RU2010146252A - Производственная установка для осаждения материала и электрод для использования - Google Patents
Производственная установка для осаждения материала и электрод для использования Download PDFInfo
- Publication number
- RU2010146252A RU2010146252A RU2010146252/07A RU2010146252A RU2010146252A RU 2010146252 A RU2010146252 A RU 2010146252A RU 2010146252/07 A RU2010146252/07 A RU 2010146252/07A RU 2010146252 A RU2010146252 A RU 2010146252A RU 2010146252 A RU2010146252 A RU 2010146252A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- electrode
- contact area
- coating
- production plant
- contact
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4418—Methods for making free-standing articles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
- C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/02—Details
- H05B3/03—Electrodes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Control Of Resistance Heating (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
1. Производственная установка для осаждения материала на несущую подложку, имеющую находящиеся на расстоянии друг от друга первый конец и второй конец, с контактным гнездом, расположенным на каждом конце несущей подложки, причем упомянутая установка содержит: ! корпус, образующий камеру; ! впуск, образованный через упомянутый корпус, для введения газа в камеру; ! выпуск, образованный через упомянутый корпус, для отведения газа из камеры; ! по меньшей мере один электрод, имеющий внешнюю поверхность, имеющую область контакта, приспособленную контактировать с контактным гнездом, причем упомянутый электрод расположен проходящим через упомянутый корпус, причем упомянутый электрод по меньшей мере частично расположен внутри камеры для соединения с контактным гнездом; ! источник питания, соединенный с упомянутым электродом, для снабжения электрическим током упомянутого электрода и ! покрытие области контакта, расположенное на упомянутой области контакта упомянутого электрода, для сохранения теплопроводности между упомянутым электродом и контактным гнездом, причем упомянутое покрытие области контакта имеет электропроводность по меньшей мере 9×106 См/м и сопротивление коррозии, большее, чем у серебра в ряду электродных потенциалов, основанном на использовании морской воды комнатной температуры в качестве электролита. ! 2. Производственная установка по п.1, при этом упомянутый электрод дополнительно включает в себя: ! ствол, имеющий первый конец и второй конец; и ! головку, расположенную на одном из упомянутых концов упомянутого ствола. ! 3. Производственная установка по п.2, при этом упомянутая головка упомянуто�
Claims (29)
1. Производственная установка для осаждения материала на несущую подложку, имеющую находящиеся на расстоянии друг от друга первый конец и второй конец, с контактным гнездом, расположенным на каждом конце несущей подложки, причем упомянутая установка содержит:
корпус, образующий камеру;
впуск, образованный через упомянутый корпус, для введения газа в камеру;
выпуск, образованный через упомянутый корпус, для отведения газа из камеры;
по меньшей мере один электрод, имеющий внешнюю поверхность, имеющую область контакта, приспособленную контактировать с контактным гнездом, причем упомянутый электрод расположен проходящим через упомянутый корпус, причем упомянутый электрод по меньшей мере частично расположен внутри камеры для соединения с контактным гнездом;
источник питания, соединенный с упомянутым электродом, для снабжения электрическим током упомянутого электрода и
покрытие области контакта, расположенное на упомянутой области контакта упомянутого электрода, для сохранения теплопроводности между упомянутым электродом и контактным гнездом, причем упомянутое покрытие области контакта имеет электропроводность по меньшей мере 9×106 См/м и сопротивление коррозии, большее, чем у серебра в ряду электродных потенциалов, основанном на использовании морской воды комнатной температуры в качестве электролита.
2. Производственная установка по п.1, при этом упомянутый электрод дополнительно включает в себя:
ствол, имеющий первый конец и второй конец; и
головку, расположенную на одном из упомянутых концов упомянутого ствола.
3. Производственная установка по п.2, при этом упомянутая головка упомянутого электрода включает в себя упомянутую внешнюю поверхность, имеющую упомянутую область контакта.
4. Производственная установка по п.2, при этом упомянутая головка содержит медь.
5. Производственная установка по п.3, при этом по меньшей мере одно из упомянутой головки и упомянутого ствола упомянутого электрода включает в себя внешнее покрытие, отличное от упомянутого покрытия области контакта и расположенное на ее/его упомянутой внешней поверхности вне упомянутой области контакта.
