RU2067572C1 - Многоядерные бисазиды - Google Patents

Многоядерные бисазиды Download PDF

Info

Publication number
RU2067572C1
RU2067572C1 RU94004069A RU94004069A RU2067572C1 RU 2067572 C1 RU2067572 C1 RU 2067572C1 RU 94004069 A RU94004069 A RU 94004069A RU 94004069 A RU94004069 A RU 94004069A RU 2067572 C1 RU2067572 C1 RU 2067572C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
solution
mol
water
bis
bisazides
Prior art date
Application number
RU94004069A
Other languages
English (en)
Other versions
RU94004069A (ru
Inventor
С.Б. Юхтин
Е.М. Алов
Ю.А. Москвичев
Н.Г. Савинский
Original Assignee
Ярославский государственный технический университет
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ярославский государственный технический университет filed Critical Ярославский государственный технический университет
Priority to RU94004069A priority Critical patent/RU2067572C1/ru
Publication of RU94004069A publication Critical patent/RU94004069A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2067572C1 publication Critical patent/RU2067572C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)

Abstract

Использование: в качестве компонента фоторезистов. Сущность изобретения: продукт-многоядерные бисазиды ф-лы 1: N3-C6H4-Z-C6H4-N3, где Z-SO2 или X-C6H4-Y-C6H4-X, X O, S, Y-O, S, SO2, CO. Реагент 1: соответствующий диамин. Реагент 2: раствор нитрита натрия. Реагент 3: раствор азида натрия. Условия реакции: соляно-кислая среда. 2 табл.

Description

Изобретение относится к новым соединениям общей формулы I
Figure 00000001

Z=-SO2-, -X-
Figure 00000002
-Y-
Figure 00000003
-X-
Х=O,S
Y=0, S, SO2; CO,
которые могут использоваться в качестве светочувствительной компоненты фоторезистов.
В литературе известны биоазиды формулы II
N3ZXCmH2mYCnH2n X'ZN3
где Z=C6H4, галоген или С1-C6-алкилфенилен,
Х и X' простая связь, O, S, SO2 или NR, m и n=1 8,
m+n≅12, Y=O, S, SO2 или NR при m и n≠1,
которые пригодны для получения негативных изображений в фотолитографии с повышенными механическими свойствами и высокой разрежающей способностью /1/.
Известно также применение в качестве сверхчувствительного смывающего вещества бисазидов формулы III /2/
Figure 00000004

