RU2338296C2 - Способ, система, устройство и головка для обработки подложки для полупроводниковых приборов - Google Patents

Способ, система, устройство и головка для обработки подложки для полупроводниковых приборов Download PDF

Info

Publication number
RU2338296C2
RU2338296C2 RU2004113416/28A RU2004113416A RU2338296C2 RU 2338296 C2 RU2338296 C2 RU 2338296C2 RU 2004113416/28 A RU2004113416/28 A RU 2004113416/28A RU 2004113416 A RU2004113416 A RU 2004113416A RU 2338296 C2 RU2338296 C2 RU 2338296C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
substrate
fluid
head
channel
supplied
Prior art date
Application number
RU2004113416/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2004113416A (ru
Inventor
Джон М. ДЕ-ЛАРИОС (US)
Джон М. ДЕ-ЛАРИОС
Джеймс П. ГАРСИА (US)
Джеймс П. ГАРСИА
Карл ВУДС (US)
Карл ВУДС
Майк РАВКИН (US)
Майк РАВКИН
Фритц РЕДЕКЕР (US)
Фритц РЕДЕКЕР
Джон БОЙД (US)
Джон БОЙД
Афшин НИКХАУ (US)
Афшин НИКХАУ
Original Assignee
Лам Рисерч Корпорейшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US10/261,839 external-priority patent/US7234477B2/en
Priority claimed from US10/611,140 external-priority patent/US7264007B2/en
Application filed by Лам Рисерч Корпорейшн filed Critical Лам Рисерч Корпорейшн
Publication of RU2004113416A publication Critical patent/RU2004113416A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2338296C2 publication Critical patent/RU2338296C2/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)

Abstract

Изобретение относится к очистке и сушке подложек для полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: система обработки подложки для полупроводниковых приборов содержит головку для подачи и удаления обрабатывающей текучей среды с рабочей поверхностью, которую во время работы с небольшим зазором подводят к поверхности подложки. Система содержит первый канал, по которому через головку на поверхность подложки подается первая текучая среда, и второй канал, по которому через головку на поверхность подложки подается вторая текучая среда, отличная от первой. Система имеет также третий канал, который предназначен для удаления с поверхности подложки первой и второй текучих сред и который в процессе обработки подложки задействуется по существу одновременно с первым и вторым каналами. Описаны также способ и устройство, а также головка устройства для обработки подложки для полупроводниковых приборов. Изобретение обеспечивает быструю и эффективную очистку и сушку полупроводниковых подложек при одновременном снижении количества образующихся на поверхности подложки следов грязи. 4 н. и 23 з.п. ф-лы, 21 ил.

Description

Текст описания приведен в факсимильном виде.
Figure 00000001
Figure 00000002
Figure 00000003
Figure 00000004
Figure 00000005
Figure 00000006
Figure 00000007
Figure 00000008
Figure 00000009
Figure 00000010
Figure 00000011
Figure 00000012
Figure 00000013
Figure 00000014
Figure 00000015
Figure 00000016
Figure 00000017
Figure 00000018
Figure 00000019
Figure 00000020
Figure 00000021
Figure 00000022
Figure 00000023
Figure 00000024
Figure 00000025
Figure 00000026
Figure 00000027
Figure 00000028
Figure 00000029
Figure 00000030
Figure 00000031
Figure 00000032
Figure 00000033
Figure 00000034
Figure 00000035
Figure 00000036
Figure 00000037
Figure 00000038
Figure 00000039
Figure 00000040
Figure 00000041
Figure 00000042
Figure 00000043
Figure 00000044
Figure 00000045
Figure 00000046
Figure 00000047
Figure 00000048
Figure 00000049
Figure 00000050
Figure 00000051
Figure 00000052
Figure 00000053
Figure 00000054
Figure 00000055
Figure 00000056
Figure 00000057

Claims (29)