6. Производственная установка по п.3, при этом по меньшей мере одно из упомянутой головки и упомянутого ствола не имеет покрытия, расположенного на ее/его упомянутой внешней поверхности вне упомянутой области контакта.
7. Производственная установка по п.1, при этом упомянутое внешнее покрытие упомянутого электрода, включая упомянутое покрытие области контакта, по меньшей мере частично расположено внутри камеры.
8. Производственная установка по любому предыдущему пункту, при этом упомянутое покрытие области контакта содержит по меньшей мере один элемент из золота, платины и палладия.
9. Производственная установка по п.8, при этом упомянутое покрытие области контакта дополнительно содержит по меньшей мере один элемент из серебра, никеля и хрома.
10. Производственная установка по любому из пп.1-7, при этом упомянутое покрытие области контакта имеет толщину от 0,00254 до 0,254 мм.
11. Производственная установка по любому из пп.1-7, при этом упомянутое покрытие области контакта имеет толщину от 0,00508 до 0,127 мм.
12. Производственная установка по любому из пп.1-7, при этом упомянутое покрытие области контакта имеет толщину от 0,00508 до 0,0254 мм.
13. Производственная установка по любому из пп.1-7, при этом упомянутый по меньшей мере один электрод включает в себя первый электрод для приема контактного гнезда на первом конце несущей подложки и второй электрод для приема контактного гнезда на втором конце несущей подложки.
14. Электрод для использования с производственной установкой для осаждения материала на несущую подложку, имеющую находящиеся на расстоянии друг от друга первый конец и второй конец, с контактным гнездом, расположенным на каждом конце несущей подложки, причем упомянутый электрод содержит:
ствол, имеющий первый конец и второй конец;
головку, расположенную на одном из упомянутых концов упомянутого ствола, для соединения с контактным гнездом;
причем упомянутая головка имеет внешнюю поверхность, имеющую область контакта, приспособленную контактировать с контактным гнездом; и
покрытие области контакта, расположенное на упомянутой области контакта упомянутого электрода, для сохранения электрической проводимости между упомянутым электродом и контактным гнездом, причем упомянутое покрытие области контакта имеет электропроводность по меньшей мере 9×106 См/м и сопротивление коррозии большее, чем у серебра в ряду электродных потенциалов, основанном на использовании морской воды комнатной температуры в качестве электролита.
15. Электрод по п.14, при этом упомянутая головка является цельной с упомянутым стволом.
16. Электрод по п.14 или 15, при этом упомянутое покрытие области контакта содержит по меньшей мере один элемент из золота, платины и палладия.
17. Электрод по п.16, при этом упомянутое покрытие области контакта дополнительно содержит по меньшей мере один элемент из серебра, никеля и хрома.
18. Электрод по п.14 или 15, при этом упомянутая головка содержит медь.
19. Электрод по п.14 или 15, при этом упомянутый ствол упомянутого электрода включает в себя покрытие ствола, отличное от упомянутого покрытия области контакта и расположенное на внешней поверхности упомянутого ствола.
20. Электрод по любому из пп.14 и 15, при этом упомянутый ствол не имеет покрытие ствола, расположенное на его внешней поверхности.
21. Электрод по п.14 или 15, при этом упомянутое покрытие области контакта имеет толщину от 0,00254 до 0,254 мм.
22. Электрод по п.14 или 15, при этом упомянутое покрытие области контакта имеет толщину от 0,00508 до 0,127 мм.
23. Электрод по п.14 или 15, при этом упомянутое покрытие области контакта имеет толщину от 0,00508 до 0,0254 мм.
24. Производственная установка по п.8, при этом упомянутое покрытие области контакта имеет толщину от 0,00254 до 0,254 мм.
25. Производственная установка по п.8, при этом упомянутое покрытие области контакта имеет толщину от 0,00508 до 0,127 мм.
26. Производственная установка по п.8, при этом упомянутое покрытие области контакта имеет толщину от 0,00508 до 0,0254 мм.
27. Электрод по п.16, при этом упомянутое покрытие области контакта имеет толщину от 0,00254 до 0,254 мм.
28. Электрод по п.16, при этом упомянутое покрытие области контакта имеет толщину от 0,00508 до 0,127 мм.
