RU2012124336A - Способ и устройство для изготовления маски для лазерной установки для получения микроструктур - Google Patents

Способ и устройство для изготовления маски для лазерной установки для получения микроструктур Download PDF

Info

Publication number
RU2012124336A
RU2012124336A RU2012124336/28A RU2012124336A RU2012124336A RU 2012124336 A RU2012124336 A RU 2012124336A RU 2012124336/28 A RU2012124336/28 A RU 2012124336/28A RU 2012124336 A RU2012124336 A RU 2012124336A RU 2012124336 A RU2012124336 A RU 2012124336A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
mask
laser
wavelength
diaphragm
grating
Prior art date
Application number
RU2012124336/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2580901C2 (ru
Inventor
Шарль БОЭГЛИ
Стеффен ВАЙССМАНТЕЛЬ
Гюнтер РАЙСС
Энди ЭНГЕЛ
Рене БОЭТТЧЕР
Вернер СТЕФФЕН
Original Assignee
Боэгли-Гравюр С.А.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Боэгли-Гравюр С.А. filed Critical Боэгли-Гравюр С.А.
Publication of RU2012124336A publication Critical patent/RU2012124336A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2580901C2 publication Critical patent/RU2580901C2/ru

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54Absorbers, e.g. of opaque materials
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/0006Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • B23K26/0624Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses using ultrashort pulses, i.e. pulses of 1ns or less
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/066Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms by using masks
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/352Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
    • B23K26/3568Modifying rugosity
    • B23K26/3584Increasing rugosity, e.g. roughening
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24479Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

1. Способ изготовления маски и/или диафрагмы лазерной установки для создания микроструктур на поверхности твердого тела, в которой промежутки маски и/или диафрагмы, являющиеся непрозрачными для лазерного луча, рассеивают лазерное излучение, отличающийся тем, что промежутки, рассеивающие лазерное излучение, выполняются шероховатыми и модифицируются посредством луча фемтосекундного, или пикосекундного лазера или лазера на молекулах фтора.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что подложка выполнена из кварцевого стекла SiO, или сапфира AlO, или фторида кальция CaFили фторида магния MgF3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что фемтосекундный лазер имеет среднюю длину волны 775 нм или уменьшенный импульс длины волны в два, либо в три раза, а длина волны лазера на молекулах фтора равна 157 нм.4. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что получают маску (78), имеющую ряд прозрачных треугольников, или маску (79), имеющую ряд полос ступенчатой прозрачности.5. Применение маски и диафрагмы, полученных согласно способу по пп.1-4 для создания микроструктуры на поверхности твердого тела, в которой, по крайней мере, одна маска, и, по крайней мере, одна диафрагма установлены во вращающем и поворотном устройстве замены, причем, по крайней мере, одна маска расположена в однородной точке HS блока проектирования маски установки эксимерного лазера и служит для создания концентрирующей дифракционной решетки (77).6. Применение по п.5, отличающееся тем, что концентрирующие решетки (77) расположены в виде массива дифракционной решетки, причем период решетки g варьируется от 0,5 до 5 мкм, и причем концентрирующая решетка может быть линейной или кольцевой.7. Примене�

Claims (20)

