RU2625664C2 - Устройство для осуществления процесса плазмохимического осаждения из паровой фазы - Google Patents

Устройство для осуществления процесса плазмохимического осаждения из паровой фазы Download PDF

Info

Publication number
RU2625664C2
RU2625664C2 RU2012143706A RU2012143706A RU2625664C2 RU 2625664 C2 RU2625664 C2 RU 2625664C2 RU 2012143706 A RU2012143706 A RU 2012143706A RU 2012143706 A RU2012143706 A RU 2012143706A RU 2625664 C2 RU2625664 C2 RU 2625664C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
cavity
resonator
axis
cylinder
cylindrical
Prior art date
Application number
RU2012143706A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2012143706A (ru
Inventor
Стрален Матхёс Якобус Николас ван
Игорь Милисевик
Йоханнес Антон Хартсёйкер
Original Assignee
Драка Комтек Б.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=47191584&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=RU2625664(C2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Драка Комтек Б.В. filed Critical Драка Комтек Б.В.
Publication of RU2012143706A publication Critical patent/RU2012143706A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2625664C2 publication Critical patent/RU2625664C2/ru

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
    • C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
    • C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
    • C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
    • C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
    • C03B37/01807—Reactant delivery systems, e.g. reactant deposition burners
    • C03B37/01815—Reactant deposition burners or deposition heating means
    • C03B37/01823—Plasma deposition burners or heating means
    • C03B37/0183—Plasma deposition burners or heating means for plasma within a tube substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/32229—Waveguides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/32247—Resonators
    • H01J37/32256—Tuning means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
    • C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
    • C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
    • C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
    • C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

Настоящее изобретение относится к устройству для осуществления процесса плазмохимического осаждения из паровой фазы. Технический результат заключается в том, чтобы резонатор более тщательно согласовывался с плазмой, снижая тем самым вероятность возникновения дугового разряда. Устройство содержит цилиндрический резонатор, в котором выполнена внешняя цилиндрическая стенка, окружающая полость резонатора, которая имеет по существу осесимметричную форму относительно цилиндрической оси, при этом в резонаторе также выполнены участки боковых стенок, ограничивающие полость резонатора в противоположных направлениях по оси цилиндра. Также устройство включает в себя волновод СВЧ-излучения, проходящий через внешнюю цилиндрическую стенку в полость резонатора. Длина полости резонатора в цилиндрическом направлении изменяется как функция радиального расстояния к цилиндрической оси, резонатор также содержит кольцевой элемент, образующий по меньшей мере частично боковую поверхность указанной полости в цилиндрическом направлении. 7 з.п. ф-лы, 6 ил.

