RU2013120380A - Водная полирующая композиция и способ химико-механического полирования подложек, имеющих структурированные или неструктурированные диэлектрические слои с низкой диэлектрической проницаемостью - Google Patents

Водная полирующая композиция и способ химико-механического полирования подложек, имеющих структурированные или неструктурированные диэлектрические слои с низкой диэлектрической проницаемостью Download PDF

Info

Publication number
RU2013120380A
RU2013120380A RU2013120380/05A RU2013120380A RU2013120380A RU 2013120380 A RU2013120380 A RU 2013120380A RU 2013120380/05 A RU2013120380/05 A RU 2013120380/05A RU 2013120380 A RU2013120380 A RU 2013120380A RU 2013120380 A RU2013120380 A RU 2013120380A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
alkyl
group
cycloalkyl
aryl
groups
Prior art date
Application number
RU2013120380/05A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2589482C2 (ru
Inventor
Виджай Иммануэль РАМАН
Франк РИТТИГ
Юйчжо ЛИ
Вей Лан Уильям ЧИУ
Original Assignee
Басф Се
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Басф Се filed Critical Басф Се
Publication of RU2013120380A publication Critical patent/RU2013120380A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2589482C2 publication Critical patent/RU2589482C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/04—Aqueous dispersions
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G1/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with cathode-ray tube indicators; General aspects or details, e.g. selection emphasis on particular characters, dashed line or dotted line generation; Preprocessing of data
    • G09G1/02—Storage circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
    • H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/32115—Planarisation
    • H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/7684—Smoothing; Planarisation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

1. Водная полирующая композиция, содержащая(A) по меньшей мере один тип абразивных частиц и(B) по меньшей мере одно амфифильное неионогенное поверхностно-активное вещество, выбранное из группы, состоящей из растворимых в воде или диспергируемых в воде поверхностно-активных веществ, имеющих(b1) по меньшей мере одну гидрофобную группу, выбранную из группы, состоящей из разветвленных алкильных групп, имеющих 5-20 атомов углерода; и(b2) по меньшей мере одну гидрофильную группу, выбранную из группы, состоящей из полиоксиалкиленовых групп, содержащих(b21) оксиэтиленовые мономерные звенья и(b22) по меньшей мере один тип замещенных оксиалкиленовых мономерных звеньев, в которых заместители выбраны из группы, состоящей из алкильных, циклоалкильных, или арильных, алкил-циклоалкильных, алкил-арильных, циклоалкил-арильных и алкил-циклоалкил-арильных групп;где указанная полиоксиалкиленовая группа содержит мономерные звенья (b21) и (b22) в статистическом, чередующемся, градиентном и/или блокоподобном распределении.2. Водная полирующая композиция по п.1, в которой гидрофобные группы (b1) выбраны из группы, состоящей из разветвленных алкильных групп, имеющих 8-15 атомов углерода.3. Водная полирующая композиция по п.1, отличающаяся тем, что оксиалкиленовые мономерные звенья (b22) являются производными замещенных оксиранов, где заместители выбраны из группы, состоящей из алкильных, циклоалкильных, или арильных, алкил-циклоалкильных, алкил-арильных, циклоалкил-арильных и алкил-циклоалкил-арильных групп.4. Водная полирующая композиция по п.3, отличающаяся тем, что заместители выбраны из группы, состоящей из алкильных групп, имеющих 1-10 атомов углер

Claims (16)

