RU2010146244A - Производственная установка для осаждения материала и электрод для использования в ней - Google Patents
Производственная установка для осаждения материала и электрод для использования в ней Download PDFInfo
- Publication number
- RU2010146244A RU2010146244A RU2010146244/06A RU2010146244A RU2010146244A RU 2010146244 A RU2010146244 A RU 2010146244A RU 2010146244/06 A RU2010146244/06 A RU 2010146244/06A RU 2010146244 A RU2010146244 A RU 2010146244A RU 2010146244 A RU2010146244 A RU 2010146244A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- electrode
- channel
- barrel
- head
- electrode according
- Prior art date
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K10/00—Welding or cutting by means of a plasma
- B23K10/02—Plasma welding
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4418—Methods for making free-standing articles
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/02—Details
- H05B3/03—Electrodes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
1. Производственная установка для осаждения материала на несущую подложку, имеющую находящиеся на расстоянии друг от друга первый конец и второй конец, с контактным гнездом, расположенным на каждом конце несущей подложки, причем упомянутая установка содержит: ! корпус, образующий камеру; ! впуск, образованный через упомянутый корпус, для введения газа в упомянутую камеру; ! выпуск, образованный через упомянутый корпус, для отведения газа из упомянутой камеры; ! по меньшей мере один электрод, расположенный проходящим через упомянутый корпус, причем упомянутый электрод по меньшей мере частично расположен внутри упомянутой камеры для приема контактного гнезда и причем упомянутый электрод имеет внутреннюю поверхность, образующую канал; ! источник питания, соединенный с упомянутым электродом, для снабжения электрическим током упомянутого электрода; ! циркуляционную систему, расположенную внутри упомянутого канала, для циркуляции охладителя через упомянутый электрод и ! покрытие канала, расположенное на упомянутой внутренней поверхности, для сохранения теплопроводности между упомянутым электродом и охладителем. ! 2. Установка по п.1, при этом упомянутый по меньшей мере один электрод включает в себя первый электрод для приема контактного гнезда на первом конце несущей подложки и второй электрод для приема контактного гнезда на втором конце несущей подложки. ! 3. Установка по п.1, при этом упомянутый электрод дополнительно включает в себя ствол и головку, образующую область контакта, причем упомянутая головка расположена на упомянутом стволе. ! 4. Установка по п.3, при этом упомянутый ствол имеет первый конец и �
Claims (30)
1. Производственная установка для осаждения материала на несущую подложку, имеющую находящиеся на расстоянии друг от друга первый конец и второй конец, с контактным гнездом, расположенным на каждом конце несущей подложки, причем упомянутая установка содержит:
корпус, образующий камеру;
впуск, образованный через упомянутый корпус, для введения газа в упомянутую камеру;
выпуск, образованный через упомянутый корпус, для отведения газа из упомянутой камеры;
по меньшей мере один электрод, расположенный проходящим через упомянутый корпус, причем упомянутый электрод по меньшей мере частично расположен внутри упомянутой камеры для приема контактного гнезда и причем упомянутый электрод имеет внутреннюю поверхность, образующую канал;
источник питания, соединенный с упомянутым электродом, для снабжения электрическим током упомянутого электрода;
циркуляционную систему, расположенную внутри упомянутого канала, для циркуляции охладителя через упомянутый электрод и
покрытие канала, расположенное на упомянутой внутренней поверхности, для сохранения теплопроводности между упомянутым электродом и охладителем.
2. Установка по п.1, при этом упомянутый по меньшей мере один электрод включает в себя первый электрод для приема контактного гнезда на первом конце несущей подложки и второй электрод для приема контактного гнезда на втором конце несущей подложки.
3. Установка по п.1, при этом упомянутый электрод дополнительно включает в себя ствол и головку, образующую область контакта, причем упомянутая головка расположена на упомянутом стволе.
4. Установка по п.3, при этом упомянутый ствол имеет первый конец и второй конец и при этом упомянутый канал имеет длину, простирающуюся между упомянутым первым концом и упомянутым вторым концом упомянутого электрода.