Description

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ
Настоящее изобретение относится к устройству для осуществления процесса плазмохимического осаждения из паровой фазы, содержащему по существу цилиндрический резонатор, в котором выполнена внешняя цилиндрическая стенка, окружающая полость резонатора, имеющая по существу осесимметричную форму относительно оси цилиндра, причем резонатор оснащен участками боковых стенок, ограничивающими полость резонатора в противоположных направлениях по оси цилиндра, причем устройство также включает в себя волновод сверхвысокочастотного (СВЧ) излучения, имеющий конец, проходящий через внешнюю цилиндрическую стенку в полость резонатора.
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ
В публикации Европейского патента ЕР 1867610 на имя Draka Comteq B.V. раскрыто такое устройство для производства оптоволокна.
РАСКРЫТИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
При применении мощных устройств для нагрева токами сверхвысокой частоты для длительных процессов могут возникнуть трудности в части, касающейся согласования нагрузок вследствие внутренних отражений и чувствительности к возникновению дугового разряда. В случае несогласования нагрузок вся конфигурация может перегреться. В результате, часть мощности СВЧ-излучения может не достигнуть плазмы. Кроме того, другое оборудование, как например автоматический настройщик, может также перегреться, что приведет к неудовлетворительной работе или даже поломке. Более того, если резонатор, также называемый устройством для нагрева токами сверхвысокой частоты, чувствителен к возникновению дугового разряда, подающее устройство не может быть использовано должным образом. При его использовании могут возникнуть повреждения в отдельных точках. Процесс возникновения дугового разряда поглощает большое количество энергии, а это означает, что плазма сама по себе может потерять свою эффективность или даже отключиться на время, что может негативно отразиться на любом изделии, изготавливаемом при помощи процесса плазменной обработки.
Касательно вопроса согласования нагрузок, было отмечено, что радиальные внутренние кольца, ограничивающие полость резонатора в радиальных направлениях, на практике оказываются слишком тонкими для того, чтобы охлаждать их при помощи устройства охлаждения водой.
Задача настоящего изобретения заключается в представлении устройства в соответствии с вводной частью, в котором улучшено согласование нагрузок, в то время как чувствительность к возникновению дугового разряда не увеличена. Кроме того, в соответствии с настоящим изобретением, длина полости резонатора в цилиндрическом направлении изменяется как функция радиального расстояния до оси цилиндра.
Настоящее изобретение частично основано на понятии, что геометрия объемного резонатора может быть скорректирована для улучшения согласования нагрузок при одновременном избежании возникновения острых кромок, что может вызвать появление дугового разряда. При помощи изменения длины полости резонатора в цилиндрическом направлении, также упомянутой как ширина объемного резонатора, как функции радиального расстояния до оси цилиндра, может быть достигнуто улучшение согласования нагрузок, при одновременном сохранении конфигураций, обеспечивающей электромагнитное соединение между волноводом СВЧ-излучения и резонатором. В соответствии с настоящей особенностью изобретения, форма объемного резонатора изменяется без введения дополнительных острых кромок с тем, чтобы улучшить согласование нагрузки и исключить возможность возникновения дугового разряда.
В частном случае эффективного варианта реализации изобретения, полость резонатора в цилиндрическом направлении по меньшей мере частично ограничена поверхностью конуса, у которого продольная ось по существу совпадает с осью цилиндра колебательного резонатора и который сужается по направлению к противоположной стороне резонатора таким образом, что соблюдены оба условия: согласование нагрузок и минимальный дуговой разряд.
Также эффективные варианты реализации изобретения приведены в приведенных ниже пунктах.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
В качестве примера, варианты реализации настоящего изобретения будут описаны со ссылкой на соответствующие фигуры, где
На фиг. 1 схематично показано продольное сечение первого варианта реализации устройства в соответствии с настоящим изобретением;
На фиг. 2а схематично показано продольное сечение второго варианта реализации устройства в соответствии с настоящим изобретением;
На фиг. 2b схематично показано продольное сечение третьего варианта реализации устройства в соответствии с настоящим изобретением;
На фиг. 2с схематично показано продольное сечение четвертого варианта реализации устройства в соответствии с настоящим изобретением;
На фиг. 2d схематично показано продольное сечение пятого варианта реализации устройства в соответствии с настоящим изобретением; и
На фиг. 2е схематично показано продольное сечение шестого варианта реализации устройства в соответствии с настоящим изобретением.
Следует отметить, что фигуры отображают только наиболее предпочтительные варианты реализации устройства в соответствии с настоящим изобретением. На фигурах одни и те же ссылочные позиции относятся к идентичным или взаимозаменяемым частям.
ОСУЩЕСТВЛЕНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
На фиг. 1 схематично показано сечение первого варианта реализации устройства 1 в соответствии с настоящим изобретением. Устройство 1 содержит по существу цилиндрический резонатор 2. Устройство также содержит волновод 3 СВЧ-излучения для подачи СВЧ-излучения к резонатору 2. Волновод 3 СВЧ-излучения предпочтительно имеет прямоугольную форму, чтобы обеспечивать возможность оптимального сопряжения волновода 3 с резонатором 2. Устройство может быть использовано для осуществления процесса плазмохимического осаждения из паровой фазы.