1. Способ изготовления маски и/или диафрагмы лазерной установки для создания микроструктур на поверхности твердого тела, в которой промежутки маски и/или диафрагмы, являющиеся непрозрачными для лазерного луча, рассеивают лазерное излучение, отличающийся тем, что промежутки, рассеивающие лазерное излучение, выполняются шероховатыми и модифицируются посредством луча фемтосекундного, или пикосекундного лазера или лазера на молекулах фтора.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что подложка выполнена из кварцевого стекла SiO2, или сапфира Al2O3, или фторида кальция CaF2, или фторида магния MgF2.
3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что фемтосекундный лазер имеет среднюю длину волны 775 нм или уменьшенный импульс длины волны в два, либо в три раза, а длина волны лазера на молекулах фтора равна 157 нм.
4. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что получают маску (78), имеющую ряд прозрачных треугольников, или маску (79), имеющую ряд полос ступенчатой прозрачности.
5. Применение маски и диафрагмы, полученных согласно способу по пп.1-4 для создания микроструктуры на поверхности твердого тела, в которой, по крайней мере, одна маска, и, по крайней мере, одна диафрагма установлены во вращающем и поворотном устройстве замены, причем, по крайней мере, одна маска расположена в однородной точке HS блока проектирования маски установки эксимерного лазера и служит для создания концентрирующей дифракционной решетки (77).
6. Применение по п.5, отличающееся тем, что концентрирующие решетки (77) расположены в виде массива дифракционной решетки, причем период решетки g варьируется от 0,5 до 5 мкм, и причем концентрирующая решетка может быть линейной или кольцевой.
7. Применение по п.5 или 6, отличающееся тем, что каждый массив дифракционной решетки состоит из подобластей, продольные размеры которых имеют значение, при котором подобласти незаметны человеческому глазу и содержат, по крайней мере, один пиксель, являющийся ограниченной микроструктурой дифракционной решетки, предназначенной для получения отдельного спектрального цвета, который дифрагируется при выбранных параметрах решетки и угле падения света αе и при определенном угле дифракции αm в, по крайней мере, одном определенном азимутальном направлении обзора аВ.
8. Применение по п.7, отличающееся тем, что в каждая указанная подобласть содержит, по крайней мере, два пикселя, при этом каждая подобласть имеет различную постоянную решетки для получения двух различных спектральных цветов при том же угле дифракции αm и азимутальном направлении обзора аВ.
9. Применение по п.8, отличающееся тем, что площадь пикселя и/или количество пикселей выбирают таким образом, чтобы различные спектральные цвета налагались друг на друга в, по крайней мере, одном заранее выбранном направлении обзора для получения смешанного цвета.
10. Применение по п.8 или 9, отличающееся тем, что длину волны для основных спектральных цветов - красного, зеленного и синего выбрают в зависимости от предполагаемого применения, причем если смешанный цвет будет видим человеческому глазу, то длина волны для красного цвета равна λкр = 630 нм, зеленого цвета - λзел = 530 нм, синего цвета - λсин = 430 нм.
11. Применение по п.7, отличающееся тем, что подобласти имеют продольный размер с максимальным значением 200 мкм, причем максимальный продольный размер области объединенных пикселей равен 66,67 мкм.
12. Применение по п.7, отличающееся тем, что несколько подобластей применяют для поверхности твердых тел и располагают рядом для формирования знаков, изображений, логотипов или признаков аутенификации.
13. Применение по п.12, отличающееся тем, что поверхностью твердого тела является поверхность твердого материала вала для тиснения или гравировального штампа для тиснения упаковочной пленки, причем эта поверхность покрыта тетраэдрически связанным аморфным углеродом ta-C, или карбидом вольфрама WC, или карбидом бора В4С, или карбидом кремния SiC, или сходным твердым материалом.
14. Устройство для осуществления способа по любому из пп.1-4, отличающееся тем, что первая лазерная установка (L1) для получения концентрирующей дифракционной решетки, решетки с канавками и решетки с ребрами, или решетки с колонками, содержит эксимерный лазер на молекулах фтористого криптона KrF (1) с длиной волны 248 нм, или лазер на молекулах фтористого аргона ArF с длиной волны 193 нм, или лазер на молекулах фтора с длиной волны 157 нм, или эксимерный лазер на молекулах ксенон-хлора с длиной волны 308 нм, причем вторая лазерная установка (L2) для получения волнообразной микроструктуры состоит из фемтосекундного лазера (15) со средней длиной волны 775 нм или с уменьшенным импульсом длины волны в два, либо в три раза, или пикосекундный лазер Nd:YAG с длиной волны 1064 нм, или с длиной волны вдвое короче, либо в три раза короче.
15. Устройство по п.14, отличающееся тем, что между первой лазерной установкой (1) и фокусирующей оптикой 8, расположены, по крайней мере, одна комбинация маски и диафрагмы (18, 6), причем комбинации маски и диафрагмы установлены во вращающем и поворотном устройстве замены, причем устройство замены приспособлено для размещения в нем независимо друг от друга маски (18) и диафрагмы (6) на пути луча (29) лазера (1), причем маска (18) и диафрагма (6) установлены в держателях в течение линейного или вращательного перемещения и вращения вокруг собственной оси.
16. Устройство по п.15, отличающееся тем, что маска (6) является треугольной маской (78) или ленточной маской (79) для получения концентрирующей дифракционной решетки.
17. Устройство по любому из пп. 14-16 для структурирования областей на поверхности вала для тиснения или гравировального штампа для нанесения оптически эффективной дифракционной области на упаковочную пленку.
18. Устройство по любому из пп.14-16 для получения оптически эффективных дифракционных знаков или признаков аутентификации на элементах карманных наручных часов с нанесенным на них покрытием или без такого покрытия, на обычных или сапфировых стеклах карманных наручных часов, на поверхностях монет и декоративных изделий.
19. Упаковочная пленка, обработанная посредством вала для тиснения или структурированная посредством гравировального штампа по п.17, отличающаяся тем, что имеет оптически эффективные дифракционные области и/или признаки аутентификации, и содержит цветные пиксели спектрального цвета или пиксели различного цвета для получения смешанного цвета.
20. Упаковочная пленка по п.19, отличающаяся тем, что пленку подвергают санитарной обработке в местах, где предусмотрены оптически эффективные дифракционные области, признаки аутентификации и/или логотипы.
RU2012124336/28A 2009-12-18 2010-11-22 Способ и устройство для изготовления маски для лазерной установки для получения микроструктур RU2580901C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP09405228A EP2336823A1 (de) 2009-12-18 2009-12-18 Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Masken für eine Laseranlage zur Erzeugung von Mikrostrukturen.
EP09405228.9 2009-12-18
PCT/CH2010/000295 WO2011072409A1 (en) 2009-12-18 2010-11-22 Method and device for producing masks for a laser installation for the production of microstructures