5. Установка по п.4, при этом упомянутая циркуляционная система включает в себя внутреннюю трубку, установленную внутри упомянутого первого конца упомянутого электрода, причем упомянутая внутренняя трубка расположена внутри и простирающейся вдоль большей части упомянутой длины упомянутого канала.
6. Установка по любому предыдущему пункту, при этом упомянутое покрытие канала содержит по меньшей мере один элемент из серебра, золота, никеля и хрома.
7. Установка по любому из пп.1-5, при этом упомянутое покрытие канала содержит никель.
8. Установка по любому из пп.1-5, при этом упомянутое покрытие канала дополнительно содержит препятствующий потускнению слой, расположенный на упомянутом покрытии канала.
9. Электрод для использования с производственной установкой для осаждения материала на несущую подложку и для циркуляции охладителя через упомянутый электрод, причем упомянутый электрод содержит:
ствол, имеющий находящиеся на расстоянии друг от друга первый конец и второй конец;
головку, расположенную на упомянутом втором конце упомянутого ствола;
причем по меньшей мере одно из упомянутого ствола и упомянутой головки включает в себя внутреннюю поверхность, образующую канал;
покрытие канала, расположенное на упомянутой внутренней поверхности, для сохранения теплопроводности между упомянутым электродом и охладителем.
10. Электрод по п.9, в котором упомянутая внутренняя поверхность включает в себя контактный конец, находящийся на расстоянии от упомянутого первого конца упомянутого ствола.
11. Электрод по п.9, при этом упомянутый ствол образует упомянутый канал.
12. Электрод по п.9, при этом упомянутая головка является цельной с упомянутым стволом, и упомянутый ствол и упомянутая головка содержат медь.
13. Электрод по п.9, при этом упомянутая головка является цельной с упомянутым стволом и упомянутый ствол и упомянутая головка содержат бескислородную электролитическую медь.
14. Электрод по любому из пп.9-13, при этом упомянутое покрытие канала содержит по меньшей мере один элемент из серебра, золота, никеля и хрома.
15. Электрод по любому из пп.9-13, при этом упомянутое покрытие канала содержит никель.
16. Электрод по любому из пп.9-13, дополнительно содержащий препятствующий потускнению слой, расположенный на упомянутом покрытии канала.
17. Электрод по любому из пп.9-13, при этом упомянутый ствол имеет внешнюю поверхность, расположенную между упомянутым первым концом и упомянутым вторым концом упомянутого ствола.
18. Электрод по п.17, дополнительно включающий в себя покрытие ствола, расположенное на упомянутой внешней поверхности упомянутого ствола.
19. Электрод по п.18, при этом упомянутое покрытие ствола содержит по меньшей мере один элемент из серебра, золота, никеля и хрома.
20. Электрод по п.18, при этом упомянутое покрытие ствола содержит серебро.
21. Электрод по любому из пп.9-13, при этом упомянутая головка имеет внешнюю поверхность.
22. Электрод по п.21, дополнительно включающий в себя покрытие головки, расположенное на упомянутой внешней поверхности упомянутой головки.
23. Электрод по п.22, при этом упомянутое покрытие головки содержит по меньшей мере один элемент из серебра, золота, никеля и хрома.
24. Электрод по п.22, при этом упомянутое покрытие головки содержит никель.
25. Электрод по любому из пп.9-13, при этом несущая подложка имеет находящиеся на расстоянии друг от друга первый конец и второй конец, с контактным гнездом, расположенным на каждом конце несущей подложки.
26. Электрод по п.25, при этом упомянутая внешняя поверхность упомянутой головки образует область контакта для приема контактного гнезда на конце несущей подложки.
27. Электрод по п.26, дополнительно включающий в себя покрытие области контакта, расположенное на упомянутой внешней поверхности упомянутой области контакта.
28. Электрод по п.27, при этом упомянутое покрытие области контакта содержит по меньшей мере один элемент из серебра, золота и хрома.
