RU2004113416A - Способ и устройство для сушки поверхностей полупроводниковых пластин со множеством расположенных рядом с поверхностями пластины впускных и выпускных отверстий - Google Patents
Способ и устройство для сушки поверхностей полупроводниковых пластин со множеством расположенных рядом с поверхностями пластины впускных и выпускных отверстий Download PDFInfo
- Publication number
- RU2004113416A RU2004113416A RU2004113416/28A RU2004113416A RU2004113416A RU 2004113416 A RU2004113416 A RU 2004113416A RU 2004113416/28 A RU2004113416/28 A RU 2004113416/28A RU 2004113416 A RU2004113416 A RU 2004113416A RU 2004113416 A RU2004113416 A RU 2004113416A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- head
- liquid
- channel
- meniscus
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 18
- 238000001035 drying Methods 0.000 title 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 77
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract 13
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 claims abstract 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 33
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 4
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Drying Of Solid Materials (AREA)
Claims (32)
1. Система подготовки подложки, содержащая головку с рабочей поверхностью, подводимую во время работы с небольшим зазором к поверхности подложки, первый канал для подачи первой жидкости через головку на поверхность подложки, второй канал для подачи второй жидкости, отличной от первой жидкости, через головку на поверхность подложки и третий канал для удаления с поверхности подложки первой жидкости и второй жидкости, при этом первый, второй и третий каналы выполнены с возможностью их по существу одновременного задействования в процессе работы.
2. Система подготовки подложки по п.1, в которой во время работы подложка перемещается таким образом, что ее обрабатываемая поверхность проходит рядом с головкой.
3. Система подготовки подложки по п.1, в которой во время работы головка перемещается и проходит рядом с подложкой.
4. Система подготовки подложки по п.1, в которой длина головки не превышает диаметра подложки.
5. Система подготовки подложки по п.1, в которой длина головки больше диаметра подложки.
6. Система подготовки подложки по п.1, которая имеет вторую головку, расположенную напротив первой головки и подводимую во время работы с небольшим зазором к поверхности нижней стороны подложки.
7. Система подготовки подложки по п.1, в которой в качестве первой жидкости используется деионизированная вода (ДИВ) или очищающая жидкость.
8. Система подготовки подложки по п.1, в которой в качестве второй жидкости используются пары изопропилового спирта, азот, органические соединения, гексанол, этилгликоль или смешивающиеся с водой соединения.
9. Способ обработки подложки, заключающийся в том, что на поверхность подложки подают первую жидкость, рядом с тем местом, в котором на поверхность подложки подают первую жидкость, подают вторую жидкость и с поверхности подложки удаляют первую и вторую жидкости по существу одновременно с их подачей, при этом подача и удаление жидкостей сопровождается формированием на поверхности подложки контролируемого мениска.
10. Способ по п.9, в котором в качестве первой жидкости используют ДИВ или очищающую жидкость.
11. Способ по п.9, в котором в качестве второй жидкости используют пары изопропилового спирта, азот, органические соединения, гексанол, этилгликоль или смешивающиеся с водой соединения.
12. Способ по п.9, в котором первую и вторую жидкость удаляют с поверхности подложки под действием разрежения, создаваемого в непосредственной близости от поверхности подложки.
13. Способ по п.12, в котором регулированием глубины создаваемого разрежения у поверхности подложки формируют устойчивый мениск.
14. Устройство для подготовки подложки в процессе ее обработки, содержащее головку, которая выполнена с возможностью ее подвода к поверхности подложки и которая имеет по меньшей мере один первый подводящий канал для подачи на поверхность подложки первой жидкости, когда головка находится в непосредственной близости от подложки, по меньшей мере один второй подводящий канал для подачи на поверхность подложки второй жидкости, когда головка находится в непосредственной близости от подложки, и по меньшей мере один отводящий канал для удаления под действием создаваемого в нем разрежения с поверхности подложки первой и второй жидкостей, когда головка находится в непосредственной близости от подложки.
15. Устройство для подготовки подложки по п.14, в котором первый подводящий канал служит для подачи в направлении подложки паров изопропилового спирта.
16. Устройство для подготовки подложки по п.14, в котором второй подводящий канал служит для подачи в направлении подложки деионизированной воды.
17. Устройство для подготовки подложки по п.14, в котором головка при ее нахождении в рабочем положении в непосредственной близости от подложки формирует на подложке мениск.