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012124336A true RU2012124336A (ru) 2014-07-10
RU2580901C2 RU2580901C2 (ru) 2016-04-10

Family

ID=42011659

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012124336/28A RU2580901C2 (ru) 2009-12-18 2010-11-22 Способ и устройство для изготовления маски для лазерной установки для получения микроструктур

Country Status (10)

Country Link
US (1) US9939725B2 (ru)
EP (2) EP2336823A1 (ru)
JP (1) JP2013514180A (ru)
CN (1) CN102687072B (ru)
BR (1) BR112012014805A2 (ru)
CA (1) CA2784623C (ru)
DE (1) DE202010018039U1 (ru)
PL (1) PL2513720T3 (ru)
RU (1) RU2580901C2 (ru)
WO (1) WO2011072409A1 (ru)

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5454080B2 (ja) * 2008-10-23 2014-03-26 住友電気工業株式会社 レーザ加工方法およびレーザ加工装置
RU2567138C2 (ru) 2009-03-30 2015-11-10 Боэгли-Гравюр С.А. Способ и устройство для структурирования поверхности твердого тела, покрытого твердым материалом, с помощью лазера
DE202010018040U1 (de) * 2009-03-30 2013-11-25 Boegli-Gravures S.A. Festkörperoberfläche mit einer Hartstoff-Beschichtung mit mindestens einem strukturierten Bereich und Vorrichtung zur Strukturierung
KR20140033452A (ko) * 2011-06-23 2014-03-18 도요세이칸 그룹 홀딩스 가부시키가이샤 구조체, 구조체 형성 방법 및 구조체 형성 장치
EP2572820A1 (de) 2011-09-23 2013-03-27 Boegli-Gravures S.A. Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen einer strukturierten Oberfläche auf eine Prägewalze aus Stahl
CN103889642B (zh) 2011-09-23 2016-04-13 伯格利-格拉维瑞斯股份有限公司 在压花钢辊上产生具有结构的表面的方法和设备
EP2689883A1 (de) 2012-07-24 2014-01-29 Boegli-Gravures S.A. Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen einer strukturierten Oberfläche auf eine Prägewalze aus Stahl
CN102436135A (zh) * 2012-01-07 2012-05-02 聚灿光电科技(苏州)有限公司 无铬光刻板
DE102012112550A1 (de) 2012-12-18 2014-06-18 Lpkf Laser & Electronics Ag Verfahren zur Metallisierung eines Werkstücks sowie ein Schichtaufbau aus einem Werkstück und einer Metallschicht
EP2754524B1 (de) 2013-01-15 2015-11-25 Corning Laser Technologies GmbH Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie
EP2781296B1 (de) 2013-03-21 2020-10-21 Corning Laser Technologies GmbH Vorrichtung und verfahren zum ausschneiden von konturen aus flächigen substraten mittels laser
CN103441063B (zh) * 2013-05-31 2016-06-08 西安交通大学 一种碳化硅微结构的制备方法
US9517963B2 (en) 2013-12-17 2016-12-13 Corning Incorporated Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom
US11556039B2 (en) 2013-12-17 2023-01-17 Corning Incorporated Electrochromic coated glass articles and methods for laser processing the same
US9244356B1 (en) * 2014-04-03 2016-01-26 Rolith, Inc. Transparent metal mesh and method of manufacture
EP2944413A1 (de) 2014-05-12 2015-11-18 Boegli-Gravures S.A. Vorrichtung zur Maskenprojektion von Femtosekunden- und Pikosekunden- Laserstrahlen mit einer Blende, einer Maske und Linsensystemen
WO2015183243A1 (en) 2014-05-27 2015-12-03 Rolith, Inc. Anti-counterfeiting features and methods of fabrication and detection
EP3166895B1 (en) 2014-07-08 2021-11-24 Corning Incorporated Methods and apparatuses for laser processing materials
KR20170028943A (ko) 2014-07-14 2017-03-14 코닝 인코포레이티드 조정가능한 레이저 빔 촛점 라인을 사용하여 투명한 재료를 처리하는 방법 및 시스템
EP3169635B1 (en) * 2014-07-14 2022-11-23 Corning Incorporated Method and system for forming perforations
CH708200A8 (de) * 2014-09-12 2015-03-13 Boegli Gravures Sa Verfahren und Vorrichtung zur Authentifizierung von Identifikations-Merkmalen auf einer Verpackungsfolie.
EP3037253A1 (en) 2014-12-22 2016-06-29 Boegli-Gravures S.A. Micro-embossing
EP3274306B1 (en) 2015-03-24 2021-04-14 Corning Incorporated Laser cutting and processing of display glass compositions
EP3184292A1 (de) 2015-12-22 2017-06-28 Boegli-Gravures S.A. Vorrichtung zum feinprägen von verpackungsmaterial mit einem satz prägewalzen des patrizen-matrizentyps
JP6863371B2 (ja) * 2016-04-22 2021-04-21 凸版印刷株式会社 回折格子表示体及びラベル付き物品
IL245932A (en) * 2016-05-30 2017-10-31 Elbit Systems Land & C4I Ltd System and methods for determining the authenticity of an object that includes a reference image acquisition and a user unit
EP3251825A1 (en) 2016-05-31 2017-12-06 Boegli-Gravures S.A. Method and device for embossing planar material
KR102078294B1 (ko) 2016-09-30 2020-02-17 코닝 인코포레이티드 비-축대칭 빔 스폿을 이용하여 투명 워크피스를 레이저 가공하기 위한 기기 및 방법
EP3300612A1 (en) 2016-10-03 2018-04-04 Boegli-Gravures S.A. Paper joint without discontinuity for tube shaped paper wraps closed by means of embossed paper and re-sealable innerliner seal by means of structured innerliner
WO2018081031A1 (en) 2016-10-24 2018-05-03 Corning Incorporated Substrate processing station for laser-based machining of sheet-like glass substrates
EP3339012A1 (en) 2016-12-20 2018-06-27 Boegli-Gravures S.A. Method and embossing structure for maximizing pressure buildup at rotational embossing of foils
EP3415306A1 (en) 2017-06-14 2018-12-19 Boegli-Gravures S.A. Method and embossing structure using high density pressure for creating shadowed or curved highly reflective areas on rotationally embossed foils
CN107322167A (zh) * 2017-07-10 2017-11-07 北京工业大学 一种在玻璃表面产生规则纹理结构的方法
EP3437849A1 (en) 2017-08-03 2019-02-06 Boegli-Gravures SA Tool and method for embossing packaging material with an embossing pattern having a code with low visibility
US11819894B2 (en) 2018-06-26 2023-11-21 Boegli-Gravures Sa Method and device for embossing relief structures
CA3132943A1 (fr) 2019-04-16 2020-10-22 Aperam Procede de realisation d'un effet d'irisation sur la surface d'un materiau, et dispositifs pour sa mise en oeuvre
CN113205899B (zh) * 2021-04-25 2023-02-28 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种x射线折射闪耀光栅及制备方法
CN114160982A (zh) * 2021-12-06 2022-03-11 山西大学 一种激光散斑微结构的加工系统及加工方法