29. Электрод по любому из пп.9-13, при этом упомянутое покрытие канала имеет теплопроводность от 70,3 до 427 Вт/(м∙К).
30. Электрод по любому из пп.9-13, при этом упомянутое покрытие канала имеет толщину от 0,0025 до 0,026 мм.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US4466608P | 2008-04-14 | 2008-04-14 | |
US61/044,666 | 2008-04-14 | ||
PCT/US2009/002289 WO2009128886A1 (en) | 2008-04-14 | 2009-04-13 | Manufacturing apparatus for depositing a material and an electrode for use therein |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2010146244A true RU2010146244A (ru) | 2012-05-20 |
RU2503905C2 RU2503905C2 (ru) | 2014-01-10 |
Family
ID=40756999
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2010146244/06A RU2503905C2 (ru) | 2008-04-14 | 2009-04-13 | Производственная установка для осаждения материала и электрод для использования в ней |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20110036292A1 (ru) |
EP (1) | EP2265883A1 (ru) |
JP (1) | JP2011517734A (ru) |
KR (1) | KR20110008078A (ru) |
CN (1) | CN102047066B (ru) |
AU (1) | AU2009236677B2 (ru) |
CA (1) | CA2721192A1 (ru) |
RU (1) | RU2503905C2 (ru) |
TW (1) | TWI470718B (ru) |
WO (1) | WO2009128886A1 (ru) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5959198B2 (ja) | 2008-04-14 | 2016-08-02 | ヘムロック・セミコンダクター・コーポレーション | 材料を蒸着するための製造装置及び当該装置において使用される電極 |
AU2009236678B2 (en) | 2008-04-14 | 2014-02-27 | Hemlock Semiconductor Corporation | Manufacturing apparatus for depositing a material on an electrode for use therein |
MY157446A (en) * | 2008-06-23 | 2016-06-15 | Gt Solar Inc | Chuck and bridge connection points for tube filaments in a chemical vapor deposition reactor |
US8540818B2 (en) * | 2009-04-28 | 2013-09-24 | Mitsubishi Materials Corporation | Polycrystalline silicon reactor |
CN102471883A (zh) * | 2009-07-14 | 2012-05-23 | 赫姆洛克半导体公司 | 抑制沉积物在制造系统中的形成的方法 |
JP5579634B2 (ja) * | 2011-01-24 | 2014-08-27 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン製造用反応炉および多結晶シリコンの製造方法 |
JP2015527490A (ja) * | 2012-07-10 | 2015-09-17 | ヘムロック・セミコンダクター・コーポレーション | 材料を蒸着するための製造機器、その中で使用するための受け口、受け口の製造方法及び担体上に材料を蒸着する方法 |
US10001095B2 (en) * | 2013-03-12 | 2018-06-19 | Walbro Llc | Retainer with grounding feature for fuel system component |
US10450649B2 (en) | 2014-01-29 | 2019-10-22 | Gtat Corporation | Reactor filament assembly with enhanced misalignment tolerance |
US20160122875A1 (en) * | 2014-11-05 | 2016-05-05 | Rec Silicon Inc | Chemical vapor deposition reactor with filament holding assembly |
USD917680S1 (en) * | 2017-09-12 | 2021-04-27 | Ian Derek Fawn-Meade | Hot water tank powered titanium anode rod |
CN110524096A (zh) * | 2019-08-06 | 2019-12-03 | 宝鸡鼎晟真空热技术有限公司 | 用于连接真空焊箱的等离子焊枪 |
Family Cites Families (58)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1054141A (ru) * | 1900-01-01 | |||
US1738828A (en) * | 1925-03-02 | 1929-12-10 | Jackson Arthur Hews | Low-resistance permanent wire |
US2600823A (en) * | 1949-01-15 | 1952-06-17 | Allegheny Ludlum Steel | Hot top electrode tip |
US3330251A (en) * | 1955-11-02 | 1967-07-11 | Siemens Ag | Apparatus for producing highest-purity silicon for electric semiconductor devices |
US3011877A (en) * | 1956-06-25 | 1961-12-05 | Siemens Ag | Production of high-purity semiconductor materials for electrical purposes |
BE564212A (ru) * | 1957-01-25 | |||
