RU2291547C2 - Матричный преобразователь для преобразования электрической энергии - Google Patents
Матричный преобразователь для преобразования электрической энергии Download PDFInfo
- Publication number
- RU2291547C2 RU2291547C2 RU2003101249/09A RU2003101249A RU2291547C2 RU 2291547 C2 RU2291547 C2 RU 2291547C2 RU 2003101249/09 A RU2003101249/09 A RU 2003101249/09A RU 2003101249 A RU2003101249 A RU 2003101249A RU 2291547 C2 RU2291547 C2 RU 2291547C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- diamond
- contacts
- converter according
- converter
- key
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/003—Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M5/00—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M5/00—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases
- H02M5/02—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into dc
- H02M5/04—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into dc by static converters
- H02M5/22—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into dc by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M5/275—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into dc by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M5/293—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into dc by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/4901—Structure
- H01L2224/4903—Connectors having different sizes, e.g. different diameters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
- Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Ac-Ac Conversion (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
Использование: для управления тяговыми электродвигателями. Технический результат заключается в обеспечении работы при высоких напряжениях и в изоляции контактов ключей преобразователя. Матричный преобразователь для преобразования электрической энергии между, по меньшей мере, одним источником (1) напряжения, в частности питающей электрической сетью, и, по меньшей мере, одним источником (2) тока, в частности нагрузкой, при этом указанный преобразователь включает в себя матрицу ключей (6), подключающих указанные источники (1) напряжения к указанным источникам (2) тока, отличающийся тем, что каждый из указанных ключей (6) имеет два контакта (5), которые взаимно соединены через фотопроводящий слой (4) алмаза, при этом каждый ключ (6) управляется посредством источника (7) света, облучающего слой (4) алмаза, размещенный между двумя контактами (5) ключа (6). 9 з.п. ф-лы, 4 ил.
Description
Изобретение относится к матричному преобразователю для преобразования электрической энергии между источником напряжения, таким как питающая электрическая сеть, и источником тока, таким, как электродвигатель. Изобретение особенно применимо для управления тяговыми двигателями на железнодорожном транспорте.
В заявке на патент США 2001/0026427 А1 раскрыт матричный преобразователь, содержащий матрицу 3×3, составленную из двунаправленных ключей и предназначенную для приведения в действие (питания) асинхронного двигателя от трехфазной сети. Благодаря модульной конфигурации (топологии) такой матричный преобразователь при соответствующем управлении различными ключами обеспечивает преимущество, заключающееся в возможности непосредственного преобразования имеющегося переменного тока в переменный ток различного напряжения и различной частоты, в отличие от преобразователей с фиксированной структурой, которые обычно используются и в которых для получения того же самого результата необходимо последовательно соединять и оснасить конденсаторами фильтров выпрямитель переменного тока в постоянный ток, преобразователь постоянного тока в постоянный ток и источник бесперебойного питания с преобразованием постоянного тока в переменный ток.
Однако в таком матричном преобразователе двунаправленные ключи образованы интегральными схемами, содержащими объединенные диоды и биполярные транзисторы с изолированным затвором, которым присущ недостаток, заключающийся в том, что они не способны выдерживать высокие напряжения, поскольку у наиболее устойчивых биполярных транзисторов с изолированным затвором, которые в настоящее время имеются в продаже, рабочее напряжение ограничено значением приблизительно 6,5 кВ. Кроме того, недостатком такого биполярного транзистора с изолированным затвором является то, что его управляющий затвор должен быть изолирован от коллектора и от эмиттера, что создает проблемы, когда напряжение на выводах биполярного транзистора с изолированным затвором становится высоким.
Поэтому задача настоящего изобретения заключается в создании матричного преобразователя нового типа, который может работать при высоких напряжениях. Другая задача изобретения заключается в создании матричного преобразователя, в котором управление ключами естественным путем изолировано от контактов указанных ключей.