где R=H, -N3 X=O, S, CH2; SO2; SO, CO, C(Me)2
Все бисазиды получают из соответствующих диаминов. Суспензию диамина в разбавленной (1: 1)HC при 0 5o C обрабатывают раствором NaNO2. К образовавшемуся диазораствору прибавляют раствор азида натрия. Полученный бисазид выпадает из реакционной массы в виде твердого осадка.
Целью изобретения является получение новых химических соединений общей формулы (I), которые позволяют расширить базу светочувствительных компонентов фоторезистов.
Многоядерные биоазиды общей формулы I получают из соответствующих диаминов последовательной обработкой последних растворами нитрита натрия и азида натрия в соляно-кислой среде.
Пример 1. В четырехгорлую колбу, снабженную механической мешалкой, обратным холодильником, капельной воронкой и термометром, загружают 5 г (0,012 моль) 4,4'-бис(4-аминофенилентио)дифенилового эфира и 100 мл разбавленной (1: 1) HCl. К образовавшейся суспензии при температуре 0 5o C и интенсивном перемешивании прибавляют раствор 1,66 г (0,024 моль) NaNO2 в 5 мл воды. Реакционную массу выдерживают 0,5 ч. К образовавшемуся диазораствору по каплям при интенсивном перемешивании прибавляют раствор 3,12 г (0,048 моль) NaN3 в 10 мл воды. Реакционную массу выдерживают при комнатной температуре в течение 1- 2 ч. По окончании реакции выпавший 4,4'-бис(4-азидофенилентио)дифениловый эфир отфильтровывают, промывают двумя порциями воды (по 20 мл) и сушат над щелочью под вакуумом в затемненном эксикаторе. Получат 4,72 г 4,4'-бис(4-азидофенилентио)дифенилового эфира (выход 84%). Тпл 127 129oC.
Пример 2. В четырехгорлую колбу загружают 5 г (0,01156 моль) 4,4'-бис(4"-аминофенилтио)дифенилсульфона и 100 мл разбавленной (1:1) HCl. К образовавшейся суспензии при 0 5o C и интенсивном перемешивании прибавляют раствор 1,59 г (0,023 моль NaNO2 в 5 мл воды. Реакционную массу выдерживают в течение 0,5 ч. К образовавшемуся диазораствору по каплям при интенсивном перемешивании прибавляют раствор 3,01 г (0,0462 моль) NaN3 в 10 мл воды. Реакционную массу выдерживают при комнатной температуре в течение 1 2 ч. По окончании реакции выпавший осадок отфильтровывают, промывают двумя порциями (по 20 мл) воды и сушат под вакуумом над щелочью. Получают 4,76 г 4,4'-бис(4-азидофенилентио)дифенилсульфида (выход 85%) Тпл 146 148o C.
Пример 3. В четырехгорлую колбу загружают 5 г (0,0108 моль) 4,4'-бис(4'-аминофенилентио)дифенилсульфона и 100 мл разбавленной (1:1) соляной кислоты. К образовавшейся суспензии при 0 5o C и интенсивном перемешивании прибавляют раствор 1,49 г (0,02166 моль) NaNO2 в 5 мл воды. Реакционную массу выдерживают в течение 0,5 ч.
К образовавшемуся диазораствору прикапывают раствор 2,82 г (0,0433 моль) NaN3 в 10 мл воды. Реакционную массу перемешивают при комнатной температуре в течение 1 2 ч. По окончании реакции выпавший осадок отфильтровывают, промывают двумя порциями (по 20 мл) воды и сушат над щелочью под вакуумом. Получают 4,67 г 4,4'-бис(4-азидофенилентио) дифенилсульфона (выход 84%) Тпл 120 122o C.
Пример 4. В четырехгорлую колбу загружают 5 г (0,0126 моль) 4,4'-бис(4-аминофенокси)бензофенона и 100 мл разбавленной (1:1) HCl. К образовавшейся суспензии при 0 5oС и интенсивном перемешивании прибавляют раствор 1,74 г (0,0253 моль) NaNO2 в 5 мл воды. Реакционную массу выдерживают в течение 0,5 ч.
К образовавшемуся диазораствору прикапывают раствор 3,28 г (0,0505 моль) NaN3 в 10 мл воды. Реакционную массу перемешивают при комнатной температуре в течение 1 2 ч. По окончании реакции выпавший осадок отфильтровывают, промывают двумя порциями (по 20 мл) воды и сушат над щелочью под вакуумом. Получают 5,37 г 4,4'-бис(4'-азидофенокси)бензофенона (выход 95%) Тпл 220 222oC.
Пример 5. В четырехгорлую колбу загружают 5 г (0,0116 моль) 4,4'-бис(3-аминофенокси)дифенилсульфона и 100 мл разбавленной (1:1) HCl. К образовавшейся суспензии при 0 5o C и интенсивном перемешивании прибавляют раствор 1,60 г (0,0231 моль) NaNO2 в 5 мл воды. Реакционную массу выдерживают в течение 0,5 ч.
К образовавшемуся диазораствору прикапывают раствор 3,01 г (0,0462 моль) NaN3 в 10 мл воды. Реакционную массу перемешивают при комнатной температуре в течение 1 2 ч. По окончании реакции выпавший осадок отфильтровывают и промывают двумя порциями (по 20 мл) воды и сушат над щелочью под вакуумом. Получают 4,83 г 4,4'-бис(3-азидофенокси)дифенилсульфона (выход 87%).
Пример 6. В четырехгорлую колбу загружают 5 г (0,0202 моль) 3,4'-диаминодифенилсульфона и 100 мл разбавленной (1:1) HCl. К образовавшейся суспензии при 0 5o C и интенсивном перемешивании прибавляют раствор 2,78 г (0,0403 моль) NaNO2 в 5 мл воды. Реакционную смесь выдерживают в течение 0,5 ч.
К образовавшемуся диазораствору прикапывают раствор 5,24 г (0,0806 моль) NaN3 в 10 мл воды. Реакционную массу перемешивают при комнатной температуре в течение 1 2 ч. По окончании синтеза выпавший осадок отфильтровывают и промывают двумя порциями (по 20 мл) воды и сушат над щелочью под вакуумом. Получают 4,72 г 3,4'-диазидодифенилсульфона (выход 78%) Тпл 109 111o C. Результаты идентификации синтезированных соединений приведены в табл.1
Пример 7. В композицию, состоящую из полиамидокислоты на основе диаминодифенилового эфира и пиромилитового диангидрида (Mn=50000) в N-метилпирронидона и диэтиламиноэтилметакриалат, взятых в эквимолекулярных количествах, вводят многоядерный бисазид (например, 4,4'-бис(4"-азидорфенилентио)дифениловый эфир) в количестве от 0,5 до 15% от сухого остатка полиамидокислота (ПАК). Композицию наносят центрифугированием на кремниевую подложку диаметром 100 мм при скорости вращения 5,5 тыс об/мин. Образовавшийся слой сушат на контактной вакуумной плите при 64o C в течение 15 мин.
Экспонирование проводят через контактный кварцевый шаблон излучением эксимерного лазера KrF (248 мм). Экспонируют от 0,1 до 100 мДж/см2. Проявление ведут в растворе N-метилпирролидон:метилкарбинол:метанол (1:0,3:0,1) до полного проявления. Получают рисунок субмикронного разрешения с четким краем. После проявления проводят термическую имидизацию в интервале температур 150 350o C в течение 2,5 ч. Получают маску диэлектрика с субмикронным разрешением для технологии межслойной коммутации интегральной схеме.
Данные, иллюстрирующие использование новых соединений в качестве компонентов фоторезистов, представлены в табл. 2.0

