RU2067572C1 - Многоядерные бисазиды - Google Patents
Многоядерные бисазиды Download PDFInfo
- Publication number
- RU2067572C1 RU2067572C1 RU94004069A RU94004069A RU2067572C1 RU 2067572 C1 RU2067572 C1 RU 2067572C1 RU 94004069 A RU94004069 A RU 94004069A RU 94004069 A RU94004069 A RU 94004069A RU 2067572 C1 RU2067572 C1 RU 2067572C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- solution
- mol
- water
- bis
- bisazides
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
Использование: в качестве компонента фоторезистов. Сущность изобретения: продукт-многоядерные бисазиды ф-лы 1: N3-C6H4-Z-C6H4-N3, где Z-SO2 или X-C6H4-Y-C6H4-X, X O, S, Y-O, S, SO2, CO. Реагент 1: соответствующий диамин. Реагент 2: раствор нитрита натрия. Реагент 3: раствор азида натрия. Условия реакции: соляно-кислая среда. 2 табл.
Description
Изобретение относится к новым соединениям общей формулы I
Z=-SO2-, -X--Y--X-
Х=O,S
Y=0, S, SO2; CO,
которые могут использоваться в качестве светочувствительной компоненты фоторезистов.
Z=-SO2-, -X--Y--X-
Х=O,S
Y=0, S, SO2; CO,
которые могут использоваться в качестве светочувствительной компоненты фоторезистов.
В литературе известны биоазиды формулы II
N3ZXCmH2mYCnH2n X'ZN3
где Z=C6H4, галоген или С1-C6-алкилфенилен,
Х и X' простая связь, O, S, SO2 или NR, m и n=1 8,
m+n≅12, Y=O, S, SO2 или NR при m и n≠1,
которые пригодны для получения негативных изображений в фотолитографии с повышенными механическими свойствами и высокой разрежающей способностью /1/.
N3ZXCmH2mYCnH2n X'ZN3
где Z=C6H4, галоген или С1-C6-алкилфенилен,
Х и X' простая связь, O, S, SO2 или NR, m и n=1 8,
m+n≅12, Y=O, S, SO2 или NR при m и n≠1,
которые пригодны для получения негативных изображений в фотолитографии с повышенными механическими свойствами и высокой разрежающей способностью /1/.
Известно также применение в качестве сверхчувствительного смывающего вещества бисазидов формулы III /2/
где R=H, -N3 X=O, S, CH2; SO2; SO, CO, C(Me)2
Все бисазиды получают из соответствующих диаминов. Суспензию диамина в разбавленной (1: 1)HC при 0 5o C обрабатывают раствором NaNO2. К образовавшемуся диазораствору прибавляют раствор азида натрия. Полученный бисазид выпадает из реакционной массы в виде твердого осадка.
где R=H, -N3 X=O, S, CH2; SO2; SO, CO, C(Me)2
Все бисазиды получают из соответствующих диаминов. Суспензию диамина в разбавленной (1: 1)HC при 0 5o C обрабатывают раствором NaNO2. К образовавшемуся диазораствору прибавляют раствор азида натрия. Полученный бисазид выпадает из реакционной массы в виде твердого осадка.
Целью изобретения является получение новых химических соединений общей формулы (I), которые позволяют расширить базу светочувствительных компонентов фоторезистов.
Многоядерные биоазиды общей формулы I получают из соответствующих диаминов последовательной обработкой последних растворами нитрита натрия и азида натрия в соляно-кислой среде.
