RU2015118169A - Датчик для текучих сред с широким динамическим диапазоном на основе нанопроводной платформы - Google Patents
Датчик для текучих сред с широким динамическим диапазоном на основе нанопроводной платформы Download PDFInfo
- Publication number
- RU2015118169A RU2015118169A RU2015118169A RU2015118169A RU2015118169A RU 2015118169 A RU2015118169 A RU 2015118169A RU 2015118169 A RU2015118169 A RU 2015118169A RU 2015118169 A RU2015118169 A RU 2015118169A RU 2015118169 A RU2015118169 A RU 2015118169A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- nanowires
- nanowire
- different
- substance
- fluid sample
- Prior art date
Links
- 239000012530 fluid Substances 0.000 title claims abstract 11
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims abstract 74
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract 13
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 6
- 238000007306 functionalization reaction Methods 0.000 claims 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
- G01N27/4146—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS involving nanosized elements, e.g. nanotubes, nanowires
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/0004—Gaseous mixtures, e.g. polluted air
- G01N33/0009—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
- G01N33/0027—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector
- G01N33/0031—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector comprising two or more sensors, e.g. a sensor array
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
- H01L29/0665—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body the shape of the body defining a nanostructure
- H01L29/0669—Nanowires or nanotubes
- H01L29/0673—Nanowires or nanotubes oriented parallel to a substrate
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Immunology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Pathology (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Food Science & Technology (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
1. Устройство для количественного обнаружения вещества в образце текучей среды, содержащееподложку;расположенный на упомянутой подложке электроизолирующий слой;множество расположенных на упомянутом электроизолирующем слое индивидуально адресуемых нанопроводов, причем каждый нанопровод из упомянутого множества нанопроводов покрыт изолирующим материалом, при этом множество нанопроводов выполнено с возможностью обнаружения присутствия вещества в образце текучей среды посредством измерения электрической характеристики нанопровода из множества нанопроводов, при этом каждый упомянутый нанопровод имеет длину, ширину и толщину;отделение для образцов для содержания упомянутого образца текучей среды, при этом упомянутое отделение для образцов расположено таким образом, что оно покрывает по меньшей мере часть каждого нанопровода из упомянутого множества нанопроводов,при этом упомянутая длина, упомянутая ширина и упомянутая толщина соответствующих нанопроводов имеют такие размеры, чтобы формировать различные диапазоны обнаружения вещества.2. Устройство по п. 1, в котором сочетание различных диапазонов обнаружения образует практически непрерывный диапазон обнаружения, который больше, чем каждый различный диапазон обнаружения.3. Устройство по п. 1, в котором каждый нанопровод из упомянутого множества нанопроводов имеет площадь поверхности и объем нанопровода, при этом отношение площади поверхности и объема различно для различных нанопроводов из упомянутого множества нанопроводов.4. Устройство по п. 3, в котором толщина нанопроводов из множества нанопроводов практически одинакова, а одна или более из ширины и
Claims (19)
1. Устройство для количественного обнаружения вещества в образце текучей среды, содержащее
подложку;
расположенный на упомянутой подложке электроизолирующий слой;
множество расположенных на упомянутом электроизолирующем слое индивидуально адресуемых нанопроводов, причем каждый нанопровод из упомянутого множества нанопроводов покрыт изолирующим материалом, при этом множество нанопроводов выполнено с возможностью обнаружения присутствия вещества в образце текучей среды посредством измерения электрической характеристики нанопровода из множества нанопроводов, при этом каждый упомянутый нанопровод имеет длину, ширину и толщину;
отделение для образцов для содержания упомянутого образца текучей среды, при этом упомянутое отделение для образцов расположено таким образом, что оно покрывает по меньшей мере часть каждого нанопровода из упомянутого множества нанопроводов,
при этом упомянутая длина, упомянутая ширина и упомянутая толщина соответствующих нанопроводов имеют такие размеры, чтобы формировать различные диапазоны обнаружения вещества.
2. Устройство по п. 1, в котором сочетание различных диапазонов обнаружения образует практически непрерывный диапазон обнаружения, который больше, чем каждый различный диапазон обнаружения.
