RU2291547C2 - Матричный преобразователь для преобразования электрической энергии - Google Patents

Матричный преобразователь для преобразования электрической энергии Download PDF

Info

Publication number
RU2291547C2
RU2291547C2 RU2003101249/09A RU2003101249A RU2291547C2 RU 2291547 C2 RU2291547 C2 RU 2291547C2 RU 2003101249/09 A RU2003101249/09 A RU 2003101249/09A RU 2003101249 A RU2003101249 A RU 2003101249A RU 2291547 C2 RU2291547 C2 RU 2291547C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
diamond
contacts
converter according
converter
key
Prior art date
Application number
RU2003101249/09A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2003101249A (ru
Inventor
Эмманюэль ДЮТАРД (FR)
Эмманюэль ДЮТАРД
Кристоф БЕЙ (FR)
Кристоф БЕЙ
Фабрис БРЕЙ (FR)
Фабрис БРЕЙ
Анри ШНЕЙДЕР (FR)
Анри ШНЕЙДЕР
Original Assignee
Альстом
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Альстом filed Critical Альстом
Publication of RU2003101249A publication Critical patent/RU2003101249A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2291547C2 publication Critical patent/RU2291547C2/ru

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/003Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M5/00Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M5/00Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases
    • H02M5/02Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into dc
    • H02M5/04Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into dc by static converters
    • H02M5/22Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into dc by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M5/275Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into dc by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M5/293Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into dc by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/4901Structure
    • H01L2224/4903Connectors having different sizes, e.g. different diameters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4911Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49111Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107Disposition of discrete passive components off-chip wires
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B70/00Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
    • Y02B70/10Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Ac-Ac Conversion (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

Использование: для управления тяговыми электродвигателями. Технический результат заключается в обеспечении работы при высоких напряжениях и в изоляции контактов ключей преобразователя. Матричный преобразователь для преобразования электрической энергии между, по меньшей мере, одним источником (1) напряжения, в частности питающей электрической сетью, и, по меньшей мере, одним источником (2) тока, в частности нагрузкой, при этом указанный преобразователь включает в себя матрицу ключей (6), подключающих указанные источники (1) напряжения к указанным источникам (2) тока, отличающийся тем, что каждый из указанных ключей (6) имеет два контакта (5), которые взаимно соединены через фотопроводящий слой (4) алмаза, при этом каждый ключ (6) управляется посредством источника (7) света, облучающего слой (4) алмаза, размещенный между двумя контактами (5) ключа (6). 9 з.п. ф-лы, 4 ил.