1. Система обработки подложки для полупроводниковых приборов, содержащая головку для подачи и удаления обрабатывающей текучей среды с рабочей поверхностью, подводимую во время работы с небольшим зазором к поверхности подложки, первый канал для подачи первой текучей среды через головку на поверхность подложки, второй канал для подачи второй текучей среды, отличной от первой текучей среды, через головку на поверхность подложки и третий канал для удаления с поверхности подложки первой текучей среды и второй текучей среды, при этом первый, второй и третий каналы выполнены с возможностью их, по существу, одновременного задействования в процессе работы.
2. Система по п.1, в которой во время работы подложка перемещается таким образом, что ее обрабатываемая поверхность проходит рядом с головкой.
3. Система по п.1, в которой во время работы головка перемещается и проходит рядом с подложкой.
4. Система по п.1, в которой длина головки не превышает диаметра подложки.
5. Система по п.1, в которой длина головки больше диаметра подложки.
6. Система по п.1, которая имеет вторую головку, расположенную напротив первой головки и подводимую во время работы с небольшим зазором к поверхности нижней стороны подложки.
7. Система по п.1, в которой в качестве первой текучей среды используется деионизированная вода (ДИВ) или очищающая жидкость.
8. Система по п.1, в которой в качестве второй текучей среды используются пары изопропилового спирта, азот, органические соединения, гексанол, этилгликоль или смешивающиеся с водой соединения.
9. Способ обработки подложки для полупроводниковых приборов, заключающийся в том, что на поверхность подложки подают первую текучую среду, рядом с тем местом, в котором на поверхность подложки подают первую текучую среду, подают вторую текучую среду и с поверхности подложки удаляют первую и вторую текучие среды, по существу, одновременно с их подачей, при этом подача и удаление текучей среды сопровождаются формированием на поверхности подложки контролируемого мениска.
10. Способ по п.9, в котором в качестве первой текучей среды используют ДИВ или очищающую текучую среду.
11. Способ по п.9, в котором в качестве второй текучей среды используют пары изопропилового спирта, азот, органические соединения, гексанол, этилгликоль или смешивающиеся с водой соединения.
12. Способ по п.9, в котором первую и вторую текучие среды удаляют с поверхности подложки под действием разрежения, создаваемого в непосредственной близости от поверхности подложки.
13. Способ по п.12, в котором регулированием глубины создаваемого разрежения у поверхности подложки формируют устойчивый мениск.
14. Способ по п.9, в котором при формировании мениска в первую зону поверхности подложки подают первую текучую среду, во вторую зону поверхности подложки подают вторую текучую среду и удаляют первую и вторую текучие среды с поверхности подложки из, по существу, окружающей первую зону третьей зоны, которая по меньшей мере частично окружена второй зоной, при этом при подаче и удалении текучей среды на поверхности подложки формируется мениск.
15. Способ по п.14, в котором в качестве первой текучей среды используют очищающую текучую среду.
16. Способ по п.14, в котором в качестве второй текучей среды используют пары изопропилового спирта, азот, органические соединения, гексанол, этилгликоль или смешивающиеся с водой соединения.
17. Способ по п.14, в котором первую и вторую текучие среды удаляют с поверхности подложки под действием разрежения, которое создают в непосредственной близости от поверхности подложки.
18. Устройство для обработки подложки для полупроводниковых приборов, содержащее головку для подачи и удаления обрабатывающей текучей среды, которая выполнена с возможностью ее подвода к поверхности подложки и которая имеет по меньшей мере один первый подводящий канал для подачи на поверхность подложки первой текучей среды, когда головка находится в непосредственной близости от подложки, по меньшей мере один второй подводящий канал для подачи на поверхность подложки второй текучей среды, когда головка находится в непосредственной близости от подложки, и по меньшей мере один отводящий канал для удаления под действием создаваемого в нем разрежения с поверхности подложки первой и второй текучих сред, когда головка находится в непосредственной близости от подложки.
19. Устройство по п.18, в котором первый подводящий канал служит для подачи в направлении подложки паров изопропилового спирта.
20. Устройство по п.18, в котором второй подводящий канал служит для подачи в направлении подложки деионизированной воды.
21. Устройство по п.18, в котором головка при ее нахождении в рабочем положении в непосредственной близости от подложки формирует на подложке мениск.
22. Устройство по п.18, содержащее также блок для крепления и перемещения головки, предназначенный для прямолинейного перемещения головки вдоль радиуса подложки.
23. Головка устройства для обработки подложки для полупроводниковых приборов, содержащая по меньшей мере один первый подводящий канал для подачи первой текучей среды на поверхность подложки через головку, по меньшей мере один второй подводящий канал для подачи второй текучей среды, отличной от первой текучей среды, на поверхность подложки через головку и по меньшей мере один отводящий канал для удаления с поверхности подложки первой и второй текучих сред, по меньшей мере часть которого расположена между по меньшей мере одним первым подводящим каналом и по меньшей мере одним вторым подводящим каналом и который выполнен с возможностью его, по существу, одновременного задействования с по меньшей мере одним первым подводящим каналом и с по меньшей мере одним вторым подводящим каналом, и акустический преобразователь, воздействующий акустической энергией на первую текучую среду, при этом по меньшей мере один второй подводящий канал окружает по меньшей мере задний край по меньшей мере одного отводящего канала.
24. Головка по п.23, в которой в качестве первой текучей среды используется очищающий химический состав.
25. Головка по п.23, в которой акустический преобразователь состоит из корпуса и расположенного в нем пьезокристалла.
26. Головка по п.25, в которой акустический преобразователь соединен с источником напряжения высокой частоты, подаваемого на излучающий акустическую энергию пьезокристалл.
27. Головка по п.25, в которой акустическая энергия представляет собой мегаакустические и/или ультразвуковые волны.
Приоритет по пунктам:
30.09.2002 по пп.1-18;
30.06.2003 по пп.19-27.
RU2004113416/28A 2002-09-30 2003-09-30 Способ, система, устройство и головка для обработки подложки для полупроводниковых приборов RU2338296C2 (ru)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/261,839 2002-09-30
US10/261,839 US7234477B2 (en) 2000-06-30 2002-09-30 Method and apparatus for drying semiconductor wafer surfaces using a plurality of inlets and outlets held in close proximity to the wafer surfaces
US10/611,140 2003-06-30
US10/611,140 US7264007B2 (en) 2002-09-30 2003-06-30 Method and apparatus for cleaning a substrate using megasonic power

