RU2012143706A - Устройство для осуществления процесса плазмохимического осаждения из паровой фазы - Google Patents
Устройство для осуществления процесса плазмохимического осаждения из паровой фазы Download PDFInfo
- Publication number
- RU2012143706A RU2012143706A RU2012143706/03A RU2012143706A RU2012143706A RU 2012143706 A RU2012143706 A RU 2012143706A RU 2012143706/03 A RU2012143706/03 A RU 2012143706/03A RU 2012143706 A RU2012143706 A RU 2012143706A RU 2012143706 A RU2012143706 A RU 2012143706A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- cavity
- resonator
- cylinder
- axis
- cylindrical
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
- C03B37/01807—Reactant delivery systems, e.g. reactant deposition burners
- C03B37/01815—Reactant deposition burners or deposition heating means
- C03B37/01823—Plasma deposition burners or heating means
- C03B37/0183—Plasma deposition burners or heating means for plasma within a tube substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
- H01J37/32229—Waveguides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
- H01J37/32247—Resonators
- H01J37/32256—Tuning means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
1. Устройство для осуществления процесса плазмохимического осаждения из паровой фазы, содержащее по существу цилиндрический резонатор, в котором выполнена внешняя цилиндрическая стенка, окружающая полость резонатора, которая имеет по существу осесимметричную форму относительно оси цилиндра,при этом в резонаторе также выполнены участки боковых стенок, ограничивающие полость резонатора в противоположных направлениях по оси цилиндра,причем устройство также содержит волновод СВЧ-излучения, имеющий конец, проходящий через внешнюю цилиндрическую стенку в полость резонатора, а длина полости резонатора в направлении цилиндра изменяется как функция радиального расстояния к оси цилиндра.2. Устройство по п.1, в котором резонатор содержит кольцевой элемент, образующий по меньшей мере частично боковую поверхность указанной полости в цилиндрическом направлении.3. Устройство по п.1 или 2, в котором полость резонатора в цилиндрическом направлении по меньшей мере частично ограничена поверхностью конуса, продольная ось которого по существу совпадает с осью цилиндра резонатора и который сужается по направлению к противоположной стороне указанной полости.4. Устройство по п.1 или 2, в котором в определенном диапазоне цилиндрическая длина указанной полости увеличивается как функция увеличивающегося радиального расстояния относительно оси цилиндра.5. Устройство по п.1 или 2, в котором в устройстве для нагрева токами сверхвысокой частоты также выполнена внутренняя цилиндрическая стенка, ограничивающая полость резонатора в радиальном направлении к оси цилиндра и имеющая щелевое отверстие, проходящее в окружном направле
Claims (9)
1. Устройство для осуществления процесса плазмохимического осаждения из паровой фазы, содержащее по существу цилиндрический резонатор, в котором выполнена внешняя цилиндрическая стенка, окружающая полость резонатора, которая имеет по существу осесимметричную форму относительно оси цилиндра,
при этом в резонаторе также выполнены участки боковых стенок, ограничивающие полость резонатора в противоположных направлениях по оси цилиндра,
причем устройство также содержит волновод СВЧ-излучения, имеющий конец, проходящий через внешнюю цилиндрическую стенку в полость резонатора, а длина полости резонатора в направлении цилиндра изменяется как функция радиального расстояния к оси цилиндра.
2. Устройство по п.1, в котором резонатор содержит кольцевой элемент, образующий по меньшей мере частично боковую поверхность указанной полости в цилиндрическом направлении.
3. Устройство по п.1 или 2, в котором полость резонатора в цилиндрическом направлении по меньшей мере частично ограничена поверхностью конуса, продольная ось которого по существу совпадает с осью цилиндра резонатора и который сужается по направлению к противоположной стороне указанной полости.
4. Устройство по п.1 или 2, в котором в определенном диапазоне цилиндрическая длина указанной полости увеличивается как функция увеличивающегося радиального расстояния относительно оси цилиндра.
5. Устройство по п.1 или 2, в котором в устройстве для нагрева токами сверхвысокой частоты также выполнена внутренняя цилиндрическая стенка, ограничивающая полость резонатора в радиальном направлении к оси цилиндра и имеющая щелевое отверстие, проходящее в окружном направлении вокруг оси цилиндра.
6. Устройство по п.2, в котором кольцевой элемент выполнен заодно с участком боковой стенки и/или внутренней цилиндрической стенки резонатора.
7. Устройство по п.1 или 2, в котором на продольном конце указанной полости ее боковая поверхность проходит по существу перпендикулярно по отношению к оси цилиндра, предпочтительно на расстояние по меньшей мере около 1 мм.
