RU2012114735A - Устройство для химического осаждения из газовой фазы, содержащее электрод - Google Patents

Устройство для химического осаждения из газовой фазы, содержащее электрод Download PDF

Info

Publication number
RU2012114735A
RU2012114735A RU2012114735/02A RU2012114735A RU2012114735A RU 2012114735 A RU2012114735 A RU 2012114735A RU 2012114735/02 A RU2012114735/02 A RU 2012114735/02A RU 2012114735 A RU2012114735 A RU 2012114735A RU 2012114735 A RU2012114735 A RU 2012114735A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
outer coating
electrode
contact zone
contact
gripping part
Prior art date
Application number
RU2012114735/02A
Other languages
English (en)
Inventor
Дэвид ХИЛЛЕНБРЭНД
Кейт МАККОЙ
Original Assignee
Хемлок Семикэндактор Корпорейшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Хемлок Семикэндактор Корпорейшн filed Critical Хемлок Семикэндактор Корпорейшн
Publication of RU2012114735A publication Critical patent/RU2012114735A/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4418—Methods for making free-standing articles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/021—Preparation
    • C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)

Abstract

1. Устройство для осаждения материала на подложку, имеющую первый конец и второй конец, отстоящие друг от друга, с захватными частями, расположенными на каждом конце подложки, содержащее:корпус, имеющий камеру;вход, выполненный в корпусе для введения газа в камеру;выход, выполненный в корпусе для выведения газа из камеры;по меньшей мере, один электрод, имеющий наружную поверхность и проходящий сквозь корпус, причем электрод, по меньшей мере, частично расположен в камере для соединения с захватной частью;источник питания, соединенный с электродом для подачи на него электрического тока;первое наружное покрытие, нанесенное на наружную поверхность электрода и имеющее удельную электропроводность, равную, по меньшей мере, 7·10Сименс/метр при комнатной температуре; ивторое наружное покрытие, отличающееся от первого наружного покрытия и нанесенное на первое наружное покрытие.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что первое наружное покрытие включает металл, выбранный из группы, включающей никель, золото, платину, палладий, серебро, хром, титан и их сочетания.3. Устройство по п.1 или 2, отличающееся тем, что второе наружное покрытие имеет более высокую износостойкость, чем первое наружное покрытие, измеряемую в мм/Н*м по методике ASTM G99-5.4. Устройство по п.1 или 2, отличающееся тем, что наружная поверхность имеет контактную зону для контакта с захватной частью, причем первое наружное покрытие нанесено на контактную зону электрода, а второе наружное покрытие нанесено на первое наружное покрытие в указанной контактной зоне.5. Устройство по п.4, отличающееся тем, что второе наружное покрытие, нанесенное на первое наружное покрытие

Claims (25)