Description

Изобретение относится к матричному преобразователю для преобразования электрической энергии между источником напряжения, таким как питающая электрическая сеть, и источником тока, таким, как электродвигатель. Изобретение особенно применимо для управления тяговыми двигателями на железнодорожном транспорте.
В заявке на патент США 2001/0026427 А1 раскрыт матричный преобразователь, содержащий матрицу 3×3, составленную из двунаправленных ключей и предназначенную для приведения в действие (питания) асинхронного двигателя от трехфазной сети. Благодаря модульной конфигурации (топологии) такой матричный преобразователь при соответствующем управлении различными ключами обеспечивает преимущество, заключающееся в возможности непосредственного преобразования имеющегося переменного тока в переменный ток различного напряжения и различной частоты, в отличие от преобразователей с фиксированной структурой, которые обычно используются и в которых для получения того же самого результата необходимо последовательно соединять и оснасить конденсаторами фильтров выпрямитель переменного тока в постоянный ток, преобразователь постоянного тока в постоянный ток и источник бесперебойного питания с преобразованием постоянного тока в переменный ток.
Однако в таком матричном преобразователе двунаправленные ключи образованы интегральными схемами, содержащими объединенные диоды и биполярные транзисторы с изолированным затвором, которым присущ недостаток, заключающийся в том, что они не способны выдерживать высокие напряжения, поскольку у наиболее устойчивых биполярных транзисторов с изолированным затвором, которые в настоящее время имеются в продаже, рабочее напряжение ограничено значением приблизительно 6,5 кВ. Кроме того, недостатком такого биполярного транзистора с изолированным затвором является то, что его управляющий затвор должен быть изолирован от коллектора и от эмиттера, что создает проблемы, когда напряжение на выводах биполярного транзистора с изолированным затвором становится высоким.
Поэтому задача настоящего изобретения заключается в создании матричного преобразователя нового типа, который может работать при высоких напряжениях. Другая задача изобретения заключается в создании матричного преобразователя, в котором управление ключами естественным путем изолировано от контактов указанных ключей.
С этой целью в соответствии с изобретением предложен матричный преобразователь для преобразования электрической энергии между, по меньшей мере, одним источником напряжения, в частности питающей электрической сетью, и, по меньшей мере, одним источником тока, в частности нагрузкой, при этом указанный преобразователь включает в себя матрицу ключей, подключающих указанные источники напряжения к указанным источникам тока, причем указанный матричный преобразователь отличается тем, что каждый из указанных ключей имеет два контакта, которые взаимно соединены через фотопроводящий слой алмаза, при этом каждый ключ управляется посредством источника света, облучающего слой алмаза, размещенный между двумя контактами ключа.
В отдельных вариантах осуществления матричный преобразователь согласно изобретению может иметь одну или несколько следующих особенностей, взятых в отдельности или в любом технически реализуемом сочетании:
контакты матрицы ключей расположены в одной и той же плоскости;
слой алмаза ключа образован алмазной подложкой, полученной методом химического осаждения из паровой фазы (CVD);
контакты образованы металлизацией алмазной подложки путем последовательного осаждения из паровой фазы титана, платины и золота;
источник света представляет собой источник ультрафиолетового излучения;
единственная алмазная подложка поддерживает все контакты матрицы ключей;
каждый ключ преобразователя образован индивидуальной алмазной подложкой, которая поддерживается керамической подложкой, при этом индивидуальная алмазная подложка соединена с поддерживающей керамической подложкой через слой стекла;
каждый ключ имеет два контакта, подключенных соответственно к источнику напряжения и к источнику тока посредством проводящих дорожек, находящихся на поддерживающей керамической подложке;
керамическая подложка выполнена из нитрида алюминия (AlN);
керамическая подложка имеет сторону, которая противоположна стороне, поддерживающей проводящие дорожки, и которая охлаждается принудительно охлаждающей текучей средой.