1. Водная полирующая композиция, содержащая
(A) по меньшей мере один тип абразивных частиц и
(B) по меньшей мере одно амфифильное неионогенное поверхностно-активное вещество, выбранное из группы, состоящей из растворимых в воде или диспергируемых в воде поверхностно-активных веществ, имеющих
(b1) по меньшей мере одну гидрофобную группу, выбранную из группы, состоящей из разветвленных алкильных групп, имеющих 5-20 атомов углерода; и
(b2) по меньшей мере одну гидрофильную группу, выбранную из группы, состоящей из полиоксиалкиленовых групп, содержащих
(b21) оксиэтиленовые мономерные звенья и
(b22) по меньшей мере один тип замещенных оксиалкиленовых мономерных звеньев, в которых заместители выбраны из группы, состоящей из алкильных, циклоалкильных, или арильных, алкил-циклоалкильных, алкил-арильных, циклоалкил-арильных и алкил-циклоалкил-арильных групп;
где указанная полиоксиалкиленовая группа содержит мономерные звенья (b21) и (b22) в статистическом, чередующемся, градиентном и/или блокоподобном распределении.
2. Водная полирующая композиция по п.1, в которой гидрофобные группы (b1) выбраны из группы, состоящей из разветвленных алкильных групп, имеющих 8-15 атомов углерода.
3. Водная полирующая композиция по п.1, отличающаяся тем, что оксиалкиленовые мономерные звенья (b22) являются производными замещенных оксиранов, где заместители выбраны из группы, состоящей из алкильных, циклоалкильных, или арильных, алкил-циклоалкильных, алкил-арильных, циклоалкил-арильных и алкил-циклоалкил-арильных групп.
4. Водная полирующая композиция по п.3, отличающаяся тем, что заместители выбраны из группы, состоящей из алкильных групп, имеющих 1-10 атомов углерода, циклоалкильных групп, имеющих 5-10 атомов углерода в спироциклической, экзоциклической и/или конденсированной конфигурации, арильных групп, имеющих 6-10 атомов углерода, алкил-циклоалкильных групп, имеющих 6-20 атомов углерода, алкил-арильных групп, имеющих 7-20 атомов углерода, циклоалкил-арильных групп, имеющих 11-20 атомов углерода, и алкил-циклоалкил-арильных групп, имеющих 12-30 атомов углерода.
5. Водная полирующая композиция по п.4, отличающаяся тем, что молярное отношение мономерных звеньев (b21) к мономерным звеньям (b22) составляет от 100:1 до 1:1.
6. Водная полирующая композиция по п.1, отличающаяся тем, что полиоксиалкиленовые группы имеют степень полимеризации от 5 до 100.
7. Водная полирующая композиция по п.1, отличающаяся тем, что концентрация поверхностно-активного вещества (B) составляет от 1 част./млн до 0,1 мас.%, где массовые количества указаны в пересчете на полный вес композиции.
8. Водная полирующая композиция по п.1, отличающаяся тем, что абразивные частицы (A) выбраны из группы, состоящей из оксида алюминия, оксида кремния, оксида титана, оксида церия, оксида циркония, оксида германия, оксида магния, их совместно образованных продуктов и их смесей.
9. Водная полирующая композиция по любому из пп.1-8, отличающаяся тем, что дополнительно содержит по меньшей мере один функциональный компонент (C), который является отличным от компонентов (a) и (B).
10. Способ химико-механического полирования подложек, имеющих структурированные или неструктурированные диэлектрические слои с низкой или ультранизкой диэлектрической проницаемостью, имеющие диэлектрическую постоянную, равную 3,5 или меньше, который включает стадии
(1) контактирование подложки по меньшей мере один раз с водной полирующей композицией, содержащей
(A) по меньшей мере один тип абразивных частиц и
(Ba) по меньшей мере одно амфифильное неионогенное поверхностно-активное вещество, выбранное из группы, состоящей из растворимых в воде или диспергируемых в воде поверхностно-активных веществ, имеющих
(b1a) по меньшей мере одну гидрофобную группу, выбранную из группы, состоящей из линейных алкильных групп, имеющих 5-20 атомов углерода, и разветвленных алкильных групп (b1); и
(b2) по меньшей мере одну гидрофильную группу, выбранную из группы, состоящей из полиоксиалкиленовых групп, содержащих
(b21) оксиэтиленовые мономерные звенья и
(b22) по меньшей мере один тип замещенных оксиалкиленовых мономерных звеньев, в которых заместители выбраны из группы, состоящей из алкильных, циклоалкильных, или арильных, алкил-циклоалкильных, алкил-арильных, циклоалкил-арильных и алкил-циклоалкил-арильных групп;
где указанная полиоксиалкиленовая группа содержит мономерные звенья (b21) и (b22) в статистическом, чередующемся, градиентном и/или блокоподобном распределении;
(2) химико-механическое полирование подложки в течение периода времени и при температуре, достаточных для достижения требуемой глобальной плоскостности; и
(3) изъятие подложки из контакта с водной полирующей композицией.
11. Способ по п.10, отличающийся тем, что материал диэлектрического слоя с низкой и ультранизкой диэлектрической проницаемостью выбран из группы, состоящей из пористых и непористых органически модифицированных кремниевых стекол и органических полимеров.
12. Способ по п.11, отличающийся тем, что органически модифицированное кремниевое стекло представляет собой допированный углеродом диоксид кремния (CDO).
13. Способ по п.11, отличающийся тем, что подложка дополнительно содержит по меньшей мере один слой, выбранный из группы, состоящей из других диэлектрических слоев, чем диэлектрические слои с низкой и ультранизкой диэлектрической проницаемостью, барьерных слоев и металлических слоев.
14. Способ по п.13, отличающийся тем, что диэлектрический слой представляет собой слой из диоксида кремния.
15. Способ по п.14, отличающийся тем, что касательно показателей скорости удаления материала (MRR) он имеет селективность по отношению к диоксиду кремния по сравнению с диэлектрическим материалом с низкой и ультранизкой диэлектрической проницаемостью>3.
16. Применение водной полирующей композиции, определенной в любом из пп.1-9, для производства электрических, механических и оптических устройств.
RU2013120380/05A 2010-10-07 2011-10-04 Водная полирующая композиция и способ химико-механического полирования подложек, имеющих структурированные или неструктурированные диэлектрические слои с низкой диэлектрической постоянной RU2589482C2 (ru)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US39063910P 2010-10-07 2010-10-07
US61/390,639 2010-10-07
EP10186886.7 2010-10-07
EP10186886 2010-10-07
PCT/IB2011/054344 WO2012046179A1 (en) 2010-10-07 2011-10-04 Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates having patterned or unpatterned low-k dielectric layers