Family Cites Families (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT393334B (de) * 1988-01-22 1991-09-25 Ims Ionen Mikrofab Syst Anordnung zur stabilisierung einer bestrahlten maske
EP0375833B1 (de) * 1988-12-12 1993-02-10 Landis & Gyr Technology Innovation AG Optisch variables Flächenmuster
US5091979A (en) * 1991-03-22 1992-02-25 At&T Bell Laboratories Sub-micron imaging
US5909313A (en) * 1993-05-25 1999-06-01 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Multiple image diffractive device
JP2634152B2 (ja) * 1994-03-30 1997-07-23 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション レーザ磨耗マスクおよびその製造方法
US5523543A (en) * 1994-09-09 1996-06-04 Litel Instruments Laser ablation control system and method
US5720894A (en) * 1996-01-11 1998-02-24 The Regents Of The University Of California Ultrashort pulse high repetition rate laser system for biological tissue processing
JP3412416B2 (ja) * 1996-10-03 2003-06-03 ウシオ電機株式会社 ガラスマーキング方法
JPH10113780A (ja) * 1996-10-14 1998-05-06 Nikon Corp レーザ加工装置、レーザ加工方法、および、回折格子
JP3094933B2 (ja) * 1997-01-17 2000-10-03 キヤノン株式会社 光加工機及びそれを用いたオリフィスプレートの製造方法
JP2001062574A (ja) 1999-06-25 2001-03-13 Kanagawa Acad Of Sci & Technol 微細加工装置
CN1191909C (zh) * 1999-11-30 2005-03-09 佳能株式会社 激光腐蚀方法及其装置
US6340806B1 (en) * 1999-12-28 2002-01-22 General Scanning Inc. Energy-efficient method and system for processing target material using an amplified, wavelength-shifted pulse train
JP2001305367A (ja) 2000-04-26 2001-10-31 Sharp Corp 光学部品と光モジュールおよび光学部品の形成方法
JP2002011589A (ja) * 2000-06-28 2002-01-15 Hitachi Ltd レーザ加工用マスクとその製造方法、製造装置、及びレーザアブレーション加工装置、並びに該マスクを用いて製作した画像表示装置
US6929886B2 (en) * 2001-01-02 2005-08-16 U-C-Laser Ltd. Method and apparatus for the manufacturing of reticles
US6951627B2 (en) * 2002-04-26 2005-10-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of drilling holes with precision laser micromachining
US7751608B2 (en) * 2004-06-30 2010-07-06 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) Model-based synthesis of band moire images for authenticating security documents and valuable products
EP1437213A1 (de) * 2002-12-23 2004-07-14 Boegli-Gravures S.A. Vorrichtung zum Satinieren und Prägen von Flachmaterial
US20040161709A1 (en) * 2003-02-10 2004-08-19 Schroeder Joseph F. Laser-written optical structures within calcium fluoride and other crystal materials
JP4231924B2 (ja) * 2003-03-27 2009-03-04 独立行政法人産業技術総合研究所 透明材料の微細加工装置
EP1662552A1 (en) * 2003-04-11 2006-05-31 Ball Semiconductor Inc. Pattern plotting device and pattern plotting method
GB0323922D0 (en) * 2003-10-11 2003-11-12 Univ Aston Laser inscription of optical structures in laser crystals
ATE439612T1 (de) * 2003-12-05 2009-08-15 3M Innovative Properties Co Prozess zur herstellung von photonischen kristallen
JP3708104B2 (ja) * 2004-01-13 2005-10-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
DE102004003984A1 (de) * 2004-01-26 2005-08-11 Giesecke & Devrient Gmbh Gitterbild mit einem oder mehreren Gitterfeldern
