RU2010146252A - Производственная установка для осаждения материала и электрод для использования - Google Patents

Производственная установка для осаждения материала и электрод для использования Download PDF

Info

Publication number
RU2010146252A
RU2010146252A RU2010146252/07A RU2010146252A RU2010146252A RU 2010146252 A RU2010146252 A RU 2010146252A RU 2010146252/07 A RU2010146252/07 A RU 2010146252/07A RU 2010146252 A RU2010146252 A RU 2010146252A RU 2010146252 A RU2010146252 A RU 2010146252A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
electrode
contact area
coating
production plant
contact
Prior art date
Application number
RU2010146252/07A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2494578C2 (ru
Inventor
Дэвид ХИЛЛЭБРЭНД (US)
Дэвид ХИЛЛЭБРЭНД
Теодор КНАПП (US)
Теодор КНАПП
Original Assignee
Хемлок Семикондактор Корпорейш (Us)
Хемлок Семикондактор Корпорейш
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Хемлок Семикондактор Корпорейш (Us), Хемлок Семикондактор Корпорейш filed Critical Хемлок Семикондактор Корпорейш (Us)
Publication of RU2010146252A publication Critical patent/RU2010146252A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2494578C2 publication Critical patent/RU2494578C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4418—Methods for making free-standing articles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/021—Preparation
    • C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/02—Details
    • H05B3/03—Electrodes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
  • Control Of Resistance Heating (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

1. Производственная установка для осаждения материала на несущую подложку, имеющую находящиеся на расстоянии друг от друга первый конец и второй конец, с контактным гнездом, расположенным на каждом конце несущей подложки, причем упомянутая установка содержит: ! корпус, образующий камеру; ! впуск, образованный через упомянутый корпус, для введения газа в камеру; ! выпуск, образованный через упомянутый корпус, для отведения газа из камеры; ! по меньшей мере один электрод, имеющий внешнюю поверхность, имеющую область контакта, приспособленную контактировать с контактным гнездом, причем упомянутый электрод расположен проходящим через упомянутый корпус, причем упомянутый электрод по меньшей мере частично расположен внутри камеры для соединения с контактным гнездом; ! источник питания, соединенный с упомянутым электродом, для снабжения электрическим током упомянутого электрода и ! покрытие области контакта, расположенное на упомянутой области контакта упомянутого электрода, для сохранения теплопроводности между упомянутым электродом и контактным гнездом, причем упомянутое покрытие области контакта имеет электропроводность по меньшей мере 9×106 См/м и сопротивление коррозии, большее, чем у серебра в ряду электродных потенциалов, основанном на использовании морской воды комнатной температуры в качестве электролита. ! 2. Производственная установка по п.1, при этом упомянутый электрод дополнительно включает в себя: ! ствол, имеющий первый конец и второй конец; и ! головку, расположенную на одном из упомянутых концов упомянутого ствола. ! 3. Производственная установка по п.2, при этом упомянутая головка упомянуто�

Claims (29)