NL124690C (ru) * | 1958-05-29 | |||
DE1150366B (de) * | 1958-12-09 | 1963-06-20 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von Reinstsilicium |
NL251143A (ru) * | 1959-05-04 | |||
DE1155759B (de) * | 1959-06-11 | 1963-10-17 | Siemens Ag | Vorrichtung zur Gewinnung reinsten kristallinen Halbleitermaterials fuer elektrotechnische Zwecke |
DE1264400B (de) * | 1961-01-26 | 1968-03-28 | Siemens Ag | Vorrichtung zur Gewinnung reinen Halbleitermaterials aus der Gasphase |
DE1138481C2 (de) * | 1961-06-09 | 1963-05-22 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen durch einkristalline Abscheidung von Halbleitermaterial aus der Gasphase |
DE2324365C3 (de) * | 1973-05-14 | 1978-05-11 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte Trägerkörper |
DE2652218A1 (de) * | 1976-11-16 | 1978-05-24 | Wacker Chemitronic | Verfahren zur herstellung von substratgebundenem, grossflaechigem silicium |
JPS53106626A (en) * | 1977-03-02 | 1978-09-16 | Komatsu Mfg Co Ltd | Method of making high purity rod silicon and appratus therefor |
JPS53108029A (en) * | 1977-03-03 | 1978-09-20 | Komatsu Mfg Co Ltd | Method of making high purity silicon having uniform shape |
US4179530A (en) * | 1977-05-20 | 1979-12-18 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh | Process for the deposition of pure semiconductor material |
US4173944A (en) * | 1977-05-20 | 1979-11-13 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh | Silverplated vapor deposition chamber |
DE2912661C2 (de) * | 1979-03-30 | 1982-06-24 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fuer Elektronik-Grundstoffe Mbh, 8263 Burghausen | Verfahren zur Abscheidung von reinem Halbleitermaterial und Düse zur Durchführung des Verfahrens |
US4304641A (en) * | 1980-11-24 | 1981-12-08 | International Business Machines Corporation | Rotary electroplating cell with controlled current distribution |
US4477911A (en) * | 1982-12-02 | 1984-10-16 | Westinghouse Electric Corp. | Integral heat pipe-electrode |
US4481232A (en) * | 1983-05-27 | 1984-11-06 | The United States Of America As Represented By The Department Of Energy | Method and apparatus for producing high purity silicon |
US4466864A (en) * | 1983-12-16 | 1984-08-21 | At&T Technologies, Inc. | Methods of and apparatus for electroplating preselected surface regions of electrical articles |
US4822641A (en) * | 1985-04-30 | 1989-04-18 | Inovan Gmbh & Co. Kg | Method of manufacturing a contact construction material structure |
SE452862B (sv) * | 1985-06-05 | 1987-12-21 | Aga Ab | Ljusbagselektrod |
US4707225A (en) * | 1986-01-06 | 1987-11-17 | Rockwell International Corporation | Fluid-cooled channel construction |
US4805556A (en) * | 1988-01-15 | 1989-02-21 | Union Carbide Corporation | Reactor system and method for forming uniformly large-diameter polycrystalline rods by the pyrolysis of silane |
US5096550A (en) * | 1990-10-15 | 1992-03-17 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method and apparatus for spatially uniform electropolishing and electrolytic etching |
US5906799A (en) * | 1992-06-01 | 1999-05-25 | Hemlock Semiconductor Corporation | Chlorosilane and hydrogen reactor |
US5227041A (en) * | 1992-06-12 | 1993-07-13 | Digital Equipment Corporation | Dry contact electroplating apparatus |
DE4243570C1 (de) * | 1992-12-22 | 1994-01-27 | Heraeus Gmbh W C | Elektrischer Kontaktkörper |