С этой целью в соответствии с изобретением предложен матричный преобразователь для преобразования электрической энергии между, по меньшей мере, одним источником напряжения, в частности питающей электрической сетью, и, по меньшей мере, одним источником тока, в частности нагрузкой, при этом указанный преобразователь включает в себя матрицу ключей, подключающих указанные источники напряжения к указанным источникам тока, причем указанный матричный преобразователь отличается тем, что каждый из указанных ключей имеет два контакта, которые взаимно соединены через фотопроводящий слой алмаза, при этом каждый ключ управляется посредством источника света, облучающего слой алмаза, размещенный между двумя контактами ключа.
В отдельных вариантах осуществления матричный преобразователь согласно изобретению может иметь одну или несколько следующих особенностей, взятых в отдельности или в любом технически реализуемом сочетании:
контакты матрицы ключей расположены в одной и той же плоскости;
слой алмаза ключа образован алмазной подложкой, полученной методом химического осаждения из паровой фазы (CVD);
контакты образованы металлизацией алмазной подложки путем последовательного осаждения из паровой фазы титана, платины и золота;
источник света представляет собой источник ультрафиолетового излучения;
единственная алмазная подложка поддерживает все контакты матрицы ключей;
каждый ключ преобразователя образован индивидуальной алмазной подложкой, которая поддерживается керамической подложкой, при этом индивидуальная алмазная подложка соединена с поддерживающей керамической подложкой через слой стекла;
каждый ключ имеет два контакта, подключенных соответственно к источнику напряжения и к источнику тока посредством проводящих дорожек, находящихся на поддерживающей керамической подложке;
керамическая подложка выполнена из нитрида алюминия (AlN);
керамическая подложка имеет сторону, которая противоположна стороне, поддерживающей проводящие дорожки, и которая охлаждается принудительно охлаждающей текучей средой.
Задачи, особенности и преимущества настоящего изобретения станут более понятными при прочтении нижеследующего описания двух вариантов осуществления изобретения, приведенных в качестве неограничивающего примера со ссылками на сопровождающие чертежи, на которых:
фигура 1 - перспективное изображение матричного преобразователя в конкретном примере осуществления изобретения;
фигура 2 - разрез алмазного ключа матричного преобразователя согласно фигуре 1;
фигура 3 - перспективное изображение матричного преобразователя в другом варианте осуществления преобразователя согласно изобретению;
фигура 4 - детализированный вид алмазного ключа преобразователя согласно фигуре 3.
Чтобы сделать чертежи более ясными, показаны только те элементы, которые необходимы для понимания изобретения. Аналогичные элементы показаны под одинаковыми ссылочными номерами от одной фигуры к другой.
На фигуре 1 показан конкретный пример осуществления матричного преобразователя согласно изобретению. Этот матричный преобразователь имеет три входных соединителя 1, которые снабжаются энергией, например, от трехфазной сети, и три выходных соединителя 2, которые предназначены, например, для подачи энергии к асинхронному двигателю.
Как показано на этой фигуре, матричный преобразователь содержит основание 3, которое изготовлено из пластмассы, которое выполнено по существу квадратным по форме и на котором в центре закреплена алмазная подложка 4. Алмазная подложка 4 изготовлена способом, известным по сути как метод химического осаждения из паровой или газовой фазы (CVD), и она, например, имеет ширину приблизительно 150 мм и толщину приблизительно 50 мкм.
Алмазная подложка 4 имеет верхнюю сторону, снабженную девятью парами металлизированных контактов 5, расположенных в виде матрицы 3×3, при этом каждая пара металлизированных контактов 5 образует контакты 5 соответствующего алмазного ключа 6, и эти контакты разнесены на расстояние приблизительно 10 мм с тем, чтобы выдерживать большую разность потенциалов между указанными двумя контактами. Такие металлизированные контакты 5 могут быть получены на алмазной подложке 4, например, методом металлизации, содержащим следующие стадии:
осаждение фоточувствительного полимера (смолы) на верхнюю сторону алмазной подложки;
удаление полимера с участков, подлежащих металлизации, путем экспонирования их излучению через маску;
металлизация путем последовательного осаждения из паровой фазы титана, платины и золота на поверхность алмазной подложки, частично покрытой полимером;
удаление оставшегося полимера путем погружения алмазной подложки в ацетон.