US7057135B2 (en) 2004-03-04 2006-06-06 Matsushita Electric Industrial, Co. Ltd. Method of precise laser nanomachining with UV ultrafast laser pulses
US7198961B2 (en) * 2004-03-30 2007-04-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for modifying existing micro-and nano-structures using a near-field scanning optical microscope
US7486705B2 (en) * 2004-03-31 2009-02-03 Imra America, Inc. Femtosecond laser processing system with process parameters, controls and feedback
US7687740B2 (en) * 2004-06-18 2010-03-30 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laterally spaced laser beam spots delivering multiple blows
EP1609588B1 (de) 2004-06-22 2010-06-02 Boegli-Gravures S.A. Vorrichtung und Verfahren zum Satinieren und Prägen von Flachmaterial
RU2007106713A (ru) * 2004-07-26 2008-09-10 Опсек Секьюрити Груп, Инк. (Us) Структура основанной на дифракции оптической решетки и способ ее создания
CN100480863C (zh) * 2004-08-25 2009-04-22 精工爱普生株式会社 微细结构体的制造方法、曝光装置、电子仪器
JP4486472B2 (ja) * 2004-10-26 2010-06-23 東京エレクトロン株式会社 レーザー処理装置及びその方法
US7376307B2 (en) * 2004-10-29 2008-05-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd Multimode long period fiber bragg grating machined by ultrafast laser direct writing
US7349599B1 (en) * 2005-03-14 2008-03-25 Lightsmyth Technologies Inc Etched surface gratings fabricated using computed interference between simulated optical signals and reduction lithography
WO2007012215A1 (de) 2005-07-28 2007-02-01 Boegli-Gravures Sa Verfahren und vorrichtung zur gezielten strukturierung einer oberfläche mit einer laseranlage
DE102005048366A1 (de) * 2005-10-10 2007-04-19 X-Fab Semiconductor Foundries Ag Verfahren zur Herstellung von defektarmen selbstorganisierten nadelartigen Strukturen mit Nano-Dimensionen im Bereich unterhalb der üblichen Lichtwellenlängen mit großem Aspektverhältnis
US7732351B2 (en) * 2006-09-21 2010-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device and laser processing apparatus
JP2008225322A (ja) 2007-03-15 2008-09-25 Dainippon Printing Co Ltd 微細な凹凸部を有する光回折構造
JP2008229701A (ja) * 2007-03-23 2008-10-02 Japan Steel Works Ltd:The 微細表面凹凸形状材の製造方法および電界放射型ディスプレイ
EP2027993A1 (de) * 2007-08-23 2009-02-25 Boegli-Gravures S.A. Vorrichtung zur Vorbereitung von Verpackungspapier auf den anschliessenden Verpackungsprozess
JP5260026B2 (ja) 2007-10-23 2013-08-14 東ソー・クォーツ株式会社 管状石英ガラス治具の製造方法
US8541066B2 (en) * 2007-11-26 2013-09-24 University Of North Carolina At Charlotte Light-induced directed self-assembly of periodic sub-wavelength nanostructures
JP2010145800A (ja) * 2008-12-19 2010-07-01 Elpida Memory Inc 位相シフトマスクおよびその製造方法、ならびに集積回路の製造方法
DE202010018040U1 (de) * 2009-03-30 2013-11-25 Boegli-Gravures S.A. Festkörperoberfläche mit einer Hartstoff-Beschichtung mit mindestens einem strukturierten Bereich und Vorrichtung zur Strukturierung
CN101571603A (zh) * 2009-06-02 2009-11-04 中国科学院上海光学精密机械研究所 应用飞秒激光在石英玻璃基体上制备微光学元件的方法
US9335468B2 (en) * 2010-02-11 2016-05-10 The Hong Kong Polytechnic University Fiber bragg grating in micro/nanofiber and method of producing the same

