RU2010146244A - Производственная установка для осаждения материала и электрод для использования в ней - Google Patents

Производственная установка для осаждения материала и электрод для использования в ней Download PDF

Info

Publication number
RU2010146244A
RU2010146244A RU2010146244/06A RU2010146244A RU2010146244A RU 2010146244 A RU2010146244 A RU 2010146244A RU 2010146244/06 A RU2010146244/06 A RU 2010146244/06A RU 2010146244 A RU2010146244 A RU 2010146244A RU 2010146244 A RU2010146244 A RU 2010146244A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
electrode
channel
barrel
head
electrode according
Prior art date
Application number
RU2010146244/06A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2503905C2 (ru
Inventor
Макс ДЕХТИАР (US)
Макс ДЕХТИАР
Дэвид ХИЛЛЭБРЭНД (US)
Дэвид ХИЛЛЭБРЭНД
Теодор КНАПП (US)
Теодор КНАПП
Кит МАККОЙ (US)
Кит МАККОЙ
Майкл МОЛНАР (US)
Майкл МОЛНАР
Original Assignee
Хемлок Семикондактор Корпорейшн (Us)
Хемлок Семикондактор Корпорейшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Хемлок Семикондактор Корпорейшн (Us), Хемлок Семикондактор Корпорейшн filed Critical Хемлок Семикондактор Корпорейшн (Us)
Publication of RU2010146244A publication Critical patent/RU2010146244A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2503905C2 publication Critical patent/RU2503905C2/ru

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K10/00Welding or cutting by means of a plasma
    • B23K10/02Plasma welding
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4418Methods for making free-standing articles
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/02Details
    • H05B3/03Electrodes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

1. Производственная установка для осаждения материала на несущую подложку, имеющую находящиеся на расстоянии друг от друга первый конец и второй конец, с контактным гнездом, расположенным на каждом конце несущей подложки, причем упомянутая установка содержит: ! корпус, образующий камеру; ! впуск, образованный через упомянутый корпус, для введения газа в упомянутую камеру; ! выпуск, образованный через упомянутый корпус, для отведения газа из упомянутой камеры; ! по меньшей мере один электрод, расположенный проходящим через упомянутый корпус, причем упомянутый электрод по меньшей мере частично расположен внутри упомянутой камеры для приема контактного гнезда и причем упомянутый электрод имеет внутреннюю поверхность, образующую канал; ! источник питания, соединенный с упомянутым электродом, для снабжения электрическим током упомянутого электрода; ! циркуляционную систему, расположенную внутри упомянутого канала, для циркуляции охладителя через упомянутый электрод и ! покрытие канала, расположенное на упомянутой внутренней поверхности, для сохранения теплопроводности между упомянутым электродом и охладителем. ! 2. Установка по п.1, при этом упомянутый по меньшей мере один электрод включает в себя первый электрод для приема контактного гнезда на первом конце несущей подложки и второй электрод для приема контактного гнезда на втором конце несущей подложки. ! 3. Установка по п.1, при этом упомянутый электрод дополнительно включает в себя ствол и головку, образующую область контакта, причем упомянутая головка расположена на упомянутом стволе. ! 4. Установка по п.3, при этом упомянутый ствол имеет первый конец и �

Claims (30)

