RU2017134125A - Безопасный лазерный прибор для применений оптического зондирования - Google Patents

Безопасный лазерный прибор для применений оптического зондирования Download PDF

Info

Publication number
RU2017134125A
RU2017134125A RU2017134125A RU2017134125A RU2017134125A RU 2017134125 A RU2017134125 A RU 2017134125A RU 2017134125 A RU2017134125 A RU 2017134125A RU 2017134125 A RU2017134125 A RU 2017134125A RU 2017134125 A RU2017134125 A RU 2017134125A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
laser
laser device
electric power
radiation
input electric
Prior art date
Application number
RU2017134125A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2712939C2 (ru
RU2017134125A3 (ru
Inventor
Хольгер МЕЕНХ
Александер ВЕЙГЛ
Филипп Хеннинг ГЕРЛАХ
Original Assignee
Конинклейке Филипс Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Конинклейке Филипс Н.В. filed Critical Конинклейке Филипс Н.В.
Publication of RU2017134125A publication Critical patent/RU2017134125A/ru
Publication of RU2017134125A3 publication Critical patent/RU2017134125A3/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2712939C2 publication Critical patent/RU2712939C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/06825—Protecting the laser, e.g. during switch-on/off, detection of malfunctioning or degradation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
    • H01S5/18322—Position of the structure
    • H01S5/18327—Structure being part of a DBR
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18358—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] containing spacer layers to adjust the phase of the light wave in the cavity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/42—Arrays of surface emitting lasers
    • H01S5/423—Arrays of surface emitting lasers having a vertical cavity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
    • H01S5/0282—Passivation layers or treatments
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
    • H01S5/18377—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors comprising layers of different kind of materials, e.g. combinations of semiconducting with dielectric or metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18386—Details of the emission surface for influencing the near- or far-field, e.g. a grating on the surface
    • H01S5/18391—Aperiodic structuring to influence the near- or far-field distribution

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Claims (23)