Как показано на фигурах 1 и 2, источник 7 ультрафиолетового света расположен обращенным в сторону промежутка между двумя контактами 5 каждого алмазного ключа 6, при этом каждый из источников 7 света имеет световой пучок (показанный на фигурах штрихпунктирными линиями), делающий возможным облучение по команде алмазной поверхности 4 между двумя контактами 5 соответствующего алмазного ключа 6 с тем, чтобы вызывать протекание электричества (электрический ток) между двумя контактами 5. Преимущественно источники 7 света поддерживаются пластиной (не показанной на фигурах), установленной на ножках 8, опирающихся на верхнюю сторону основания 3, и они управляются независимо друг от друга схемой управления, представляющей собой схему управления преобразователем.
Три входных соединителя 1 и три выходных соединителя 2 преобразователя размещены в совмещении с тремя рядами и тремя столбцами матрицы алмазных ключей 6, при этом конец каждого из соединителей 1 и 2 закреплен на основании. Каждый входной соединитель 1 электрически соединен посредством алюминиевых проводов 9 с одним из двух контактов 5 каждого из трех алмазных ключей 6, расположенных на одной прямой с входным соединителем 1, при этом другой контакт 5 алмазного ключа 6 соединен с выходным соединителем 2, расположенным в совмещении со столбцом, включающим алмазный ключ 6.
Такой матричный преобразователь предоставляет преимущество вследствие наличия алмазных ключей, которые могут выдерживать высокие напряжения на контактах и которые естественным путем обеспечивают возможность протекания электрического тока через преобразователь в обоих направлениях. Кроме того, такой преобразователь управляется посредством алмазных ключей с оптическим управлением, и такое управление дает преимущество, вытекающее из естественной изоляции от электрического потенциала на контактах ключа. Наконец, поскольку его конфигурация (топология) является модульной за счет оптического управления, такой матричный преобразователь делает возможным преобразование любого типа, например однофазное или трехфазное непосредственное преобразование переменного тока в переменный ток, или преобразование переменного тока в постоянный ток, или преобразование постоянного тока в постоянный ток при подключении к источнику напряжения постоянного тока.
На фигуре 3 показан другой вариант осуществления преобразователя согласно изобретению. Как показано на этой фигуре, матричный преобразователь содержит керамическую подложку 13, изготовленную из нитрида алюминия, AlN, на которой закреплены три входных соединителя 1 и три выходных соединителя 2. Керамическая подложка 13 снабжена девятью полостями, распределенными в виде матричной структуры 3×3, при этом в каждой полости расположена квадратная алмазная подложка 14 со сторонами приблизительно 10 мм, окруженная стеклом 20, что более подробно показано на фигуре 4. Стеклянная область 20, необязательно заполненная керамикой, образует границу раздела между алмазной подложкой 14 и керамической подложкой 13, что обеспечивает преимущество вследствие получения коэффициента α расширения, близкого к 3,5, что делает возможным ослабление сил, вызванных неодинаковым расширением алмаза (α=1) и подложки из AlN (α=4,5).
Как показано на фигуре 4, каждая алмазная подложка 14 снабжена двумя металлизированными контактами 15, расположенными в двух диаметрально противоположных местах, при этом контакты 15 образуют два контакта алмазного ключа 16 и подключены посредством алюминиевых проводов 21 к соответствующим соединительным контактам 19а, расположенным на подложке 13 из AlN на периферии слоя 20 стекла. Соединительные контакты 19а соединены с токопроводящими дорожками 19, образованными путем металлизации поверхности подложки 13 из AlN, при этом токопроводящие дорожки 19 размещены таким образом, что они соединяют входной соединитель 1 с одним из контактов 15 каждого из трех алмазных ключей 16, расположенных в одном и том же ряду матрицы, а другие три контакта 15 алмазных ключей 16 соединены с соответствующими тремя выходными соединителями 2.