1. Производственная установка для осаждения материала на несущую подложку, имеющую находящиеся на расстоянии друг от друга первый конец и второй конец, с контактным гнездом, расположенным на каждом конце несущей подложки, причем упомянутая установка содержит:
корпус, образующий камеру;
впуск, образованный через упомянутый корпус, для введения газа в камеру;
выпуск, образованный через упомянутый корпус, для отведения газа из камеры;
по меньшей мере один электрод, имеющий внешнюю поверхность, имеющую область контакта, приспособленную контактировать с контактным гнездом, причем упомянутый электрод расположен проходящим через упомянутый корпус, причем упомянутый электрод по меньшей мере частично расположен внутри камеры для соединения с контактным гнездом;
источник питания, соединенный с упомянутым электродом, для снабжения электрическим током упомянутого электрода и
покрытие области контакта, расположенное на упомянутой области контакта упомянутого электрода, для сохранения теплопроводности между упомянутым электродом и контактным гнездом, причем упомянутое покрытие области контакта имеет электропроводность по меньшей мере 9×106 См/м и сопротивление коррозии, большее, чем у серебра в ряду электродных потенциалов, основанном на использовании морской воды комнатной температуры в качестве электролита.
2. Производственная установка по п.1, при этом упомянутый электрод дополнительно включает в себя:
ствол, имеющий первый конец и второй конец; и
головку, расположенную на одном из упомянутых концов упомянутого ствола.
3. Производственная установка по п.2, при этом упомянутая головка упомянутого электрода включает в себя упомянутую внешнюю поверхность, имеющую упомянутую область контакта.
4. Производственная установка по п.2, при этом упомянутая головка содержит медь.
5. Производственная установка по п.3, при этом по меньшей мере одно из упомянутой головки и упомянутого ствола упомянутого электрода включает в себя внешнее покрытие, отличное от упомянутого покрытия области контакта и расположенное на ее/его упомянутой внешней поверхности вне упомянутой области контакта.
6. Производственная установка по п.3, при этом по меньшей мере одно из упомянутой головки и упомянутого ствола не имеет покрытия, расположенного на ее/его упомянутой внешней поверхности вне упомянутой области контакта.
7. Производственная установка по п.1, при этом упомянутое внешнее покрытие упомянутого электрода, включая упомянутое покрытие области контакта, по меньшей мере частично расположено внутри камеры.
8. Производственная установка по любому предыдущему пункту, при этом упомянутое покрытие области контакта содержит по меньшей мере один элемент из золота, платины и палладия.
9. Производственная установка по п.8, при этом упомянутое покрытие области контакта дополнительно содержит по меньшей мере один элемент из серебра, никеля и хрома.
10. Производственная установка по любому из пп.1-7, при этом упомянутое покрытие области контакта имеет толщину от 0,00254 до 0,254 мм.
11. Производственная установка по любому из пп.1-7, при этом упомянутое покрытие области контакта имеет толщину от 0,00508 до 0,127 мм.
12. Производственная установка по любому из пп.1-7, при этом упомянутое покрытие области контакта имеет толщину от 0,00508 до 0,0254 мм.
13. Производственная установка по любому из пп.1-7, при этом упомянутый по меньшей мере один электрод включает в себя первый электрод для приема контактного гнезда на первом конце несущей подложки и второй электрод для приема контактного гнезда на втором конце несущей подложки.
14. Электрод для использования с производственной установкой для осаждения материала на несущую подложку, имеющую находящиеся на расстоянии друг от друга первый конец и второй конец, с контактным гнездом, расположенным на каждом конце несущей подложки, причем упомянутый электрод содержит:
ствол, имеющий первый конец и второй конец;
головку, расположенную на одном из упомянутых концов упомянутого ствола, для соединения с контактным гнездом;
причем упомянутая головка имеет внешнюю поверхность, имеющую область контакта, приспособленную контактировать с контактным гнездом; и
покрытие области контакта, расположенное на упомянутой области контакта упомянутого электрода, для сохранения электрической проводимости между упомянутым электродом и контактным гнездом, причем упомянутое покрытие области контакта имеет электропроводность по меньшей мере 9×106 См/м и сопротивление коррозии большее, чем у серебра в ряду электродных потенциалов, основанном на использовании морской воды комнатной температуры в качестве электролита.
15. Электрод по п.14, при этом упомянутая головка является цельной с упомянутым стволом.
16. Электрод по п.14 или 15, при этом упомянутое покрытие области контакта содержит по меньшей мере один элемент из золота, платины и палладия.
17. Электрод по п.16, при этом упомянутое покрытие области контакта дополнительно содержит по меньшей мере один элемент из серебра, никеля и хрома.
18. Электрод по п.14 или 15, при этом упомянутая головка содержит медь.
19. Электрод по п.14 или 15, при этом упомянутый ствол упомянутого электрода включает в себя покрытие ствола, отличное от упомянутого покрытия области контакта и расположенное на внешней поверхности упомянутого ствола.
20. Электрод по любому из пп.14 и 15, при этом упомянутый ствол не имеет покрытие ствола, расположенное на его внешней поверхности.
21. Электрод по п.14 или 15, при этом упомянутое покрытие области контакта имеет толщину от 0,00254 до 0,254 мм.
22. Электрод по п.14 или 15, при этом упомянутое покрытие области контакта имеет толщину от 0,00508 до 0,127 мм.
23. Электрод по п.14 или 15, при этом упомянутое покрытие области контакта имеет толщину от 0,00508 до 0,0254 мм.
24. Производственная установка по п.8, при этом упомянутое покрытие области контакта имеет толщину от 0,00254 до 0,254 мм.
25. Производственная установка по п.8, при этом упомянутое покрытие области контакта имеет толщину от 0,00508 до 0,127 мм.
26. Производственная установка по п.8, при этом упомянутое покрытие области контакта имеет толщину от 0,00508 до 0,0254 мм.
27. Электрод по п.16, при этом упомянутое покрытие области контакта имеет толщину от 0,00254 до 0,254 мм.
28. Электрод по п.16, при этом упомянутое покрытие области контакта имеет толщину от 0,00508 до 0,127 мм.
29. Электрод по п.16, при этом упомянутое покрытие области контакта имеет толщину от 0,00508 до 0,0254 мм.
RU2010146252/07A 2008-04-14 2009-04-13 Производственная установка для осаждения материала и электрод для использования в ней RU2494578C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US4470308P 2008-04-14 2008-04-14
US61/044,703 2008-04-14
PCT/US2009/002293 WO2009128887A1 (en) 2008-04-14 2009-04-13 Manufacturing apparatus for depositing a material on an electrode for use therein