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2013120380A true RU2013120380A (ru) 2014-11-20
RU2589482C2 RU2589482C2 (ru) 2016-07-10

Family

ID=43651487

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013120380/05A RU2589482C2 (ru) 2010-10-07 2011-10-04 Водная полирующая композиция и способ химико-механического полирования подложек, имеющих структурированные или неструктурированные диэлектрические слои с низкой диэлектрической постоянной

Country Status (9)

Country Link
US (1) US9070632B2 (ru)
EP (1) EP2625236B1 (ru)
KR (1) KR101907860B1 (ru)
CN (1) CN103249789B (ru)
IL (1) IL225744B (ru)
MY (1) MY158489A (ru)
RU (1) RU2589482C2 (ru)
SG (1) SG189327A1 (ru)
WO (1) WO2012046179A1 (ru)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2649144A4 (en) 2010-12-10 2014-05-14 Basf Se AQUEOUS POLISHING COMPOSITION AND METHOD FOR MECHANICAL CHEMICAL POLISHING OF SUBSTRATES CONTAINING SILICON OXIDE DIELECTRIC AND POLYSILICON FILMS
CN102956450B (zh) * 2011-08-16 2015-03-11 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 一种制作半导体器件的方法
ES2545857T3 (es) 2011-11-10 2015-09-16 Basf Se Aditivo de baño de estucado de papel que comprende monómero de ácido, monómero asociativo y monómero no iónico
WO2013093557A1 (en) 2011-12-21 2013-06-27 Basf Se Chemical mechanical polishing composition comprising polyvinyl phosphonic acid and its derivatives
WO2013175396A1 (en) * 2012-05-23 2013-11-28 Basf Se A process for the manufacture of semiconductor devices comprising the chemical mechanical polishing (cmp) of iii-v material in the presence of a cmp composition comprising a specific non-ionic surfactant
EP2682440A1 (en) * 2012-07-06 2014-01-08 Basf Se A chemical mechanical polishing (cmp) composition comprising a non-ionic surfactant and a carbonate salt
JP6930976B2 (ja) * 2016-01-06 2021-09-01 シーエムシー マテリアルズ，インコーポレイティド 低ｋ基板の研磨方法
CN113122143B (zh) * 2019-12-31 2024-03-08 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液及其在铜抛光中的应用

