорного тока (3) содержит первое (11) и второе (12) токовые зеркала, выходы которых объединены и являются выходом источника опорного тока (3), вход первого (11) токового зеркала соединен с коллектором первого (13) дополнительного транзистора, вход второго (12) токового зеркала соединен с коллектором второго (14) дополнительного транзистора, базы первого (13) и второго (14) дополнительных транзисторов соединены с базой первого (5) вспомогательного транзистора, а их эмиттеры через соответствующие первый (15) и второй (16) дополнительные резисторы подключены ко второй (7) шине источника питания.1. A precision differential operational amplifier containing the first (1) and second (2) input transistors, the emitters of which are connected to the output of the reference current source (3), also connected to the first (4) bus of the power source, the first (5) auxiliary transistor, whose emitter is connected through the first (6) auxiliary resistor to the second (7) bus of the power source, the base is connected to a bias voltage source (8), and the collector is connected to the collector of the second (2) input transistor, the output (9) transistor, the base of which is connected with call by the second (2) input transistor, the collector is connected to the second (7) bus of the power source, and the emitter is connected to the output of the device and connected through the current-stabilizing two-terminal (10) to the first (4) bus of the power source, characterized in that the reference current source ( 3) contains the first (11) and second (12) current mirrors, the outputs of which are combined and are the output of the reference current source (3), the input of the first (11) current mirror is connected to the collector of the first (13) additional transistor, the input of the second (12) the current mirror is connected to the collector the second (14) additional transistor, the base of the first (13) and second (14) additional transistors are connected to the base of the first (5) auxiliary transistor, and their emitters are connected to the second (7) first (15) and second (16) additional resistors ) power supply bus. 2. Прецизионный дифференциальный операционный усилитель по п.1, отличающийся тем, что каждое первое (11) и второе (12) токовые зеркала идентичны и содержат выходной транзистор (17), коллектор которого является выходом токового зеркала, а база - его входом, входной транзистор (18), коллектор которого соединен с базой выходного транзистора (17), эмиттер связан с первой (4) шиной источника питания, а база подключена к эмиттеру выходного транзистора (17) и через дополнительный р-n переход (19) соединена с первой (4) шиной источника питания.2. The precision differential operational amplifier according to claim 1, characterized in that each first (11) and second (12) current mirrors are identical and contain an output transistor (17), the collector of which is the output of the current mirror, and the base is its input, input a transistor (18), the collector of which is connected to the base of the output transistor (17), the emitter is connected to the first (4) bus of the power source, and the base is connected to the emitter of the output transistor (17) and is connected to the first via an additional pn junction (19) (4) power supply bus. 3. Прецизионный дифференциальный операционный усилитель по п.1, отличающийся тем, что коллектор первого (1) входного транзистора связан со второй (7) шиной источника питания через источник опорного тока (20) и соединен с эмиттером согласующего транзистора (21), база которого подключена к эмиттеру выходного транзистора (9), а коллектор соединен с первой (4) шиной источника питания. 3. The precision differential operational amplifier according to claim 1, characterized in that the collector of the first (1) input transistor is connected to the second (7) bus of the power source through a reference current source (20) and connected to the emitter of a matching transistor (21), the base of which connected to the emitter of the output transistor (9), and the collector is connected to the first (4) bus of the power source.
RU2010119727/08A 2010-05-17 2010-05-17 Precision differential operational amplifier RU2433523C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010119727/08A RU2433523C1 (en) 2010-05-17 2010-05-17 Precision differential operational amplifier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010119727/08A RU2433523C1 (en) 2010-05-17 2010-05-17 Precision differential operational amplifier

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2433523C1 true RU2433523C1 (en) 2011-11-10

Family

ID=44997373

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010119727/08A RU2433523C1 (en) 2010-05-17 2010-05-17 Precision differential operational amplifier

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2433523C1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2568384C1 (en) * 2014-11-26 2015-11-20 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) Precision operational amplifier based on radiation resistant bipolar and field process
RU2615070C1 (en) * 2015-12-22 2017-04-03 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) High-precision two-stage differential operational amplifier

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2568384C1 (en) * 2014-11-26 2015-11-20 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) Precision operational amplifier based on radiation resistant bipolar and field process
RU2615070C1 (en) * 2015-12-22 2017-04-03 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) High-precision two-stage differential operational amplifier

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2433523C1 (en) Precision differential operational amplifier
JP2011254408A (en) Power amplifier module and portable information terminal
RU2412535C1 (en) Differential operating amplifier
RU2354041C1 (en) Cascode differential amplifier
RU2416155C1 (en) Differential operating amplifier
RU2710846C1 (en) Composite transistor based on complementary field-effect transistors with control p-n junction
RU2536376C1 (en) Operational amplifier with paraphase output
RU2416149C1 (en) Differential operating amplifier with low zero offset voltage
RU2441316C1 (en) Differential amplifier with low supply voltage
RU2412530C1 (en) Complementary differential amplifier
RU2621289C1 (en) Two-stage differential operational amplifier with higher gain
RU2293433C1 (en) Differential amplifier with increased weakening of input cophased signal
RU2411636C1 (en) Cascode differential amplifier with low voltage of zero shift
RU2319288C1 (en) Differential amplifier using low-voltage power supply
RU2416150C1 (en) Differential operating amplifier
RU2408975C1 (en) Cascode differential amplifier
RU2444119C1 (en) Precision operational amplifier
RU2368063C1 (en) Active load of differential amplifiers
RU2394360C1 (en) Cascode differential amplifier with increased input resistance
RU2444115C1 (en) Complementary buffer amplifier
RU2432666C1 (en) Differential operational amplifier with low supply voltage
RU2416148C1 (en) Differential amplifier with increased amplification factor
RU2402151C1 (en) Cascode differential amplifier
RU2400925C1 (en) Differential operating amplifier
RU2517699C1 (en) Differential operational amplifier with passive parallel channel

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20130518