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010146252A true RU2010146252A (ru) 2012-05-20
RU2494578C2 RU2494578C2 (ru) 2013-09-27

Family

ID=40796546

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010146252/07A RU2494578C2 (ru) 2008-04-14 2009-04-13 Производственная установка для осаждения материала и электрод для использования в ней

Country Status (10)

Country Link
US (1) US8784565B2 (ru)
EP (1) EP2266368B1 (ru)
JP (1) JP5762949B2 (ru)
KR (1) KR101639577B1 (ru)
CN (1) CN102047750B (ru)
AU (1) AU2009236678B2 (ru)
CA (1) CA2721194A1 (ru)
RU (1) RU2494578C2 (ru)
TW (1) TWI495029B (ru)
WO (1) WO2009128887A1 (ru)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101552501B1 (ko) 2008-04-14 2015-09-14 헴로크세미컨덕터코포레이션 재료를 증착하기 위한 제조 장치와 이에 사용하기 위한 전극
EP2501838B1 (en) 2009-11-18 2017-01-25 REC Silicon Inc. Fluid bed reactor
DE102010013043B4 (de) * 2010-03-26 2013-05-29 Centrotherm Sitec Gmbh Elektrodenanordnung und CVD-Reaktor oder Hochtemperatur-Gasumwandler mit einer Elektrodenanordnung
CN102790233A (zh) * 2011-05-20 2012-11-21 罗臬 液流型电化学电池
JP5507505B2 (ja) * 2011-08-01 2014-05-28 信越化学工業株式会社 多結晶シリコンの製造方法
KR101133151B1 (ko) * 2011-10-19 2012-04-06 주식회사 대산머트리얼즈 증착 공정용 전극 제조 방법
KR101300779B1 (ko) * 2011-11-08 2013-08-29 (주) 인광 폴리실리콘 정제용 ｃｖｄ장치의 금속 전극의 재생 방법 및 이 방법으로 재생된 금속 전극
TW201531440A (zh) * 2013-12-30 2015-08-16 Hemlock Semiconductor Corp 用於耦合至設置在反應器內之電極上之插座以生長多晶矽的載體
US10287679B2 (en) 2015-05-11 2019-05-14 Msp Corporation Apparatus and method for vapor generation and film deposition
US11709155B2 (en) 2017-09-18 2023-07-25 Waters Technologies Corporation Use of vapor deposition coated flow paths for improved chromatography of metal interacting analytes
US11709156B2 (en) 2017-09-18 2023-07-25 Waters Technologies Corporation Use of vapor deposition coated flow paths for improved analytical analysis
WO2019083987A1 (en) * 2017-10-23 2019-05-02 Msp Corporation APPARATUS AND METHOD FOR VAPOR GENERATION AND FILM DEPOSITION
US11918936B2 (en) 2020-01-17 2024-03-05 Waters Technologies Corporation Performance and dynamic range for oligonucleotide bioanalysis through reduction of non specific binding
CN113649657B (zh) * 2021-06-01 2022-10-04 清华大学 一种电解加工用的纳米尺度多晶硅工具电极及其制备方法

