RU2012133297A - Способ выполнения отверстий с использованием струи текучей среды - Google Patents
Способ выполнения отверстий с использованием струи текучей среды Download PDFInfo
- Publication number
- RU2012133297A RU2012133297A RU2012133297/02A RU2012133297A RU2012133297A RU 2012133297 A RU2012133297 A RU 2012133297A RU 2012133297/02 A RU2012133297/02 A RU 2012133297/02A RU 2012133297 A RU2012133297 A RU 2012133297A RU 2012133297 A RU2012133297 A RU 2012133297A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- region
- adhesive
- fluid
- jet
- Prior art date
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B26—HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
- B26F—PERFORATING; PUNCHING; CUTTING-OUT; STAMPING-OUT; SEVERING BY MEANS OTHER THAN CUTTING
- B26F1/00—Perforating; Punching; Cutting-out; Stamping-out; Apparatus therefor
- B26F1/26—Perforating by non-mechanical means, e.g. by fluid jet
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0044—Mechanical working of the substrate, e.g. drilling or punching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
- H05K2201/0203—Fillers and particles
- H05K2201/0206—Materials
- H05K2201/0239—Coupling agent for particles
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
- H05K2203/0502—Patterning and lithography
- H05K2203/0522—Using an adhesive pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
- H05K2203/0736—Methods for applying liquids, e.g. spraying
- H05K2203/0746—Local treatment using a fluid jet, e.g. for removing or cleaning material; Providing mechanical pressure using a fluid jet
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Forests & Forestry (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Perforating, Stamping-Out Or Severing By Means Other Than Cutting (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
1. Способ выполнения отверстия (5) в слое (4), отличающийся тем, что он включает следующие этапы, на которых:- создают первые и вторые адгезивные области (1а, 1b) на поверхности подложки (2), причем первая область (1а) имеет размеры, соответствующие размерам отверстия (5),- осаждают слой (4) на первые и вторые области, причем материал слоя (4) имеет более низкий коэффициент адгезии к первой области (1а), чем коэффициент адгезии ко второй области (1b),- удаляют часть слоя на первой области (1а) струей (6) текучей среды.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что часть слоя (4) на первой области (1а) удаляют сканированием поверхности слоя струей (6) текучей среды.3. Способ по одному из пп.1 или 2, отличающийся тем, что материал слоя (4) представляет собой диэлектрический материал.4. Способ по одному из пп.1 или 2, отличающийся тем, что материал слоя (4), будучи органическим, включает, перед этапом удаления, этап, на котором проводят отверждение материала слоя.5. Способ по п.4, отличающийся тем, что материал слоя (4) является сшиваемым под действием ультрафиолетового излучения.6. Способ по одному из пп.1 или 2, отличающийся тем, что первые и вторые адгезивные области (1а, 1b) формируют локализованным осаждением адгезивного слоя (3).7. Способ по п.6, отличающийся тем, что адгезивный слой (3) представляет собой самособранный монослой (SAM).8. Способ по п.6, отличающийся тем, что адгезивный слой (3) представляет собой металлический слой.
Claims (8)
1. Способ выполнения отверстия (5) в слое (4), отличающийся тем, что он включает следующие этапы, на которых:
- создают первые и вторые адгезивные области (1а, 1b) на поверхности подложки (2), причем первая область (1а) имеет размеры, соответствующие размерам отверстия (5),
- осаждают слой (4) на первые и вторые области, причем материал слоя (4) имеет более низкий коэффициент адгезии к первой области (1а), чем коэффициент адгезии ко второй области (1b),
- удаляют часть слоя на первой области (1а) струей (6) текучей среды.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что часть слоя (4) на первой области (1а) удаляют сканированием поверхности слоя струей (6) текучей среды.
3. Способ по одному из пп.1 или 2, отличающийся тем, что материал слоя (4) представляет собой диэлектрический материал.
4. Способ по одному из пп.1 или 2, отличающийся тем, что материал слоя (4), будучи органическим, включает, перед этапом удаления, этап, на котором проводят отверждение материала слоя.
5. Способ по п.4, отличающийся тем, что материал слоя (4) является сшиваемым под действием ультрафиолетового излучения.