Резонатор 2 оснащен внешней цилиндрической стенкой 4, вмещающей в себя полость 5 резонатора. Полость резонатора имеет по существу осесимметричную форму относительно оси С цилиндра. При этом в резонаторе 2 выполнены участки боковых стенок 6а, b, ограничивающими полость 5 резонатора в противоположных направлениях С1, С2 по оси цилиндра.
Волновод 3 СВЧ-излучения имеет конец 7, проходящий через внешнюю наружную стенку 4 в полость 5 резонатора. Также в представленном варианте реализации изобретения резонатор 2 содержит внутреннюю цилиндрическую стенку 8, ограничивающую полость 5 резонатора в радиальном направлении R относительно оси С цилиндра. Фактически полость 5 резонатора имеет кольцевую форму. Внутренняя цилиндрическая стенка 8 имеет щелевое отверстие 9, располагающееся в окружном направлении Ci вокруг оси С цилиндра. Благодаря наличию щелевого отверстия 9, микроволновая энергия может поступать из полости 5 резонатора в трубчатое внутреннее пространство 10, окруженное резонатором 2.
В представленном варианте реализации изобретения трубка 11 с подложкой помещена в трубчатое внутреннее пространство 10.
При работе устройства, СВЧ-излучение W, генерируемое СВЧ-генератором, таким как магнетрон или клистрон (не показаны), вводится во второй конец (также не показан) СВЧ-волновода 3, также называемый волноводом, а затем передается через волновод 3 по направлению к резонатору 2. Следует отметить, что микроволны могут поступать в волновод 3 и другим способом, например, через сборку дополнительных волноводов. В полости 5 резонатора микроволновая энергия накапливает и вырабатывает плазму с целью осуществления процесса плазмохимического осаждения из паровой фазы. В полости 5 резонатора СВЧ-энергия, подводимая в полость волноводом 3 СВЧ-излучения, питает плазму, генерируемую внутри трубки 11 с подложкой. При обеспечении правильного потока газа и осуществлении возвратно-поступательных движений резонатора 2 по всей дине трубки 11 с подложкой, стекломатериал будет оседать на внутренней поверхности 11а трубки 11 с подложкой, таким образом, образуя слои стекломатериала на внутренней стороне трубки. Такая трубка может использоваться для формирования твердой заготовки или сердечника, которые в дальнейшем могут применяться в процессе производства стекловолокна.
Для того чтобы снизить чувствительность к дуговому разряду, избегают образования острых внешних кромок в конструкции объемного резонатора. Одна из таких внешних кромок образуется на границе соприкосновения волновода 3 и полости 5 резонатора. В представленном варианте реализации изобретения ширина полости, т.е. внутреннее расстояние вдоль оси С цилиндра, по существу, равно соответствующему размеру волновода 3, например стандартному размеру 3,4 дюйма, 86,38 мм, таким образом можно избежать одну внешнюю кромку. Предпочтительно, чтобы разница между шириной полости 5 резонатора и самой большой стороной волновода 3 была маленькой, т.е. менее 10 мм, более предпочтительно - менее 5 мм, или даже менее 1 мм, особенно при работе с пределами мощности выше 6 кВт. Эффект дугового разряда на других внешних кромках в месте соприкосновения может быть минимизирован посредством скругления кромок.
Выход цилиндрического резонатора 2, как правило, представляет собой щелевое отверстие 9, которое само по себе (радиально) является небольшим радиальным волноводом. В принципе, щелевое отверстие 9 может иметь такую же ширину, как и сама полость 5 резонатора или меньше, вплоть до нескольких миллиметров. Щелевое отверстие 9 резонатора формирует радиальный волновод, проходящий между полостью 5 резонатора и внутренней стороной резонатора 2, т.е. трубчатым внутренним пространством 10.
Резонатор 2 включает в себя кольцевой элемент 12, образующий по меньшей мере частично боковую поверхность полости 5 резонатора в цилиндрическом направлении С1. В представленном варианте реализации изобретения кольцевой элемент 12 имеет форму (усеченного) конуса, так что поверхность конуса 12а имеет продольную ось, по существу совпадающую с осью С цилиндра резонатора 2, и имеет сужение в направлении С2 к противоположной боковой поверхности полости 5 резонатора. Другими словами, конус 12 имеет сужение по направлению к щелевому отверстию 9, так что поверхность внутренней стороны полости резонатора 5 по меньшей мере частично имеет форму конической поверхности. Также кольцевой элемент 12 может быть расположен на противоположной стороне полости резонатора 5.
При наличии кольцевого элемента 12, длина l полости 5 резонатора в цилиндрическом направлении С1 изменяется как функция радиального расстояния r до оси С цилиндра. В частности, в определенном диапазоне радиальных расстояний r, цилиндрическая длина l полости 5 резонатора увеличивается как функция увеличивающегося радиального расстояния r по отношению к оси С цилиндра. Физическое влияние кольцевого элемента заключается в том, что резонатор может более тщательно согласовываться с плазмой при одновременном избегании возникновения острых кромок в полости резонатора 5, что соответственно снижает вероятность возникновения дугового разряда. Поэтому поверхность 12а кольцевого элемента 12, обращенная непосредственно к полости 5, предпочтительно выполнена гладкой, и концы этой поверхности гладко подогнаны к внутренней поверхности полости 5. Кроме того, охлаждающие свойства резонатора при этом повышаются.
В представленном варианте реализации изобретения полость 5 резонатора имеет в основном прямоугольную форму в поперечном сечении, с высотой Н в радиальном направлении R и длиной между поверхностями боковых стенок в цилиндрическом направлении С1. Усеченный конус 12 расположен в углу прямоугольника таким образом, что правый угол 13а внутренней поверхности 13 полости замещается двумя тупыми углами 13b, с. Также поверхность конуса 12а предпочтительно должна быть плоской, но может иметь и отклонения, такие как ребристая поверхность и/или изогнутые участки.