29. Электрод по п.16, при этом упомянутое покрытие области контакта имеет толщину от 0,00508 до 0,0254 мм.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US4470308P | 2008-04-14 | 2008-04-14 | |
US61/044,703 | 2008-04-14 | ||
PCT/US2009/002293 WO2009128887A1 (en) | 2008-04-14 | 2009-04-13 | Manufacturing apparatus for depositing a material on an electrode for use therein |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2010146252A true RU2010146252A (ru) | 2012-05-20 |
RU2494578C2 RU2494578C2 (ru) | 2013-09-27 |
Family
ID=40796546
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2010146252/07A RU2494578C2 (ru) | 2008-04-14 | 2009-04-13 | Производственная установка для осаждения материала и электрод для использования в ней |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8784565B2 (ru) |
EP (1) | EP2266368B1 (ru) |
JP (1) | JP5762949B2 (ru) |
KR (1) | KR101639577B1 (ru) |
CN (1) | CN102047750B (ru) |
AU (1) | AU2009236678B2 (ru) |
CA (1) | CA2721194A1 (ru) |
RU (1) | RU2494578C2 (ru) |
TW (1) | TWI495029B (ru) |
WO (1) | WO2009128887A1 (ru) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU2009236679B2 (en) | 2008-04-14 | 2014-02-27 | Hemlock Semiconductor Corporation | Manufacturing apparatus for depositing a material and an electrode for use therein |
WO2011063007A2 (en) | 2009-11-18 | 2011-05-26 | Rec Silicon Inc | Fluid bed reactor |
DE102010013043B4 (de) * | 2010-03-26 | 2013-05-29 | Centrotherm Sitec Gmbh | Elektrodenanordnung und CVD-Reaktor oder Hochtemperatur-Gasumwandler mit einer Elektrodenanordnung |
CN102790233A (zh) * | 2011-05-20 | 2012-11-21 | 罗臬 | 液流型电化学电池 |
JP5507505B2 (ja) * | 2011-08-01 | 2014-05-28 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコンの製造方法 |
KR101133151B1 (ko) * | 2011-10-19 | 2012-04-06 | 주식회사 대산머트리얼즈 | 증착 공정용 전극 제조 방법 |
KR101300779B1 (ko) * | 2011-11-08 | 2013-08-29 | (주) 인광 | 폴리실리콘 정제용 cvd장치의 금속 전극의 재생 방법 및 이 방법으로 재생된 금속 전극 |
TW201531440A (zh) * | 2013-12-30 | 2015-08-16 | Hemlock Semiconductor Corp | 用於耦合至設置在反應器內之電極上之插座以生長多晶矽的載體 |
US10287679B2 (en) | 2015-05-11 | 2019-05-14 | Msp Corporation | Apparatus and method for vapor generation and film deposition |
US11709156B2 (en) | 2017-09-18 | 2023-07-25 | Waters Technologies Corporation | Use of vapor deposition coated flow paths for improved analytical analysis |
US11709155B2 (en) | 2017-09-18 | 2023-07-25 | Waters Technologies Corporation | Use of vapor deposition coated flow paths for improved chromatography of metal interacting analytes |
WO2019083987A1 (en) * | 2017-10-23 | 2019-05-02 | Msp Corporation | APPARATUS AND METHOD FOR VAPOR GENERATION AND FILM DEPOSITION |
US11918936B2 (en) | 2020-01-17 | 2024-03-05 | Waters Technologies Corporation | Performance and dynamic range for oligonucleotide bioanalysis through reduction of non specific binding |
CN113649657B (zh) * | 2021-06-01 | 2022-10-04 | 清华大学 | 一种电解加工用的纳米尺度多晶硅工具电极及其制备方法 |
Family Cites Families (59)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1054141A (ru) | 1900-01-01 | |||
US3330251A (en) * | 1955-11-02 | 1967-07-11 | Siemens Ag | Apparatus for producing highest-purity silicon for electric semiconductor devices |
US3011877A (en) * | 1956-06-25 | 1961-12-05 | Siemens Ag | Production of high-purity semiconductor materials for electrical purposes |
NL238464A (ru) * | 1958-05-29 | |||
DE1150366B (de) * | 1958-12-09 | 1963-06-20 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von Reinstsilicium |
NL251143A (ru) * | 1959-05-04 | |||
