RU2012124336A - Способ и устройство для изготовления маски для лазерной установки для получения микроструктур - Google Patents
Способ и устройство для изготовления маски для лазерной установки для получения микроструктур Download PDFInfo
- Publication number
- RU2012124336A RU2012124336A RU2012124336/28A RU2012124336A RU2012124336A RU 2012124336 A RU2012124336 A RU 2012124336A RU 2012124336/28 A RU2012124336/28 A RU 2012124336/28A RU 2012124336 A RU2012124336 A RU 2012124336A RU 2012124336 A RU2012124336 A RU 2012124336A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- mask
- laser
- wavelength
- diaphragm
- grating
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/0006—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
- B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
- B23K26/0624—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses using ultrashort pulses, i.e. pulses of 1ns or less
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
- B23K26/066—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms by using masks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
- B23K26/3568—Modifying rugosity
- B23K26/3584—Increasing rugosity, e.g. roughening
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
1. Способ изготовления маски и/или диафрагмы лазерной установки для создания микроструктур на поверхности твердого тела, в которой промежутки маски и/или диафрагмы, являющиеся непрозрачными для лазерного луча, рассеивают лазерное излучение, отличающийся тем, что промежутки, рассеивающие лазерное излучение, выполняются шероховатыми и модифицируются посредством луча фемтосекундного, или пикосекундного лазера или лазера на молекулах фтора.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что подложка выполнена из кварцевого стекла SiO, или сапфира AlO, или фторида кальция CaFили фторида магния MgF3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что фемтосекундный лазер имеет среднюю длину волны 775 нм или уменьшенный импульс длины волны в два, либо в три раза, а длина волны лазера на молекулах фтора равна 157 нм.4. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что получают маску (78), имеющую ряд прозрачных треугольников, или маску (79), имеющую ряд полос ступенчатой прозрачности.5. Применение маски и диафрагмы, полученных согласно способу по пп.1-4 для создания микроструктуры на поверхности твердого тела, в которой, по крайней мере, одна маска, и, по крайней мере, одна диафрагма установлены во вращающем и поворотном устройстве замены, причем, по крайней мере, одна маска расположена в однородной точке HS блока проектирования маски установки эксимерного лазера и служит для создания концентрирующей дифракционной решетки (77).6. Применение по п.5, отличающееся тем, что концентрирующие решетки (77) расположены в виде массива дифракционной решетки, причем период решетки g варьируется от 0,5 до 5 мкм, и причем концентрирующая решетка может быть линейной или кольцевой.7. Примене�
Claims (20)
1. Способ изготовления маски и/или диафрагмы лазерной установки для создания микроструктур на поверхности твердого тела, в которой промежутки маски и/или диафрагмы, являющиеся непрозрачными для лазерного луча, рассеивают лазерное излучение, отличающийся тем, что промежутки, рассеивающие лазерное излучение, выполняются шероховатыми и модифицируются посредством луча фемтосекундного, или пикосекундного лазера или лазера на молекулах фтора.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что подложка выполнена из кварцевого стекла SiO2, или сапфира Al2O3, или фторида кальция CaF2, или фторида магния MgF2.
3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что фемтосекундный лазер имеет среднюю длину волны 775 нм или уменьшенный импульс длины волны в два, либо в три раза, а длина волны лазера на молекулах фтора равна 157 нм.
4. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что получают маску (78), имеющую ряд прозрачных треугольников, или маску (79), имеющую ряд полос ступенчатой прозрачности.
5. Применение маски и диафрагмы, полученных согласно способу по пп.1-4 для создания микроструктуры на поверхности твердого тела, в которой, по крайней мере, одна маска, и, по крайней мере, одна диафрагма установлены во вращающем и поворотном устройстве замены, причем, по крайней мере, одна маска расположена в однородной точке HS блока проектирования маски установки эксимерного лазера и служит для создания концентрирующей дифракционной решетки (77).
6. Применение по п.5, отличающееся тем, что концентрирующие решетки (77) расположены в виде массива дифракционной решетки, причем период решетки g варьируется от 0,5 до 5 мкм, и причем концентрирующая решетка может быть линейной или кольцевой.
