JP4919628B2 - 面発光レーザ及び面発光レーザアレイ及び光書き込みシステム及び光伝送システム - Google Patents
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Description
本発明の第1の形態は、正及び負のキャリアを注入する各々1つ以上の電極を有する面発光レーザ本体と、フォトニック結晶レーザとを備え、前記面発光レーザ本体は、前記電極から注入されたキャリアと前記フォトニック結晶レーザからのポンピング光とにより励起されるようになっていることを特徴としている。
本発明の第2の形態は、第1の形態の面発光レーザにおいて、前記面発光レーザ本体と前記フォトニック結晶レーザとは、同一の半導体基板上にエピタキシャル成長された同一構成膜で形成されていることを特徴としている。
本発明の第3の形態は、第1または第2の形態の面発光レーザにおいて、前記面発光レーザ本体は、半導体基板上に、下部半導体分布多層膜反射鏡(下部半導体DBR),下部スペーサ層,活性層,上部スペーサ層,第1上部半導体分布多層膜反射鏡(第1上部半導体DBR),被選択酸化層,第2上部半導体分布多層膜反射鏡(第2上部半導体DBR)が順次に形成され、面発光レーザ本体の周囲が第1上部半導体DBR中まで除去されていることを特徴としている。
本発明の第4の形態は、第1乃至第3のいずれかの形態の面発光レーザにおいて、フォトニック結晶レーザの活性層と表面との間に、フォトニック結晶レーザの発光領域(共振器領域)だけに電流を注入する電流狭窄構造が設けられていることを特徴としている。
本発明の第5の形態は、第4の形態の面発光レーザにおいて、前記フォトニック結晶レーザの電流狭窄構造は、Al(Ga)As層からなる導電性領域とAl(Ga)Asが酸化された層からなる高抵抗領域とにより形成されていることを特徴としている。
本発明の第6の形態は、第1乃至第5のいずれかの形態の面発光レーザにおいて、前記面発光レーザ本体の活性層は、GaInNAs系材料を含むことを特徴としている。
本発明の第7の形態は、第1乃至第6のいずれかの形態の面発光レーザが複数個、同一の半導体基板上に配列されていることを特徴とする面発光レーザアレイである。
本発明の第8の形態は、第7の形態の面発光レーザアレイが書き込み光源として用いられることを特徴とする光書き込みシステム(例えば、レーザプリンタ書き込みシステムや光メモリ書き込みシステム)である。
本発明の第9の形態は、第7の形態の面発光レーザアレイが光源として用いられることを特徴とする光伝送システムである。
Claims (8)
- 正及び負のキャリアを注入する各々1つ以上の電極を有する面発光レーザ本体と、フォトニック結晶レーザとを備え、前記面発光レーザ本体は、前記電極から注入されたキャリアと前記フォトニック結晶レーザからのポンピング光とにより励起されるようになっており、前記面発光レーザ本体は、半導体基板上に、下部半導体分布多層膜反射鏡,下部スペーサ層,活性層,上部スペーサ層,第1上部半導体分布多層膜反射鏡,被選択酸化層,第2上部半導体分布多層膜反射鏡が順次に形成され、面発光レーザ本体の周囲が第1上部半導体分布多層膜反射鏡中まで除去されて面発光レーザ本体の周囲に溝が設けられていることを特徴とする面発光レーザ。
- 請求項1記載の面発光レーザにおいて、前記フォトニック結晶レーザは、前記面発光レーザ本体と同一の半導体基板上にエピタキシャル成長された同一構成膜で形成されていることを特徴とする面発光レーザ。
- 請求項1または請求項2記載の面発光レーザにおいて、フォトニック結晶レーザの活性層と表面との間に、フォトニック結晶レーザの発光領域だけに電流を注入する電流狭窄構造が設けられていることを特徴とする面発光レーザ。
- 請求項3記載の面発光レーザにおいて、前記フォトニック結晶レーザの電流狭窄構造は、Al(Ga)As層からなる導電性領域とAl(Ga)Asが酸化された層からなる高抵抗領域とにより形成されていることを特徴とする面発光レーザ。
- 請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の面発光レーザにおいて、前記面発光レーザ本体の活性層は、GaInNAs系材料を含むことを特徴とする面発光レーザ。
- 請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の面発光レーザが複数個、同一の半導体基板上に配列されていることを特徴とする面発光レーザアレイ。
- 請求項6記載の面発光レーザアレイが書き込み光源として用いられることを特徴とする光書き込みシステム。
- 請求項6記載の面発光レーザアレイが光源として用いられることを特徴とする光伝送システム。
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