DE1155759B (de) * | 1959-06-11 | 1963-10-17 | Siemens Ag | Vorrichtung zur Gewinnung reinsten kristallinen Halbleitermaterials fuer elektrotechnische Zwecke |
DE1264400B (de) | 1961-01-26 | 1968-03-28 | Siemens Ag | Vorrichtung zur Gewinnung reinen Halbleitermaterials aus der Gasphase |
DE1138481C2 (de) * | 1961-06-09 | 1963-05-22 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen durch einkristalline Abscheidung von Halbleitermaterial aus der Gasphase |
DE2324365C3 (de) * | 1973-05-14 | 1978-05-11 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte Trägerkörper |
DE2652218A1 (de) * | 1976-11-16 | 1978-05-24 | Wacker Chemitronic | Verfahren zur herstellung von substratgebundenem, grossflaechigem silicium |
JPS53106626A (en) * | 1977-03-02 | 1978-09-16 | Komatsu Mfg Co Ltd | Method of making high purity rod silicon and appratus therefor |
JPS53108029A (en) * | 1977-03-03 | 1978-09-20 | Komatsu Mfg Co Ltd | Method of making high purity silicon having uniform shape |
US4173944A (en) * | 1977-05-20 | 1979-11-13 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh | Silverplated vapor deposition chamber |
US4179530A (en) * | 1977-05-20 | 1979-12-18 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh | Process for the deposition of pure semiconductor material |
DE2912661C2 (de) * | 1979-03-30 | 1982-06-24 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fuer Elektronik-Grundstoffe Mbh, 8263 Burghausen | Verfahren zur Abscheidung von reinem Halbleitermaterial und Düse zur Durchführung des Verfahrens |
US4304641A (en) * | 1980-11-24 | 1981-12-08 | International Business Machines Corporation | Rotary electroplating cell with controlled current distribution |
US4477911A (en) * | 1982-12-02 | 1984-10-16 | Westinghouse Electric Corp. | Integral heat pipe-electrode |
US4481232A (en) * | 1983-05-27 | 1984-11-06 | The United States Of America As Represented By The Department Of Energy | Method and apparatus for producing high purity silicon |
US4466864A (en) * | 1983-12-16 | 1984-08-21 | At&T Technologies, Inc. | Methods of and apparatus for electroplating preselected surface regions of electrical articles |
US4822641A (en) * | 1985-04-30 | 1989-04-18 | Inovan Gmbh & Co. Kg | Method of manufacturing a contact construction material structure |
SE452862B (sv) * | 1985-06-05 | 1987-12-21 | Aga Ab | Ljusbagselektrod |
US4707225A (en) * | 1986-01-06 | 1987-11-17 | Rockwell International Corporation | Fluid-cooled channel construction |
US4805556A (en) * | 1988-01-15 | 1989-02-21 | Union Carbide Corporation | Reactor system and method for forming uniformly large-diameter polycrystalline rods by the pyrolysis of silane |
US5096550A (en) * | 1990-10-15 | 1992-03-17 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method and apparatus for spatially uniform electropolishing and electrolytic etching |
RU2020777C1 (ru) * | 1991-07-03 | 1994-09-30 | Нижегородский научно-исследовательский приборостроительный институт "Кварц" | Способ металлизации подложки из фторопласта |
US5906799A (en) * | 1992-06-01 | 1999-05-25 | Hemlock Semiconductor Corporation | Chlorosilane and hydrogen reactor |
US5227041A (en) * | 1992-06-12 | 1993-07-13 | Digital Equipment Corporation | Dry contact electroplating apparatus |
DE4243570C1 (de) * | 1992-12-22 | 1994-01-27 | Heraeus Gmbh W C | Elektrischer Kontaktkörper |
RU2052538C1 (ru) * | 1993-04-08 | 1996-01-20 | Сергей Николаевич Кучанов | Способ нанесения вакуумного металлизированного покрытия на диэлектрические подложки |
US5422088A (en) * | 1994-01-28 | 1995-06-06 | Hemlock Semiconductor Corporation | Process for hydrogenation of tetrachlorosilane |