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2004113416A RU2004113416A (ru) 2006-07-20
RU2338296C2 true RU2338296C2 (ru) 2008-11-10

Family

ID=32044980

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2004113416/28A RU2338296C2 (ru) 2002-09-30 2003-09-30 Способ, система, устройство и головка для обработки подложки для полупроводниковых приборов

Country Status (12)

Country Link
EP (1) EP1500128B1 (ru)
JP (1) JP4559226B2 (ru)
KR (1) KR101055997B1 (ru)
CN (1) CN100431092C (ru)
AT (1) ATE365375T1 (ru)
AU (1) AU2003277212A1 (ru)
DE (1) DE60314508T2 (ru)
IL (1) IL161550A0 (ru)
PL (1) PL208012B1 (ru)
RU (1) RU2338296C2 (ru)
TW (1) TWI230397B (ru)
WO (1) WO2004030052A2 (ru)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7093375B2 (en) * 2002-09-30 2006-08-22 Lam Research Corporation Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing
US6988326B2 (en) * 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Phobic barrier meniscus separation and containment
US7520285B2 (en) * 2002-09-30 2009-04-21 Lam Research Corporation Apparatus and method for processing a substrate
US6954993B1 (en) 2002-09-30 2005-10-18 Lam Research Corporation Concentric proximity processing head
US8635784B2 (en) 2005-10-04 2014-01-28 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for drying a substrate
KR100687504B1 (ko) * 2005-10-27 2007-02-27 세메스 주식회사 매엽식 기판 세정 방법
DE102013220252A1 (de) * 2013-10-08 2015-04-09 Rudolph Technologies Germany Gmbh Halte- und Drehvorrichtung für flache Objekte
DE102017111618B4 (de) * 2017-05-29 2021-03-11 CURO GmbH Vorrichtung, System und Verfahren zur Trocknung einer Halbleiterscheibe
US11352711B2 (en) 2019-07-16 2022-06-07 Applied Materials, Inc. Fluid recovery in semiconductor processing
CN111312580B (zh) * 2020-02-27 2022-07-15 至微半导体(上海)有限公司 一种用于高深宽比图形晶圆的微幅震动方法
CN111312581B (zh) * 2020-02-27 2022-07-15 至微半导体(上海)有限公司 一种可提升晶圆干燥效率的排气方法
CN111211043B (zh) * 2020-02-27 2022-10-18 至微半导体(上海)有限公司 一种用于提升晶圆干燥效率的干燥方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08264626A (ja) * 1994-04-28 1996-10-11 Hitachi Ltd 試料保持方法及び試料表面の流体処理方法並びにそれらの装置
US5975098A (en) * 1995-12-21 1999-11-02 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus for and method of cleaning substrate
JPH1092784A (ja) * 1996-09-10 1998-04-10 Toshiba Microelectron Corp ウェーハ処理装置およびウェーハ処理方法
US6039059A (en) 1996-09-30 2000-03-21 Verteq, Inc. Wafer cleaning system
DE69828592T8 (de) * 1997-09-24 2006-06-08 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Verfahren zum entfernen einer flüssigkeit von einer oberfläche einer substrat
DE69832567T2 (de) * 1997-09-24 2007-01-18 Interuniversitair Micro-Electronica Centrum Vzw Verfahren und Vorrichtung zum Entfernen von einer Flüssigkeit von der Oberfläche eines rotierenden Substrats
US6398975B1 (en) * 1997-09-24 2002-06-04 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method and apparatus for localized liquid treatment of the surface of a substrate
US6261377B1 (en) * 1997-09-24 2001-07-17 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method of removing particles and a liquid from a surface of substrate
EP0905746A1 (en) * 1997-09-24 1999-03-31 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Method of removing a liquid from a surface of a rotating substrate
JP2000015159A (ja) * 1998-07-02 2000-01-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液供給装置
JP3873099B2 (ja) * 2000-01-13 2007-01-24 アルプス電気株式会社 基板ガイド装置ならびにこれを用いた洗浄装置
EP1295314A2 (en) * 2000-06-26 2003-03-26 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for wafer cleaning
US6555017B1 (en) * 2000-10-13 2003-04-29 The Regents Of The University Of Caliofornia Surface contouring by controlled application of processing fluid using Marangoni effect