1. Производственная установка для осаждения материала на несущую подложку, имеющую находящиеся на расстоянии друг от друга первый конец и второй конец, с контактным гнездом, расположенным на каждом конце несущей подложки, причем упомянутая установка содержит:
корпус, образующий камеру;
впуск, образованный через упомянутый корпус, для введения газа в упомянутую камеру;
выпуск, образованный через упомянутый корпус, для отведения газа из упомянутой камеры;
по меньшей мере один электрод, расположенный проходящим через упомянутый корпус, причем упомянутый электрод по меньшей мере частично расположен внутри упомянутой камеры для приема контактного гнезда и причем упомянутый электрод имеет внутреннюю поверхность, образующую канал;
источник питания, соединенный с упомянутым электродом, для снабжения электрическим током упомянутого электрода;
циркуляционную систему, расположенную внутри упомянутого канала, для циркуляции охладителя через упомянутый электрод и
покрытие канала, расположенное на упомянутой внутренней поверхности, для сохранения теплопроводности между упомянутым электродом и охладителем.
2. Установка по п.1, при этом упомянутый по меньшей мере один электрод включает в себя первый электрод для приема контактного гнезда на первом конце несущей подложки и второй электрод для приема контактного гнезда на втором конце несущей подложки.
3. Установка по п.1, при этом упомянутый электрод дополнительно включает в себя ствол и головку, образующую область контакта, причем упомянутая головка расположена на упомянутом стволе.
4. Установка по п.3, при этом упомянутый ствол имеет первый конец и второй конец и при этом упомянутый канал имеет длину, простирающуюся между упомянутым первым концом и упомянутым вторым концом упомянутого электрода.
5. Установка по п.4, при этом упомянутая циркуляционная система включает в себя внутреннюю трубку, установленную внутри упомянутого первого конца упомянутого электрода, причем упомянутая внутренняя трубка расположена внутри и простирающейся вдоль большей части упомянутой длины упомянутого канала.
6. Установка по любому предыдущему пункту, при этом упомянутое покрытие канала содержит по меньшей мере один элемент из серебра, золота, никеля и хрома.
7. Установка по любому из пп.1-5, при этом упомянутое покрытие канала содержит никель.
8. Установка по любому из пп.1-5, при этом упомянутое покрытие канала дополнительно содержит препятствующий потускнению слой, расположенный на упомянутом покрытии канала.
9. Электрод для использования с производственной установкой для осаждения материала на несущую подложку и для циркуляции охладителя через упомянутый электрод, причем упомянутый электрод содержит:
ствол, имеющий находящиеся на расстоянии друг от друга первый конец и второй конец;
головку, расположенную на упомянутом втором конце упомянутого ствола;
причем по меньшей мере одно из упомянутого ствола и упомянутой головки включает в себя внутреннюю поверхность, образующую канал;
покрытие канала, расположенное на упомянутой внутренней поверхности, для сохранения теплопроводности между упомянутым электродом и охладителем.
10. Электрод по п.9, в котором упомянутая внутренняя поверхность включает в себя контактный конец, находящийся на расстоянии от упомянутого первого конца упомянутого ствола.
11. Электрод по п.9, при этом упомянутый ствол образует упомянутый канал.
12. Электрод по п.9, при этом упомянутая головка является цельной с упомянутым стволом, и упомянутый ствол и упомянутая головка содержат медь.
13. Электрод по п.9, при этом упомянутая головка является цельной с упомянутым стволом и упомянутый ствол и упомянутая головка содержат бескислородную электролитическую медь.
14. Электрод по любому из пп.9-13, при этом упомянутое покрытие канала содержит по меньшей мере один элемент из серебра, золота, никеля и хрома.
15. Электрод по любому из пп.9-13, при этом упомянутое покрытие канала содержит никель.
16. Электрод по любому из пп.9-13, дополнительно содержащий препятствующий потускнению слой, расположенный на упомянутом покрытии канала.
17. Электрод по любому из пп.9-13, при этом упомянутый ствол имеет внешнюю поверхность, расположенную между упомянутым первым концом и упомянутым вторым концом упомянутого ствола.
18. Электрод по п.17, дополнительно включающий в себя покрытие ствола, расположенное на упомянутой внешней поверхности упомянутого ствола.
19. Электрод по п.18, при этом упомянутое покрытие ствола содержит по меньшей мере один элемент из серебра, золота, никеля и хрома.
20. Электрод по п.18, при этом упомянутое покрытие ствола содержит серебро.
21. Электрод по любому из пп.9-13, при этом упомянутая головка имеет внешнюю поверхность.
22. Электрод по п.21, дополнительно включающий в себя покрытие головки, расположенное на упомянутой внешней поверхности упомянутой головки.
23. Электрод по п.22, при этом упомянутое покрытие головки содержит по меньшей мере один элемент из серебра, золота, никеля и хрома.
24. Электрод по п.22, при этом упомянутое покрытие головки содержит никель.
25. Электрод по любому из пп.9-13, при этом несущая подложка имеет находящиеся на расстоянии друг от друга первый конец и второй конец, с контактным гнездом, расположенным на каждом конце несущей подложки.
26. Электрод по п.25, при этом упомянутая внешняя поверхность упомянутой головки образует область контакта для приема контактного гнезда на конце несущей подложки.
27. Электрод по п.26, дополнительно включающий в себя покрытие области контакта, расположенное на упомянутой внешней поверхности упомянутой области контакта.
28. Электрод по п.27, при этом упомянутое покрытие области контакта содержит по меньшей мере один элемент из серебра, золота и хрома.
29. Электрод по любому из пп.9-13, при этом упомянутое покрытие канала имеет теплопроводность от 70,3 до 427 Вт/(м∙К).
30. Электрод по любому из пп.9-13, при этом упомянутое покрытие канала имеет толщину от 0,0025 до 0,026 мм.
RU2010146244/06A 2008-04-14 2009-04-13 Производственная установка для осаждения материала и электрод для использования в ней RU2503905C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US4466608P 2008-04-14 2008-04-14
US61/044,666 2008-04-14
PCT/US2009/002289 WO2009128886A1 (en) 2008-04-14 2009-04-13 Manufacturing apparatus for depositing a material and an electrode for use therein