JP3377849B2 (ja) * | 1994-02-02 | 2003-02-17 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | ウエーハ用メッキ装置 |
DE4424929C2 (de) * | 1994-07-14 | 1997-02-13 | Wacker Chemie Gmbh | Halterung für Trägerkörper in einer Vorrichtung zur Abscheidung von Halbleitermaterial |
US5567300A (en) * | 1994-09-02 | 1996-10-22 | Ibm Corporation | Electrochemical metal removal technique for planarization of surfaces |
FR2741227A1 (fr) | 1995-11-14 | 1997-05-16 | Verrerie & Cristallerie | Electrode, notamment destinee a etre utilisee dans des fours de fusion du verre |
US5911619A (en) * | 1997-03-26 | 1999-06-15 | International Business Machines Corporation | Apparatus for electrochemical mechanical planarization |
US5807165A (en) * | 1997-03-26 | 1998-09-15 | International Business Machines Corporation | Method of electrochemical mechanical planarization |
NL1005963C2 (nl) * | 1997-05-02 | 1998-11-09 | Asm Int | Verticale oven voor het behandelen van halfgeleidersubstraten. |
RU2135629C1 (ru) | 1997-11-12 | 1999-08-27 | Государственное предприятие ВНИИавтогенмаш | Способ повышения долговечности электродных и сопловых устройств и технологический плазматрон для его осуществления |
JP4812938B2 (ja) * | 1997-12-15 | 2011-11-09 | レック シリコン インコーポレイテッド | 多結晶シリコン棒製造用化学的蒸気析着方式 |
US6544333B2 (en) * | 1997-12-15 | 2003-04-08 | Advanced Silicon Materials Llc | Chemical vapor deposition system for polycrystalline silicon rod production |
US6004880A (en) * | 1998-02-20 | 1999-12-21 | Lsi Logic Corporation | Method of single step damascene process for deposition and global planarization |
US6176992B1 (en) * | 1998-11-03 | 2001-01-23 | Nutool, Inc. | Method and apparatus for electro-chemical mechanical deposition |
AU3375000A (en) * | 1999-02-19 | 2000-09-04 | Gt Equipment Technologies Inc. | Method and apparatus for chemical vapor deposition of polysilicon |
JP4372918B2 (ja) | 1999-06-30 | 2009-11-25 | パナソニック電工株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
DE10005821A1 (de) | 2000-02-10 | 2001-08-23 | Schott Glas | Gekühlte Edelmetallelektrode zum Einstellen einer bestimmten Elektrodenoberfläche |
DE10041564C2 (de) * | 2000-08-24 | 2002-06-27 | Heraeus Noblelight Gmbh | Kühlbares Infrarotstrahlerelement |
DE10101040A1 (de) * | 2001-01-11 | 2002-07-25 | Wacker Chemie Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines polykristallinen Siliciumstabes |
JP2002231357A (ja) * | 2001-02-06 | 2002-08-16 | Nagano Fujitsu Component Kk | 電気接点およびコネクタ |
US6623801B2 (en) * | 2001-07-30 | 2003-09-23 | Komatsu Ltd. | Method of producing high-purity polycrystalline silicon |
JP3870824B2 (ja) * | 2001-09-11 | 2007-01-24 | 住友電気工業株式会社 | 被処理物保持体、半導体製造装置用サセプタおよび処理装置 |
GB0213402D0 (en) | 2002-06-12 | 2002-07-24 | Johnson Matthey Plc | Improvements in coated equipment |
JP2004205059A (ja) | 2002-12-20 | 2004-07-22 | Toyo Radiator Co Ltd | 高耐蝕性熱交換器の製造方法 |
JP2005272965A (ja) | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 電極部材、及びこれを備えた成膜装置 |
JP4031782B2 (ja) * | 2004-07-01 | 2008-01-09 | 株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ | 多結晶シリコン製造方法およびシード保持電極 |
JP2007281161A (ja) | 2006-04-06 | 2007-10-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置用ウエハ保持体及び半導体製造装置 |
US9683286B2 (en) * | 2006-04-28 | 2017-06-20 | Gtat Corporation | Increased polysilicon deposition in a CVD reactor |
AU2009236679B2 (en) | 2008-04-14 | 2014-02-27 | Hemlock Semiconductor Corporation | Manufacturing apparatus for depositing a material and an electrode for use therein |