Источники 7 ультрафиолетового света (показанные только на фигуре 3) расположены обращенными в сторону соответствующей одной из алмазных подложек 14, при этом каждый источник света 7 может срабатывать по команде, облучая промежуток между двумя контактами 15 соответствующего алмазного ключа 16 для того, чтобы вызвать прохождение электричества (электрический ток) между указанными двумя контактами 15. Источники 7 света преимущественно закреплены на пластине 22, показанной на фигуре 3 штрихпунктирными линиями и установленной на ножках 8, расположенных на верхней стороне керамической подложки 13, при этом источники 7 света управляются индивидуально посредством схемы управления.
Преимущественно нижняя поверхность керамической подложки 13 охвачена или контактирует с охлаждающей текучей средой, передаваемой посредством трубопровода (не показанного на фигурах), что делает возможным отведение теплоты, выделяющейся на алмазных ключах 16 во время работы матричного преобразователя. В каждом случае толщина алмазных подложек приспосабливается к рабочему напряжению преобразователя и может изменяться, например, от толщины 50 мкм для выдерживания разности потенциалов между выводами алмазного ключа с охлаждающей текучей средой приблизительно 5 кВ до 200 мкм для выдерживания разности потенциалов приблизительно 20 кВ.
Этот второй вариант осуществления обеспечивает преимущество, заключающееся в том, что требуется алмазная подложка меньшей площади, чем в варианте осуществления из фигуры 1, в результате чего можно снизить стоимость изготовления такого преобразователя.
Преимущественно преобразователь согласно изобретению можно применять для управления тяговыми электродвигателями на железнодорожных транспортных средствах при использовании напряжения контактной сети, а его модульная конфигурация обеспечивает возможность согласования с напряжениями контактной сети различного вида только путем изменения управления алмазными ключами.
Конечно, изобретение никоим образом не ограничено описанными и показанными вариантами осуществления, которые даны только для примера. Остаются возможными модификации, особенно касающиеся изготовления различных элементов или использования эквивалентных заменяющих методов, без выхода за рамки объема защиты изобретения.
Claims (10)
1. Матричный преобразователь для преобразования электрической энергии между, по меньшей мере, одним источником (1) напряжения, в частности питающей электрической сетью, и, по меньшей мере, одним источником (2) тока, в частности нагрузкой, при этом указанный преобразователь включает в себя матрицу ключей (6; 16), подключающих указанные источники (1) напряжения к указанным источникам (2) тока, отличающийся тем, что каждый из указанных ключей (6; 16) имеет два контакта (5; 15), которые взаимно соединены через фотопроводящий слой (4; 14) алмаза, при этом каждый ключ (6; 16) управляется посредством источника (7) света, облучающего слой (4; 14) алмаза, размещенный между двумя контактами (5; 15) ключа (6; 16).
2. Преобразователь по п.1, отличающийся тем, что указанные контакты (5; 15) матрицы ключей (6; 16) расположены в одной и той же плоскости.
3. Преобразователь по п.1 или 2, отличающийся тем, что указанный слой алмаза ключа (6; 16) образован алмазной подложкой (4; 14), полученной методом химического осаждения из паровой фазы (CVD).
4. Преобразователь по п.3, отличающийся тем, что контакты (5; 15) образованы металлизацией алмазной подложки (4; 14) путем последовательного осаждения из паровой фазы титана, платины и золота.
5. Преобразователь по п.3 или 4, отличающийся тем, что указанный источник (7) света представляет собой источник ультрафиолетового излучения.
6. Преобразователь по любому из пп.3-5, отличающийся тем, что единственная алмазная подложка поддерживает все контакты (5; 15) матрицы ключей (6).
7. Преобразователь по любому из пп.1-5, отличающийся тем, что каждый ключ (16) преобразователя образован индивидуальной алмазной подложкой (14), которая поддерживается керамической подложкой (13), при этом указанная индивидуальная алмазная подложка (14) соединена с поддерживающей керамической подложкой через слой (20) стекла.