7. Применение по п.5 или 6, отличающееся тем, что каждый массив дифракционной решетки состоит из подобластей, продольные размеры которых имеют значение, при котором подобласти незаметны человеческому глазу и содержат, по крайней мере, один пиксель, являющийся ограниченной микроструктурой дифракционной решетки, предназначенной для получения отдельного спектрального цвета, который дифрагируется при выбранных параметрах решетки и угле падения света αе и при определенном угле дифракции αm в, по крайней мере, одном определенном азимутальном направлении обзора аВ.
8. Применение по п.7, отличающееся тем, что в каждая указанная подобласть содержит, по крайней мере, два пикселя, при этом каждая подобласть имеет различную постоянную решетки для получения двух различных спектральных цветов при том же угле дифракции αm и азимутальном направлении обзора аВ.
9. Применение по п.8, отличающееся тем, что площадь пикселя и/или количество пикселей выбирают таким образом, чтобы различные спектральные цвета налагались друг на друга в, по крайней мере, одном заранее выбранном направлении обзора для получения смешанного цвета.
10. Применение по п.8 или 9, отличающееся тем, что длину волны для основных спектральных цветов - красного, зеленного и синего выбрают в зависимости от предполагаемого применения, причем если смешанный цвет будет видим человеческому глазу, то длина волны для красного цвета равна λкр = 630 нм, зеленого цвета - λзел = 530 нм, синего цвета - λсин = 430 нм.
11. Применение по п.7, отличающееся тем, что подобласти имеют продольный размер с максимальным значением 200 мкм, причем максимальный продольный размер области объединенных пикселей равен 66,67 мкм.
12. Применение по п.7, отличающееся тем, что несколько подобластей применяют для поверхности твердых тел и располагают рядом для формирования знаков, изображений, логотипов или признаков аутенификации.
13. Применение по п.12, отличающееся тем, что поверхностью твердого тела является поверхность твердого материала вала для тиснения или гравировального штампа для тиснения упаковочной пленки, причем эта поверхность покрыта тетраэдрически связанным аморфным углеродом ta-C, или карбидом вольфрама WC, или карбидом бора В4С, или карбидом кремния SiC, или сходным твердым материалом.
14. Устройство для осуществления способа по любому из пп.1-4, отличающееся тем, что первая лазерная установка (L1) для получения концентрирующей дифракционной решетки, решетки с канавками и решетки с ребрами, или решетки с колонками, содержит эксимерный лазер на молекулах фтористого криптона KrF (1) с длиной волны 248 нм, или лазер на молекулах фтористого аргона ArF с длиной волны 193 нм, или лазер на молекулах фтора с длиной волны 157 нм, или эксимерный лазер на молекулах ксенон-хлора с длиной волны 308 нм, причем вторая лазерная установка (L2) для получения волнообразной микроструктуры состоит из фемтосекундного лазера (15) со средней длиной волны 775 нм или с уменьшенным импульсом длины волны в два, либо в три раза, или пикосекундный лазер Nd:YAG с длиной волны 1064 нм, или с длиной волны вдвое короче, либо в три раза короче.
15. Устройство по п.14, отличающееся тем, что между первой лазерной установкой (1) и фокусирующей оптикой 8, расположены, по крайней мере, одна комбинация маски и диафрагмы (18, 6), причем комбинации маски и диафрагмы установлены во вращающем и поворотном устройстве замены, причем устройство замены приспособлено для размещения в нем независимо друг от друга маски (18) и диафрагмы (6) на пути луча (29) лазера (1), причем маска (18) и диафрагма (6) установлены в держателях в течение линейного или вращательного перемещения и вращения вокруг собственной оси.
16. Устройство по п.15, отличающееся тем, что маска (6) является треугольной маской (78) или ленточной маской (79) для получения концентрирующей дифракционной решетки.
17. Устройство по любому из пп. 14-16 для структурирования областей на поверхности вала для тиснения или гравировального штампа для нанесения оптически эффективной дифракционной области на упаковочную пленку.