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010146244A true RU2010146244A (ru) 2012-05-20
RU2503905C2 RU2503905C2 (ru) 2014-01-10

Family

ID=40756999

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010146244/06A RU2503905C2 (ru) 2008-04-14 2009-04-13 Производственная установка для осаждения материала и электрод для использования в ней

Country Status (10)

Country Link
US (2) US20110036292A1 (ru)
EP (1) EP2265883A1 (ru)
JP (1) JP2011517734A (ru)
KR (1) KR20110008078A (ru)
CN (1) CN102047066B (ru)
AU (1) AU2009236677B2 (ru)
CA (1) CA2721192A1 (ru)
RU (1) RU2503905C2 (ru)
TW (1) TWI470718B (ru)
WO (1) WO2009128886A1 (ru)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5959198B2 (ja) 2008-04-14 2016-08-02 ヘムロック・セミコンダクター・コーポレーション 材料を蒸着するための製造装置及び当該装置において使用される電極
AU2009236678B2 (en) 2008-04-14 2014-02-27 Hemlock Semiconductor Corporation Manufacturing apparatus for depositing a material on an electrode for use therein
MY157446A (en) * 2008-06-23 2016-06-15 Gt Solar Inc Chuck and bridge connection points for tube filaments in a chemical vapor deposition reactor
US8540818B2 (en) * 2009-04-28 2013-09-24 Mitsubishi Materials Corporation Polycrystalline silicon reactor
CN102471883A (zh) * 2009-07-14 2012-05-23 赫姆洛克半导体公司 抑制沉积物在制造系统中的形成的方法
JP5579634B2 (ja) * 2011-01-24 2014-08-27 信越化学工業株式会社 多結晶シリコン製造用反応炉および多結晶シリコンの製造方法
JP2015527490A (ja) * 2012-07-10 2015-09-17 ヘムロック・セミコンダクター・コーポレーション 材料を蒸着するための製造機器、その中で使用するための受け口、受け口の製造方法及び担体上に材料を蒸着する方法
US10001095B2 (en) * 2013-03-12 2018-06-19 Walbro Llc Retainer with grounding feature for fuel system component
US10450649B2 (en) 2014-01-29 2019-10-22 Gtat Corporation Reactor filament assembly with enhanced misalignment tolerance
US20160122875A1 (en) * 2014-11-05 2016-05-05 Rec Silicon Inc Chemical vapor deposition reactor with filament holding assembly
USD917680S1 (en) * 2017-09-12 2021-04-27 Ian Derek Fawn-Meade Hot water tank powered titanium anode rod
CN110524096A (zh) * 2019-08-06 2019-12-03 宝鸡鼎晟真空热技术有限公司 用于连接真空焊箱的等离子焊枪