3. Устройство по п. 1, в котором каждый нанопровод из упомянутого множества нанопроводов имеет площадь поверхности и объем нанопровода, при этом отношение площади поверхности и объема различно для различных нанопроводов из упомянутого множества нанопроводов.
4. Устройство по п. 3, в котором толщина нанопроводов из множества нанопроводов практически одинакова, а одна или более из ширины и длины каждого нанопровода из упомянутого множества нанопроводов различна.
5. Устройство по п. 1, в котором изолирующий материал является одним и тем же для каждого нанопровода из множества нанопроводов, и при этом изолирующий материал имеет толщину, которая различна для каждого нанопровода из множества нанопроводов.
6. Устройство по п. 1, в котором по меньшей мере один нанопровод из упомянутого множества нанопроводов содержит по меньшей мере один слой функционализации, который предназначен для взаимодействия с веществом.
7. Устройство по п. 1, в котором каждый из по меньшей мере двух нанопроводов из упомянутого множества нанопроводов содержит слой функционализации, который предназначен для взаимодействия с веществом, при этом по меньшей мере два слоя функционализации отличаются друг от друга.
8. Устройство по п. 6, в котором по меньшей мере один слой функционализации содержит или состоит из TiO2.
9. Устройство по п. 1, в котором упомянутое отделение для образцов выполнено для обеспечения текучей среде возможности протекать поверх упомянутого множества нанопроводов.
10. Устройство по п. 1, в котором по меньшей мере два из упомянутых нанопроводов имеют различную чувствительность.
11. Устройство по п. 1, в котором по меньшей мере два нанопровода из упомянутого множества нанопроводов содержат различные легирующие примеси и/или различные концентрации легирующих примесей.
12. Устройство по п. 1, в котором по меньшей мере один нанопровод из множества нанопроводов образует канал транзистора, а часть подложки используется в качестве вывода затвора упомянутого транзистора.
13. Устройство по п. 1, содержащее дополнительное отделение для образцов.
14. Устройство по п. 1, содержащее электрическую схему, соединенную с каждым нанопроводом из множества упомянутых нанопроводов, для считывания нанопроводов.
15. Применение устройства по п. 1 для количественного обнаружения вещества в образце текучей среды.
16. Способ количественного определения вещества в образце текучей среды с использованием устройства, содержащего множество индивидуально электрически адресуемых нанопроводов, причем каждый из упомянутых нанопроводов имеет различный диапазон обнаружения, при этом упомянутый способ содержит
определение электрической характеристики каждого нанопровода из упомянутого множества нанопроводов;
определение для каждого нанопровода из упомянутого множества нанопроводов, указывает ли электрическая характеристика на насыщение нанопровода;
идентификацию подмножества нанопроводов, которые не являются насыщенными нанопроводами, в пределах множества нанопроводов;
идентификацию нанопровода из подмножества нанопроводов, имеющего самую высокую чувствительность; и
определение количества упомянутого вещества в упомянутой текучей среде на основе определенной электрической характеристики нанопровода, имеющего самую высокую чувствительность.
17. Способ по п. 16, в котором определяемой электрической характеристикой упомянутых нанопроводов является ток как функция поданного напряжения.
18. Способ по п. 16, в котором множество нанопроводов образуют каналы транзистора, где транзистор содержит затвор, при этом способ дополнительно содержит этап установки устройства в исходное состояние посредством подачи напряжения затвора на затвор с тем, чтобы вещество, налипшее на нанопровод из упомянутого множества нанопроводов, было по меньшей мере частично удалено с упомянутого нанопровода.
