RU2012133297A - Способ выполнения отверстий с использованием струи текучей среды - Google Patents

Способ выполнения отверстий с использованием струи текучей среды Download PDF

Info

Publication number
RU2012133297A
RU2012133297A RU2012133297/02A RU2012133297A RU2012133297A RU 2012133297 A RU2012133297 A RU 2012133297A RU 2012133297/02 A RU2012133297/02 A RU 2012133297/02A RU 2012133297 A RU2012133297 A RU 2012133297A RU 2012133297 A RU2012133297 A RU 2012133297A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
region
adhesive
fluid
jet
Prior art date
Application number
RU2012133297/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2544715C2 (ru
Inventor
Мохамед БЕНВАДИ
Мари ЭЙТЗМАНН
Original Assignee
Коммиссариат А Л`Энержи Атомик Э О Энержи Альтернатив
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Коммиссариат А Л`Энержи Атомик Э О Энержи Альтернатив filed Critical Коммиссариат А Л`Энержи Атомик Э О Энержи Альтернатив
Publication of RU2012133297A publication Critical patent/RU2012133297A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2544715C2 publication Critical patent/RU2544715C2/ru

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B26HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
    • B26FPERFORATING; PUNCHING; CUTTING-OUT; STAMPING-OUT; SEVERING BY MEANS OTHER THAN CUTTING
    • B26F1/00Perforating; Punching; Cutting-out; Stamping-out; Apparatus therefor
    • B26F1/26Perforating by non-mechanical means, e.g. by fluid jet
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0044Mechanical working of the substrate, e.g. drilling or punching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203Fillers and particles
    • H05K2201/0206Materials
    • H05K2201/0239Coupling agent for particles
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0502Patterning and lithography
    • H05K2203/0522Using an adhesive pattern
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0736Methods for applying liquids, e.g. spraying
    • H05K2203/0746Local treatment using a fluid jet, e.g. for removing or cleaning material; Providing mechanical pressure using a fluid jet

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Forests & Forestry (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Perforating, Stamping-Out Or Severing By Means Other Than Cutting (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Abstract

1. Способ выполнения отверстия (5) в слое (4), отличающийся тем, что он включает следующие этапы, на которых:- создают первые и вторые адгезивные области (1а, 1b) на поверхности подложки (2), причем первая область (1а) имеет размеры, соответствующие размерам отверстия (5),- осаждают слой (4) на первые и вторые области, причем материал слоя (4) имеет более низкий коэффициент адгезии к первой области (1а), чем коэффициент адгезии ко второй области (1b),- удаляют часть слоя на первой области (1а) струей (6) текучей среды.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что часть слоя (4) на первой области (1а) удаляют сканированием поверхности слоя струей (6) текучей среды.3. Способ по одному из пп.1 или 2, отличающийся тем, что материал слоя (4) представляет собой диэлектрический материал.4. Способ по одному из пп.1 или 2, отличающийся тем, что материал слоя (4), будучи органическим, включает, перед этапом удаления, этап, на котором проводят отверждение материала слоя.5. Способ по п.4, отличающийся тем, что материал слоя (4) является сшиваемым под действием ультрафиолетового излучения.6. Способ по одному из пп.1 или 2, отличающийся тем, что первые и вторые адгезивные области (1а, 1b) формируют локализованным осаждением адгезивного слоя (3).7. Способ по п.6, отличающийся тем, что адгезивный слой (3) представляет собой самособранный монослой (SAM).8. Способ по п.6, отличающийся тем, что адгезивный слой (3) представляет собой металлический слой.