Family Cites Families (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1054141A (ru) * 1900-01-01
US1738828A (en) * 1925-03-02 1929-12-10 Jackson Arthur Hews Low-resistance permanent wire
US2600823A (en) * 1949-01-15 1952-06-17 Allegheny Ludlum Steel Hot top electrode tip
US3330251A (en) * 1955-11-02 1967-07-11 Siemens Ag Apparatus for producing highest-purity silicon for electric semiconductor devices
US3011877A (en) * 1956-06-25 1961-12-05 Siemens Ag Production of high-purity semiconductor materials for electrical purposes
BE564212A (ru) * 1957-01-25
NL124690C (ru) * 1958-05-29
DE1150366B (de) * 1958-12-09 1963-06-20 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Reinstsilicium
NL251143A (ru) * 1959-05-04
DE1155759B (de) * 1959-06-11 1963-10-17 Siemens Ag Vorrichtung zur Gewinnung reinsten kristallinen Halbleitermaterials fuer elektrotechnische Zwecke
DE1264400B (de) * 1961-01-26 1968-03-28 Siemens Ag Vorrichtung zur Gewinnung reinen Halbleitermaterials aus der Gasphase
DE1138481C2 (de) * 1961-06-09 1963-05-22 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen durch einkristalline Abscheidung von Halbleitermaterial aus der Gasphase
DE2324365C3 (de) * 1973-05-14 1978-05-11 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte Trägerkörper
DE2652218A1 (de) * 1976-11-16 1978-05-24 Wacker Chemitronic Verfahren zur herstellung von substratgebundenem, grossflaechigem silicium
JPS53106626A (en) * 1977-03-02 1978-09-16 Komatsu Mfg Co Ltd Method of making high purity rod silicon and appratus therefor
JPS53108029A (en) * 1977-03-03 1978-09-20 Komatsu Mfg Co Ltd Method of making high purity silicon having uniform shape
US4179530A (en) * 1977-05-20 1979-12-18 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh Process for the deposition of pure semiconductor material
US4173944A (en) * 1977-05-20 1979-11-13 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh Silverplated vapor deposition chamber
DE2912661C2 (de) * 1979-03-30 1982-06-24 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fuer Elektronik-Grundstoffe Mbh, 8263 Burghausen Verfahren zur Abscheidung von reinem Halbleitermaterial und Düse zur Durchführung des Verfahrens
US4304641A (en) * 1980-11-24 1981-12-08 International Business Machines Corporation Rotary electroplating cell with controlled current distribution
US4477911A (en) * 1982-12-02 1984-10-16 Westinghouse Electric Corp. Integral heat pipe-electrode
US4481232A (en) * 1983-05-27 1984-11-06 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Method and apparatus for producing high purity silicon
US4466864A (en) * 1983-12-16 1984-08-21 At&T Technologies, Inc. Methods of and apparatus for electroplating preselected surface regions of electrical articles
US4822641A (en) * 1985-04-30 1989-04-18 Inovan Gmbh & Co. Kg Method of manufacturing a contact construction material structure
SE452862B (sv) * 1985-06-05 1987-12-21 Aga Ab Ljusbagselektrod
US4707225A (en) * 1986-01-06 1987-11-17 Rockwell International Corporation Fluid-cooled channel construction
US4805556A (en) * 1988-01-15 1989-02-21 Union Carbide Corporation Reactor system and method for forming uniformly large-diameter polycrystalline rods by the pyrolysis of silane
US5096550A (en) * 1990-10-15 1992-03-17 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Method and apparatus for spatially uniform electropolishing and electrolytic etching
US5906799A (en) * 1992-06-01 1999-05-25 Hemlock Semiconductor Corporation Chlorosilane and hydrogen reactor
US5227041A (en) * 1992-06-12 1993-07-13 Digital Equipment Corporation Dry contact electroplating apparatus
DE4243570C1 (de) * 1992-12-22 1994-01-27 Heraeus Gmbh W C Elektrischer Kontaktkörper
US5422088A (en) * 1994-01-28 1995-06-06 Hemlock Semiconductor Corporation Process for hydrogenation of tetrachlorosilane
JP3377849B2 (ja) * 1994-02-02 2003-02-17 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 ウエーハ用メッキ装置
DE4424929C2 (de) * 1994-07-14 1997-02-13 Wacker Chemie Gmbh Halterung für Trägerkörper in einer Vorrichtung zur Abscheidung von Halbleitermaterial
US5567300A (en) * 1994-09-02 1996-10-22 Ibm Corporation Electrochemical metal removal technique for planarization of surfaces
FR2741227A1 (fr) * 1995-11-14 1997-05-16 Verrerie & Cristallerie Electrode, notamment destinee a etre utilisee dans des fours de fusion du verre
US5911619A (en) * 1997-03-26 1999-06-15 International Business Machines Corporation Apparatus for electrochemical mechanical planarization
US5807165A (en) * 1997-03-26 1998-09-15 International Business Machines Corporation Method of electrochemical mechanical planarization
NL1005963C2 (nl) * 1997-05-02 1998-11-09 Asm Int Verticale oven voor het behandelen van halfgeleidersubstraten.
RU2135629C1 (ru) * 1997-11-12 1999-08-27 Государственное предприятие ВНИИавтогенмаш Способ повышения долговечности электродных и сопловых устройств и технологический плазматрон для его осуществления
WO1999031013A1 (en) * 1997-12-15 1999-06-24 Advanced Silicon Materials, Inc. Chemical vapor deposition system for polycrystalline silicon rod production
US6544333B2 (en) * 1997-12-15 2003-04-08 Advanced Silicon Materials Llc Chemical vapor deposition system for polycrystalline silicon rod production
US6004880A (en) * 1998-02-20 1999-12-21 Lsi Logic Corporation Method of single step damascene process for deposition and global planarization
US6176992B1 (en) * 1998-11-03 2001-01-23 Nutool, Inc. Method and apparatus for electro-chemical mechanical deposition
AU3375000A (en) * 1999-02-19 2000-09-04 Gt Equipment Technologies Inc. Method and apparatus for chemical vapor deposition of polysilicon
JP4372918B2 (ja) * 1999-06-30 2009-11-25 パナソニック電工株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2001156042A (ja) * 1999-11-29 2001-06-08 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
DE10041564C2 (de) * 2000-08-24 2002-06-27 Heraeus Noblelight Gmbh Kühlbares Infrarotstrahlerelement
DE10101040A1 (de) * 2001-01-11 2002-07-25 Wacker Chemie Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines polykristallinen Siliciumstabes
JP2002231357A (ja) * 2001-02-06 2002-08-16 Nagano Fujitsu Component Kk 電気接点およびコネクタ
JP4402860B2 (ja) * 2001-03-28 2010-01-20 忠弘 大見 プラズマ処理装置
NL1017849C2 (nl) * 2001-04-16 2002-10-30 Univ Eindhoven Tech Werkwijze en inrichting voor het deponeren van een althans ten dele kristallijne siliciumlaag op een substraat.
US6623801B2 (en) * 2001-07-30 2003-09-23 Komatsu Ltd. Method of producing high-purity polycrystalline silicon
JP3870824B2 (ja) * 2001-09-11 2007-01-24 住友電気工業株式会社 被処理物保持体、半導体製造装置用サセプタおよび処理装置
JP2004205059A (ja) * 2002-12-20 2004-07-22 Toyo Radiator Co Ltd 高耐蝕性熱交換器の製造方法
JP4031782B2 (ja) * 2004-07-01 2008-01-09 株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ 多結晶シリコン製造方法およびシード保持電極
JP2007281161A (ja) * 2006-04-06 2007-10-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体製造装置用ウエハ保持体及び半導体製造装置
US9683286B2 (en) * 2006-04-28 2017-06-20 Gtat Corporation Increased polysilicon deposition in a CVD reactor