Задачи, особенности и преимущества настоящего изобретения станут более понятными при прочтении нижеследующего описания двух вариантов осуществления изобретения, приведенных в качестве неограничивающего примера со ссылками на сопровождающие чертежи, на которых:
фигура 1 - перспективное изображение матричного преобразователя в конкретном примере осуществления изобретения;
фигура 2 - разрез алмазного ключа матричного преобразователя согласно фигуре 1;
фигура 3 - перспективное изображение матричного преобразователя в другом варианте осуществления преобразователя согласно изобретению;
фигура 4 - детализированный вид алмазного ключа преобразователя согласно фигуре 3.
Чтобы сделать чертежи более ясными, показаны только те элементы, которые необходимы для понимания изобретения. Аналогичные элементы показаны под одинаковыми ссылочными номерами от одной фигуры к другой.
На фигуре 1 показан конкретный пример осуществления матричного преобразователя согласно изобретению. Этот матричный преобразователь имеет три входных соединителя 1, которые снабжаются энергией, например, от трехфазной сети, и три выходных соединителя 2, которые предназначены, например, для подачи энергии к асинхронному двигателю.
Как показано на этой фигуре, матричный преобразователь содержит основание 3, которое изготовлено из пластмассы, которое выполнено по существу квадратным по форме и на котором в центре закреплена алмазная подложка 4. Алмазная подложка 4 изготовлена способом, известным по сути как метод химического осаждения из паровой или газовой фазы (CVD), и она, например, имеет ширину приблизительно 150 мм и толщину приблизительно 50 мкм.
Алмазная подложка 4 имеет верхнюю сторону, снабженную девятью парами металлизированных контактов 5, расположенных в виде матрицы 3×3, при этом каждая пара металлизированных контактов 5 образует контакты 5 соответствующего алмазного ключа 6, и эти контакты разнесены на расстояние приблизительно 10 мм с тем, чтобы выдерживать большую разность потенциалов между указанными двумя контактами. Такие металлизированные контакты 5 могут быть получены на алмазной подложке 4, например, методом металлизации, содержащим следующие стадии:
осаждение фоточувствительного полимера (смолы) на верхнюю сторону алмазной подложки;
удаление полимера с участков, подлежащих металлизации, путем экспонирования их излучению через маску;
металлизация путем последовательного осаждения из паровой фазы титана, платины и золота на поверхность алмазной подложки, частично покрытой полимером;
удаление оставшегося полимера путем погружения алмазной подложки в ацетон.
Как показано на фигурах 1 и 2, источник 7 ультрафиолетового света расположен обращенным в сторону промежутка между двумя контактами 5 каждого алмазного ключа 6, при этом каждый из источников 7 света имеет световой пучок (показанный на фигурах штрихпунктирными линиями), делающий возможным облучение по команде алмазной поверхности 4 между двумя контактами 5 соответствующего алмазного ключа 6 с тем, чтобы вызывать протекание электричества (электрический ток) между двумя контактами 5. Преимущественно источники 7 света поддерживаются пластиной (не показанной на фигурах), установленной на ножках 8, опирающихся на верхнюю сторону основания 3, и они управляются независимо друг от друга схемой управления, представляющей собой схему управления преобразователем.
Три входных соединителя 1 и три выходных соединителя 2 преобразователя размещены в совмещении с тремя рядами и тремя столбцами матрицы алмазных ключей 6, при этом конец каждого из соединителей 1 и 2 закреплен на основании. Каждый входной соединитель 1 электрически соединен посредством алюминиевых проводов 9 с одним из двух контактов 5 каждого из трех алмазных ключей 6, расположенных на одной прямой с входным соединителем 1, при этом другой контакт 5 алмазного ключа 6 соединен с выходным соединителем 2, расположенным в совмещении со столбцом, включающим алмазный ключ 6.
Такой матричный преобразователь предоставляет преимущество вследствие наличия алмазных ключей, которые могут выдерживать высокие напряжения на контактах и которые естественным путем обеспечивают возможность протекания электрического тока через преобразователь в обоих направлениях. Кроме того, такой преобразователь управляется посредством алмазных ключей с оптическим управлением, и такое управление дает преимущество, вытекающее из естественной изоляции от электрического потенциала на контактах ключа. Наконец, поскольку его конфигурация (топология) является модульной за счет оптического управления, такой матричный преобразователь делает возможным преобразование любого типа, например однофазное или трехфазное непосредственное преобразование переменного тока в переменный ток, или преобразование переменного тока в постоянный ток, или преобразование постоянного тока в постоянный ток при подключении к источнику напряжения постоянного тока.