8. Устройство по п.2, в котором кольцевой элемент заполняет часть пространства, ограниченного в радиальном направлении между внутренней цилиндрической стенкой и внешней цилиндрической стенкой, а также в цилиндрическом направлении между участком боковой стенки и кромкой щелевого отверстия, причем объемная часть заполнена кольцевым элементом в диапазоне примерно от 10% до 95%.
9. Устройство по любому из пп.1, 2, 6, 8, дополнительно содержащее СВЧ-генератор, подсоединенный ко второму концу волновода СВЧ-излучения.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL2007809 | 2011-11-17 | ||
| NL2007809A NL2007809C2 (en) | 2011-11-17 | 2011-11-17 | An apparatus for performing a plasma chemical vapour deposition process. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012143706A true RU2012143706A (ru) | 2014-04-20 |
| RU2625664C2 RU2625664C2 (ru) | 2017-07-18 |
Family
ID=47191584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012143706A RU2625664C2 (ru) | 2011-11-17 | 2012-10-12 | Устройство для осуществления процесса плазмохимического осаждения из паровой фазы |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9376753B2 (ru) |
| EP (1) | EP2594660B1 (ru) |
| JP (1) | JP6227240B2 (ru) |
| CN (1) | CN103122455B (ru) |
| BR (1) | BR102012029201A2 (ru) |
| DK (1) | DK2594660T3 (ru) |
| NL (1) | NL2007809C2 (ru) |
| PL (1) | PL2594660T3 (ru) |
| RU (1) | RU2625664C2 (ru) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105244251B (zh) * | 2015-11-03 | 2017-11-17 | 长飞光纤光缆股份有限公司 | 一种大功率等离子体微波谐振腔 |
| NL2017575B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-13 | Draka Comteq Bv | A method and an apparatus for performing a plasma chemical vapour deposition process and a method |
| CN106987827B (zh) * | 2017-04-14 | 2019-03-29 | 太原理工大学 | 等离子体化学气相沉积微波谐振腔及装置 |
| NL2028245B1 (en) * | 2021-05-19 | 2022-12-05 | Draka Comteq Bv | A plasma chemical vapor deposition apparatus |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4125389A (en) | 1977-02-10 | 1978-11-14 | Northern Telecom Limited | Method for manufacturing an optical fibre with plasma activated deposition in a tube |
| JPS62290054A (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-16 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波によるガスのイオン化方法およびイオン源装置 |
| JPH02107778A (ja) * | 1988-10-18 | 1990-04-19 | Canon Inc | 偏波制御マイクロ波プラズマ処理装置 |
| JPH03193880A (ja) * | 1989-08-03 | 1991-08-23 | Mikakutou Seimitsu Kogaku Kenkyusho:Kk | 高圧力下でのマイクロ波プラズマｃｖｄによる高速成膜方法及びその装置 |
| JPH06140186A (ja) * | 1992-10-22 | 1994-05-20 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマ製造方法 |
| DE19600223A1 (de) | 1996-01-05 | 1997-07-17 | Ralf Dr Dipl Phys Spitzl | Vorrichtung zur Erzeugung von Plasmen mittels Mikrowellen |
| US6715441B2 (en) | 1997-12-31 | 2004-04-06 | Plasma Optical Fibre B.V. | PCVD apparatus and a method of manufacturing an optical fiber, a preform rod and a jacket tube as well as the optical fiber manufactured therewith |
| BR9814578A (pt) * | 1997-12-31 | 2000-10-10 | Plasma Optical Fibre Bv | Aparelho para realizar deposição quìmica de vapor do plasma, e, processos para fabricar uma fibra ótica, para fabricar uma haste de preforma de fibra ótica e para fabricar um tubo de revestimento para uma preforma de fibra ótica |
| DE19847848C1 (de) * | 1998-10-16 | 2000-05-11 | R3 T Gmbh Rapid Reactive Radic | Vorrichtung und Erzeugung angeregter/ionisierter Teilchen in einem Plasma |
| JP3625197B2 (ja) * | 2001-01-18 | 2005-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ装置およびプラズマ生成方法 |
| US6951798B2 (en) * | 2001-06-08 | 2005-10-04 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Method of bonding a stack of layers by electromagnetic induction heating |
| WO2003049141A2 (en) * | 2001-12-04 | 2003-06-12 | Draka Fibre Technology B.V. | Device for applying an electromagnetic microwave to a plasma container |
| US20030152700A1 (en) * | 2002-02-11 | 2003-08-14 | Board Of Trustees Operating Michigan State University | Process for synthesizing uniform nanocrystalline films |