Also Published As

Publication number Publication date
TW201001597A (en) 2010-01-01
AU2009236677A1 (en) 2009-10-22
WO2009128886A1 (en) 2009-10-22
CA2721192A1 (en) 2009-10-22
RU2503905C2 (ru) 2014-01-10
US20140353290A1 (en) 2014-12-04
EP2265883A1 (en) 2010-12-29
US20110036292A1 (en) 2011-02-17
CN102047066B (zh) 2013-01-16
CN102047066A (zh) 2011-05-04
TWI470718B (zh) 2015-01-21
KR20110008078A (ko) 2011-01-25
JP2011517734A (ja) 2011-06-16
AU2009236677B2 (en) 2012-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2010146244A (ru) Производственная установка для осаждения материала и электрод для использования в ней
RU2010146252A (ru) Производственная установка для осаждения материала и электрод для использования
US20160341486A1 (en) Mobile terminal
JP2011517734A5 (ru)
JP2011522959A5 (ru)
TW200919760A (en) Method and device for coating solar cells
US20140217894A1 (en) Linear plasma source
KR101190603B1 (ko) 기판 처리 장치
RU2010146253A (ru) Производственная установка для осаждения материала и электрод для использования в ней
KR20130098663A (ko) 박막 제조 장치 및 그 제조 방법
TW201129501A (en) Manufacturing apparatus for depositing a material and an electrode for use therein
US20030095072A1 (en) Antenna electrode for inductively coupled plasma generation apparatus
TWI461139B (zh) 電子裝置殼體製造方法
JP2011523758A5 (ru)
RU2012114734A (ru) Технологическое устройство для осаждения материала и электрод для использования в таком устройстве
US20150241125A1 (en) Substrate processing apparatus
US20170316964A1 (en) Dome cooling using compliant material
CN101874285A (zh) 双管配置的介电阻挡放电灯
CN100561636C (zh) 外部电极荧光灯的电极制造方法及外部电极荧光灯
RU2012114733A (ru) Устройство для химического осаждения из газовой фазы
KR20110131394A (ko) ZnO 나노와이어 대면적 성장 시스템
CN202697018U (zh) 一种用于直流弧放电高密度等离子体发生器的阳极底座
EP3136425A1 (en) Electric heater type waste gas treatment device and electric heater structure used therein
CN103152986B (zh) 一种高散热陶瓷基体电路板的生产工艺
CN1321463C (zh) 金刚石晶体管及其制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20160414