US5422088A (en) * | 1994-01-28 | 1995-06-06 | Hemlock Semiconductor Corporation | Process for hydrogenation of tetrachlorosilane |
JP3377849B2 (ja) * | 1994-02-02 | 2003-02-17 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | ウエーハ用メッキ装置 |
DE4424929C2 (de) * | 1994-07-14 | 1997-02-13 | Wacker Chemie Gmbh | Halterung für Trägerkörper in einer Vorrichtung zur Abscheidung von Halbleitermaterial |
US5567300A (en) * | 1994-09-02 | 1996-10-22 | Ibm Corporation | Electrochemical metal removal technique for planarization of surfaces |
FR2741227A1 (fr) * | 1995-11-14 | 1997-05-16 | Verrerie & Cristallerie | Electrode, notamment destinee a etre utilisee dans des fours de fusion du verre |
US5911619A (en) * | 1997-03-26 | 1999-06-15 | International Business Machines Corporation | Apparatus for electrochemical mechanical planarization |
US5807165A (en) * | 1997-03-26 | 1998-09-15 | International Business Machines Corporation | Method of electrochemical mechanical planarization |
NL1005963C2 (nl) * | 1997-05-02 | 1998-11-09 | Asm Int | Verticale oven voor het behandelen van halfgeleidersubstraten. |
RU2135629C1 (ru) * | 1997-11-12 | 1999-08-27 | Государственное предприятие ВНИИавтогенмаш | Способ повышения долговечности электродных и сопловых устройств и технологический плазматрон для его осуществления |
WO1999031013A1 (en) * | 1997-12-15 | 1999-06-24 | Advanced Silicon Materials, Inc. | Chemical vapor deposition system for polycrystalline silicon rod production |
US6544333B2 (en) * | 1997-12-15 | 2003-04-08 | Advanced Silicon Materials Llc | Chemical vapor deposition system for polycrystalline silicon rod production |
US6004880A (en) * | 1998-02-20 | 1999-12-21 | Lsi Logic Corporation | Method of single step damascene process for deposition and global planarization |
US6176992B1 (en) * | 1998-11-03 | 2001-01-23 | Nutool, Inc. | Method and apparatus for electro-chemical mechanical deposition |
AU3375000A (en) * | 1999-02-19 | 2000-09-04 | Gt Equipment Technologies Inc. | Method and apparatus for chemical vapor deposition of polysilicon |
JP4372918B2 (ja) * | 1999-06-30 | 2009-11-25 | パナソニック電工株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2001156042A (ja) * | 1999-11-29 | 2001-06-08 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
DE10041564C2 (de) * | 2000-08-24 | 2002-06-27 | Heraeus Noblelight Gmbh | Kühlbares Infrarotstrahlerelement |
DE10101040A1 (de) * | 2001-01-11 | 2002-07-25 | Wacker Chemie Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines polykristallinen Siliciumstabes |
JP2002231357A (ja) * | 2001-02-06 | 2002-08-16 | Nagano Fujitsu Component Kk | 電気接点およびコネクタ |
JP4402860B2 (ja) * | 2001-03-28 | 2010-01-20 | 忠弘 大見 | プラズマ処理装置 |
NL1017849C2 (nl) * | 2001-04-16 | 2002-10-30 | Univ Eindhoven Tech | Werkwijze en inrichting voor het deponeren van een althans ten dele kristallijne siliciumlaag op een substraat. |
US6623801B2 (en) * | 2001-07-30 | 2003-09-23 | Komatsu Ltd. | Method of producing high-purity polycrystalline silicon |
JP3870824B2 (ja) * | 2001-09-11 | 2007-01-24 | 住友電気工業株式会社 | 被処理物保持体、半導体製造装置用サセプタおよび処理装置 |
JP2004205059A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-22 | Toyo Radiator Co Ltd | 高耐蝕性熱交換器の製造方法 |
JP4031782B2 (ja) * | 2004-07-01 | 2008-01-09 | 株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ | 多結晶シリコン製造方法およびシード保持電極 |