18. Устройство по любому из пп.14-16 для получения оптически эффективных дифракционных знаков или признаков аутентификации на элементах карманных наручных часов с нанесенным на них покрытием или без такого покрытия, на обычных или сапфировых стеклах карманных наручных часов, на поверхностях монет и декоративных изделий.
19. Упаковочная пленка, обработанная посредством вала для тиснения или структурированная посредством гравировального штампа по п.17, отличающаяся тем, что имеет оптически эффективные дифракционные области и/или признаки аутентификации, и содержит цветные пиксели спектрального цвета или пиксели различного цвета для получения смешанного цвета.
20. Упаковочная пленка по п.19, отличающаяся тем, что пленку подвергают санитарной обработке в местах, где предусмотрены оптически эффективные дифракционные области, признаки аутентификации и/или логотипы.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP09405228.9 | 2009-12-18 | ||
EP09405228A EP2336823A1 (de) | 2009-12-18 | 2009-12-18 | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Masken für eine Laseranlage zur Erzeugung von Mikrostrukturen. |
PCT/CH2010/000295 WO2011072409A1 (en) | 2009-12-18 | 2010-11-22 | Method and device for producing masks for a laser installation for the production of microstructures |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2012124336A true RU2012124336A (ru) | 2014-07-10 |
RU2580901C2 RU2580901C2 (ru) | 2016-04-10 |
Family
ID=42011659
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2012124336/28A RU2580901C2 (ru) | 2009-12-18 | 2010-11-22 | Способ и устройство для изготовления маски для лазерной установки для получения микроструктур |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9939725B2 (ru) |
EP (2) | EP2336823A1 (ru) |
JP (1) | JP2013514180A (ru) |
CN (1) | CN102687072B (ru) |
BR (1) | BR112012014805A2 (ru) |
CA (1) | CA2784623C (ru) |
DE (1) | DE202010018039U1 (ru) |
PL (1) | PL2513720T3 (ru) |
RU (1) | RU2580901C2 (ru) |
WO (1) | WO2011072409A1 (ru) |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5454080B2 (ja) * | 2008-10-23 | 2014-03-26 | 住友電気工業株式会社 | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 |
ES2534982T5 (es) | 2009-03-30 | 2019-12-12 | Boegli Gravures Sa | Procedimiento y dispositivo para estructurar una superficie de cuerpo sólido con un revestimiento duro con un primer láser con pulsos en el campo de nanosegundos y un segundo láser con pulsos en el campo de pico- o femtosegundos; lámina de embalaje |
CN102369082B (zh) * | 2009-03-30 | 2016-04-06 | 伯格利-格拉维瑞斯股份有限公司 | 用于使用激光器借助于掩模和光阑构造具有硬质涂覆的固体表面的方法和设备 |
CN103582571A (zh) * | 2011-06-23 | 2014-02-12 | 东洋制罐集团控股株式会社 | 结构体、结构体形成方法及结构体形成装置 |
EP2572820A1 (de) | 2011-09-23 | 2013-03-27 | Boegli-Gravures S.A. | Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen einer strukturierten Oberfläche auf eine Prägewalze aus Stahl |
ES2723791T3 (es) | 2011-09-23 | 2019-09-02 | Boegli Gravures Sa | Método y dispositivo para producir una superficie estructurada sobre un rodillo de estampación de acero |
EP2689883A1 (de) | 2012-07-24 | 2014-01-29 | Boegli-Gravures S.A. | Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen einer strukturierten Oberfläche auf eine Prägewalze aus Stahl |
CN102436135A (zh) * | 2012-01-07 | 2012-05-02 | 聚灿光电科技(苏州)有限公司 | 无铬光刻板 |
DE102012112550A1 (de) * | 2012-12-18 | 2014-06-18 | Lpkf Laser & Electronics Ag | Verfahren zur Metallisierung eines Werkstücks sowie ein Schichtaufbau aus einem Werkstück und einer Metallschicht |