8. Преобразователь по п.7, отличающийся тем, что каждый ключ (16) имеет два контакта (15), подключенных соответственно к источнику (1) напряжения и к источнику (2) тока посредством проводящих дорожек (19), находящихся на указанной поддерживающей керамической подложке (13).
9. Преобразователь по п.6 или 7, отличающийся тем, что указанная керамическая подложка (13) выполнена из нитрида алюминия (AlN).
10. Преобразователь по любому из пп.7-9, отличающийся тем, что указанная керамическая подложка (13) имеет сторону, которая противоположна стороне, поддерживающей токопроводящие дорожки (19), и которая охлаждается принудительно охлаждающей текучей средой.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0200551A FR2834828B1 (fr) | 2002-01-17 | 2002-01-17 | Convertisseur matriciel pour la transformation d'energie electrique |
FR0200551 | 2002-01-17 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2003101249A RU2003101249A (ru) | 2004-07-10 |
RU2291547C2 true RU2291547C2 (ru) | 2007-01-10 |
Family
ID=8871330
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2003101249/09A RU2291547C2 (ru) | 2002-01-17 | 2003-01-16 | Матричный преобразователь для преобразования электрической энергии |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7170199B2 (ru) |
EP (1) | EP1331724A3 (ru) |
JP (1) | JP4087717B2 (ru) |
KR (1) | KR100695379B1 (ru) |
CN (1) | CN1323484C (ru) |
CA (1) | CA2416190A1 (ru) |
FR (1) | FR2834828B1 (ru) |
HK (1) | HK1057424A1 (ru) |
RU (1) | RU2291547C2 (ru) |
TW (1) | TWI276293B (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2531358C2 (ru) * | 2009-09-29 | 2014-10-20 | Абб Швайц Аг | Прямой преобразователь и система с таким прямым преобразователем |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5197321B2 (ja) * | 2008-11-20 | 2013-05-15 | 株式会社マキタ | バンドソー |
CN105986818A (zh) * | 2015-02-28 | 2016-10-05 | 中国石油集团长城钻探工程有限公司 | 双侧向测井仪 |
CN107240846A (zh) * | 2017-08-04 | 2017-10-10 | 浙江聚弘凯电气有限公司 | 用于高压开关设备的连接头结构 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3587052A (en) * | 1968-10-28 | 1971-06-22 | Tektronix Inc | Transistor matrix |
JP2934493B2 (ja) * | 1990-10-24 | 1999-08-16 | 株式会社日立製作所 | 電子機器の冷却装置 |
USH1717H (en) * | 1995-11-16 | 1998-04-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Bistable photoconductive switches particularly suited for frequency-agile, radio-frequency sources |
FR2767605B1 (fr) * | 1997-08-25 | 2001-05-11 | Gec Alsthom Transport Sa | Circuit integre de puissance, procede de fabrication d'un tel circuit et convertisseur incluant un tel circuit |
US6181231B1 (en) * | 1998-04-06 | 2001-01-30 | Silicon Graphics, Inc. | Diamond-based transformers and power convertors |
WO1999067798A2 (en) * | 1998-06-05 | 1999-12-29 | Alameda Applied Sciences Corporation | Method and apparatus for switching electrical power at high voltages, high currents and high temperatures with rapid turn-on and turn-off at high repetition rates |
US6453083B1 (en) * | 1999-05-28 | 2002-09-17 | Anis Husain | Micromachined optomechanical switching cell with parallel plate actuator and on-chip power monitoring |
JP2001006978A (ja) * | 1999-06-18 | 2001-01-12 | Matsuo Electric Co Ltd | チップコンデンサ |
SE9904710L (sv) * | 1999-12-22 | 2001-06-23 | Abb Ab | Halvledaranordning |
DE10005449B4 (de) * | 2000-02-08 | 2008-06-12 | Siemens Ag | Überspannungsschutzvorrichtung für einen Matrixumrichter |