19. Способ по п. 16, дополнительно содержащий этап установки устройства в исходное состояние посредством нагревания упомянутого устройства с тем, чтобы вещество, налипшее на нанопровод из упомянутого множества нанопроводов, было по меньшей мере частично удалено с упомянутого нанопровода.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201261714418P | 2012-10-16 | 2012-10-16 | |
| US61/714,418 | 2012-10-16 | ||
| PCT/IB2013/059160 WO2014060894A2 (en) | 2012-10-16 | 2013-10-07 | Wide dynamic range fluid sensor based on nanowire platform |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2015118169A true RU2015118169A (ru) | 2016-12-10 |
| RU2638130C2 RU2638130C2 (ru) | 2017-12-11 |
Family
ID=49917673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2015118169A RU2638130C2 (ru) | 2012-10-16 | 2013-10-07 | Датчик для текучих сред с широким динамическим диапазоном на основе нанопроводной платформы |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10126263B2 (ru) |
| EP (1) | EP2909617A2 (ru) |
| JP (1) | JP6533465B2 (ru) |
| CN (1) | CN104737009B (ru) |
| BR (1) | BR112015008202B1 (ru) |
| MX (1) | MX356580B (ru) |
| RU (1) | RU2638130C2 (ru) |
| WO (1) | WO2014060894A2 (ru) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014142913A1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Devices to detect a substance and methods of producing such a device |
| US20160003732A1 (en) * | 2013-03-14 | 2016-01-07 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Devices to detect a substance and methods of producing such a device |
| CN107709979B (zh) * | 2015-06-30 | 2020-07-07 | 富士通株式会社 | 气体传感器及其使用方法 |
| JP6416437B2 (ja) * | 2015-09-16 | 2018-10-31 | システムズ アンド ソフトウェア エンタープライゼス， エルエルシーＳｙｓｔｅｍｓ Ａｎｄ Ｓｏｆｔｗａｒｅ Ｅｎｔｅｒｐｒｉｓｅｓ， Ｌｌｃ | 回路カードのための強化された液体検出機構 |
| CN105424780B (zh) * | 2015-11-26 | 2018-06-22 | 深圳代尔夫特电子科技有限公司 | 一种氮化镓传感器、制备方法和多传感器系统 |
| JP6548178B2 (ja) * | 2015-12-16 | 2019-07-24 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | ガスセンサ及びガスセンシングシステム |
| FR3046243B1 (fr) | 2015-12-24 | 2017-12-22 | Commissariat Energie Atomique | Capteur nw-fet comportant au moins deux detecteurs distincts a nanofil de semi-conducteur |
| CN106290525B (zh) * | 2016-08-04 | 2018-08-28 | 北京大学 | 一种带正面栅极调控的纳米线生物传感器件及其制备方法 |
| JP2019190829A (ja) * | 2016-08-31 | 2019-10-31 | シャープ株式会社 | ナノファイバーセンサ |
| JP6880930B2 (ja) * | 2017-03-30 | 2021-06-02 | セイコーエプソン株式会社 | センサー |
| CN111492233B (zh) * | 2017-11-30 | 2023-08-08 | 东丽株式会社 | 电路、检测器、无线通信设备、水分检测系统、尿布、报知系统及电路的制造方法 |
| US10788375B2 (en) * | 2017-12-07 | 2020-09-29 | Tower Semiconductor Ltd. | Apparatus, system and method of a temperature sensor |
| EP3540422B1 (en) | 2018-03-14 | 2024-01-03 | Sciosense B.V. | Monolithic gas sensor arrangement, manufacturing method and measurement method |
| JP7467455B2 (ja) * | 2018-11-20 | 2024-04-15 | ナショナル リサーチ カウンシル オブ カナダ | センサー・プラットフォーム |
| WO2021009559A1 (en) * | 2019-07-12 | 2021-01-21 | Qulab Medical Ltd. | Electrochemical fet sensor |
| RU2749070C1 (ru) * | 2020-09-17 | 2021-06-03 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Крокус Наноэлектроника" (Ооо "Крокус Наноэлектроника") | Способ формирования активных структур для микроэлектронных устройств и микроэлектронное устройство, содержащее активные структуры |
| US11414986B1 (en) * | 2021-03-02 | 2022-08-16 | Saudi Arabian Oil Company | Detecting carbon dioxide leakage in the field |