Family Cites Families (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1054141A (ru) 1900-01-01
US3330251A (en) * 1955-11-02 1967-07-11 Siemens Ag Apparatus for producing highest-purity silicon for electric semiconductor devices
US3011877A (en) * 1956-06-25 1961-12-05 Siemens Ag Production of high-purity semiconductor materials for electrical purposes
NL238464A (ru) * 1958-05-29
DE1150366B (de) * 1958-12-09 1963-06-20 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Reinstsilicium
NL251143A (ru) * 1959-05-04
DE1155759B (de) * 1959-06-11 1963-10-17 Siemens Ag Vorrichtung zur Gewinnung reinsten kristallinen Halbleitermaterials fuer elektrotechnische Zwecke
DE1264400B (de) 1961-01-26 1968-03-28 Siemens Ag Vorrichtung zur Gewinnung reinen Halbleitermaterials aus der Gasphase
DE1138481C2 (de) * 1961-06-09 1963-05-22 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen durch einkristalline Abscheidung von Halbleitermaterial aus der Gasphase
DE2324365C3 (de) * 1973-05-14 1978-05-11 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte Trägerkörper
DE2652218A1 (de) * 1976-11-16 1978-05-24 Wacker Chemitronic Verfahren zur herstellung von substratgebundenem, grossflaechigem silicium
JPS53106626A (en) * 1977-03-02 1978-09-16 Komatsu Mfg Co Ltd Method of making high purity rod silicon and appratus therefor
JPS53108029A (en) * 1977-03-03 1978-09-20 Komatsu Mfg Co Ltd Method of making high purity silicon having uniform shape
US4173944A (en) * 1977-05-20 1979-11-13 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh Silverplated vapor deposition chamber
US4179530A (en) * 1977-05-20 1979-12-18 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh Process for the deposition of pure semiconductor material
DE2912661C2 (de) * 1979-03-30 1982-06-24 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fuer Elektronik-Grundstoffe Mbh, 8263 Burghausen Verfahren zur Abscheidung von reinem Halbleitermaterial und Düse zur Durchführung des Verfahrens
US4304641A (en) * 1980-11-24 1981-12-08 International Business Machines Corporation Rotary electroplating cell with controlled current distribution
US4477911A (en) * 1982-12-02 1984-10-16 Westinghouse Electric Corp. Integral heat pipe-electrode
US4481232A (en) * 1983-05-27 1984-11-06 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Method and apparatus for producing high purity silicon
US4466864A (en) * 1983-12-16 1984-08-21 At&T Technologies, Inc. Methods of and apparatus for electroplating preselected surface regions of electrical articles
US4822641A (en) * 1985-04-30 1989-04-18 Inovan Gmbh & Co. Kg Method of manufacturing a contact construction material structure
SE452862B (sv) * 1985-06-05 1987-12-21 Aga Ab Ljusbagselektrod
US4707225A (en) * 1986-01-06 1987-11-17 Rockwell International Corporation Fluid-cooled channel construction
US4805556A (en) * 1988-01-15 1989-02-21 Union Carbide Corporation Reactor system and method for forming uniformly large-diameter polycrystalline rods by the pyrolysis of silane
US5096550A (en) * 1990-10-15 1992-03-17 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Method and apparatus for spatially uniform electropolishing and electrolytic etching
RU2020777C1 (ru) * 1991-07-03 1994-09-30 Нижегородский научно-исследовательский приборостроительный институт "Кварц" Способ металлизации подложки из фторопласта
US5906799A (en) * 1992-06-01 1999-05-25 Hemlock Semiconductor Corporation Chlorosilane and hydrogen reactor
US5227041A (en) * 1992-06-12 1993-07-13 Digital Equipment Corporation Dry contact electroplating apparatus
DE4243570C1 (de) * 1992-12-22 1994-01-27 Heraeus Gmbh W C Elektrischer Kontaktkörper