На фигуре 3 показан другой вариант осуществления преобразователя согласно изобретению. Как показано на этой фигуре, матричный преобразователь содержит керамическую подложку 13, изготовленную из нитрида алюминия, AlN, на которой закреплены три входных соединителя 1 и три выходных соединителя 2. Керамическая подложка 13 снабжена девятью полостями, распределенными в виде матричной структуры 3×3, при этом в каждой полости расположена квадратная алмазная подложка 14 со сторонами приблизительно 10 мм, окруженная стеклом 20, что более подробно показано на фигуре 4. Стеклянная область 20, необязательно заполненная керамикой, образует границу раздела между алмазной подложкой 14 и керамической подложкой 13, что обеспечивает преимущество вследствие получения коэффициента α расширения, близкого к 3,5, что делает возможным ослабление сил, вызванных неодинаковым расширением алмаза (α=1) и подложки из AlN (α=4,5).
Как показано на фигуре 4, каждая алмазная подложка 14 снабжена двумя металлизированными контактами 15, расположенными в двух диаметрально противоположных местах, при этом контакты 15 образуют два контакта алмазного ключа 16 и подключены посредством алюминиевых проводов 21 к соответствующим соединительным контактам 19а, расположенным на подложке 13 из AlN на периферии слоя 20 стекла. Соединительные контакты 19а соединены с токопроводящими дорожками 19, образованными путем металлизации поверхности подложки 13 из AlN, при этом токопроводящие дорожки 19 размещены таким образом, что они соединяют входной соединитель 1 с одним из контактов 15 каждого из трех алмазных ключей 16, расположенных в одном и том же ряду матрицы, а другие три контакта 15 алмазных ключей 16 соединены с соответствующими тремя выходными соединителями 2.
Источники 7 ультрафиолетового света (показанные только на фигуре 3) расположены обращенными в сторону соответствующей одной из алмазных подложек 14, при этом каждый источник света 7 может срабатывать по команде, облучая промежуток между двумя контактами 15 соответствующего алмазного ключа 16 для того, чтобы вызвать прохождение электричества (электрический ток) между указанными двумя контактами 15. Источники 7 света преимущественно закреплены на пластине 22, показанной на фигуре 3 штрихпунктирными линиями и установленной на ножках 8, расположенных на верхней стороне керамической подложки 13, при этом источники 7 света управляются индивидуально посредством схемы управления.
Преимущественно нижняя поверхность керамической подложки 13 охвачена или контактирует с охлаждающей текучей средой, передаваемой посредством трубопровода (не показанного на фигурах), что делает возможным отведение теплоты, выделяющейся на алмазных ключах 16 во время работы матричного преобразователя. В каждом случае толщина алмазных подложек приспосабливается к рабочему напряжению преобразователя и может изменяться, например, от толщины 50 мкм для выдерживания разности потенциалов между выводами алмазного ключа с охлаждающей текучей средой приблизительно 5 кВ до 200 мкм для выдерживания разности потенциалов приблизительно 20 кВ.
Этот второй вариант осуществления обеспечивает преимущество, заключающееся в том, что требуется алмазная подложка меньшей площади, чем в варианте осуществления из фигуры 1, в результате чего можно снизить стоимость изготовления такого преобразователя.
Преимущественно преобразователь согласно изобретению можно применять для управления тяговыми электродвигателями на железнодорожных транспортных средствах при использовании напряжения контактной сети, а его модульная конфигурация обеспечивает возможность согласования с напряжениями контактной сети различного вида только путем изменения управления алмазными ключами.
Конечно, изобретение никоим образом не ограничено описанными и показанными вариантами осуществления, которые даны только для примера. Остаются возможными модификации, особенно касающиеся изготовления различных элементов или использования эквивалентных заменяющих методов, без выхода за рамки объема защиты изобретения.