Claims (8)

1. Способ выполнения отверстия (5) в слое (4), отличающийся тем, что он включает следующие этапы, на которых:
- создают первые и вторые адгезивные области (1а, 1b) на поверхности подложки (2), причем первая область (1а) имеет размеры, соответствующие размерам отверстия (5),
- осаждают слой (4) на первые и вторые области, причем материал слоя (4) имеет более низкий коэффициент адгезии к первой области (1а), чем коэффициент адгезии ко второй области (1b),
- удаляют часть слоя на первой области (1а) струей (6) текучей среды.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что часть слоя (4) на первой области (1а) удаляют сканированием поверхности слоя струей (6) текучей среды.
3. Способ по одному из пп.1 или 2, отличающийся тем, что материал слоя (4) представляет собой диэлектрический материал.
4. Способ по одному из пп.1 или 2, отличающийся тем, что материал слоя (4), будучи органическим, включает, перед этапом удаления, этап, на котором проводят отверждение материала слоя.
5. Способ по п.4, отличающийся тем, что материал слоя (4) является сшиваемым под действием ультрафиолетового излучения.
6. Способ по одному из пп.1 или 2, отличающийся тем, что первые и вторые адгезивные области (1а, 1b) формируют локализованным осаждением адгезивного слоя (3).
7. Способ по п.6, отличающийся тем, что адгезивный слой (3) представляет собой самособранный монослой (SAM).
8. Способ по п.6, отличающийся тем, что адгезивный слой (3) представляет собой металлический слой.
RU2012133297/02A 2010-01-04 2010-12-22 Способ выполнения отверстий с использованием струи текучей среды RU2544715C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1000006A FR2954918B1 (fr) 2010-01-04 2010-01-04 Procede de realisation de trous a l'aide d'un jet d'eau
FR1000006 2010-01-04
PCT/FR2010/000865 WO2011080419A1 (fr) 2010-01-04 2010-12-22 Procede de realisation de trous a l'aide d'un jet de fluide

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012133297A true RU2012133297A (ru) 2014-02-20
RU2544715C2 RU2544715C2 (ru) 2015-03-20

Family

ID=42537640

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012133297/02A RU2544715C2 (ru) 2010-01-04 2010-12-22 Способ выполнения отверстий с использованием струи текучей среды

Country Status (10)

Country Link
US (1) US8450217B2 (ru)
EP (1) EP2521638B1 (ru)
JP (1) JP5694373B2 (ru)
KR (1) KR20120102103A (ru)
CN (1) CN102781637B (ru)
BR (1) BR112012016337A2 (ru)
FR (1) FR2954918B1 (ru)
RU (1) RU2544715C2 (ru)
WO (1) WO2011080419A1 (ru)
ZA (1) ZA201204508B (ru)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11043409B2 (en) 2018-03-05 2021-06-22 Infineon Technologies Ag Method of forming contacts to an embedded semiconductor die and related semiconductor packages