Claims (1)

  1. Многоядерные бисазиды общей формулы I
    Figure 00000005

    где
    Figure 00000006

    X O или S;
    Y O, S, SO2 или СО.
RU94004069A 1994-02-04 1994-02-04 Многоядерные бисазиды RU2067572C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU94004069A RU2067572C1 (ru) 1994-02-04 1994-02-04 Многоядерные бисазиды

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU94004069A RU2067572C1 (ru) 1994-02-04 1994-02-04 Многоядерные бисазиды

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU94004069A RU94004069A (ru) 1995-09-27
RU2067572C1 true RU2067572C1 (ru) 1996-10-10

Family

ID=20152181

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU94004069A RU2067572C1 (ru) 1994-02-04 1994-02-04 Многоядерные бисазиды

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2067572C1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2530899C2 (ru) * 2008-07-28 2014-10-20 Селлсьютикс Корпорейшн Противомалярийные соединения

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Выложенная заявка ФРГ N 3234301, кл. C 07 C 117/00, опубл. 1984. Патент ГДР N 241144, кл. C 03 C, 1986. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2530899C2 (ru) * 2008-07-28 2014-10-20 Селлсьютикс Корпорейшн Противомалярийные соединения

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4595745A (en) Organic solvent-soluble photosensitive polyamide resin
KR101398293B1 (ko) 비스(아미노페놀) 유도체 및 그 제조 방법, 및 폴리아미드 수지류, 포지티브형 감광성 수지 조성물, 보호막, 층간 절연막, 반도체 장치 및 표시 소자
CN101213491A (zh) 感光性树脂组合物及粘合改良剂
CN102292675A (zh) 正型感光性树脂组合物
KR100737206B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 패턴의 제조 방법 및 전자 부품
EP1012672B1 (en) A negatively acting photoresist composition based on polyimide precursors
US6197475B1 (en) Positive type photosensitive resin composition containing an alkali-soluble polymer and a compound which forms an amine compound with irradiation of light
JP3311600B2 (ja) ポリ−o−ヒドロキシアミド及びポリ−o−メルカプトアミドの製造方法
WO2020196139A1 (ja) 感光性樹脂組成物、感光性樹脂シート、中空構造の製造方法および電子部品
JPS61240237A (ja) 遠紫外リソグラフィー用レジスト組成物
RU2067572C1 (ru) Многоядерные бисазиды
KR20030043702A (ko) 폴리벤족사졸 전구체 및 그것을 이용하는 피복용 조성물
JP3047647B2 (ja) 新規ジアミノ化合物、ポリアミド酸樹脂、ポリアミド酸エステル樹脂、ポリイミド樹脂、それらの製造方法及び該樹脂を含有する感光性樹脂組成物並びにポリイミダゾピロロン樹脂及びポリイミダゾピロロンイミド樹脂
JP4560859B2 (ja) テトラカルボン酸二無水物、その誘導体及び製造法、ポリイミド前駆体、ポリイミド、樹脂組成物、感光性樹脂組成物、レリーフパターンの製造法、並びに電子部品
JP3916396B2 (ja) ポリイミド前駆体を主成分とするネガティブ動作型フォトレジスト組成物
JP3346995B2 (ja) ジカルボン酸誘導体及びその製造方法
US6528231B1 (en) Photosensitive resin composition, printed wiring board, substrate for disposing semiconductor chips, semiconductor device and processes for producing a printed wiring board, a substrate for disposing semiconductor chips and a semiconductor device
JP2000112126A (ja) ネガ型フォトレジスト組成物
JPH0895246A (ja) 耐熱性フォトレジスト組成物および感光性基材、ならびにネガパターン形成方法
JPH05100424A (ja) 感光性樹脂組成物及び現像方法
KR101749874B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 그의 릴리프 패턴막, 릴리프 패턴막의 제조 방법, 릴리프 패턴막을 포함하는 전자 부품 또는 광학 제품, 및 감광성 수지 조성물을 포함하는 접착제
JP2021128183A (ja) パターン形成方法、感光性樹脂組成物、積層体の製造方法、及び、電子デバイスの製造方法
JP2877895B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物
JP2971188B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物
RU2067574C1 (ru) Ароматические моно- или дисульфонилазиды