Claims (10)

1. Матричный преобразователь для преобразования электрической энергии между, по меньшей мере, одним источником (1) напряжения, в частности питающей электрической сетью, и, по меньшей мере, одним источником (2) тока, в частности нагрузкой, при этом указанный преобразователь включает в себя матрицу ключей (6; 16), подключающих указанные источники (1) напряжения к указанным источникам (2) тока, отличающийся тем, что каждый из указанных ключей (6; 16) имеет два контакта (5; 15), которые взаимно соединены через фотопроводящий слой (4; 14) алмаза, при этом каждый ключ (6; 16) управляется посредством источника (7) света, облучающего слой (4; 14) алмаза, размещенный между двумя контактами (5; 15) ключа (6; 16).
2. Преобразователь по п.1, отличающийся тем, что указанные контакты (5; 15) матрицы ключей (6; 16) расположены в одной и той же плоскости.
3. Преобразователь по п.1 или 2, отличающийся тем, что указанный слой алмаза ключа (6; 16) образован алмазной подложкой (4; 14), полученной методом химического осаждения из паровой фазы (CVD).
4. Преобразователь по п.3, отличающийся тем, что контакты (5; 15) образованы металлизацией алмазной подложки (4; 14) путем последовательного осаждения из паровой фазы титана, платины и золота.
5. Преобразователь по п.3 или 4, отличающийся тем, что указанный источник (7) света представляет собой источник ультрафиолетового излучения.
6. Преобразователь по любому из пп.3-5, отличающийся тем, что единственная алмазная подложка поддерживает все контакты (5; 15) матрицы ключей (6).
7. Преобразователь по любому из пп.1-5, отличающийся тем, что каждый ключ (16) преобразователя образован индивидуальной алмазной подложкой (14), которая поддерживается керамической подложкой (13), при этом указанная индивидуальная алмазная подложка (14) соединена с поддерживающей керамической подложкой через слой (20) стекла.
8. Преобразователь по п.7, отличающийся тем, что каждый ключ (16) имеет два контакта (15), подключенных соответственно к источнику (1) напряжения и к источнику (2) тока посредством проводящих дорожек (19), находящихся на указанной поддерживающей керамической подложке (13).
9. Преобразователь по п.6 или 7, отличающийся тем, что указанная керамическая подложка (13) выполнена из нитрида алюминия (AlN).
10. Преобразователь по любому из пп.7-9, отличающийся тем, что указанная керамическая подложка (13) имеет сторону, которая противоположна стороне, поддерживающей токопроводящие дорожки (19), и которая охлаждается принудительно охлаждающей текучей средой.
RU2003101249/09A 2002-01-17 2003-01-16 Матричный преобразователь для преобразования электрической энергии RU2291547C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0200551A FR2834828B1 (fr) 2002-01-17 2002-01-17 Convertisseur matriciel pour la transformation d'energie electrique
FR0200551 2002-01-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2003101249A RU2003101249A (ru) 2004-07-10
RU2291547C2 true RU2291547C2 (ru) 2007-01-10

Family

ID=8871330

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2003101249/09A RU2291547C2 (ru) 2002-01-17 2003-01-16 Матричный преобразователь для преобразования электрической энергии

Country Status (10)

Country Link
US (1) US7170199B2 (ru)
EP (1) EP1331724A3 (ru)
JP (1) JP4087717B2 (ru)
KR (1) KR100695379B1 (ru)
CN (1) CN1323484C (ru)
CA (1) CA2416190A1 (ru)
FR (1) FR2834828B1 (ru)
HK (1) HK1057424A1 (ru)
RU (1) RU2291547C2 (ru)
TW (1) TWI276293B (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2531358C2 (ru) * 2009-09-29 2014-10-20 Абб Швайц Аг Прямой преобразователь и система с таким прямым преобразователем

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5197321B2 (ja) * 2008-11-20 2013-05-15 株式会社マキタ バンドソー
CN105986818A (zh) * 2015-02-28 2016-10-05 中国石油集团长城钻探工程有限公司 双侧向测井仪
CN107240846A (zh) * 2017-08-04 2017-10-10 浙江聚弘凯电气有限公司 用于高压开关设备的连接头结构