1. Устройство для осаждения материала на подложку, имеющую первый конец и второй конец, отстоящие друг от друга, с захватными частями, расположенными на каждом конце подложки, содержащее:
корпус, имеющий камеру;
вход, выполненный в корпусе для введения газа в камеру;
выход, выполненный в корпусе для выведения газа из камеры;
по меньшей мере, один электрод, имеющий наружную поверхность и проходящий сквозь корпус, причем электрод, по меньшей мере, частично расположен в камере для соединения с захватной частью;
источник питания, соединенный с электродом для подачи на него электрического тока;
первое наружное покрытие, нанесенное на наружную поверхность электрода и имеющее удельную электропроводность, равную, по меньшей мере, 7·106 Сименс/метр при комнатной температуре; и
второе наружное покрытие, отличающееся от первого наружного покрытия и нанесенное на первое наружное покрытие.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что первое наружное покрытие включает металл, выбранный из группы, включающей никель, золото, платину, палладий, серебро, хром, титан и их сочетания.
3. Устройство по п.1 или 2, отличающееся тем, что второе наружное покрытие имеет более высокую износостойкость, чем первое наружное покрытие, измеряемую в мм3/Н*м по методике ASTM G99-5.
4. Устройство по п.1 или 2, отличающееся тем, что наружная поверхность имеет контактную зону для контакта с захватной частью, причем первое наружное покрытие нанесено на контактную зону электрода, а второе наружное покрытие нанесено на первое наружное покрытие в указанной контактной зоне.
5. Устройство по п.4, отличающееся тем, что второе наружное покрытие, нанесенное на первое наружное покрытие в контактной зоне, включает титансодержащее соединение, имеющее удельную электропроводность, равную, по меньшей мере, 7·106 Сименс/метр при комнатной температуре.
6. Устройство по п.4, отличающееся тем, что наружная поверхность электрода свободна от второго наружного покрытия вне контактной зоны электрода.
7. Устройство по п.1 или 2, отличающееся тем, что наружная поверхность имеет контактную зону для контакта с захватной частью, причем первое наружное покрытие нанесено на электрод вне контактной зоны, и второе наружное покрытие нанесено на первое наружное покрытие вне контактной зоны.
8. Устройство по п.7, отличающееся тем, что второе наружное покрытие, нанесенное на первое наружное покрытие вне контактной зоны, имеет удельную электропроводность, меньшую 7·106 Сименс/метр при комнатной температуре.
9. Устройство по п.8, отличающееся тем, что второе наружное покрытие, нанесенное на первое наружное покрытие вне контактной зоны, включает алмазоподобное углеродное соединение.
10. Устройство по п.4, отличающееся тем, что электрод включает стержень, имеющий первый конец и второй конец, и головку, расположенную на одном из концов стержня, причем головка электрода включает наружную поверхность, имеющую указанную контактную зону.
11. Устройство по п.1 или 2, отличающееся тем, что, по меньшей мере, один электрод включает первый электрод для приема захватной части на первом конце подложки и второй электрод для приема захватной части на втором конце подложки.
12. Электрод для использования в устройстве для осаждения материала на подложку, имеющую первый конец и второй конец, отстоящие друг от друга, с захватными частями, расположенными на каждом конце подложки, причем указанный электрод имеет наружную поверхность, включающую:
первое наружное покрытие, нанесенное на наружную поверхность электрода и имеющее удельную электропроводность, равную, по меньшей мере, 7·106 Сименс/метр при комнатной температуре, и
второе наружное покрытие, отличающееся от первого наружного покрытия и нанесенное на первое наружное покрытие.
13. Электрод по п.12, отличающийся тем, что первое наружное покрытие включает металл, выбранный из группы, включающей никель, золото, платину, палладий, серебро, хром, титан и их сочетания.
14. Электрод по п.12 или 13, отличающийся тем, что второе наружное покрытие имеет более высокую износостойкость, чем первое наружное покрытие, измеряемую в мм3/Н·м.
15. Электрод по п.12 или 13, отличающийся тем, что наружная поверхность имеет контактную зону для контакта с захватной частью, причем первое наружное покрытие нанесено на контактную зону электрода, а второе наружное покрытие нанесено на первое наружное покрытие в указанной контактной зоне.
16. Электрод по п.15, отличающийся тем, что второе наружное покрытие на контактной зоне электрода имеет удельную электропроводность, равную, по меньшей мере, 7·106 Сименс/метр при комнатной температуре.
17. Электрод по п.15, отличающийся тем, что электрод включает чашку с контактной зоной, расположенной внутри части чашки.
18. Электрод по п.17, отличающийся тем, что контактная зона расположена только на боковых стенках чашки, а второе наружное покрытие на дне чашки, в случае его наличия, отличается от покрытия на стенках чашки.
19. Электрод по п.18, отличающийся тем, что второе наружное покрытие нанесено на дно чашки, причем второе наружное покрытие, нанесенное на дно чашки, имеет удельную электропроводность, меньшую 7·106 Сименс/метр при комнатной температуре.
20. Электрод по п.19, отличающийся тем, что второе наружное покрытие, нанесенное на дно чашки, включает алмазоподобное углеродное соединение.
21. Электрод по п.12 или 13, отличающийся тем, что наружная поверхность имеет контактную зону для контакта с захватной частью, причем наружная поверхность электрода свободна от второго наружного покрытия вне контактной зоны электрода.
22. Электрод по п.12 или 13, отличающийся тем, что наружная поверхность имеет контактную зону для контакта с захватной частью, причем первое наружное покрытие нанесено на электрод вне контактной зоны, и второе наружное покрытие нанесено на первое наружное покрытие вне контактной зоны.
23. Электрод по п.22, отличающийся тем, что второе наружное покрытие, нанесенное на первое наружное покрытие вне контактной зоны, имеет удельную электропроводность, меньшую 7·106 Сименс/метр при комнатной температуре.
24. Электрод по п.23, отличающийся тем, что второе наружное покрытие, нанесенное на первое наружное покрытие вне контактной зоны, включает алмазоподобное углеродное соединение.
25. Электрод по п.15, отличающийся тем, что содержит стержень, имеющий первый конец и второй конец; и головку, расположенную на одном из концов стержня, причем головка электрода включает наружную поверхность, имеющую контактную зону.
RU2012114735/02A 2009-10-09 2010-10-08 Устройство для химического осаждения из газовой фазы, содержащее электрод RU2012114735A (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US25031709P 2009-10-09 2009-10-09
US61/250,317 2009-10-09
PCT/US2010/051945 WO2011044441A1 (en) 2009-10-09 2010-10-08 Cvd apparatus with electrode

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2012114735A true RU2012114735A (ru) 2013-11-20

Family

ID=43259892

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012114735/02A RU2012114735A (ru) 2009-10-09 2010-10-08 Устройство для химического осаждения из газовой фазы, содержащее электрод

Country Status (9)