18. Устройство для подготовки подложки по п.14, содержащее также блок для крепления и перемещения головки, предназначенный для прямолинейного перемещения головки вдоль радиуса подложки.
19. Устройство для подготовки подложки в процессе ее обработки, содержащее блок головок, который выполнен с возможностью прямолинейного перемещения вдоль радиуса подложки и который содержит первую головку, которая в рабочем положении находится над подложкой, вторую головку, которая в рабочем положении находится под подложкой, соединенный с первой головкой верхний рычаг, который предназначен для осуществляемого перед началом подготовки подложки перемещения первой головки над подложкой в рабочее положение, в котором она находится в непосредственной близости от верхней стороны подложки, и соединенный со второй головкой нижний рычаг, который предназначен для осуществляемого перед началом подготовки подложки перемещения второй головки под подложкой в рабочее положение, в котором она находится в непосредственной близости от нижней стороны подложки.
20. Способ обработки подложки, заключающийся в том, что на поверхности подложки формируют жидкий мениск, на который воздействуют акустической энергией и который перемещают по обрабатываемой поверхности подложки.
21. Способ по п.20, в котором на жидкий мениск воздействуют акустической энергией, которую генерирует пьезоэлемент акустического преобразователя, на который подают напряжение высокой частоты.
22. Способ по п.20, в котором под действием акустической энергии в жидком мениске возникает кавитация.
23. Способ по п.20, в котором при формировании мениска в первую зону поверхности подложки подают первую жидкость, во вторую зону поверхности подложки подают вторую жидкость и удаляют первую и вторую жидкости с поверхности подложки из по существу окружающей первую зону третьей зоны, которая по меньшей мере частично окружена второй зоной, при этом при подаче и удалении жидкостей на поверхности подложки формируется мениск.
24. Способ по п.23, в котором в качестве первой жидкости используют очищающую жидкость.
25. Способ по п.23, в котором в качестве второй жидкости используют пары изопропилового спирта, азот, органические соединения, гексанол, этилгликоль или смешивающиеся с водой соединения.
26. Способ по п.23, в котором первую и вторую жидкости удаляют с поверхности подложки под действием разрежения, которое создают в непосредственной близости от поверхности подложки.
27. Способ по п.20, в котором акустическая энергия представляет собой мегаакустические и/или ультразвуковые волны.
28. Головка устройства для подготовки подложки, содержащая по меньшей мере один первый подводящий канал для подачи первой жидкости на поверхность подложки через головку, по меньшей мере один второй подводящий канал для подачи второй жидкости, отличной от первой жидкости, на поверхность подложки через головку и по меньшей мере один отводящий канал для удаления с поверхности подложки первой и второй жидкостей, по меньшей мере часть которого расположена между по меньшей мере одним первым подводящим каналом и по меньшей мере одним вторым подводящим каналом и который выполнен с возможность его по существу одновременного задействования с по меньшей мере одним первым подводящим каналом и с по меньшей мере одним вторым подводящим каналом, и акустический преобразователь, воздействующий акустической энергией на первую жидкость, при этом по меньшей мере один второй подводящий канал окружает по меньшей мере задний край по меньшей мере одного отводящего канала.
29. Головка устройства для подготовки подложки по п.28, в которой в качестве первой жидкости используется очищающий химический состав.
30. Головка устройства для подготовки подложки по п.28, в которой акустический преобразователь состоит из корпуса и расположенного в нем пьезокристалла.
31. Головка устройства для подготовки подложки по п.30, в которой акустический преобразователь соединен с источником напряжения высокой частоты, подаваемого на излучающий акустическую энергию пьезокристалл.