| NL1025155C2 (nl) * | 2003-12-30 | 2005-07-04 | Draka Fibre Technology Bv | Inrichting voor het uitvoeren van PCVD, alsmede werkwijze voor het vervaardigen van een voorvorm. |
| JP4852997B2 (ja) * | 2005-11-25 | 2012-01-11 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロ波導入装置及びプラズマ処理装置 |
| KR100861412B1 (ko) | 2006-06-13 | 2008-10-07 | 조영상 | 다결정 실리콘 잉곳 제조장치 |
| NL1032015C2 (nl) * | 2006-06-16 | 2008-01-08 | Draka Comteq Bv | Inrichting voor het uitvoeren van een plasma chemische dampdepositie (PCVD) en werkwijze ter vervaardiging van een optische vezel. |
| FR2903622B1 (fr) | 2006-07-17 | 2008-10-03 | Sidel Participations | Dispositif pour le depot d'un revetement sur une face interne d'un recipient |
| NL1033783C2 (nl) | 2007-05-01 | 2008-11-06 | Draka Comteq Bv | Inrichting voor het uitvoeren van een plasma chemische dampdepositie alsmede werkwijze ter vervaardiging van een optische voorvorm. |
| US20120186747A1 (en) * | 2011-01-26 | 2012-07-26 | Obama Shinji | Plasma processing apparatus |
-
2011
- 2011-11-17 NL NL2007809A patent/NL2007809C2/en not_active IP Right Cessation
-
2012
- 2012-10-12 RU RU2012143706A patent/RU2625664C2/ru active
- 2012-11-09 US US13/672,706 patent/US9376753B2/en active Active
- 2012-11-14 BR BR102012029201-7A patent/BR102012029201A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2012-11-14 DK DK12192493.0T patent/DK2594660T3/da active
- 2012-11-14 PL PL12192493T patent/PL2594660T3/pl unknown
- 2012-11-14 EP EP12192493.0A patent/EP2594660B1/en active Active
- 2012-11-16 CN CN201210480714.8A patent/CN103122455B/zh active Active
- 2012-11-19 JP JP2012253248A patent/JP6227240B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2594660A1 (en) | 2013-05-22 |
| PL2594660T3 (pl) | 2020-11-16 |
| US20130125817A1 (en) | 2013-05-23 |
| JP2013108179A (ja) | 2013-06-06 |
| JP6227240B2 (ja) | 2017-11-08 |
| DK2594660T3 (da) | 2020-09-07 |
| BR102012029201A2 (pt) | 2018-02-27 |
| CN103122455B (zh) | 2017-05-24 |
| EP2594660B1 (en) | 2020-06-17 |
| NL2007809C2 (en) | 2013-05-21 |
| US9376753B2 (en) | 2016-06-28 |
| RU2625664C2 (ru) | 2017-07-18 |
| CN103122455A (zh) | 2013-05-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2012143706A (ru) | Устройство для осуществления процесса плазмохимического осаждения из паровой фазы | |
| RU2014149564A (ru) | Облегченная трубчатая балка кручения | |
| RU2015101747A (ru) | Электронное устройство для получения пара | |
| JP2013108179A5 (ru) | ||
| WO2015168265A3 (en) | Laser resonator with parasitic mode suppression | |
| MX2019004197A (es) | Ensamble de consumible con elementos internos de remocion de calor. | |
| MX2015013032A (es) | Metodo de fabricar un conjunto de patron radial. | |
| RU2017134373A (ru) | Способ и устройство для выполнения процесса плазмохимического осаждения из паровой фазы | |
| PL128030U1 (pl) | Cylinder suszący typu Yankee do suszenia wstęgi włóknistej | |
| EA201990554A1 (ru) | Анодное устройство и относящиеся к нему способы | |
| RU2012133004A (ru) | Клистрон | |
| RU130750U1 (ru) | Токоввод в газоразрядную лампу с цезиевым наполнением | |
| DK2605267T3 (en) | Device for performing a chemical plasma vapor deposition process | |
| WO2015008149A3 (en) | Resonator structure for a cavity filter arrangement | |
| RU97213U1 (ru) | Токоввод в газоразрядную лампу с цезиевым наполнением | |
| RU2013106369A (ru) | Электродуговой плазмотрон | |
| Zaytunova et al. | Study of the features of stabilization of transition states of the prince reaction on clusters from carbon and bornitride nanotubes. | |
| UA93531U (ru) | УСТРОЙСТВО С аксиальными плазменными резонаторами | |
| RU2014150211A (ru) | Выходной узел плазменного релятивистского источника СВЧ-импульсов с преобразованием типа волны | |
| WO2013084497A1 (ja) | マグネトロンおよびマイクロ波利用機器 | |
| KR101491462B1 (ko) | 장거리용 초음파 트랜스듀서 | |
| RU2021133161A (ru) | Устройство, генерирующее аэрозоль, с изоляцией зоны нагрева | |
| RU2013151514A (ru) | Линейный ускоритель ионов с высокочастотной квадрупольной фокусировкой | |
| JP2007035368A (ja) | マグネトロン及びマグネトロンの製造方法 | |
| RU2008141540A (ru) | Устройство для нанесения покрытий электрическим взрывом фольги |