Also Published As

Publication number Publication date
DE60314508T2 (de) 2008-02-21
PL208012B1 (pl) 2011-03-31
KR101055997B1 (ko) 2011-08-11
JP4559226B2 (ja) 2010-10-06
WO2004030052A3 (en) 2004-07-29
EP1500128B1 (en) 2007-06-20
DE60314508D1 (de) 2007-08-02
JP2006501655A (ja) 2006-01-12
KR20050063748A (ko) 2005-06-28
EP1500128A2 (en) 2005-01-26
CN1579005A (zh) 2005-02-09
ATE365375T1 (de) 2007-07-15
TWI230397B (en) 2005-04-01
PL374502A1 (en) 2005-10-31
WO2004030052A2 (en) 2004-04-08
TW200411722A (en) 2004-07-01
CN100431092C (zh) 2008-11-05
AU2003277212A1 (en) 2004-04-19
RU2004113416A (ru) 2006-07-20
IL161550A0 (en) 2004-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2338296C2 (ru) Способ, система, устройство и головка для обработки подложки для полупроводниковых приборов
US8327861B2 (en) Megasonic precision cleaning of semiconductor process equipment components and parts
JP4758694B2 (ja) 近接型プロキシミティプロセスヘッド
US7198055B2 (en) Meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold
JP2003532793A5 (ja) 超小型電子加工物の側面の上に流体を方向付ける装置及び方法
MY139627A (en) Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer
CN110010519A (zh) 剥离装置
ATE428530T1 (de) Laserbearbeitung eines werkstücks
KR20190060666A (ko) 박리 장치
TW201044627A (en) Apparatus and method for cleaning thin film solar cell panel by jetting high-pressure liquid
CN110277349A (zh) 晶片的生成方法和晶片的生成装置
KR101858246B1 (ko) 도포장치, 도포헤드 및 도포방법
KR20110079830A (ko) 반도체 웨이퍼 공정을 위한 음향 보조 단일 웨이퍼 습식 세정
SG188535A1 (en) Improved ultrasonic cleaning method and apparatus
JP5103517B2 (ja) 傾斜した真空導管システムを備えた近接ヘッド、並びに、その装置および方法
US20140261575A1 (en) Portable sonic particle removal tool with a chemically controlled working fluid
JP2006251273A (ja) 液晶パネル端子のクリーニング方法及び装置
JP4481668B2 (ja) 切削装置
JPH09162270A (ja) ウェハのダイシング装置
JP2004033914A (ja) 超音波洗浄装置
JP2021027183A (ja) チップの製造方法
JP2005085978A (ja) 枚葉式洗浄方法及び洗浄装置
JP2006052423A (ja) 機械部品等洗浄装置
JP2006066793A (ja) ウエハ洗浄方法及びその装置
JP2013123775A (ja) バイト切削装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20131001