32. Головка устройства для подготовки подложки по п.28, в которой акустическая энергия представляет собой мегаакустические и/или ультразвуковые волны.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US10/261,839 | 2002-09-30 | ||
| US10/261,839 US7234477B2 (en) | 2000-06-30 | 2002-09-30 | Method and apparatus for drying semiconductor wafer surfaces using a plurality of inlets and outlets held in close proximity to the wafer surfaces |
| US10/611,140 US7264007B2 (en) | 2002-09-30 | 2003-06-30 | Method and apparatus for cleaning a substrate using megasonic power |
| US10/611,140 | 2003-06-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2004113416A true RU2004113416A (ru) | 2006-07-20 |
| RU2338296C2 RU2338296C2 (ru) | 2008-11-10 |
Family
ID=32044980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2004113416/28A RU2338296C2 (ru) | 2002-09-30 | 2003-09-30 | Способ, система, устройство и головка для обработки подложки для полупроводниковых приборов |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1500128B1 (ru) |
| JP (1) | JP4559226B2 (ru) |
| KR (1) | KR101055997B1 (ru) |
| CN (1) | CN100431092C (ru) |
| AT (1) | ATE365375T1 (ru) |
| AU (1) | AU2003277212A1 (ru) |
| DE (1) | DE60314508T2 (ru) |
| IL (1) | IL161550A0 (ru) |
| PL (1) | PL208012B1 (ru) |
| RU (1) | RU2338296C2 (ru) |
| TW (1) | TWI230397B (ru) |
| WO (1) | WO2004030052A2 (ru) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6988326B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-01-24 | Lam Research Corporation | Phobic barrier meniscus separation and containment |
| US6954993B1 (en) | 2002-09-30 | 2005-10-18 | Lam Research Corporation | Concentric proximity processing head |
| US7520285B2 (en) * | 2002-09-30 | 2009-04-21 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for processing a substrate |
| US7093375B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-08-22 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing |
| JP5043021B2 (ja) | 2005-10-04 | 2012-10-10 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板を乾燥するための方法及び装置 |
| KR100687504B1 (ko) * | 2005-10-27 | 2007-02-27 | 세메스 주식회사 | 매엽식 기판 세정 방법 |
| DE102013220252A1 (de) * | 2013-10-08 | 2015-04-09 | Rudolph Technologies Germany Gmbh | Halte- und Drehvorrichtung für flache Objekte |
| DE102017111618B4 (de) * | 2017-05-29 | 2021-03-11 | CURO GmbH | Vorrichtung, System und Verfahren zur Trocknung einer Halbleiterscheibe |
| US11352711B2 (en) | 2019-07-16 | 2022-06-07 | Applied Materials, Inc. | Fluid recovery in semiconductor processing |
| CN111312581B (zh) * | 2020-02-27 | 2022-07-15 | 至微半导体(上海)有限公司 | 一种可提升晶圆干燥效率的排气方法 |
| CN111312580B (zh) * | 2020-02-27 | 2022-07-15 | 至微半导体(上海)有限公司 | 一种用于高深宽比图形晶圆的微幅震动方法 |
| CN111211043B (zh) * | 2020-02-27 | 2022-10-18 | 至微半导体(上海)有限公司 | 一种用于提升晶圆干燥效率的干燥方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08264626A (ja) * | 1994-04-28 | 1996-10-11 | Hitachi Ltd | 試料保持方法及び試料表面の流体処理方法並びにそれらの装置 |
| US5975098A (en) * | 1995-12-21 | 1999-11-02 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Apparatus for and method of cleaning substrate |
| JPH1092784A (ja) * | 1996-09-10 | 1998-04-10 | Toshiba Microelectron Corp | ウェーハ処理装置およびウェーハ処理方法 |
| US6039059A (en) | 1996-09-30 | 2000-03-21 | Verteq, Inc. | Wafer cleaning system |
| JP4616948B2 (ja) * | 1997-09-24 | 2011-01-19 | アイメック | 回転基材の表面から液体を除去する方法および装置 |
| WO1999016109A1 (en) * | 1997-09-24 | 1999-04-01 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vereniging Zonder Winstbejag | Method and apparatus for removing a liquid from a surface |
| EP0905746A1 (en) * | 1997-09-24 | 1999-03-31 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | Method of removing a liquid from a surface of a rotating substrate |
| US6398975B1 (en) * | 1997-09-24 | 2002-06-04 | Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) | Method and apparatus for localized liquid treatment of the surface of a substrate |