1. Лазерный прибор (100), содержащий от двух до шести меза-структур (120), обеспеченных на одном полупроводниковом чипе (110), причем в каждую из меза-структур (120) встроен оптический резонатор лазера поверхностного излучения с вертикальным резонатором, выполненный с возможностью испускания лазерного излучения на длине волны излучения при возбуждении заданной входной электрической мощностью, причем меза-структуры (120) электрически соединены параллельно, причем лазерный прибор (100) выполнен так, что ухудшение по меньшей мере одной меза-структуры (120) приводит к снижению мощности лазерного излучения, испускаемого лазерным прибором (100) в заданном телесном угле при возбуждении заданной входной электрической мощностью, так что сохраняется безопасность лазерного прибора (100) для зрения, причем заданный телесный угол является телесным углом, в котором испускается максимальная мощность лазерного излучения, причем каждая меза-структура (120) содержит поверхность (242) раздела полупроводник-воздух, отличающийся тем, что лазерный прибор выполнен так, что ухудшение по меньшей мере одной поверхности (242) раздела полупроводник-воздух приводит к уменьшению мощности лазерного излучения, испускаемого лазерным прибором при возбуждении заданной входной электрической мощностью, причем поверхность (242) раздела полупроводник-воздух расположена на расстоянии от пучности стоячей волны оптического поля в резонаторе лазера при возбуждении заданной входной электрической мощностью, так что ухудшение упомянутой по меньшей мере одной поверхности (242) раздела полупроводник-воздух снижает вывод лазерного излучения при возбуждении заданной входной электрической мощностью посредством увеличения коэффициента отражения лазерного прибора.
2. Лазерный прибор (100), содержащий от двух до шести меза-структур (120), обеспеченных на одном полупроводниковом чипе, причем в каждую из меза-структур (120) встроен оптический резонатор лазера поверхностного излучения с вертикальным резонатором, выполненный с возможностью испускания лазерного излучения на длине волны излучения при возбуждении заданной входной электрической мощностью, причем меза-структуры (120) соединены электрически параллельно, причем лазерный прибор (100) выполнен так, что ухудшение по меньшей мере одной меза-структуры приводит к уменьшению мощности лазерного излучения, испускаемого лазерным прибором (100) в заданном телесном угле при возбуждении заданной входной электрической мощностью, так что сохраняется безопасность лазерного прибора (100) для зрения, причем заданный телесный угол является телесным углом, в котором испускается максимальная мощность лазерного излучения, причем каждая меза-структура (120) содержит защитное покрытие (280), отличающийся тем, что защитное покрытие (280) выполнено так, что ухудшение по меньшей мере одного защитного покрытия (280) приводит к снижению мощности лазерного излучения, испускаемого лазерным прибором при возбуждении заданной входной электрической мощностью, причем поверхность раздела между верхним слоем выходного диэлектрического брэгговского отражателя лазера поверхностного излучения с вертикальным резонатором и защитным покрытием (280) расположена на расстоянии от пучности стоячей волны оптического поля в резонаторе лазера при возбуждении заданной входной электрической мощностью, так что ухудшение защитного покрытия (280) снижает вывод лазерного излучения при возбуждении заданной электрической мощностью посредством увеличения коэффициента отражения лазерного прибора.
3. Лазерный прибор (100) по п.1, причем поверхность (242) раздела полупроводник-воздух расположена в узле стоячей волны при возбуждении заданной входной электрической мощностью.
4. Лазерный прибор (100) по п.1, причем меза-структуры (120) расположены так, что поддерживаются кольцевые моды лазера при возбуждении заданной входной электрической мощностью.
5. Лазерный прибор (100) по п.4, причем полупроводниковая слоистая структура меза-структур (120) расположена так, что имеется кольцевая инжекция тока при возбуждении заданной входной электрической мощностью.
6. Лазерный прибор (100) по п.2, причем защитное покрытие (280) является пространственно структурированным защитным покрытием, причем это пространственно структурированное защитное покрытие поддерживает кольцевые моды лазера при возбуждении заданной входной электрической мощностью.
7. Лазерный прибор (100) по п.1, причем каждая меза-структура (120) окружена углублением (140) так, что высота полупроводникового чипа (110) за углублением (140) по меньшей мере так же велика, как и выходное окно меза-структур (120) лазера.
8. Лазерный модуль, содержащий лазерный прибор (100) по любому из пунктов 1-7, причем лазерный прибор дополнительно содержит схему (320) возбуждения для электрического возбуждения меза-структур, причем схема (320) возбуждения выполнена с возможностью подавать заданную входную электрическую мощность на меза-структуры (120).
9. Оптический датчик (300), содержащий лазерный модуль по п.8.
10. Оптический датчик (300) по п.9, содержащий по меньшей мере один фотодетектор (350), выполненный с возможностью приема отраженного лазерного излучения соответствующего лазерного импульса, испущенного лазерным прибором (100), причем оптический датчик дополнительно содержит анализатор (360), выполненный с возможностью идентифицировать отраженное лазерное излучение соответствующего лазерного импульса и дополнительно выполненный с возможностью определять время пролета между временем приема отраженного лазерного излучения и временем испускания соответствующего лазерного импульса.
11. Мобильное устройство (400) связи, содержащее по меньшей мере один оптический датчик (300) по пунктам 9 или 10.
12. Способ изготовления лазерного прибора (100), содержащий этапы:
обеспечения от двух до шести меза-структур (120) на одном полупроводниковом чипе (110);
электрического соединения меза-структур (120) параллельно, причем в каждую из меза-структур (120) встроен оптический резонатор лазера поверхностного излучения с вертикальным резонатором, выполненный с возможностью испускания лазерного излучения на длине волны излучения при возбуждении заданной входной электрической мощностью, причем каждая меза-структура (120) содержит поверхность (242) раздела полупроводник-воздух;
выполнения лазерного прибора (100) так, что ухудшение по меньшей мере одной меза-структуры (120) приводит к снижению мощности лазерного излучения, испускаемого лазерным прибором (100) в заданном телесном угле при возбуждении заданной входной электрической мощностью, так что сохраняется безопасность лазерного прибора (100) для зрения, причем заданный телесный угол является телесным углом, в котором испускается максимальная мощность лазерного излучения;
причем способ отличается этапом:
расположения поверхности (242) раздела полупроводник-воздух на расстоянии от пучности стоячей волны оптического поля в резонаторе лазера при возбуждении заданной входной электрической мощностью, так что ухудшение упомянутой по меньшей мере одной поверхности (242) раздела полупроводник-воздух снижает вывод лазерного излучения при возбуждении заданной входной электрической мощностью посредством увеличения коэффициента отражения лазерного прибора.
13. Способ изготовления лазерного прибора (100), содержащий этапы:
обеспечения от двух до шести меза-структур (120) на одном полупроводниковом чипе;
электрического соединения меза-структур (120) параллельно, причем в каждую из меза-структур (120) встроен оптический резонатор лазера поверхностного излучения с вертикальным резонатором, выполненный с возможностью испускания лазерного излучения на длине волны излучения при возбуждении заданной входной электрической мощностью, причем каждая из меза-структур (120) содержит защитное покрытие (280);
выполнение лазерного прибора (100) так, что ухудшение по меньшей мере одной меза-структуры (120) приводит к уменьшению мощности лазерного излучения, испускаемого лазерным прибором (100) в заданном телесном угле при возбуждении заданной входной электрической мощностью, так что сохраняется безопасность лазерного прибора (100) для зрения, причем заданный телесный угол является телесным углом, в котором излучается максимальная мощность лазерного излучения;
причем способ отличается этапом:
расположения поверхности раздела между верхним слоем выходного диэлектрического брэгговского отражателя лазера поверхностного излучения с вертикальным резонатором и защитным покрытием (280) на расстоянии от пучности стоячей волны оптического поля в резонаторе лазера при возбуждении заданной входной электрической мощностью, так что ухудшение защитного покрытия (280) снижает вывод лазерного излучения при возбуждении заданной входной электрической мощностью посредством увеличения коэффициента отражения лазерного прибора.
RU2017134125A 2015-04-10 2016-03-29 Безопасный лазерный прибор для применений оптического зондирования RU2712939C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP15163096.9 2015-04-10
EP15163096 2015-04-10
PCT/EP2016/056752 WO2016162236A1 (en) 2015-04-10 2016-03-29 Safe laser device for optical sensing applications