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3587052A (en) * 1968-10-28 1971-06-22 Tektronix Inc Transistor matrix
JP2934493B2 (ja) * 1990-10-24 1999-08-16 株式会社日立製作所 電子機器の冷却装置
USH1717H (en) * 1995-11-16 1998-04-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Bistable photoconductive switches particularly suited for frequency-agile, radio-frequency sources
FR2767605B1 (fr) * 1997-08-25 2001-05-11 Gec Alsthom Transport Sa Circuit integre de puissance, procede de fabrication d'un tel circuit et convertisseur incluant un tel circuit
US6181231B1 (en) * 1998-04-06 2001-01-30 Silicon Graphics, Inc. Diamond-based transformers and power convertors
WO1999067798A2 (en) * 1998-06-05 1999-12-29 Alameda Applied Sciences Corporation Method and apparatus for switching electrical power at high voltages, high currents and high temperatures with rapid turn-on and turn-off at high repetition rates
US6453083B1 (en) * 1999-05-28 2002-09-17 Anis Husain Micromachined optomechanical switching cell with parallel plate actuator and on-chip power monitoring
JP2001006978A (ja) * 1999-06-18 2001-01-12 Matsuo Electric Co Ltd チップコンデンサ
SE9904710L (sv) * 1999-12-22 2001-06-23 Abb Ab Halvledaranordning
DE10005449B4 (de) * 2000-02-08 2008-06-12 Siemens Ag Überspannungsschutzvorrichtung für einen Matrixumrichter
FR2834829B1 (fr) * 2002-01-17 2005-04-29 Alstom Convertisseur matriciel pour la transformation d'energie electrique

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2531358C2 (ru) * 2009-09-29 2014-10-20 Абб Швайц Аг Прямой преобразователь и система с таким прямым преобразователем

Also Published As

Publication number Publication date
TW200302621A (en) 2003-08-01
CN1433130A (zh) 2003-07-30
EP1331724A3 (fr) 2004-12-08
JP4087717B2 (ja) 2008-05-21
US7170199B2 (en) 2007-01-30
US20030160516A1 (en) 2003-08-28
EP1331724A2 (fr) 2003-07-30
KR20030063151A (ko) 2003-07-28
CN1323484C (zh) 2007-06-27
JP2003289676A (ja) 2003-10-10
HK1057424A1 (en) 2004-04-02
FR2834828A1 (fr) 2003-07-18
CA2416190A1 (fr) 2003-07-17
KR100695379B1 (ko) 2007-03-15
TWI276293B (en) 2007-03-11
FR2834828B1 (fr) 2005-04-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2021097589A (ja) 電気自動車またはハイブリッド自動車の、パワーエレクトロニクスのトラクションインバータのハーフブリッジモジュール
JPH088397A (ja) 低インダクタンスパワー半導体モジュール
JP3677519B2 (ja) 電力用半導体モジュール
KR20130006368A (ko) 냉각장치를 포함하는 전력 전자 시스템
US5811878A (en) High-power semiconductor module
RU2291547C2 (ru) Матричный преобразователь для преобразования электрической энергии
JP2007116172A (ja) パワー半導体モジュール
RU2298858C2 (ru) Матричный преобразователь для преобразования электрической энергии
JPH11340246A (ja) パワ―半導体デバイスの製造方法
JPH1189247A (ja) 電力変換器
US6584001B2 (en) Power converter module
US20230110879A1 (en) Inverter structure of an electronic module for an electric drive of a vehicle
US9681568B1 (en) Compact stacked power modules for minimizing commutating inductance and methods for making the same
ITMI950829U3 (it) Apparecchio elettrico
WO2018177732A1 (en) 3-level power module
JP2003174782A (ja) 電力変換装置
RU2003101249A (ru) Матричный преобразователь для преобразования электрической энергии
JP4004796B2 (ja) 出力半導体モジュール
RU2003101200A (ru) Матричный преобразователь для преобразования электрической энергии
CN111509996A (zh) 半导体装置
CN112054012A (zh) 包括直流和交流电势端子的子模块和包括该子模块的布置
JPS638076Y2 (ru)
JP2003204037A (ja) モジュールハウジング及び電力半導体モジュール
CN116915019A (zh) 功率模块、模块化多电平变流器和柔性直流换流阀

Legal Events

Date Code Title Description
PC41 Official registration of the transfer of exclusive right

Effective date: 20151007

PC41 Official registration of the transfer of exclusive right

Effective date: 20160114

PD4A Correction of name of patent owner
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20210117