Кольцевой элемент 12 может быть сформирован как отдельный элемент, расположенный в резонаторе 2. Кольцевой элемент 12 может быть прикреплен к резонатору. Также кольцевой элемент 12 может составлять единое целое с другими частями резонатора 2, например с участком боковой стенки 6 и/или с внутренней цилиндрической стенкой 8, для формирования полости 5 резонатора.
Для того чтобы не препятствовать поступлению плазмы из полости 5 резонатора в трубчатое внутреннее пространство 10, щелевое отверстие 9 не закрыто кольцевым элементом 12. Таким образом нейтрализуется препятствие вводу СВЧ-излучения в трубчатое внутреннее пространство 10 и трубку 11 с подложкой. В частности, внутренняя цилиндрическая стенка 8 непосредственно прилегает к щелевому отверстию 9 и формирует часть внутренней поверхности 13 полости резонатора. В представленном варианте реализации изобретения радиальная внутренняя поверхность полости резонатора по существу параллельна оси С цилиндра на участке 26, прилегающем к щелевому отверстию 9 до определенного расстояния. Однако внутренняя лицевая поверхность 12а кольцевого элемента 12 может проходить до кромки 25 щелевого отверстия 9.
Предпочтительно, чтобы кольцевой элемент 12 заполнял часть пространства, ограниченного в радиальном направлении R внутренней цилиндрической стенкой 8 и внешней цилиндрической стенкой 4, а также в цилиндрическом направлении С1 между участком боковой стенки 6b и кромкой щелевого отверстия 25, причем объемная часть, заполненная кольцевым элементом 12, находилась в диапазоне примерно от 10% до 95%. В представленном варианте реализации изобретения кольцевой элемент 12 расположен с правой стороны от правой кромки 25 щелевого отверстия 9. Объемная часть имеет в сечении длину L в цилиндрическом направлении С1 и высоту Н в радиальном направлении R. Кольцевой элемент 12 расположен на внутренней цилиндрической стенке 8 и правом участке боковой стенки 6b.
Если кольцевой элемент 2 будет спроектирован таким образом, чтобы покрывать более чем 95% пространства с правой или с левой стороны щелевого отверстия, то это может препятствовать прохождению СВЧ-излучения W. В противном случае, если кольцевой элемент 12 будет спроектирован таким образом, чтобы покрывать менее 10% пространства, то влияние кольцевого элемента 12 будет минимальным.
Преимущественно, боковая поверхность 13 полости резонатора проходит, в продольном конце Е полости резонатора 5, по существу перпендикулярно по отношению к оси С цилиндра, предпочтительно на расстоянии d, составляющем около 1 мм, предпочтительно около внешней цилиндрической стенки 4, таким образом, что кольцевой элемент 12 хорошо сопрягается с резонатором 2, это позволяет избежать конструктивных проблем, возникающих в процессе производства резонатора 2.
Также объемный резонатор может содержать модули, содержащие вышеуказанные компоненты. Причем внутренняя поверхность полости резонатора по меньшей мере частично обладает электрической проводимостью. Поэтому, предпочтительно, чтобы стенки были выполнены из металлического материала, такого как сталь.
На фиг. 2а-е схематично показано поперечное сечение второго, третьего, четвертого и пятого варианта реализации устройства соответственно, в соответствии с настоящим изобретением.
На фиг. 2а показана в упрощенной форме конфигурация полости резонатора, практически схожая с устройством, приведенным на фиг. 1. Полость 5 резонатора кольцевой формы, если смотреть в поперечном разрезе, окружена внешней цилиндрической стенкой 4, двумя участками боковых стенок 6а, b и внутренней цилиндрической стенкой 8 со щелевым отверстием 9. По сравнению с конфигурацией, представленной на фиг. 1, кольцевой элемент 12 теперь расположен около противоположного участка боковой стенки 6а.
На фиг. 2b кольцевой элемент 12 занимает меньшую часть пространства, ограниченного внутренней цилиндрической стенкой 8, внешней цилиндрической стенкой 4, участком боковой стенки 6а и щелевым отверстием 9.
На фиг. 2с отображена конфигурация полости резонатора, содержащая пару кольцевых элементов 12а, b, расположенных с противоположных сторон по отношению к щелевому отверстию 9.
На Фиг. 2d и 2е, представлен резонатор без внутренней цилиндрической стенки 8. В данном случае кольцевой элемент 12 сформирован как пара закругленных колец 15а, b, расположенных рядом с противоположными участками боковых стенок 6а, b, см. фиг. 2d, или одиночное закругленное кольцо 15с, расположенное рядом с участком боковой стенки 6а, см. фиг. 2е.
Настоящее изобретение не ограничено приведенными выше вариантами реализации. Следует понимать, что возможны многие варианты.
Следует отметить, что кольцевой элемент предпочтительно является симметричным относительно оси С цилиндра резонатора 2. Однако, в общем, геометрия может отклоняться, например, обеспечением кольцевого сегмента, который не полностью окружает трубчатое внутреннее пространство 10, а только периферическую часть.
Следует также отметить, что определенная форма кольцевого элемента не зависит от того, применяется ли внутренняя цилиндрическая стенка или нет.
Также следует отметить, что кольцевой элемент, расположенный в резонаторе, может быть оптимизирован для определенной области применения. Как вариант, резонатор может быть сформирован на модульном принципе, таким образом, что определенные кольцевые элементы могут выбираться из диапазона кольцевых элементов в зависимости от определенного использования резонатора, что позволяет расширить области применения данного устройства.
Другие возможные варианты применения устройства будут ясны специалистам в данной области техники и будут рассматриваться в объеме данного изобретения, определенном в приведенной ниже формуле изобретения.