Publications (3)

Publication Number Publication Date
RU2017134125A true RU2017134125A (ru) 2019-04-03
RU2017134125A3 RU2017134125A3 (ru) 2019-08-01
RU2712939C2 RU2712939C2 (ru) 2020-02-03

Family

ID=52823531

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2017134125A RU2712939C2 (ru) 2015-04-10 2016-03-29 Безопасный лазерный прибор для применений оптического зондирования

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10181701B2 (ru)
EP (1) EP3281262B1 (ru)
JP (1) JP6461367B2 (ru)
CN (1) CN107466431B (ru)
BR (1) BR112017021395A2 (ru)
RU (1) RU2712939C2 (ru)
WO (1) WO2016162236A1 (ru)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018156412A1 (en) * 2017-02-24 2018-08-30 Princeton Optronics, Inc. Eye safe vcsel illuminator package
EP3382828A1 (en) * 2017-03-31 2018-10-03 Koninklijke Philips N.V. Inherently safe laser arrangement comprising a vertical cavity surface emitting laser
EP3447862A1 (en) * 2017-08-23 2019-02-27 Koninklijke Philips N.V. Vcsel array with common wafer level integrated optical device
EP3493337A1 (en) * 2017-11-30 2019-06-05 Koninklijke Philips N.V. Vertical cavity surface emitting laser (vcsel) device with improved reliability
EP3493339B1 (en) 2017-12-04 2022-11-09 ams AG Semiconductor device and method for time-of-flight and proximity measurements
EP3496216A1 (en) 2017-12-08 2019-06-12 Koninklijke Philips N.V. Segmented vertical cavity surface emitting laser
EP3540879A1 (en) * 2018-03-15 2019-09-18 Koninklijke Philips N.V. Vertical cavity surface emitting laser device with integrated tunnel junction
JP7021618B2 (ja) * 2018-08-10 2022-02-17 オムロン株式会社 レーザダイオードアレイデバイスの製造方法、レーザ発光回路及び測距装置
JP6724961B2 (ja) * 2018-09-25 2020-07-15 富士ゼロックス株式会社 発光素子アレイ
US10581225B1 (en) * 2018-09-27 2020-03-03 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Optical devices with bandwidth enhancing structures
CN111446345A (zh) 2019-01-16 2020-07-24 隆达电子股份有限公司 发光元件的封装结构
JP7293697B2 (ja) * 2019-02-06 2023-06-20 富士フイルムビジネスイノベーション株式会社 発光装置、光学装置および情報処理装置
JP2020145274A (ja) * 2019-03-05 2020-09-10 富士ゼロックス株式会社 発光装置、光学装置および情報処理装置
JP2020145275A (ja) * 2019-03-05 2020-09-10 富士ゼロックス株式会社 発光装置、光学装置および情報処理装置
JP6835152B2 (ja) * 2019-07-01 2021-02-24 富士ゼロックス株式会社 発光素子アレイ、および光伝送装置
US11088510B2 (en) * 2019-11-05 2021-08-10 Ii-Vi Delaware, Inc. Moisture control in oxide-confined vertical cavity surface-emitting lasers
CN115039228A (zh) * 2020-01-31 2022-09-09 佳能株式会社 光电转换装置、光电转换系统和可移动物体
US11699893B2 (en) 2020-11-24 2023-07-11 Vixar, Inc. VCSELs for high current low pulse width applications