Family Cites Families (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2610705C3 (de) 1976-03-13 1978-10-19 Henkel Kgaa, 4000 Duesseldorf Saure galvanische Kupferbäder
US5057560A (en) 1987-10-05 1991-10-15 Ciba-Geigy Corporation Thermotropic copolymer hydrogels from N,N-dimethylacrylamide and methoxy-ethyl (meth) acrylate
FR2694939B1 (fr) 1992-08-20 1994-12-23 Schlumberger Cie Dowell Polymères thermoviscosifiants, leur synthèse et leurs applications notamment dans l'industrie pétrolière.
US6068787A (en) 1996-11-26 2000-05-30 Cabot Corporation Composition and slurry useful for metal CMP
US5770528A (en) 1996-12-31 1998-06-23 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Methylated hydroxypropylcellulose and temperature responsive products made therefrom
US7547669B2 (en) 1998-07-06 2009-06-16 Ekc Technology, Inc. Remover compositions for dual damascene system
TWI224128B (en) 1998-12-28 2004-11-21 Hitachi Chemical Co Ltd Materials for polishing liquid for metal, polishing liquid for metal, method for preparation thereof and polishing method using the same
TWI267549B (en) 1999-03-18 2006-12-01 Toshiba Corp Aqueous dispersion, aqueous dispersion for chemical mechanical polishing used for manufacture of semiconductor devices, method for manufacture of semiconductor devices, and method for formation of embedded wiring
US7425581B2 (en) 1999-07-30 2008-09-16 Universiteit Utrecht Temperature sensitive polymers
DE10006538C2 (de) 2000-02-15 2002-11-28 Forsch Pigmente Und Lacke E V Verfahren zur Beschichtung von Partikeln mit LCST-Polymeren
EP1197587B1 (en) 2000-10-13 2006-09-20 Shipley Co. L.L.C. Seed layer repair and electroplating bath
JP4009986B2 (ja) 2000-11-29 2007-11-21 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、およびそれを用いてメモリーハードディスクを研磨する研磨方法
DE10060343A1 (de) * 2000-12-04 2002-06-06 Bayer Ag Polierslurry für das chemisch-mechanische Polieren von Metall- und Dielektrikastrukturen
FR2824832B1 (fr) 2001-05-16 2005-05-27 Oreal Polymeres hydrosolubles a squelette hydrosoluble et a unites laterales a lcst, leur procede de preparation, compositions aqueuses les contenant, et leur utilisation dans le domaine cosmetique
US6705926B2 (en) * 2001-10-24 2004-03-16 Cabot Microelectronics Corporation Boron-containing polishing system and method
DE10152993A1 (de) 2001-10-26 2003-05-08 Bayer Ag Zusammensetzung für das chemisch-mechanische Polieren von Metall- und Metall/Dielektrikastrukturen mit hoher Selektivität
US6749653B2 (en) * 2002-02-21 2004-06-15 3M Innovative Properties Company Abrasive particles containing sintered, polycrystalline zirconia
AU2003233400A1 (en) 2002-03-15 2003-09-29 The Penn State Research Foundation Method for control of temperature-sensitivity of polymers in solution
JP3516446B2 (ja) 2002-04-26 2004-04-05 東京応化工業株式会社 ホトレジスト剥離方法
US6974777B2 (en) 2002-06-07 2005-12-13 Cabot Microelectronics Corporation CMP compositions for low-k dielectric materials
JP4443864B2 (ja) 2002-07-12 2010-03-31 株式会社ルネサステクノロジ レジストまたはエッチング残さ物除去用洗浄液および半導体装置の製造方法
US7021993B2 (en) * 2002-07-19 2006-04-04 Cabot Microelectronics Corporation Method of polishing a substrate with a polishing system containing conducting polymer
JP4083502B2 (ja) * 2002-08-19 2008-04-30 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨方法及びそれに用いられる研磨用組成物
DE10243438A1 (de) 2002-09-18 2004-03-25 Merck Patent Gmbh Oberflächenmodifizierte Effektpigmente
EP1422320A1 (en) 2002-11-21 2004-05-26 Shipley Company, L.L.C. Copper electroplating bath
DE10254432A1 (de) 2002-11-21 2004-06-03 Süd-Chemie AG LCST-Polymere
DE10254430A1 (de) 2002-11-21 2004-06-03 Süd-Chemie AG LCST-Polymere
US7300601B2 (en) 2002-12-10 2007-11-27 Advanced Technology Materials, Inc. Passivative chemical mechanical polishing composition for copper film planarization
US20040175942A1 (en) 2003-01-03 2004-09-09 Chang Song Y. Composition and method used for chemical mechanical planarization of metals
TW200505975A (en) 2003-04-18 2005-02-16 Ekc Technology Inc Aqueous fluoride compositions for cleaning semiconductor devices