Claims (11)

1. Устройство для осуществления процесса плазмохимического осаждения из паровой фазы, содержащее по существу цилиндрический резонатор, в котором выполнена внешняя цилиндрическая стенка, окружающая полость резонатора, которая имеет по существу осесимметричную форму относительно оси цилиндра, при этом в резонаторе также выполнены участки боковых стенок, ограничивающие полость резонатора в противоположных направлениях по оси цилиндра,
причем устройство также содержит волновод СВЧ-излучения, имеющий конец, проходящий через внешнюю цилиндрическую стенку в полость резонатора, а длина полости резонатора в направлении цилиндра изменяется как функция радиального расстояния к оси цилиндра,
причем резонатор содержит кольцевой элемент, образующий по меньшей мере частично боковую поверхность указанной полости в цилиндрическом направлении.
2. Устройство по п. 1, в котором полость резонатора в цилиндрическом направлении по меньшей мере частично ограничена поверхностью конуса, продольная ось которого по существу совпадает с осью цилиндра резонатора и который сужается по направлению к противоположной стороне указанной полости.
3. Устройство по п. 1, в котором в определенном диапазоне цилиндрическая длина указанной полости увеличивается как функция увеличивающегося радиального расстояния относительно оси цилиндра.
4. Устройство по п. 1, в котором в резонаторе также выполнена внутренняя цилиндрическая стенка, ограничивающая полость резонатора в радиальном направлении к оси цилиндра и имеющая щелевое отверстие, проходящее в окружном направлении вокруг оси цилиндра.
5. Устройство по п. 1, в котором кольцевой элемент выполнен заодно с участком боковой стенки и/или внутренней цилиндрической стенки резонатора.
6. Устройство по п. 1, в котором на продольном конце указанной полости ее боковая поверхность проходит по существу перпендикулярно по отношению к оси цилиндра, предпочтительно на расстоянии по меньшей мере около 1 мм.
7. Устройство по п. 1, в котором кольцевой элемент заполняет часть пространства, ограниченного в радиальном направлении между внутренней цилиндрической стенкой и внешней цилиндрической стенкой, а также в цилиндрическом направлении между участком боковой стенки и кромкой щелевого отверстия,
причем часть пространства, заполненная кольцевым элементом, находится в диапазоне примерно от 10% до 95%.
8. Устройство по любому из пп. 1-7, дополнительно содержащее СВЧ-генератор, подсоединенный ко второму концу волновода СВЧ-излучения.
RU2012143706A 2011-11-17 2012-10-12 Устройство для осуществления процесса плазмохимического осаждения из паровой фазы RU2625664C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL2007809 2011-11-17
NL2007809A NL2007809C2 (en) 2011-11-17 2011-11-17 An apparatus for performing a plasma chemical vapour deposition process.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012143706A RU2012143706A (ru) 2014-04-20
RU2625664C2 true RU2625664C2 (ru) 2017-07-18