| US11840921B2 (en) | 2021-03-02 | 2023-12-12 | Saudi Arabian Oil Company | Detecting carbon dioxide leakage in the field |
| RU2764722C1 (ru) * | 2021-08-04 | 2022-01-19 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Крокус Наноэлектроника" (Ооо "Крокус Наноэлектроника") | Способ формирования активных структур для микроэлектронных устройств на кремниевой подложке и микроэлектронное устройство, содержащее сформированные активные структуры |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3000711B2 (ja) * | 1991-04-16 | 2000-01-17 | エヌオーケー株式会社 | ガスセンサ |
| KR20080005303A (ko) | 2000-12-11 | 2008-01-10 | 프레지던트 앤드 펠로우즈 오브 하버드 칼리지 | 나노센서 |
| US8152991B2 (en) | 2005-10-27 | 2012-04-10 | Nanomix, Inc. | Ammonia nanosensors, and environmental control system |
| WO2004003535A1 (en) * | 2002-06-27 | 2004-01-08 | Nanosys Inc. | Planar nanowire based sensor elements, devices, systems and methods for using and making same |
| US7051945B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-05-30 | Nanosys, Inc | Applications of nano-enabled large area macroelectronic substrates incorporating nanowires and nanowire composites |
| US7163659B2 (en) * | 2002-12-03 | 2007-01-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Free-standing nanowire sensor and method for detecting an analyte in a fluid |
| US7910064B2 (en) * | 2003-06-03 | 2011-03-22 | Nanosys, Inc. | Nanowire-based sensor configurations |
| US8129725B2 (en) | 2005-08-08 | 2012-03-06 | Microgan Gmbh | Semiconductor sensor |
| US20070269924A1 (en) | 2006-05-18 | 2007-11-22 | Basf Aktiengesellschaft | Patterning nanowires on surfaces for fabricating nanoscale electronic devices |
| JP2010500559A (ja) * | 2006-08-11 | 2010-01-07 | エージェンシー フォー サイエンス，テクノロジー アンド リサーチ | ナノワイヤセンサ、ナノワイヤセンサアレイ、及び当該センサ及びセンサアレイを形成する方法 |
| JP4928865B2 (ja) * | 2006-08-11 | 2012-05-09 | 株式会社アツミテック | 水素ガス濃度センサ及び水素ガス濃度測定装置 |
| US7846786B2 (en) | 2006-12-05 | 2010-12-07 | Korea University Industrial & Academic Collaboration Foundation | Method of fabricating nano-wire array |
| US7437938B2 (en) * | 2007-03-21 | 2008-10-21 | Rosemount Inc. | Sensor with composite diaphragm containing carbon nanotubes or semiconducting nanowires |
| FR2924108B1 (fr) | 2007-11-28 | 2010-02-12 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'elaboration, sur un materiau dielectrique, de nanofils en materiaux semi-conducteur connectant deux electrodes |
| KR100906154B1 (ko) | 2007-12-05 | 2009-07-03 | 한국전자통신연구원 | 반도체 나노선 센서 소자 및 이의 제조 방법 |
| KR20090065124A (ko) | 2007-12-17 | 2009-06-22 | 한국전자통신연구원 | 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서 및 그 제조 방법 |
| IL189576A0 (en) | 2008-02-18 | 2008-12-29 | Technion Res & Dev Foundation | Chemically sensitive field effect transistors for explosive detection |
| JP2009229341A (ja) | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Hiroshima Univ | バイオセンサーおよびその製造方法 |
| US7963148B2 (en) | 2008-09-03 | 2011-06-21 | National Formosa Univeristy | Gas sensor made of field effect transistor based on ZnO nanowires |
| US8169006B2 (en) * | 2008-11-29 | 2012-05-01 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Bio-sensor chip for detecting target material |
| JP5371453B2 (ja) * | 2009-01-09 | 2013-12-18 | ミツミ電機株式会社 | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
| CN101847581A (zh) * | 2009-03-25 | 2010-09-29 | 中国科学院微电子研究所 | 顶栅ZnO多纳米线场效应晶体管的制作方法 |
| WO2011017077A2 (en) * | 2009-07-27 | 2011-02-10 | Trustees Of Boston University | Nanochannel-based sensor system with controlled sensitivity |