EP2754524B1 (de) | 2013-01-15 | 2015-11-25 | Corning Laser Technologies GmbH | Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie |
EP2781296B1 (de) | 2013-03-21 | 2020-10-21 | Corning Laser Technologies GmbH | Vorrichtung und verfahren zum ausschneiden von konturen aus flächigen substraten mittels laser |
CN103441063B (zh) * | 2013-05-31 | 2016-06-08 | 西安交通大学 | 一种碳化硅微结构的制备方法 |
US10293436B2 (en) | 2013-12-17 | 2019-05-21 | Corning Incorporated | Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom |
US11556039B2 (en) | 2013-12-17 | 2023-01-17 | Corning Incorporated | Electrochromic coated glass articles and methods for laser processing the same |
US9244356B1 (en) * | 2014-04-03 | 2016-01-26 | Rolith, Inc. | Transparent metal mesh and method of manufacture |
EP2944413A1 (de) | 2014-05-12 | 2015-11-18 | Boegli-Gravures S.A. | Vorrichtung zur Maskenprojektion von Femtosekunden- und Pikosekunden- Laserstrahlen mit einer Blende, einer Maske und Linsensystemen |
WO2015183243A1 (en) | 2014-05-27 | 2015-12-03 | Rolith, Inc. | Anti-counterfeiting features and methods of fabrication and detection |
JP2017521259A (ja) | 2014-07-08 | 2017-08-03 | コーニング インコーポレイテッド | 材料をレーザ加工するための方法および装置 |
JP2017530867A (ja) | 2014-07-14 | 2017-10-19 | コーニング インコーポレイテッド | 長さおよび直径の調節可能なレーザビーム焦線を用いて透明材料を加工するためのシステムおよび方法 |
CN208586209U (zh) * | 2014-07-14 | 2019-03-08 | 康宁股份有限公司 | 一种用于在工件中形成限定轮廓的多个缺陷的系统 |
CH708200A8 (de) * | 2014-09-12 | 2015-03-13 | Boegli Gravures Sa | Verfahren und Vorrichtung zur Authentifizierung von Identifikations-Merkmalen auf einer Verpackungsfolie. |
EP3037253A1 (en) | 2014-12-22 | 2016-06-29 | Boegli-Gravures S.A. | Micro-embossing |
CN107922237B (zh) | 2015-03-24 | 2022-04-01 | 康宁股份有限公司 | 显示器玻璃组合物的激光切割和加工 |
EP3184292A1 (de) | 2015-12-22 | 2017-06-28 | Boegli-Gravures S.A. | Vorrichtung zum feinprägen von verpackungsmaterial mit einem satz prägewalzen des patrizen-matrizentyps |
WO2017183718A1 (ja) | 2016-04-22 | 2017-10-26 | 凸版印刷株式会社 | 回折格子表示体及びラベル付き物品 |
IL245932A (en) * | 2016-05-30 | 2017-10-31 | Elbit Systems Land & C4I Ltd | System and methods for determining the authenticity of an object that includes a reference image acquisition and a user unit |
EP3251825A1 (en) | 2016-05-31 | 2017-12-06 | Boegli-Gravures S.A. | Method and device for embossing planar material |
KR102078294B1 (ko) | 2016-09-30 | 2020-02-17 | 코닝 인코포레이티드 | 비-축대칭 빔 스폿을 이용하여 투명 워크피스를 레이저 가공하기 위한 기기 및 방법 |
EP3300612A1 (en) | 2016-10-03 | 2018-04-04 | Boegli-Gravures S.A. | Paper joint without discontinuity for tube shaped paper wraps closed by means of embossed paper and re-sealable innerliner seal by means of structured innerliner |
WO2018081031A1 (en) | 2016-10-24 | 2018-05-03 | Corning Incorporated | Substrate processing station for laser-based machining of sheet-like glass substrates |
EP3339012A1 (en) | 2016-12-20 | 2018-06-27 | Boegli-Gravures S.A. | Method and embossing structure for maximizing pressure buildup at rotational embossing of foils |
EP3415306A1 (en) | 2017-06-14 | 2018-12-19 | Boegli-Gravures S.A. | Method and embossing structure using high density pressure for creating shadowed or curved highly reflective areas on rotationally embossed foils |
CN107322167A (zh) * | 2017-07-10 | 2017-11-07 | 北京工业大学 | 一种在玻璃表面产生规则纹理结构的方法 |
EP3437849A1 (en) | 2017-08-03 | 2019-02-06 | Boegli-Gravures SA | Tool and method for embossing packaging material with an embossing pattern having a code with low visibility |