Family

ID=47191584

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012143706A RU2625664C2 (ru) 2011-11-17 2012-10-12 Устройство для осуществления процесса плазмохимического осаждения из паровой фазы

Country Status (9)

Country Link
US (1) US9376753B2 (ru)
EP (1) EP2594660B1 (ru)
JP (1) JP6227240B2 (ru)
CN (1) CN103122455B (ru)
BR (1) BR102012029201A2 (ru)
DK (1) DK2594660T3 (ru)
NL (1) NL2007809C2 (ru)
PL (1) PL2594660T3 (ru)
RU (1) RU2625664C2 (ru)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105244251B (zh) * 2015-11-03 2017-11-17 长飞光纤光缆股份有限公司 一种大功率等离子体微波谐振腔
NL2017575B1 (en) 2016-10-04 2018-04-13 Draka Comteq Bv A method and an apparatus for performing a plasma chemical vapour deposition process and a method
CN106987827B (zh) * 2017-04-14 2019-03-29 太原理工大学 等离子体化学气相沉积微波谐振腔及装置
NL2028245B1 (en) * 2021-05-19 2022-12-05 Draka Comteq Bv A plasma chemical vapor deposition apparatus

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6198224B1 (en) * 1996-01-05 2001-03-06 Ralf Spitzl Microwave plasma generator with the short cross-sectional side of the resonator parallel to the chamber axis
US6260510B1 (en) * 1997-12-31 2001-07-17 Plasma Optical Fibre B.V. PCVD apparatus and method of manufacturing an optical fiber, a preform rod and a jacket tube as well as the optical fiber manufactured therewith
EP1867610A1 (en) * 2006-06-16 2007-12-19 Draka comteq B.V. Apparatus for carrying out a plasma chemical vapour deposition (PCVD) process and method for manufacturing an optical fibre
RU2366758C2 (ru) * 2003-12-30 2009-09-10 Драка Файбр Текнолоджи Б.В. Устройство для плазменного химического осаждения из газовой фазы и способ изготовления заготовки
US20090266487A1 (en) * 2005-11-25 2009-10-29 Tokyo Electron Limited Microwave introduction device

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4125389A (en) 1977-02-10 1978-11-14 Northern Telecom Limited Method for manufacturing an optical fibre with plasma activated deposition in a tube
JPS62290054A (ja) * 1986-06-09 1987-12-16 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波によるガスのイオン化方法およびイオン源装置
JPH02107778A (ja) * 1988-10-18 1990-04-19 Canon Inc 偏波制御マイクロ波プラズマ処理装置
JPH03193880A (ja) * 1989-08-03 1991-08-23 Mikakutou Seimitsu Kogaku Kenkyusho:Kk 高圧力下でのマイクロ波プラズマｃｖｄによる高速成膜方法及びその装置
JPH06140186A (ja) * 1992-10-22 1994-05-20 Mitsubishi Heavy Ind Ltd プラズマ製造方法
US6715441B2 (en) 1997-12-31 2004-04-06 Plasma Optical Fibre B.V. PCVD apparatus and a method of manufacturing an optical fiber, a preform rod and a jacket tube as well as the optical fiber manufactured therewith
DE19847848C1 (de) * 1998-10-16 2000-05-11 R3 T Gmbh Rapid Reactive Radic Vorrichtung und Erzeugung angeregter/ionisierter Teilchen in einem Plasma
JP3625197B2 (ja) * 2001-01-18 2005-03-02 東京エレクトロン株式会社 プラズマ装置およびプラズマ生成方法
US6951798B2 (en) * 2001-06-08 2005-10-04 Wisconsin Alumni Research Foundation Method of bonding a stack of layers by electromagnetic induction heating
CN1630925B (zh) * 2001-12-04 2010-05-26 德拉卡纤维技术有限公司 用于将电磁微波辐射施加于等离子体腔室中的装置
US20030152700A1 (en) * 2002-02-11 2003-08-14 Board Of Trustees Operating Michigan State University Process for synthesizing uniform nanocrystalline films
KR100861412B1 (ko) 2006-06-13 2008-10-07 조영상 다결정 실리콘 잉곳 제조장치
FR2903622B1 (fr) 2006-07-17 2008-10-03 Sidel Participations Dispositif pour le depot d'un revetement sur une face interne d'un recipient
NL1033783C2 (nl) 2007-05-01 2008-11-06 Draka Comteq Bv Inrichting voor het uitvoeren van een plasma chemische dampdepositie alsmede werkwijze ter vervaardiging van een optische voorvorm.
US20120186747A1 (en) * 2011-01-26 2012-07-26 Obama Shinji Plasma processing apparatus