AU2003297104A1 (en) 2003-07-09 2005-02-25 Dynea Chemicals Oy Non-polymeric organic particles for chemical mechanical planarization
US7153335B2 (en) 2003-10-10 2006-12-26 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Tunable composition and method for chemical-mechanical planarization with aspartic acid/tolyltriazole
DE10358092A1 (de) 2003-12-10 2005-07-14 Merck Patent Gmbh Oberflächenmodifizierte Partikel
KR100640600B1 (ko) * 2003-12-12 2006-11-01 삼성전자주식회사 슬러리 조성물 및 이를 이용한 화학기계적연마공정를포함하는 반도체 소자의 제조방법
US7026441B2 (en) 2004-08-12 2006-04-11 Intel Corporation Thermoresponsive sensor comprising a polymer solution
TW200632147A (ru) 2004-11-12 2006-09-16
JP2006160964A (ja) * 2004-12-10 2006-06-22 Asahi Kasei Chemicals Corp 研磨剤含有洗浄剤
JP4131270B2 (ja) 2005-03-01 2008-08-13 トヨタ自動車株式会社 車輌の制駆動力制御装置
CN1900146B (zh) * 2005-07-21 2012-02-29 安集微电子（上海）有限公司 化学机械抛光液
FR2889194A1 (fr) 2005-07-27 2007-02-02 Rhodia Chimie Sa Copolymere a blocs comprenant un bloc lcst presentant une temperature inferieur critique de solubilite, formulations comprenant le copolymere et utilisation pour vectoriser un ingredient actif
TW200714696A (en) 2005-08-05 2007-04-16 Advanced Tech Materials High throughput chemical mechanical polishing composition for metal film planarization
US20090130384A1 (en) 2005-09-30 2009-05-21 Toyama Prefecture Chip Provided with film Having Hole Pattern with the Use of Thermoresponsive Polymer and Method of Producing the Same
US20070077865A1 (en) * 2005-10-04 2007-04-05 Cabot Microelectronics Corporation Method for controlling polysilicon removal
US9120952B2 (en) 2006-10-27 2015-09-01 University Of South Florida Polymeric microgels for chemical mechanical planarization (CMP) processing
US20080105652A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Cabot Microelectronics Corporation CMP of copper/ruthenium/tantalum substrates
US7456107B2 (en) * 2006-11-09 2008-11-25 Cabot Microelectronics Corporation Compositions and methods for CMP of low-k-dielectric materials
US20080148649A1 (en) * 2006-12-21 2008-06-26 Zhendong Liu Ruthenium-barrier polishing slurry
US20080149884A1 (en) * 2006-12-21 2008-06-26 Junaid Ahmed Siddiqui Method and slurry for tuning low-k versus copper removal rates during chemical mechanical polishing
WO2009056491A1 (en) * 2007-10-29 2009-05-07 Basf Se Cmp slurry composition and process for planarizing copper containing surfaces provided with a diffusion barrier layer
JP2009164186A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Fujimi Inc 研磨用組成物
JP5314329B2 (ja) 2008-06-12 2013-10-16 富士フイルム株式会社 研磨液
US8247327B2 (en) * 2008-07-30 2012-08-21 Cabot Microelectronics Corporation Methods and compositions for polishing silicon-containing substrates
TW201031743A (en) 2008-12-18 2010-09-01 Basf Se Surfactant mixture comprising branched short-chain and branched long-chain components
WO2011003904A1 (de) 2009-07-10 2011-01-13 Basf Se Tensidgemisch mit kurz- und langkettigen komponenten
JP6005516B2 (ja) 2009-11-13 2016-10-12 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ 無機粒子及びポリマー粒子を含む化学的機械研磨（ｃｍｐ）組成物
CN102782066B (zh) 2010-02-22 2015-04-15 巴斯夫欧洲公司 含铜、钌和钽层的基材的化学-机械平坦化
US9005472B2 (en) 2010-02-24 2015-04-14 Basf Se Aqueous polishing agent and graft copolymers and their use in a process for polishing patterned and unstructured metal surfaces
MY175638A (en) 2010-09-08 2020-07-03 Basf Se Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates containing silicon oxide dielectic and polysilicon films.
US20130200038A1 (en) 2010-09-08 2013-08-08 Basf Se Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates for electrical, mechanical and optical devices
MY164859A (en) 2010-09-08 2018-01-30 Basf Se Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrate materials for electrical, mechanical and optical devices
EP2613910A4 (en) 2010-09-08 2017-12-13 Basf Se Process for chemically mechanically polishing substrates containing silicon oxide dielectric films and polysilicon and/or silicon nitride films