US11819894B2 (en) | 2018-06-26 | 2023-11-21 | Boegli-Gravures Sa | Method and device for embossing relief structures |
JP7366150B2 (ja) | 2019-04-16 | 2023-10-20 | アペラム | 材料の表面上に虹色効果を生み出すための方法および該方法を実施するためのデバイス |
CN113205899B (zh) * | 2021-04-25 | 2023-02-28 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 一种x射线折射闪耀光栅及制备方法 |
CN114160982A (zh) * | 2021-12-06 | 2022-03-11 | 山西大学 | 一种激光散斑微结构的加工系统及加工方法 |
Family Cites Families (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT393334B (de) * | 1988-01-22 | 1991-09-25 | Ims Ionen Mikrofab Syst | Anordnung zur stabilisierung einer bestrahlten maske |
EP0375833B1 (de) * | 1988-12-12 | 1993-02-10 | Landis & Gyr Technology Innovation AG | Optisch variables Flächenmuster |
US5091979A (en) * | 1991-03-22 | 1992-02-25 | At&T Bell Laboratories | Sub-micron imaging |
DE69428700T2 (de) * | 1993-05-25 | 2002-08-01 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation, Campbell | Diffraktionsvorrichtung mit mehreren abbildungen |
JP2634152B2 (ja) * | 1994-03-30 | 1997-07-23 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | レーザ磨耗マスクおよびその製造方法 |
US5523543A (en) * | 1994-09-09 | 1996-06-04 | Litel Instruments | Laser ablation control system and method |
US5720894A (en) * | 1996-01-11 | 1998-02-24 | The Regents Of The University Of California | Ultrashort pulse high repetition rate laser system for biological tissue processing |
JP3412416B2 (ja) * | 1996-10-03 | 2003-06-03 | ウシオ電機株式会社 | ガラスマーキング方法 |
JPH10113780A (ja) * | 1996-10-14 | 1998-05-06 | Nikon Corp | レーザ加工装置、レーザ加工方法、および、回折格子 |
JP3094933B2 (ja) * | 1997-01-17 | 2000-10-03 | キヤノン株式会社 | 光加工機及びそれを用いたオリフィスプレートの製造方法 |
JP2001062574A (ja) * | 1999-06-25 | 2001-03-13 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | 微細加工装置 |
CN1191909C (zh) * | 1999-11-30 | 2005-03-09 | 佳能株式会社 | 激光腐蚀方法及其装置 |
US6340806B1 (en) * | 1999-12-28 | 2002-01-22 | General Scanning Inc. | Energy-efficient method and system for processing target material using an amplified, wavelength-shifted pulse train |
JP2001305367A (ja) * | 2000-04-26 | 2001-10-31 | Sharp Corp | 光学部品と光モジュールおよび光学部品の形成方法 |
JP2002011589A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-01-15 | Hitachi Ltd | レーザ加工用マスクとその製造方法、製造装置、及びレーザアブレーション加工装置、並びに該マスクを用いて製作した画像表示装置 |
US6929886B2 (en) * | 2001-01-02 | 2005-08-16 | U-C-Laser Ltd. | Method and apparatus for the manufacturing of reticles |
US6951627B2 (en) * | 2002-04-26 | 2005-10-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of drilling holes with precision laser micromachining |
US7751608B2 (en) * | 2004-06-30 | 2010-07-06 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) | Model-based synthesis of band moire images for authenticating security documents and valuable products |
EP1437213A1 (de) * | 2002-12-23 | 2004-07-14 | Boegli-Gravures S.A. | Vorrichtung zum Satinieren und Prägen von Flachmaterial |
US20040161709A1 (en) * | 2003-02-10 | 2004-08-19 | Schroeder Joseph F. | Laser-written optical structures within calcium fluoride and other crystal materials |
JP4231924B2 (ja) * | 2003-03-27 | 2009-03-04 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 透明材料の微細加工装置 |
TWI356973B (en) * | 2003-04-11 | 2012-01-21 | Tadahiro Ohmi | Pattern drawing apparatus and pattern drawing meth |
GB0323922D0 (en) * | 2003-10-11 | 2003-11-12 | Univ Aston | Laser inscription of optical structures in laser crystals |