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1085437A1 (ru) * 1982-05-21 1987-04-15 Предприятие П/Я А-1889 Способ изготовлени полевых транзисторов
JPS63169299A (ja) * 1987-01-06 1988-07-13 富士通株式会社 ウオ−タジエツトカツタのノズルユニツト
JPH0714836A (ja) * 1993-06-17 1995-01-17 Kawasaki Steel Corp 多層配線構造の半導体装置
JPH10270555A (ja) * 1997-03-27 1998-10-09 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
JP3690565B2 (ja) * 1998-06-26 2005-08-31 富士通株式会社 積層構造、配線構造、その製造方法、及び半導体装置
US6207573B1 (en) * 1999-05-19 2001-03-27 Infineon Technologies North America Corp. Differential trench open process
US6403393B1 (en) * 1999-09-01 2002-06-11 International Business Machines Corporation Device having integrated optical and copper conductors and method of fabricating same
US6403397B1 (en) 2000-06-28 2002-06-11 Agere Systems Guardian Corp. Process for fabricating organic semiconductor device involving selective patterning
JP3896770B2 (ja) * 2000-07-07 2007-03-22 セイコーエプソン株式会社 配線間接続孔の形成方法
JP3986743B2 (ja) * 2000-10-03 2007-10-03 株式会社日立製作所 配線基板とその製造方法及びそれに用いる無電解銅めっき液
JP4109672B2 (ja) * 2002-09-18 2008-07-02 富士通株式会社 光導波路デバイスおよび光導波路デバイスの製造方法
JP2004111818A (ja) * 2002-09-20 2004-04-08 Seiko Epson Corp パターン形成方法
WO2006000915A2 (en) * 2004-01-13 2006-01-05 Lionix Bv Surface waveguide and method of manufacture
US7105375B2 (en) 2004-07-30 2006-09-12 Xerox Corporation Reverse printing
US7138068B2 (en) * 2005-03-21 2006-11-21 Motorola, Inc. Printed circuit patterned embedded capacitance layer
US7589018B2 (en) * 2006-11-09 2009-09-15 Seiko Epson Corporation Method of forming contact hole, method of manufacturing wiring board, method of manufacturing semiconductor device, and method of manufacturing electro-optical device
JP2008159971A (ja) * 2006-12-26 2008-07-10 Konica Minolta Holdings Inc 導電パターン形成方法、有機薄膜トランジスタ製造方法、及び該製造方法により作製した有機薄膜トランジスタ
KR20090035962A (ko) * 2007-10-08 2009-04-13 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP2521638B1 (fr) 2016-03-16
WO2011080419A1 (fr) 2011-07-07
RU2544715C2 (ru) 2015-03-20
FR2954918A1 (fr) 2011-07-08
US20120289045A1 (en) 2012-11-15
FR2954918B1 (fr) 2012-01-27
BR112012016337A2 (pt) 2019-09-24
US8450217B2 (en) 2013-05-28
JP2013516755A (ja) 2013-05-13
ZA201204508B (en) 2013-02-27
JP5694373B2 (ja) 2015-04-01
KR20120102103A (ko) 2012-09-17
CN102781637A (zh) 2012-11-14
CN102781637B (zh) 2015-02-04
EP2521638A1 (fr) 2012-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201130183A (en) Method of manufacturing high resolution organic thin film pattern
WO2012047042A3 (ko) 미세 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 미세 채널 트랜지스터 및 미세 채널 발광트랜지스터의 형성방법
TWI265606B (en) Method of fabricating flexible thin film transistor array substrate
ATE484609T1 (de) Verfahren zur herstellung einer funktionsschicht
WO2010059857A3 (en) Bottom up plating by organic surface passivation and differential plating retardation
EP2458620A3 (en) Fabrication of graphene electronic devices using step surface contour
SG131872A1 (en) Layer arrangement for the formation of a coating on a surface of a substrate,coating method,and substrate with a layer arrangement
WO2009063850A1 (ja) 有機エレクトロニクス素子の製造方法
JP2010130013A5 (ru)
JP2017520915A5 (ru)
WO2010056054A3 (ko) 터치스크린 및 그 제조방법
HK1157827A1 (en) Film-forming method
WO2010048227A3 (en) Ultraviolet-transmitting microwave reflector comprising a micromesh screen
WO2011025149A3 (ko) 반도체 기판 제조 방법 및 발광 소자 제조 방법
TWI267133B (en) Method of segmenting a wafer
ATE523612T1 (de) Verfahren zur herstellung einer funktionsschicht
WO2007089482A3 (en) Method for making nanostructures with chromonics
WO2009006284A3 (en) Semiconductor die having a redistribution layer
GB2509851A (en) Organic electronic device and method of manufacture
ATE555643T1 (de) Verfahren zur bildung eines strukturierten substrats
WO2010027231A3 (ko) 리드 프레임 및 그 제조방법
TWI256082B (en) Method of segmenting a wafer
EP2410379A3 (en) Substrate to be processed having laminated thereon resist film for electron beam and organic conductive film, method for manufacturing the same, and resist pattering process
FR2968241B1 (fr) Procede de fabrication d'un article permettant l'apposition d'un film
EP2468928A3 (en) Composition and manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20161223