Пример 1. В четырехгорлую колбу, снабженную механической мешалкой, обратным холодильником, капельной воронкой и термометром, загружают 5 г (0,012 моль) 4,4'-бис(4-аминофенилентио)дифенилового эфира и 100 мл разбавленной (1: 1) HCl. К образовавшейся суспензии при температуре 0 5o C и интенсивном перемешивании прибавляют раствор 1,66 г (0,024 моль) NaNO2 в 5 мл воды. Реакционную массу выдерживают 0,5 ч. К образовавшемуся диазораствору по каплям при интенсивном перемешивании прибавляют раствор 3,12 г (0,048 моль) NaN3 в 10 мл воды. Реакционную массу выдерживают при комнатной температуре в течение 1- 2 ч. По окончании реакции выпавший 4,4'-бис(4-азидофенилентио)дифениловый эфир отфильтровывают, промывают двумя порциями воды (по 20 мл) и сушат над щелочью под вакуумом в затемненном эксикаторе. Получат 4,72 г 4,4'-бис(4-азидофенилентио)дифенилового эфира (выход 84%). Тпл 127 129oC.
Пример 2. В четырехгорлую колбу загружают 5 г (0,01156 моль) 4,4'-бис(4"-аминофенилтио)дифенилсульфона и 100 мл разбавленной (1:1) HCl. К образовавшейся суспензии при 0 5o C и интенсивном перемешивании прибавляют раствор 1,59 г (0,023 моль NaNO2 в 5 мл воды. Реакционную массу выдерживают в течение 0,5 ч. К образовавшемуся диазораствору по каплям при интенсивном перемешивании прибавляют раствор 3,01 г (0,0462 моль) NaN3 в 10 мл воды. Реакционную массу выдерживают при комнатной температуре в течение 1 2 ч. По окончании реакции выпавший осадок отфильтровывают, промывают двумя порциями (по 20 мл) воды и сушат под вакуумом над щелочью. Получают 4,76 г 4,4'-бис(4-азидофенилентио)дифенилсульфида (выход 85%) Тпл 146 148o C.
Пример 3. В четырехгорлую колбу загружают 5 г (0,0108 моль) 4,4'-бис(4'-аминофенилентио)дифенилсульфона и 100 мл разбавленной (1:1) соляной кислоты. К образовавшейся суспензии при 0 5o C и интенсивном перемешивании прибавляют раствор 1,49 г (0,02166 моль) NaNO2 в 5 мл воды. Реакционную массу выдерживают в течение 0,5 ч.
К образовавшемуся диазораствору прикапывают раствор 2,82 г (0,0433 моль) NaN3 в 10 мл воды. Реакционную массу перемешивают при комнатной температуре в течение 1 2 ч. По окончании реакции выпавший осадок отфильтровывают, промывают двумя порциями (по 20 мл) воды и сушат над щелочью под вакуумом. Получают 4,67 г 4,4'-бис(4-азидофенилентио) дифенилсульфона (выход 84%) Тпл 120 122o C.
Пример 4. В четырехгорлую колбу загружают 5 г (0,0126 моль) 4,4'-бис(4-аминофенокси)бензофенона и 100 мл разбавленной (1:1) HCl. К образовавшейся суспензии при 0 5oС и интенсивном перемешивании прибавляют раствор 1,74 г (0,0253 моль) NaNO2 в 5 мл воды. Реакционную массу выдерживают в течение 0,5 ч.
К образовавшемуся диазораствору прикапывают раствор 3,28 г (0,0505 моль) NaN3 в 10 мл воды. Реакционную массу перемешивают при комнатной температуре в течение 1 2 ч. По окончании реакции выпавший осадок отфильтровывают, промывают двумя порциями (по 20 мл) воды и сушат над щелочью под вакуумом. Получают 5,37 г 4,4'-бис(4'-азидофенокси)бензофенона (выход 95%) Тпл 220 222oC.
Пример 5. В четырехгорлую колбу загружают 5 г (0,0116 моль) 4,4'-бис(3-аминофенокси)дифенилсульфона и 100 мл разбавленной (1:1) HCl. К образовавшейся суспензии при 0 5o C и интенсивном перемешивании прибавляют раствор 1,60 г (0,0231 моль) NaNO2 в 5 мл воды. Реакционную массу выдерживают в течение 0,5 ч.