RU2052538C1 (ru) * 1993-04-08 1996-01-20 Сергей Николаевич Кучанов Способ нанесения вакуумного металлизированного покрытия на диэлектрические подложки
US5422088A (en) * 1994-01-28 1995-06-06 Hemlock Semiconductor Corporation Process for hydrogenation of tetrachlorosilane
JP3377849B2 (ja) * 1994-02-02 2003-02-17 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 ウエーハ用メッキ装置
DE4424929C2 (de) * 1994-07-14 1997-02-13 Wacker Chemie Gmbh Halterung für Trägerkörper in einer Vorrichtung zur Abscheidung von Halbleitermaterial
US5567300A (en) * 1994-09-02 1996-10-22 Ibm Corporation Electrochemical metal removal technique for planarization of surfaces
FR2741227A1 (fr) 1995-11-14 1997-05-16 Verrerie & Cristallerie Electrode, notamment destinee a etre utilisee dans des fours de fusion du verre
US5807165A (en) * 1997-03-26 1998-09-15 International Business Machines Corporation Method of electrochemical mechanical planarization
US5911619A (en) * 1997-03-26 1999-06-15 International Business Machines Corporation Apparatus for electrochemical mechanical planarization
NL1005963C2 (nl) * 1997-05-02 1998-11-09 Asm Int Verticale oven voor het behandelen van halfgeleidersubstraten.
RU2135629C1 (ru) 1997-11-12 1999-08-27 Государственное предприятие ВНИИавтогенмаш Способ повышения долговечности электродных и сопловых устройств и технологический плазматрон для его осуществления
US6544333B2 (en) * 1997-12-15 2003-04-08 Advanced Silicon Materials Llc Chemical vapor deposition system for polycrystalline silicon rod production
JP4812938B2 (ja) * 1997-12-15 2011-11-09 レック シリコン インコーポレイテッド 多結晶シリコン棒製造用化学的蒸気析着方式
US6004880A (en) * 1998-02-20 1999-12-21 Lsi Logic Corporation Method of single step damascene process for deposition and global planarization
US6176992B1 (en) * 1998-11-03 2001-01-23 Nutool, Inc. Method and apparatus for electro-chemical mechanical deposition
AU3375000A (en) * 1999-02-19 2000-09-04 Gt Equipment Technologies Inc. Method and apparatus for chemical vapor deposition of polysilicon
JP4372918B2 (ja) 1999-06-30 2009-11-25 パナソニック電工株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
DE10005821A1 (de) 2000-02-10 2001-08-23 Schott Glas Gekühlte Edelmetallelektrode zum Einstellen einer bestimmten Elektrodenoberfläche
DE10041564C2 (de) * 2000-08-24 2002-06-27 Heraeus Noblelight Gmbh Kühlbares Infrarotstrahlerelement
DE10101040A1 (de) * 2001-01-11 2002-07-25 Wacker Chemie Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines polykristallinen Siliciumstabes
JP2002231357A (ja) * 2001-02-06 2002-08-16 Nagano Fujitsu Component Kk 電気接点およびコネクタ
US6623801B2 (en) * 2001-07-30 2003-09-23 Komatsu Ltd. Method of producing high-purity polycrystalline silicon
JP3870824B2 (ja) * 2001-09-11 2007-01-24 住友電気工業株式会社 被処理物保持体、半導体製造装置用サセプタおよび処理装置
GB0213402D0 (en) 2002-06-12 2002-07-24 Johnson Matthey Plc Improvements in coated equipment
JP2004205059A (ja) 2002-12-20 2004-07-22 Toyo Radiator Co Ltd 高耐蝕性熱交換器の製造方法
JP2005272965A (ja) 2004-03-25 2005-10-06 Sumitomo Heavy Ind Ltd 電極部材、及びこれを備えた成膜装置
JP4031782B2 (ja) 2004-07-01 2008-01-09 株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ 多結晶シリコン製造方法およびシード保持電極
JP2007281161A (ja) 2006-04-06 2007-10-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体製造装置用ウエハ保持体及び半導体製造装置
US9683286B2 (en) * 2006-04-28 2017-06-20 Gtat Corporation Increased polysilicon deposition in a CVD reactor
AU2009236677B2 (en) 2008-04-14 2012-11-22 Hemlock Semiconductor Corporation Manufacturing apparatus for depositing a material and an electrode for use therein
KR101552501B1 (ko) 2008-04-14 2015-09-14 헴로크세미컨덕터코포레이션 재료를 증착하기 위한 제조 장치와 이에 사용하기 위한 전극