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6198224B1 (en) * 1996-01-05 2001-03-06 Ralf Spitzl Microwave plasma generator with the short cross-sectional side of the resonator parallel to the chamber axis
US6260510B1 (en) * 1997-12-31 2001-07-17 Plasma Optical Fibre B.V. PCVD apparatus and method of manufacturing an optical fiber, a preform rod and a jacket tube as well as the optical fiber manufactured therewith
RU2366758C2 (ru) * 2003-12-30 2009-09-10 Драка Файбр Текнолоджи Б.В. Устройство для плазменного химического осаждения из газовой фазы и способ изготовления заготовки
US20090266487A1 (en) * 2005-11-25 2009-10-29 Tokyo Electron Limited Microwave introduction device
EP1867610A1 (en) * 2006-06-16 2007-12-19 Draka comteq B.V. Apparatus for carrying out a plasma chemical vapour deposition (PCVD) process and method for manufacturing an optical fibre

Also Published As

Publication number Publication date
EP2594660B1 (en) 2020-06-17
DK2594660T3 (da) 2020-09-07
RU2012143706A (ru) 2014-04-20
NL2007809C2 (en) 2013-05-21
JP6227240B2 (ja) 2017-11-08
EP2594660A1 (en) 2013-05-22
PL2594660T3 (pl) 2020-11-16
CN103122455B (zh) 2017-05-24
US9376753B2 (en) 2016-06-28
JP2013108179A (ja) 2013-06-06
BR102012029201A2 (pt) 2018-02-27
CN103122455A (zh) 2013-05-29
US20130125817A1 (en) 2013-05-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101541642B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
RU2625664C2 (ru) Устройство для осуществления процесса плазмохимического осаждения из паровой фазы
KR101378304B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN104235859B (zh) 微波气体裂解装置
KR20140050633A (ko) 플라즈마 챔버를 위한 전송 라인 ｒｆ 인가기
JP4850592B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
KR102426265B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
JP6265997B2 (ja) 電子サイクロトロン共鳴（ｅｃｒ）による気体媒体からの軸方向に高域であるプラズマを生成させるための装置
JP5419055B1 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
KR20110082193A (ko) 플라즈마 처리 장치
US20180228012A1 (en) Chambers for microwave plasma generation
US20070189918A1 (en) Device and method for generating excited and/or ionized particles in a plasma
JP2013089477A (ja) プラズマ発生装置
JP4815146B2 (ja) マグネトロン
JP2007220639A (ja) マイクロ波導入器、プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置
JP5273759B1 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
KR102131539B1 (ko) 마이크로파 플라즈마 처리 장치
EP2605267B1 (en) An apparatus for performing a plasma chemical vapour deposition process
EP2785153A2 (en) Plasma waveguide using step part and block part
EP2755224A2 (en) Magnetron and device using microwaves
JP2013175480A (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2010219003A (ja) マイクロ波ラインプラズマ発生装置
CN108615667A (zh) 提高点火性能的低压等离子体反应器
JP2009239320A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
KR20110088021A (ko) 상압 플라즈마 장치 및 이를 위한 도파관