6. Способ по одному из пп.1 или 2, отличающийся тем, что первые и вторые адгезивные области (1а, 1b) формируют локализованным осаждением адгезивного слоя (3).
7. Способ по п.6, отличающийся тем, что адгезивный слой (3) представляет собой самособранный монослой (SAM).
8. Способ по п.6, отличающийся тем, что адгезивный слой (3) представляет собой металлический слой.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1000006A FR2954918B1 (fr) | 2010-01-04 | 2010-01-04 | Procede de realisation de trous a l'aide d'un jet d'eau |
FR1000006 | 2010-01-04 | ||
PCT/FR2010/000865 WO2011080419A1 (fr) | 2010-01-04 | 2010-12-22 | Procede de realisation de trous a l'aide d'un jet de fluide |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2012133297A true RU2012133297A (ru) | 2014-02-20 |
RU2544715C2 RU2544715C2 (ru) | 2015-03-20 |
Family
ID=42537640
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2012133297/02A RU2544715C2 (ru) | 2010-01-04 | 2010-12-22 | Способ выполнения отверстий с использованием струи текучей среды |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8450217B2 (ru) |
EP (1) | EP2521638B1 (ru) |
JP (1) | JP5694373B2 (ru) |
KR (1) | KR20120102103A (ru) |
CN (1) | CN102781637B (ru) |
BR (1) | BR112012016337A2 (ru) |
FR (1) | FR2954918B1 (ru) |
RU (1) | RU2544715C2 (ru) |
WO (1) | WO2011080419A1 (ru) |
ZA (1) | ZA201204508B (ru) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11043409B2 (en) | 2018-03-05 | 2021-06-22 | Infineon Technologies Ag | Method of forming contacts to an embedded semiconductor die and related semiconductor packages |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU1085437A1 (ru) * | 1982-05-21 | 1987-04-15 | Предприятие П/Я А-1889 | Способ изготовлени полевых транзисторов |
JPS63169299A (ja) * | 1987-01-06 | 1988-07-13 | 富士通株式会社 | ウオ−タジエツトカツタのノズルユニツト |
JPH0714836A (ja) * | 1993-06-17 | 1995-01-17 | Kawasaki Steel Corp | 多層配線構造の半導体装置 |
JPH10270555A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP3690565B2 (ja) * | 1998-06-26 | 2005-08-31 | 富士通株式会社 | 積層構造、配線構造、その製造方法、及び半導体装置 |
US6207573B1 (en) * | 1999-05-19 | 2001-03-27 | Infineon Technologies North America Corp. | Differential trench open process |
US6403393B1 (en) * | 1999-09-01 | 2002-06-11 | International Business Machines Corporation | Device having integrated optical and copper conductors and method of fabricating same |
US6403397B1 (en) | 2000-06-28 | 2002-06-11 | Agere Systems Guardian Corp. | Process for fabricating organic semiconductor device involving selective patterning |
JP3896770B2 (ja) * | 2000-07-07 | 2007-03-22 | セイコーエプソン株式会社 | 配線間接続孔の形成方法 |
JP3986743B2 (ja) * | 2000-10-03 | 2007-10-03 | 株式会社日立製作所 | 配線基板とその製造方法及びそれに用いる無電解銅めっき液 |
JP4109672B2 (ja) * | 2002-09-18 | 2008-07-02 | 富士通株式会社 | 光導波路デバイスおよび光導波路デバイスの製造方法 |
JP2004111818A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Seiko Epson Corp | パターン形成方法 |
WO2006000915A2 (en) * | 2004-01-13 | 2006-01-05 | Lionix Bv | Surface waveguide and method of manufacture |
US7105375B2 (en) | 2004-07-30 | 2006-09-12 | Xerox Corporation | Reverse printing |
US7138068B2 (en) * | 2005-03-21 | 2006-11-21 | Motorola, Inc. | Printed circuit patterned embedded capacitance layer |
US7589018B2 (en) * | 2006-11-09 | 2009-09-15 | Seiko Epson Corporation | Method of forming contact hole, method of manufacturing wiring board, method of manufacturing semiconductor device, and method of manufacturing electro-optical device |
JP2008159971A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Konica Minolta Holdings Inc | 導電パターン形成方法、有機薄膜トランジスタ製造方法、及び該製造方法により作製した有機薄膜トランジスタ |