AU2003304694A1 (en) * | 2003-12-05 | 2005-08-12 | 3M Innovative Properties Company | Process for producing photonic crystals and controlled defects therein |
JP3708104B2 (ja) * | 2004-01-13 | 2005-10-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
DE102004003984A1 (de) * | 2004-01-26 | 2005-08-11 | Giesecke & Devrient Gmbh | Gitterbild mit einem oder mehreren Gitterfeldern |
US7057135B2 (en) | 2004-03-04 | 2006-06-06 | Matsushita Electric Industrial, Co. Ltd. | Method of precise laser nanomachining with UV ultrafast laser pulses |
US7198961B2 (en) * | 2004-03-30 | 2007-04-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for modifying existing micro-and nano-structures using a near-field scanning optical microscope |
US7486705B2 (en) * | 2004-03-31 | 2009-02-03 | Imra America, Inc. | Femtosecond laser processing system with process parameters, controls and feedback |
US7687740B2 (en) * | 2004-06-18 | 2010-03-30 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laterally spaced laser beam spots delivering multiple blows |
DE502005009665D1 (de) * | 2004-06-22 | 2010-07-15 | Boegli Gravures Sa | Vorrichtung und Verfahren zum Satinieren und Prägen von Flachmaterial |
US20060018021A1 (en) * | 2004-07-26 | 2006-01-26 | Applied Opsec, Inc. | Diffraction-based optical grating structure and method of creating the same |
CN100480863C (zh) * | 2004-08-25 | 2009-04-22 | 精工爱普生株式会社 | 微细结构体的制造方法、曝光装置、电子仪器 |
JP4486472B2 (ja) * | 2004-10-26 | 2010-06-23 | 東京エレクトロン株式会社 | レーザー処理装置及びその方法 |
US7376307B2 (en) * | 2004-10-29 | 2008-05-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Multimode long period fiber bragg grating machined by ultrafast laser direct writing |
US7349599B1 (en) * | 2005-03-14 | 2008-03-25 | Lightsmyth Technologies Inc | Etched surface gratings fabricated using computed interference between simulated optical signals and reduction lithography |
WO2007012215A1 (de) | 2005-07-28 | 2007-02-01 | Boegli-Gravures Sa | Verfahren und vorrichtung zur gezielten strukturierung einer oberfläche mit einer laseranlage |
DE102005048366A1 (de) * | 2005-10-10 | 2007-04-19 | X-Fab Semiconductor Foundries Ag | Verfahren zur Herstellung von defektarmen selbstorganisierten nadelartigen Strukturen mit Nano-Dimensionen im Bereich unterhalb der üblichen Lichtwellenlängen mit großem Aspektverhältnis |
US7732351B2 (en) * | 2006-09-21 | 2010-06-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device and laser processing apparatus |
JP2008225322A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Dainippon Printing Co Ltd | 微細な凹凸部を有する光回折構造 |
JP2008229701A (ja) | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Japan Steel Works Ltd:The | 微細表面凹凸形状材の製造方法および電界放射型ディスプレイ |
EP2027993A1 (de) * | 2007-08-23 | 2009-02-25 | Boegli-Gravures S.A. | Vorrichtung zur Vorbereitung von Verpackungspapier auf den anschliessenden Verpackungsprozess |
JP5260026B2 (ja) * | 2007-10-23 | 2013-08-14 | 東ソー・クォーツ株式会社 | 管状石英ガラス治具の製造方法 |
US8541066B2 (en) * | 2007-11-26 | 2013-09-24 | University Of North Carolina At Charlotte | Light-induced directed self-assembly of periodic sub-wavelength nanostructures |
JP2010145800A (ja) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Elpida Memory Inc | 位相シフトマスクおよびその製造方法、ならびに集積回路の製造方法 |
CN102369082B (zh) * | 2009-03-30 | 2016-04-06 | 伯格利-格拉维瑞斯股份有限公司 | 用于使用激光器借助于掩模和光阑构造具有硬质涂覆的固体表面的方法和设备 |