FR2834829B1 (fr) * | 2002-01-17 | 2005-04-29 | Alstom | Convertisseur matriciel pour la transformation d'energie electrique |
-
2002
- 2002-01-17 FR FR0200551A patent/FR2834828B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-01-08 US US10/337,868 patent/US7170199B2/en active Active
- 2003-01-10 EP EP03290055A patent/EP1331724A3/fr not_active Withdrawn
- 2003-01-13 TW TW092100615A patent/TWI276293B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-01-14 CN CNB031005306A patent/CN1323484C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-01-14 JP JP2003005351A patent/JP4087717B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-01-14 CA CA002416190A patent/CA2416190A1/fr not_active Abandoned
- 2003-01-16 KR KR1020030002850A patent/KR100695379B1/ko active IP Right Grant
- 2003-01-16 RU RU2003101249/09A patent/RU2291547C2/ru not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-01-10 HK HK04100186A patent/HK1057424A1/xx not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2531358C2 (ru) * | 2009-09-29 | 2014-10-20 | Абб Швайц Аг | Прямой преобразователь и система с таким прямым преобразователем |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200302621A (en) | 2003-08-01 |
CN1433130A (zh) | 2003-07-30 |
EP1331724A3 (fr) | 2004-12-08 |
JP4087717B2 (ja) | 2008-05-21 |
US7170199B2 (en) | 2007-01-30 |
US20030160516A1 (en) | 2003-08-28 |
EP1331724A2 (fr) | 2003-07-30 |
KR20030063151A (ko) | 2003-07-28 |
CN1323484C (zh) | 2007-06-27 |
JP2003289676A (ja) | 2003-10-10 |
HK1057424A1 (en) | 2004-04-02 |
FR2834828A1 (fr) | 2003-07-18 |
CA2416190A1 (fr) | 2003-07-17 |
KR100695379B1 (ko) | 2007-03-15 |
TWI276293B (en) | 2007-03-11 |
FR2834828B1 (fr) | 2005-04-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2021097589A (ja) | 電気自動車またはハイブリッド自動車の、パワーエレクトロニクスのトラクションインバータのハーフブリッジモジュール | |
JPH088397A (ja) | 低インダクタンスパワー半導体モジュール | |
JP3677519B2 (ja) | 電力用半導体モジュール | |
KR20130006368A (ko) | 냉각장치를 포함하는 전력 전자 시스템 | |
US5811878A (en) | High-power semiconductor module | |
RU2291547C2 (ru) | Матричный преобразователь для преобразования электрической энергии | |
JP2007116172A (ja) | パワー半導体モジュール | |
RU2298858C2 (ru) | Матричный преобразователь для преобразования электрической энергии | |
JPH11340246A (ja) | パワ―半導体デバイスの製造方法 | |
JPH1189247A (ja) | 電力変換器 | |
US6584001B2 (en) | Power converter module | |
US20230110879A1 (en) | Inverter structure of an electronic module for an electric drive of a vehicle | |
US9681568B1 (en) | Compact stacked power modules for minimizing commutating inductance and methods for making the same | |
ITMI950829U3 (it) | Apparecchio elettrico | |
WO2018177732A1 (en) | 3-level power module | |
JP2003174782A (ja) | 電力変換装置 | |
RU2003101249A (ru) | Матричный преобразователь для преобразования электрической энергии | |
JP4004796B2 (ja) | 出力半導体モジュール | |
RU2003101200A (ru) | Матричный преобразователь для преобразования электрической энергии | |
CN111509996A (zh) | 半导体装置 | |
CN112054012A (zh) | 包括直流和交流电势端子的子模块和包括该子模块的布置 | |
JPS638076Y2 (ru) | ||
JP2003204037A (ja) | モジュールハウジング及び電力半導体モジュール | |
CN116915019A (zh) | 功率模块、模块化多电平变流器和柔性直流换流阀 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PC41 | Official registration of the transfer of exclusive right |
Effective date: 20151007 |
|
PC41 | Official registration of the transfer of exclusive right |
Effective date: 20160114 |
|
PD4A | Correction of name of patent owner | ||
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20210117 |