Also Published As

Publication number Publication date
EP2513720B1 (en) 2016-03-16
WO2011072409A1 (en) 2011-06-23
CN102687072A (zh) 2012-09-19
CA2784623A1 (en) 2011-06-23
RU2580901C2 (ru) 2016-04-10
EP2513720A1 (en) 2012-10-24
US20120237731A1 (en) 2012-09-20
BR112012014805A2 (pt) 2016-08-16
CA2784623C (en) 2018-04-24
US9939725B2 (en) 2018-04-10
JP2013514180A (ja) 2013-04-25
PL2513720T3 (pl) 2016-07-29
CN102687072B (zh) 2015-05-20
DE202010018039U1 (de) 2013-12-02
EP2336823A1 (de) 2011-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012124336A (ru) Способ и устройство для изготовления маски для лазерной установки для получения микроструктур
RU2012124337A (ru) Способ и устройство для создания цветных картин с использованием дифракционной решетки
ES2534982T3 (es) Procedimiento y dispositivo para estructurar una superficie de cuerpo sólido con un revestimiento duro con un primer láser con pulsos en el campo de nanosegundos y un segundo láser con pulsos en el campo de pico- o femtosegundos; lámina de embalaje
RU2573160C2 (ru) Способ и устройство для структурирования поверхности твердого тела покрытого твердым материалом, с помощью лазера
RU2635776C2 (ru) Защитный элемент с выполненными в форме желобков или ребер структурными элементами
CN105313529B (zh) 光学防伪元件及使用该光学防伪元件的防伪产品
AU2013310859A1 (en) Security element and security document
CN107206724A (zh) 微压印
AU2003283371A1 (en) Layer arrangement provided with a structure producing a diffractive optical effect and a lens-type effect
JP2014508330A (ja) セルのタイル張りからなる複数の層を有する透明な光学素子
Teutoburg-Weiss et al. Structural colors with embedded anti-counterfeit features fabricated by laser-based methods
WO2018067022A1 (en) Spacial diffraction grid
JP3684294B2 (ja) 回転体
Bradman Design and fabrication of diffractive lenses for visible and near infrared wavelengths

Legal Events

Date Code Title Description
HE9A Changing address for correspondence with an applicant
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20191123