CN101571603A (zh) * | 2009-06-02 | 2009-11-04 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 应用飞秒激光在石英玻璃基体上制备微光学元件的方法 |
US9335468B2 (en) * | 2010-02-11 | 2016-05-10 | The Hong Kong Polytechnic University | Fiber bragg grating in micro/nanofiber and method of producing the same |
-
2009
- 2009-12-18 EP EP09405228A patent/EP2336823A1/de not_active Withdrawn
-
2010
- 2010-11-22 JP JP2012543432A patent/JP2013514180A/ja active Pending
- 2010-11-22 CN CN201080057395.9A patent/CN102687072B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-11-22 DE DE202010018039U patent/DE202010018039U1/de not_active Expired - Lifetime
- 2010-11-22 US US13/513,925 patent/US9939725B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-11-22 EP EP10785320.2A patent/EP2513720B1/en not_active Not-in-force
- 2010-11-22 WO PCT/CH2010/000295 patent/WO2011072409A1/en active Application Filing
- 2010-11-22 CA CA2784623A patent/CA2784623C/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-11-22 RU RU2012124336/28A patent/RU2580901C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2010-11-22 BR BR112012014805A patent/BR112012014805A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2010-11-22 PL PL10785320T patent/PL2513720T3/pl unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102687072A (zh) | 2012-09-19 |
US9939725B2 (en) | 2018-04-10 |
EP2336823A1 (de) | 2011-06-22 |
CA2784623C (en) | 2018-04-24 |
CA2784623A1 (en) | 2011-06-23 |
EP2513720A1 (en) | 2012-10-24 |
WO2011072409A1 (en) | 2011-06-23 |
CN102687072B (zh) | 2015-05-20 |
EP2513720B1 (en) | 2016-03-16 |
PL2513720T3 (pl) | 2016-07-29 |
BR112012014805A2 (pt) | 2016-08-16 |
RU2580901C2 (ru) | 2016-04-10 |
JP2013514180A (ja) | 2013-04-25 |
DE202010018039U1 (de) | 2013-12-02 |
US20120237731A1 (en) | 2012-09-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2012124336A (ru) | Способ и устройство для изготовления маски для лазерной установки для получения микроструктур | |
RU2012124337A (ru) | Способ и устройство для создания цветных картин с использованием дифракционной решетки | |
ES2534982T3 (es) | Procedimiento y dispositivo para estructurar una superficie de cuerpo sólido con un revestimiento duro con un primer láser con pulsos en el campo de nanosegundos y un segundo láser con pulsos en el campo de pico- o femtosegundos; lámina de embalaje | |
RU2573160C2 (ru) | Способ и устройство для структурирования поверхности твердого тела покрытого твердым материалом, с помощью лазера | |
ES2343479T3 (es) | Cuerpo multicapa con microlentes. | |
RU2635776C2 (ru) | Защитный элемент с выполненными в форме желобков или ребер структурными элементами | |
US11059127B2 (en) | Ablative production device and method for a periodic line structure on a workpiece | |
CN105313529B (zh) | 光学防伪元件及使用该光学防伪元件的防伪产品 | |
CN107206724A (zh) | 微压印 | |
JP7104062B2 (ja) | レリーフ構造を有するセキュリティ要素及びその製造方法 | |
AU2003283371A1 (en) | Layer arrangement provided with a structure producing a diffractive optical effect and a lens-type effect | |
JP2014508330A (ja) | セルのタイル張りからなる複数の層を有する透明な光学素子 | |
ES2285247T3 (es) | Lamina apta para ser escrita con rayo laser. | |
WO2018067022A1 (en) | Spacial diffraction grid | |
JP3684294B2 (ja) | 回転体 | |
Bradman | Design and fabrication of diffractive lenses for visible and near infrared wavelengths |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
HE9A | Changing address for correspondence with an applicant | ||
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20191123 |