Country Link
US (1) US20120192791A1 (ru)
EP (1) EP2486165A1 (ru)
JP (1) JP5680093B2 (ru)
KR (1) KR20120085276A (ru)
CN (1) CN102666915B (ru)
CA (1) CA2777097A1 (ru)
RU (1) RU2012114735A (ru)
TW (1) TW201129501A (ru)
WO (1) WO2011044441A1 (ru)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5477145B2 (ja) * 2009-04-28 2014-04-23 三菱マテリアル株式会社 多結晶シリコン反応炉
KR101210759B1 (ko) 2012-06-11 2012-12-11 서경수 폴리실리콘 제조용 전극봉
JP2015527490A (ja) * 2012-07-10 2015-09-17 ヘムロック・セミコンダクター・コーポレーション 材料を蒸着するための製造機器、その中で使用するための受け口、受け口の製造方法及び担体上に材料を蒸着する方法
CN107986285B (zh) * 2017-12-05 2018-11-20 亚洲硅业（青海）有限公司 一种还原炉底盘及其涂层制备方法
US20240071729A1 (en) * 2022-08-26 2024-02-29 Applied Materials, Inc. Gas cooled high power connection rod

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3406044A (en) * 1965-01-04 1968-10-15 Monsanto Co Resistance heating elements and method of conditioning the heating surfaces thereof
KR950013069B1 (ko) * 1989-12-26 1995-10-24 어드밴스드 실리콘 머티어리얼즈 인코포레이티드 수소 침투 방지용 외부 코팅층을 갖는 흑연 척 및 탄소가 거의 없는 다결정 실리콘 제조 방법
DE10101040A1 (de) * 2001-01-11 2002-07-25 Wacker Chemie Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines polykristallinen Siliciumstabes
US6623801B2 (en) * 2001-07-30 2003-09-23 Komatsu Ltd. Method of producing high-purity polycrystalline silicon
JP2005272965A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Sumitomo Heavy Ind Ltd 電極部材、及びこれを備えた成膜装置
JP4031782B2 (ja) * 2004-07-01 2008-01-09 株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ 多結晶シリコン製造方法およびシード保持電極
DE202005021645U1 (de) * 2005-01-21 2009-02-19 Abb Ag Elektrode in einem Messrohr eines magnetisch-induktiven Durchflussmessers
JP2006240934A (ja) * 2005-03-04 2006-09-14 Tokuyama Corp 多結晶シリコンの製造装置
JP4905638B2 (ja) * 2005-10-11 2012-03-28 三菱マテリアル株式会社 電極の短絡防止方法および短絡防止板
US20100101494A1 (en) * 2008-10-28 2010-04-29 Hsieh Jui Hai Harry Electrode and chemical vapor deposition apparatus employing the electrode

Also Published As

Publication number Publication date
CN102666915B (zh) 2014-04-23
TW201129501A (en) 2011-09-01
JP2013507522A (ja) 2013-03-04
KR20120085276A (ko) 2012-07-31
CA2777097A1 (en) 2011-04-14
CN102666915A (zh) 2012-09-12
US20120192791A1 (en) 2012-08-02
WO2011044441A1 (en) 2011-04-14
EP2486165A1 (en) 2012-08-15
JP5680093B2 (ja) 2015-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2010146252A (ru) Производственная установка для осаждения материала и электрод для использования
RU2012114735A (ru) Устройство для химического осаждения из газовой фазы, содержащее электрод
JP2011522959A5 (ru)
RU2010146244A (ru) Производственная установка для осаждения материала и электрод для использования в ней
CN102862975A (zh) 石墨烯制造方法及石墨烯制造装置
CN103213345B (zh) 一种具有抗变色耐磨复合膜的工件以及在工件表面形成复合膜的方法
RU2012114734A (ru) Технологическое устройство для осаждения материала и электрод для использования в таком устройстве
RU2010146253A (ru) Производственная установка для осаждения материала и электрод для использования в ней
RU2012114733A (ru) Устройство для химического осаждения из газовой фазы
JP2011523758A5 (ru)
TWI766059B (zh) 具有經塗佈的發射線圈之塗佈裝置
JP4741430B2 (ja) 成膜装置および成膜方法
CN209584364U (zh) 一种应用于电阻法真空蒸镀铝厚膜设备的专用夹具
KR100679318B1 (ko) 순간 가열 방식의 온수 살균 장치
TWM568860U (zh) Filter anti-nickel precipitation device
RU2022101249A (ru) Пористый элемент для системы предоставления пара
KR20140052244A (ko) 증착 장치
CN110273173A (zh) 用于物体的连续金属包镀的设备和方法
TW202003929A (zh) 過濾機防鎳析出裝置
WO2006065064A1 (en) A sterilizing apparatus
MD20020157A (en) Process for coaxial microthermopair obtaining

Legal Events

Date Code Title Description
FA93 Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination)

Effective date: 20131009