JP2007281161A (ja) * | 2006-04-06 | 2007-10-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置用ウエハ保持体及び半導体製造装置 |
US9683286B2 (en) * | 2006-04-28 | 2017-06-20 | Gtat Corporation | Increased polysilicon deposition in a CVD reactor |
-
2009
- 2009-04-13 RU RU2010146244/06A patent/RU2503905C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2009-04-13 WO PCT/US2009/002289 patent/WO2009128886A1/en active Application Filing
- 2009-04-13 JP JP2011505004A patent/JP2011517734A/ja active Pending
- 2009-04-13 AU AU2009236677A patent/AU2009236677B2/en not_active Ceased
- 2009-04-13 CN CN200980120116.6A patent/CN102047066B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-04-13 US US12/937,790 patent/US20110036292A1/en not_active Abandoned
- 2009-04-13 CA CA2721192A patent/CA2721192A1/en not_active Abandoned
- 2009-04-13 KR KR1020107024715A patent/KR20110008078A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-04-13 EP EP09733051A patent/EP2265883A1/en not_active Withdrawn
- 2009-04-14 TW TW98112372A patent/TWI470718B/zh not_active IP Right Cessation
-
2014
- 2014-08-12 US US14/457,401 patent/US20140353290A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201001597A (en) | 2010-01-01 |
AU2009236677A1 (en) | 2009-10-22 |
WO2009128886A1 (en) | 2009-10-22 |
CA2721192A1 (en) | 2009-10-22 |
RU2503905C2 (ru) | 2014-01-10 |
US20140353290A1 (en) | 2014-12-04 |
EP2265883A1 (en) | 2010-12-29 |
US20110036292A1 (en) | 2011-02-17 |
CN102047066B (zh) | 2013-01-16 |
CN102047066A (zh) | 2011-05-04 |
TWI470718B (zh) | 2015-01-21 |
KR20110008078A (ko) | 2011-01-25 |
JP2011517734A (ja) | 2011-06-16 |
AU2009236677B2 (en) | 2012-11-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2010146244A (ru) | Производственная установка для осаждения материала и электрод для использования в ней | |
RU2010146252A (ru) | Производственная установка для осаждения материала и электрод для использования | |
US20160341486A1 (en) | Mobile terminal | |
JP2011517734A5 (ru) | ||
JP2011522959A5 (ru) | ||
TW200919760A (en) | Method and device for coating solar cells | |
US20140217894A1 (en) | Linear plasma source | |
KR101190603B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
RU2010146253A (ru) | Производственная установка для осаждения материала и электрод для использования в ней | |
KR20130098663A (ko) | 박막 제조 장치 및 그 제조 방법 | |
TW201129501A (en) | Manufacturing apparatus for depositing a material and an electrode for use therein | |
US20030095072A1 (en) | Antenna electrode for inductively coupled plasma generation apparatus | |
TWI461139B (zh) | 電子裝置殼體製造方法 | |
JP2011523758A5 (ru) | ||
RU2012114734A (ru) | Технологическое устройство для осаждения материала и электрод для использования в таком устройстве | |
US20150241125A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
US20170316964A1 (en) | Dome cooling using compliant material | |
CN101874285A (zh) | 双管配置的介电阻挡放电灯 | |
CN100561636C (zh) | 外部电极荧光灯的电极制造方法及外部电极荧光灯 | |
RU2012114733A (ru) | Устройство для химического осаждения из газовой фазы | |
KR20110131394A (ko) | ZnO 나노와이어 대면적 성장 시스템 | |
CN202697018U (zh) | 一种用于直流弧放电高密度等离子体发生器的阳极底座 | |
EP3136425A1 (en) | Electric heater type waste gas treatment device and electric heater structure used therein | |
CN103152986B (zh) | 一种高散热陶瓷基体电路板的生产工艺 | |
CN1321463C (zh) | 金刚石晶体管及其制作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20160414 |