RU2503905C2 (ru) | 2008-04-14 | 2014-01-10 | Хемлок Семикондактор Корпорейшн | Производственная установка для осаждения материала и электрод для использования в ней |
-
2009
- 2009-04-13 CA CA2721194A patent/CA2721194A1/en not_active Abandoned
- 2009-04-13 WO PCT/US2009/002293 patent/WO2009128887A1/en active Application Filing
- 2009-04-13 EP EP09732132.7A patent/EP2266368B1/en not_active Not-in-force
- 2009-04-13 CN CN2009801201109A patent/CN102047750B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-04-13 AU AU2009236678A patent/AU2009236678B2/en not_active Ceased
- 2009-04-13 RU RU2010146252/07A patent/RU2494578C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2009-04-13 US US12/937,927 patent/US8784565B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-04-13 KR KR1020107025227A patent/KR101639577B1/ko active IP Right Grant
- 2009-04-13 JP JP2011505006A patent/JP5762949B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-04-14 TW TW098112371A patent/TWI495029B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI495029B (zh) | 2015-08-01 |
CN102047750B (zh) | 2013-11-06 |
TW201001596A (en) | 2010-01-01 |
CN102047750A (zh) | 2011-05-04 |
AU2009236678B2 (en) | 2014-02-27 |
CA2721194A1 (en) | 2009-10-22 |
RU2494578C2 (ru) | 2013-09-27 |
JP2011522959A (ja) | 2011-08-04 |
US20110031115A1 (en) | 2011-02-10 |
EP2266368A1 (en) | 2010-12-29 |
AU2009236678A1 (en) | 2009-10-22 |
WO2009128887A1 (en) | 2009-10-22 |
JP5762949B2 (ja) | 2015-08-12 |
KR20110008082A (ko) | 2011-01-25 |
EP2266368B1 (en) | 2018-03-28 |
US8784565B2 (en) | 2014-07-22 |
KR101639577B1 (ko) | 2016-07-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2010146252A (ru) | Производственная установка для осаждения материала и электрод для использования | |
JP2011522959A5 (ru) | ||
RU2010146244A (ru) | Производственная установка для осаждения материала и электрод для использования в ней | |
JP2009515316A5 (ru) | ||
CN105433446A (zh) | 一种陶瓷蒸发体、雾化芯、雾化器及电子烟 | |
RU2010146253A (ru) | Производственная установка для осаждения материала и электрод для использования в ней | |
Zhang et al. | Laboratory filter paper as a substrate material for flexible supercapacitors | |
US20140242462A1 (en) | Corrosion resistance metallic components for batteries | |
WO2008055404A1 (fr) | Batterie solaire sensibilisé par une teinture et son électrode de travail | |
GB2452465A (en) | Current distribution system for electrochemical cells | |
JP2011523758A5 (ru) | ||
CN100514727C (zh) | 一种质子交换膜燃料电池不锈钢双极板表面改性方法 | |
RU2012114734A (ru) | Технологическое устройство для осаждения материала и электрод для использования в таком устройстве | |
CN101174696A (zh) | 一种憎水的燃料电池金属双极板的制造方法 | |
WO2008041122A2 (en) | Heating element, particularly for hot runners of injection moulding apparatus of plastic material, and hotrunner | |
CN110284112A (zh) | 一种燃料电池双极板碳涂层多腔体沉积系统及其应用 | |
CN114457293A (zh) | 一种导电疏水涂层及其制备方法 | |
TW200719364A (en) | Surface mount device having a cushioning layer therein and the method of making the same | |
JP2013140766A (ja) | 円筒型固体酸化物燃料電池モジュールおよびその製造方法 | |
CN209338116U (zh) | 一种快速产生臭氧的高压电极装置 | |
CN208228302U (zh) | 一种发热体及电子烟 | |
CN210810553U (zh) | 一种即热式饮水装置 | |
CN200976686Y (zh) | 水烧电热管 | |
WO2006035046A3 (de) | Hochtemperatur-brennstoffzellenanlage und verfahren zur herstellung von kontaktierungselementen für eine derartige brennstoffzellenanlage | |
US11892249B2 (en) | Heat dissipation table made of alloy material and with special waterway design |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20160414 |