Also Published As

Publication number Publication date
EP2266368B1 (en) 2018-03-28
WO2009128887A1 (en) 2009-10-22
EP2266368A1 (en) 2010-12-29
CN102047750A (zh) 2011-05-04
AU2009236678A1 (en) 2009-10-22
US20110031115A1 (en) 2011-02-10
CN102047750B (zh) 2013-11-06
JP2011522959A (ja) 2011-08-04
KR20110008082A (ko) 2011-01-25
RU2494578C2 (ru) 2013-09-27
CA2721194A1 (en) 2009-10-22
JP5762949B2 (ja) 2015-08-12
AU2009236678B2 (en) 2014-02-27
KR101639577B1 (ko) 2016-07-14
TW201001596A (en) 2010-01-01
US8784565B2 (en) 2014-07-22
TWI495029B (zh) 2015-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2010146252A (ru) Производственная установка для осаждения материала и электрод для использования
JP2012507828A5 (ru)
JP2011522959A5 (ru)
RU2010146244A (ru) Производственная установка для осаждения материала и электрод для использования в ней
JP2009515316A5 (ru)
ATE535030T1 (de) KNOPFZELLE MIT BESCHICHTETER AUßENSEITE
JP6378748B2 (ja) 太陽電池の導電性の向上
RU2010146253A (ru) Производственная установка для осаждения материала и электрод для использования в ней
Zhang et al. Laboratory filter paper as a substrate material for flexible supercapacitors
WO2013130777A1 (en) Tubular solid oxide fuel cell assembly and fuel cell device incorporating same
US20140242462A1 (en) Corrosion resistance metallic components for batteries
WO2008055404A1 (fr) Batterie solaire sensibilisé par une teinture et son électrode de travail
GB2452465A (en) Current distribution system for electrochemical cells
JP2011523758A5 (ru)
RU2012114734A (ru) Технологическое устройство для осаждения материала и электрод для использования в таком устройстве
CN101174696A (zh) 一种憎水的燃料电池金属双极板的制造方法
WO2008041122A2 (en) Heating element, particularly for hot runners of injection moulding apparatus of plastic material, and hotrunner
CN110284112A (zh) 一种燃料电池双极板碳涂层多腔体沉积系统及其应用
RU2012114733A (ru) Устройство для химического осаждения из газовой фазы
CN114457293A (zh) 一种导电疏水涂层及其制备方法
TW200719364A (en) Surface mount device having a cushioning layer therein and the method of making the same
JP2013140766A (ja) 円筒型固体酸化物燃料電池モジュールおよびその製造方法
CN210248394U (zh) 一种电热丝、雾化装置及电子烟
CN204425689U (zh) 加热管及面包机
CN208228302U (zh) 一种发热体及电子烟

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20160414