К образовавшемуся диазораствору прикапывают раствор 3,01 г (0,0462 моль) NaN3 в 10 мл воды. Реакционную массу перемешивают при комнатной температуре в течение 1 2 ч. По окончании реакции выпавший осадок отфильтровывают и промывают двумя порциями (по 20 мл) воды и сушат над щелочью под вакуумом. Получают 4,83 г 4,4'-бис(3-азидофенокси)дифенилсульфона (выход 87%).
Пример 6. В четырехгорлую колбу загружают 5 г (0,0202 моль) 3,4'-диаминодифенилсульфона и 100 мл разбавленной (1:1) HCl. К образовавшейся суспензии при 0 5o C и интенсивном перемешивании прибавляют раствор 2,78 г (0,0403 моль) NaNO2 в 5 мл воды. Реакционную смесь выдерживают в течение 0,5 ч.
К образовавшемуся диазораствору прикапывают раствор 5,24 г (0,0806 моль) NaN3 в 10 мл воды. Реакционную массу перемешивают при комнатной температуре в течение 1 2 ч. По окончании синтеза выпавший осадок отфильтровывают и промывают двумя порциями (по 20 мл) воды и сушат над щелочью под вакуумом. Получают 4,72 г 3,4'-диазидодифенилсульфона (выход 78%) Тпл 109 111o C. Результаты идентификации синтезированных соединений приведены в табл.1
Пример 7. В композицию, состоящую из полиамидокислоты на основе диаминодифенилового эфира и пиромилитового диангидрида (Mn=50000) в N-метилпирронидона и диэтиламиноэтилметакриалат, взятых в эквимолекулярных количествах, вводят многоядерный бисазид (например, 4,4'-бис(4"-азидорфенилентио)дифениловый эфир) в количестве от 0,5 до 15% от сухого остатка полиамидокислота (ПАК). Композицию наносят центрифугированием на кремниевую подложку диаметром 100 мм при скорости вращения 5,5 тыс об/мин. Образовавшийся слой сушат на контактной вакуумной плите при 64o C в течение 15 мин.
Пример 7. В композицию, состоящую из полиамидокислоты на основе диаминодифенилового эфира и пиромилитового диангидрида (Mn=50000) в N-метилпирронидона и диэтиламиноэтилметакриалат, взятых в эквимолекулярных количествах, вводят многоядерный бисазид (например, 4,4'-бис(4"-азидорфенилентио)дифениловый эфир) в количестве от 0,5 до 15% от сухого остатка полиамидокислота (ПАК). Композицию наносят центрифугированием на кремниевую подложку диаметром 100 мм при скорости вращения 5,5 тыс об/мин. Образовавшийся слой сушат на контактной вакуумной плите при 64o C в течение 15 мин.
Экспонирование проводят через контактный кварцевый шаблон излучением эксимерного лазера KrF (248 мм). Экспонируют от 0,1 до 100 мДж/см2. Проявление ведут в растворе N-метилпирролидон:метилкарбинол:метанол (1:0,3:0,1) до полного проявления. Получают рисунок субмикронного разрешения с четким краем. После проявления проводят термическую имидизацию в интервале температур 150 350o C в течение 2,5 ч. Получают маску диэлектрика с субмикронным разрешением для технологии межслойной коммутации интегральной схеме.