| US6261377B1 (en) * | 1997-09-24 | 2001-07-17 | Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) | Method of removing particles and a liquid from a surface of substrate |
| JP2000015159A (ja) * | 1998-07-02 | 2000-01-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 処理液供給装置 |
| JP3873099B2 (ja) * | 2000-01-13 | 2007-01-24 | アルプス電気株式会社 | 基板ガイド装置ならびにこれを用いた洗浄装置 |
| JP2004515053A (ja) * | 2000-06-26 | 2004-05-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ウェーハ洗浄方法及び装置 |
| US6555017B1 (en) * | 2000-10-13 | 2003-04-29 | The Regents Of The University Of Caliofornia | Surface contouring by controlled application of processing fluid using Marangoni effect |
-
2003
- 2003-09-30 PL PL374502A patent/PL208012B1/pl not_active IP Right Cessation
- 2003-09-30 RU RU2004113416/28A patent/RU2338296C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2003-09-30 EP EP03798815A patent/EP1500128B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-30 WO PCT/US2003/031136 patent/WO2004030052A2/en active Application Filing
- 2003-09-30 IL IL16155003A patent/IL161550A0/xx unknown
- 2003-09-30 JP JP2004540334A patent/JP4559226B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-09-30 CN CNB03801405XA patent/CN100431092C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-09-30 TW TW092127052A patent/TWI230397B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-09-30 AU AU2003277212A patent/AU2003277212A1/en not_active Abandoned
- 2003-09-30 AT AT03798815T patent/ATE365375T1/de active
- 2003-09-30 DE DE60314508T patent/DE60314508T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-30 KR KR1020047006142A patent/KR101055997B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU2003277212A1 (en) | 2004-04-19 |
| TWI230397B (en) | 2005-04-01 |
| DE60314508D1 (de) | 2007-08-02 |
| PL208012B1 (pl) | 2011-03-31 |
| RU2338296C2 (ru) | 2008-11-10 |
| KR20050063748A (ko) | 2005-06-28 |
| CN1579005A (zh) | 2005-02-09 |
| ATE365375T1 (de) | 2007-07-15 |
| WO2004030052A3 (en) | 2004-07-29 |
| EP1500128A2 (en) | 2005-01-26 |
| JP4559226B2 (ja) | 2010-10-06 |
| KR101055997B1 (ko) | 2011-08-11 |
| PL374502A1 (en) | 2005-10-31 |
| WO2004030052A2 (en) | 2004-04-08 |
| TW200411722A (en) | 2004-07-01 |
| CN100431092C (zh) | 2008-11-05 |
| IL161550A0 (en) | 2004-09-27 |
| EP1500128B1 (en) | 2007-06-20 |
| DE60314508T2 (de) | 2008-02-21 |
| JP2006501655A (ja) | 2006-01-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2004113416A (ru) | Способ и устройство для сушки поверхностей полупроводниковых пластин со множеством расположенных рядом с поверхностями пластины впускных и выпускных отверстий | |
| KR101445414B1 (ko) | 반도체 프로세스 장치 컴포넌트 및 부품의 메가소닉 정밀 세정 | |
| CN102725824B (zh) | 改进的超声波清洁液，方法及其设备 | |
| US6880560B2 (en) | Substrate processing apparatus for processing substrates using dense phase gas and sonic waves | |
| JP6959120B2 (ja) | 剥離装置 | |
| KR20190063387A (ko) | 박리 장치 | |
| EP1635960A2 (en) | Method and apparatus to process substrates with megasonic energy | |
| KR20190060666A (ko) | 박리 장치 | |
| JP2003532793A5 (ja) | 超小型電子加工物の側面の上に流体を方向付ける装置及び方法 | |
| TWI473668B (zh) | 改良之超音波清洗方法與設備 | |
| CN110277349A (zh) | 晶片的生成方法和晶片的生成装置 | |
| KR20110079830A (ko) | 반도체 웨이퍼 공정을 위한 음향 보조 단일 웨이퍼 습식 세정 | |
| CN112170325A (zh) | 压电振动板、超声波水喷射装置以及超声波振动变幅器 | |
| KR20170015150A (ko) | 연삭 장치 | |
| KR101177038B1 (ko) | 물품의 세정 장치 및 방법 | |
| KR20080094539A (ko) | 매엽식 세정장치 | |
| KR101110905B1 (ko) | 과포화된 세정 용액을 사용한 메가소닉 세정 | |
| JP4280557B2 (ja) | 洗浄装置および研磨装置 | |
| JP3927936B2 (ja) | 枚葉式洗浄方法及び洗浄装置 | |
| JPH09162270A (ja) | ウェハのダイシング装置 | |
| JP2022033584A (ja) | 板状物の洗浄装置、及び、洗浄方法 | |
| JP2006066793A (ja) | ウエハ洗浄方法及びその装置 | |
| JP2016077936A (ja) | 被洗浄体の異物除去装置およびその異物除去方法 | |
| JPH08299928A (ja) | 基板の表面処理用超音波発生装置 | |
| JP2004079767A (ja) | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20131001 |