Also Published As

Publication number Publication date
EP2625236B1 (en) 2017-12-13
CN103249789B (zh) 2016-01-13
KR20130117780A (ko) 2013-10-28
EP2625236A4 (en) 2014-05-14
KR101907860B1 (ko) 2018-10-15
SG189327A1 (en) 2013-05-31
RU2589482C2 (ru) 2016-07-10
US9070632B2 (en) 2015-06-30
US20130273739A1 (en) 2013-10-17
CN103249789A (zh) 2013-08-14
WO2012046179A1 (en) 2012-04-12
IL225744B (en) 2018-01-31
IL225744A0 (en) 2013-06-27
EP2625236A1 (en) 2013-08-14
MY158489A (en) 2016-10-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2013120380A (ru) Водная полирующая композиция и способ химико-механического полирования подложек, имеющих структурированные или неструктурированные диэлектрические слои с низкой диэлектрической проницаемостью
JP5965907B2 (ja) 電気機器や機械機器・光学機器用の基板の化学機械研磨用の水性研磨組成物と方法
KR101919750B1 (ko) 산화규소 유전체 및 폴리실리콘 필름을 함유하는 기판의 화학적 기계적 연마를 위한 수성 연마 조성물 및 방법
US20160040041A1 (en) Abrasive, abrasive set, and method for abrading substrate
KR101165875B1 (ko) 다결정규소 제거 조절 방법
RU2577281C2 (ru) Водная полирующая композиция и способ химико-механического полирования материалов подложек для электрических, механических и оптических устройств
US9028709B2 (en) Surface treatment composition and surface treatment method using same
JP5689970B2 (ja) 高速及び低欠陥性のシリコン研磨組成物
KR101320416B1 (ko) 식각액 조성물 및 이를 이용한 습식 식각방법
KR101868657B1 (ko) 연마용 조성물, 그것을 사용한 연마 방법 및 기판의 제조 방법
KR20170032335A (ko) Cmp용 연마액 및 연마 방법
CN109207151A (zh) 蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法
JP2014515777A5 (ru)
JP2014529673A (ja) グリコシドを含む化学機械研磨（ｃｍｐ）組成物
TWI758530B (zh) 研磨用組成物及矽基板研磨方法
KR20160034960A (ko) 세리아를 함유하는 연마 입자를 포함하는 cmp 조성물
KR20140139541A (ko) 연마용 조성물 및 반도체 기판의 제조 방법
KR20220150964A (ko) 연마용 조성물 및 연마 방법
KR102029977B1 (ko) 연마용 조성물
KR20210143847A (ko) 연마용 조성물
KR20220150963A (ko) 연마용 조성물 및 연마 방법

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20191005