Данные, иллюстрирующие использование новых соединений в качестве компонентов фоторезистов, представлены в табл. 2.0
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU94004069A RU2067572C1 (ru) | 1994-02-04 | 1994-02-04 | Многоядерные бисазиды |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU94004069A RU2067572C1 (ru) | 1994-02-04 | 1994-02-04 | Многоядерные бисазиды |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU94004069A RU94004069A (ru) | 1995-09-27 |
RU2067572C1 true RU2067572C1 (ru) | 1996-10-10 |
Family
ID=20152181
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU94004069A RU2067572C1 (ru) | 1994-02-04 | 1994-02-04 | Многоядерные бисазиды |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2067572C1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2530899C2 (ru) * | 2008-07-28 | 2014-10-20 | Селлсьютикс Корпорейшн | Противомалярийные соединения |
-
1994
- 1994-02-04 RU RU94004069A patent/RU2067572C1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Выложенная заявка ФРГ N 3234301, кл. C 07 C 117/00, опубл. 1984. Патент ГДР N 241144, кл. C 03 C, 1986. * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2530899C2 (ru) * | 2008-07-28 | 2014-10-20 | Селлсьютикс Корпорейшн | Противомалярийные соединения |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4595745A (en) | Organic solvent-soluble photosensitive polyamide resin | |
KR101398293B1 (ko) | 비스(아미노페놀) 유도체 및 그 제조 방법, 및 폴리아미드 수지류, 포지티브형 감광성 수지 조성물, 보호막, 층간 절연막, 반도체 장치 및 표시 소자 | |
CN101213491A (zh) | 感光性树脂组合物及粘合改良剂 | |
CN102292675A (zh) | 正型感光性树脂组合物 | |
KR100737206B1 (ko) | 감광성 수지 조성물, 패턴의 제조 방법 및 전자 부품 | |
EP1012672B1 (en) | A negatively acting photoresist composition based on polyimide precursors | |
US6197475B1 (en) | Positive type photosensitive resin composition containing an alkali-soluble polymer and a compound which forms an amine compound with irradiation of light | |
JP3311600B2 (ja) | ポリ−o−ヒドロキシアミド及びポリ−o−メルカプトアミドの製造方法 | |
WO2020196139A1 (ja) | 感光性樹脂組成物、感光性樹脂シート、中空構造の製造方法および電子部品 | |
JPS61240237A (ja) | 遠紫外リソグラフィー用レジスト組成物 | |
RU2067572C1 (ru) | Многоядерные бисазиды | |
KR20030043702A (ko) | 폴리벤족사졸 전구체 및 그것을 이용하는 피복용 조성물 | |
JP3047647B2 (ja) | 新規ジアミノ化合物、ポリアミド酸樹脂、ポリアミド酸エステル樹脂、ポリイミド樹脂、それらの製造方法及び該樹脂を含有する感光性樹脂組成物並びにポリイミダゾピロロン樹脂及びポリイミダゾピロロンイミド樹脂 | |
JP4560859B2 (ja) | テトラカルボン酸二無水物、その誘導体及び製造法、ポリイミド前駆体、ポリイミド、樹脂組成物、感光性樹脂組成物、レリーフパターンの製造法、並びに電子部品 | |
JP3916396B2 (ja) | ポリイミド前駆体を主成分とするネガティブ動作型フォトレジスト組成物 | |
JP3346995B2 (ja) | ジカルボン酸誘導体及びその製造方法 | |
US6528231B1 (en) | Photosensitive resin composition, printed wiring board, substrate for disposing semiconductor chips, semiconductor device and processes for producing a printed wiring board, a substrate for disposing semiconductor chips and a semiconductor device | |
JP2000112126A (ja) | ネガ型フォトレジスト組成物 | |
JPH0895246A (ja) | 耐熱性フォトレジスト組成物および感光性基材、ならびにネガパターン形成方法 | |
JPH05100424A (ja) | 感光性樹脂組成物及び現像方法 | |
KR101749874B1 (ko) | 감광성 수지 조성물, 그의 릴리프 패턴막, 릴리프 패턴막의 제조 방법, 릴리프 패턴막을 포함하는 전자 부품 또는 광학 제품, 및 감광성 수지 조성물을 포함하는 접착제 | |
JP2021128183A (ja) | パターン形成方法、感光性樹脂組成物、積層体の製造方法、及び、電子デバイスの製造方法 | |
JP2877895B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
JP2971188B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
RU2067574C1 (ru) | Ароматические моно- или дисульфонилазиды |