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5685636A (en) * 1995-08-23 1997-11-11 Science And Engineering Associates, Inc. Eye safe laser security device
US5745515A (en) * 1996-07-18 1998-04-28 Honeywell Inc. Self-limiting intrinsically eye-safe laser utilizing an increasing absorption layer
US6658034B2 (en) * 2000-12-13 2003-12-02 Picarro, Inc. Surface-emitting semiconductor laser
US6526076B2 (en) * 2000-12-15 2003-02-25 Agilent Technologies, Inc. Integrated parallel channel optical monitoring for parallel optics transmitter
US6618414B1 (en) * 2002-03-25 2003-09-09 Optical Communication Products, Inc. Hybrid vertical cavity laser with buried interface
JP2005191343A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Ricoh Co Ltd 面発光レーザの製造方法および面発光レーザおよび光伝送システム
JP4821961B2 (ja) * 2005-06-15 2011-11-24 富士ゼロックス株式会社 面発光半導体レーザ装置およびその製造方法
JP4919628B2 (ja) * 2005-07-28 2012-04-18 株式会社リコー 面発光レーザ及び面発光レーザアレイ及び光書き込みシステム及び光伝送システム
GB2434914A (en) 2006-02-03 2007-08-08 Univ College Cork Nat Univ Ie Vertical cavity surface emitting laser device
RU80158U1 (ru) * 2008-07-18 2009-01-27 Закрытое акционерное общество "Межрегиональный центр инновационных технологий" (ЗАО "МЦИТ") Лазерный маяк курсоглиссадной системы и лазерный излучатель
US8995493B2 (en) * 2009-02-17 2015-03-31 Trilumina Corp. Microlenses for multibeam arrays of optoelectronic devices for high frequency operation
US20130262326A1 (en) * 2009-02-28 2013-10-03 Thomson Reuters (Scientific) Inc. Intellectual Property Annuity/Maintenance Payment and Mistaken Abandonment Prevention Systems
JP5434421B2 (ja) * 2009-09-16 2014-03-05 富士ゼロックス株式会社 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置
KR101964387B1 (ko) * 2012-03-21 2019-04-01 트리아 뷰티, 인코포레이티드 하나 이상의 수직 캐비티 표면 방출 레이저(vcsel)를 구비한 피부 치료 장치
JP2014017448A (ja) 2012-07-11 2014-01-30 Ricoh Co Ltd 面発光レーザ、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置
JP2014022667A (ja) * 2012-07-20 2014-02-03 Ricoh Co Ltd 面発光レーザ素子及び原子発振器
US9124061B2 (en) * 2013-05-14 2015-09-01 Spectralus Corporation Projection RGB-laser light source with stabilized color balance
JP6550381B2 (ja) * 2013-10-16 2019-07-24 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． コンパクトなレーザーデバイス

Also Published As

Publication number Publication date
BR112017021395A2 (pt) 2018-07-03
RU2712939C2 (ru) 2020-02-03
US20180076598A1 (en) 2018-03-15
RU2017134125A3 (ru) 2019-08-01
JP6461367B2 (ja) 2019-01-30
WO2016162236A1 (en) 2016-10-13
EP3281262A1 (en) 2018-02-14
CN107466431A (zh) 2017-12-12
EP3281262B1 (en) 2019-06-26
CN107466431B (zh) 2020-07-14
JP2018508122A (ja) 2018-03-22
US10181701B2 (en) 2019-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2017134125A (ru) Безопасный лазерный прибор для применений оптического зондирования
US11732884B2 (en) Light-emitting device, optical device, and information processing device comprising plural wiring members and circuit elements on side surfaces of a light emitting element array
US20200274320A1 (en) Light emitter, light emitting device, optical device, and information processing apparatus
US20220114835A1 (en) Light-emitting device, optical device, and information processing device
EP3176888A1 (en) Sensor chip
TW201639257A (zh) 雷射的封裝結構及其相關元件
JP7363053B2 (ja) 発光装置、発光デバイス、光学装置及び情報処理装置
WO2020208864A1 (ja) 発光装置、光学装置及び情報処理装置
US20220115836A1 (en) Light-emitting device, optical device, and information processing device
US11652177B2 (en) Semiconductor devices with an electrically tunable emitter and methods for time-of-flight measurements using an electrically tunable emitter
KR102548859B1 (ko) 눈 보호 기능을 제공하는 빔프로젝터모듈
US20220123524A1 (en) Light-emitting device, optical device, and information processing device
JP2020145274A (ja) 発光装置、光学装置および情報処理装置
EP3952039B1 (en) Light-emitting element array chip, light-emitting device, optical device, and information processing device
WO2020202592A1 (ja) 発光装置、光学装置及び情報処理装置
JP2020174096A (ja) 発光装置、光学装置及び情報処理装置
EP3943974B1 (en) Light-emitting device, optical device, and information processing device
WO2020194774A1 (ja) 発光装置、光学装置及び情報処理装置
JP2020170761A (ja) 発光装置、光学装置及び情報処理装置
CN111834887A (zh) 发光装置、光学装置及信息处理装置
JOSEPH et al. High brightness pulsed vcsel sources
KR20190134010A (ko) 표면발광 레이저패키지 및 이를 포함하는 광 모듈
CN111837302A (zh) 用于飞行时间和接近度的测量的半导体装置和方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20210330