KR20090035962A (ko) * | 2007-10-08 | 2009-04-13 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 |
-
2010
- 2010-01-04 FR FR1000006A patent/FR2954918B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 2010-12-22 KR KR1020127017331A patent/KR20120102103A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-12-22 JP JP2012546479A patent/JP5694373B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-12-22 CN CN201080065172.7A patent/CN102781637B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-12-22 WO PCT/FR2010/000865 patent/WO2011080419A1/fr active Application Filing
- 2010-12-22 BR BR112012016337A patent/BR112012016337A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2010-12-22 RU RU2012133297/02A patent/RU2544715C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2010-12-22 US US13/519,265 patent/US8450217B2/en active Active
- 2010-12-22 EP EP10809156.2A patent/EP2521638B1/fr not_active Not-in-force
-
2012
- 2012-06-19 ZA ZA2012/04508A patent/ZA201204508B/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2521638B1 (fr) | 2016-03-16 |
WO2011080419A1 (fr) | 2011-07-07 |
RU2544715C2 (ru) | 2015-03-20 |
FR2954918A1 (fr) | 2011-07-08 |
US20120289045A1 (en) | 2012-11-15 |
FR2954918B1 (fr) | 2012-01-27 |
BR112012016337A2 (pt) | 2019-09-24 |
US8450217B2 (en) | 2013-05-28 |
JP2013516755A (ja) | 2013-05-13 |
ZA201204508B (en) | 2013-02-27 |
JP5694373B2 (ja) | 2015-04-01 |
KR20120102103A (ko) | 2012-09-17 |
CN102781637A (zh) | 2012-11-14 |
CN102781637B (zh) | 2015-02-04 |
EP2521638A1 (fr) | 2012-11-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW201130183A (en) | Method of manufacturing high resolution organic thin film pattern | |
WO2012047042A3 (ko) | 미세 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 미세 채널 트랜지스터 및 미세 채널 발광트랜지스터의 형성방법 | |
TWI265606B (en) | Method of fabricating flexible thin film transistor array substrate | |
ATE484609T1 (de) | Verfahren zur herstellung einer funktionsschicht | |
WO2010059857A3 (en) | Bottom up plating by organic surface passivation and differential plating retardation | |
EP2458620A3 (en) | Fabrication of graphene electronic devices using step surface contour | |
SG131872A1 (en) | Layer arrangement for the formation of a coating on a surface of a substrate,coating method,and substrate with a layer arrangement | |
WO2009063850A1 (ja) | 有機エレクトロニクス素子の製造方法 | |
JP2010130013A5 (ru) | ||
JP2017520915A5 (ru) | ||
WO2010056054A3 (ko) | 터치스크린 및 그 제조방법 | |
HK1157827A1 (en) | Film-forming method | |
WO2010048227A3 (en) | Ultraviolet-transmitting microwave reflector comprising a micromesh screen | |
WO2011025149A3 (ko) | 반도체 기판 제조 방법 및 발광 소자 제조 방법 | |
TWI267133B (en) | Method of segmenting a wafer | |
ATE523612T1 (de) | Verfahren zur herstellung einer funktionsschicht | |
WO2007089482A3 (en) | Method for making nanostructures with chromonics | |
WO2009006284A3 (en) | Semiconductor die having a redistribution layer | |
GB2509851A (en) | Organic electronic device and method of manufacture | |
ATE555643T1 (de) | Verfahren zur bildung eines strukturierten substrats | |
WO2010027231A3 (ko) | 리드 프레임 및 그 제조방법 | |
TWI256082B (en) | Method of segmenting a wafer | |
EP2410379A3 (en) | Substrate to be processed having laminated thereon resist film for electron beam and organic conductive film, method for manufacturing the same, and resist pattering process | |
FR2968241B1 (fr) | Procede de fabrication d'un article permettant l'apposition d'un film | |
EP2468928A3 (en) | Composition and manufacturing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20161223 |