| EP2434278A1 (en) * | 2010-08-31 | 2012-03-28 | Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Apparatus for detecting one or more analytes comprising an elongated nano-structure and method for manufacturing said apparatus |
| US10436745B2 (en) * | 2011-07-12 | 2019-10-08 | University of Pittsburgh— of the Commonwealth System of Higher Education | PH sensor system and methods of sensing pH |
-
2013
- 2013-10-07 BR BR112015008202-5A patent/BR112015008202B1/pt active IP Right Grant
- 2013-10-07 EP EP13817722.5A patent/EP2909617A2/en not_active Withdrawn
- 2013-10-07 RU RU2015118169A patent/RU2638130C2/ru active
- 2013-10-07 CN CN201380053956.1A patent/CN104737009B/zh active Active
- 2013-10-07 MX MX2015004671A patent/MX356580B/es active IP Right Grant
- 2013-10-07 WO PCT/IB2013/059160 patent/WO2014060894A2/en active Application Filing
- 2013-10-07 US US14/435,592 patent/US10126263B2/en active Active
- 2013-10-07 JP JP2015536256A patent/JP6533465B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104737009A (zh) | 2015-06-24 |
| EP2909617A2 (en) | 2015-08-26 |
| CN104737009B (zh) | 2018-07-13 |
| BR112015008202B1 (pt) | 2021-02-09 |
| US10126263B2 (en) | 2018-11-13 |
| WO2014060894A2 (en) | 2014-04-24 |
| JP2015531491A (ja) | 2015-11-02 |
| JP6533465B2 (ja) | 2019-06-19 |
| WO2014060894A3 (en) | 2014-07-24 |
| US20160003770A1 (en) | 2016-01-07 |
| RU2638130C2 (ru) | 2017-12-11 |
| MX2015004671A (es) | 2015-08-07 |
| BR112015008202A2 (pt) | 2017-07-04 |
| MX356580B (es) | 2018-06-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2015118169A (ru) | Датчик для текучих сред с широким динамическим диапазоном на основе нанопроводной платформы | |
| JP2015531491A5 (ru) | ||
| US11008611B2 (en) | Double gate ion sensitive field effect transistor | |
| WO2014152717A3 (en) | On-body microsensor for biomonitoring | |
| JP2010540966A5 (ru) | ||
| JP2017521679A5 (ru) | ||
| HK1133459A1 (en) | Systems and methods for determining a substantially hematocrit independent analyte concentration | |
| RU2017101678A (ru) | Пробоотборник и биосенсор | |
| WO2014100027A3 (en) | System and method for production reservoir and well management using continuous chemical measurement | |
| WO2016157117A1 (en) | Nanoelectronic sensor pixel | |
| RU2650087C2 (ru) | Интегральная схема с матрицей сенсорных транзисторов, сенсорное устройство и способ измерения | |
| JP2016502644A5 (ru) | ||
| WO2016105464A3 (en) | Mini point of care gas chromatographic test strip and method to measure analytes | |
| GB2523419A (en) | Test device for electrochemical analysis | |
| JP2017534064A5 (ru) | ||
| WO2015054663A3 (en) | Biomolecular interaction detection devices and methods | |
| RU2017109736A (ru) | Способы и системы обнаружения аналитов | |
| EP3570006A3 (en) | Humidity sensor and corrosion test method using the same | |
| US20140295573A1 (en) | Biosensor with dual gate structure and method for detecting concentration of target protein in a protein solution | |
| CN105705942B (zh) | 用于测量在生物的、化学的或者其他试样处的小的电压和电势的设备和方法 | |
| US20200256826A1 (en) | Pulse-driven capacitive detection for field-effect transistors | |
| Kwon et al. | Drift-free pH detection with silicon nanowire field-effect transistors | |
| WO2014004587A3 (en) | Protein detection using fet | |
| RU2012151935A (ru) | Электрический сенсор на пары гидразина | |
| TWI418783B (zh) | 測量溶液中之微量待測物濃度的方法及麻醉劑感測晶片 |