RU2011130900A - Mocvd-реактор с цилиндрическим газовпускным элементом - Google Patents

Mocvd-реактор с цилиндрическим газовпускным элементом Download PDF

Info

Publication number
RU2011130900A
RU2011130900A RU2011130900/02A RU2011130900A RU2011130900A RU 2011130900 A RU2011130900 A RU 2011130900A RU 2011130900/02 A RU2011130900/02 A RU 2011130900/02A RU 2011130900 A RU2011130900 A RU 2011130900A RU 2011130900 A RU2011130900 A RU 2011130900A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
working chamber
gas inlet
gas
outlet openings
receiving base
Prior art date
Application number
RU2011130900/02A
Other languages
English (en)
Inventor
Даниэль БРИН
Оливер ШЕН
Original Assignee
Айкстрон Се
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Айкстрон Се filed Critical Айкстрон Се
Publication of RU2011130900A publication Critical patent/RU2011130900A/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
    • C23C16/45508—Radial flow
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/4558—Perforated rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

1. Устройство для осаждения слоев, в частности полупроводниковых слоев, с расположенной, по существу, осесимметрично вокруг центра (11) рабочей камерой (1), которое содержитобразованное расположенным в горизонтальной плоскости приемным основанием (2) дно,расположенную вертикально выше приемного основания (2) крышку (3) рабочей камеры,простирающийся в центре (11) между приемным основанием (2) и крышкой (3) рабочей камеры газовпускной элемент (4) с расположенными вертикально друг над другом газовпускными камерами (8, 9, 10) ирасположенный вертикально ниже приемного основания (2) нагреватель (27) для нагрева приемного основания (2),причем на приемном основании (2) предусмотрено множество расположенных на расстоянии от газовпускного элемента (4) подложкодержателей (5) для приема покрываемых подложек (6),причем самая верхняя (8) из газовпускных камер находится непосредственно рядом с крышкой (3) рабочей камеры и соединена с подводящей линией (14) для введения гидрида вместе с газом-носителем в рабочую камеру (1),причем самая нижняя (10) из газовпускных камер находится непосредственно рядом с приемным основанием (2) и соединена с подводящей линией (16) для введения гидрида вместе с газом-носителем в рабочую камеру,причем по меньшей мере одна средняя газовпускная камера (9), находящаяся между самой нижней (10) и самой верхней (8) газовпускными камерами, соединена с подводящей линией (15) для введения металлоорганического соединения в рабочую камеру (1),отличающееся тем, что газовпускные камеры (8, 9, 10) закрыты от рабочей камеры (1) кольцевыми стенками (22, 23, 24),причем эти кольцевые стенки (22, 23, 24) имеют множество расположенных плотно рядом друг с другом г

Claims (25)

1. Устройство для осаждения слоев, в частности полупроводниковых слоев, с расположенной, по существу, осесимметрично вокруг центра (11) рабочей камерой (1), которое содержит
образованное расположенным в горизонтальной плоскости приемным основанием (2) дно,
расположенную вертикально выше приемного основания (2) крышку (3) рабочей камеры,
простирающийся в центре (11) между приемным основанием (2) и крышкой (3) рабочей камеры газовпускной элемент (4) с расположенными вертикально друг над другом газовпускными камерами (8, 9, 10) и
расположенный вертикально ниже приемного основания (2) нагреватель (27) для нагрева приемного основания (2),
причем на приемном основании (2) предусмотрено множество расположенных на расстоянии от газовпускного элемента (4) подложкодержателей (5) для приема покрываемых подложек (6),
причем самая верхняя (8) из газовпускных камер находится непосредственно рядом с крышкой (3) рабочей камеры и соединена с подводящей линией (14) для введения гидрида вместе с газом-носителем в рабочую камеру (1),
причем самая нижняя (10) из газовпускных камер находится непосредственно рядом с приемным основанием (2) и соединена с подводящей линией (16) для введения гидрида вместе с газом-носителем в рабочую камеру,
причем по меньшей мере одна средняя газовпускная камера (9), находящаяся между самой нижней (10) и самой верхней (8) газовпускными камерами, соединена с подводящей линией (15) для введения металлоорганического соединения в рабочую камеру (1),
отличающееся тем, что газовпускные камеры (8, 9, 10) закрыты от рабочей камеры (1) кольцевыми стенками (22, 23, 24),
причем эти кольцевые стенки (22, 23, 24) имеют множество расположенных плотно рядом друг с другом газовыходных отверстий (25),
имеют одинаковые наружные диаметры и
имеют обращенную, по существу, без выступов к рабочей камере (1) наружную стенку.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что для минимизации градиентов скорости выходящего из газовпускного элемента (4) потока технологического газа края газовыходных отверстий (5) являются единственными острыми кромками наружной стенки и проходят без точек перегиба вдоль контурной линии, имеющей только прямые или закругленные участки.
3. Устройство по п.2, отличающееся тем, что газовыходные отверстия (25) простираются по существу прямолинейно с постоянной площадью отверстия от обращенной к газовпускной камере (8, 9, 10) внутренней стенки до наружной стенки соответствующей кольцевой стенки (22, 23, 24).
4. Устройство по п.3, отличающееся тем, что площади выполненных по существу идентичными газовыходных отверстий лежат в интервале между 2 мм2 и 5 мм2.
5. Устройство по п.4, отличающееся тем, что отношение длины (l) и ширины (w) площади отверстий составляет в интервале между 2 и 6, предпочтительно между 3 и 5, а особенно предпочтительно примерно 4 или более.
6. Устройство по п.5, отличающееся тем, что сумма площадей газовыходных отверстий (25) составляет между 15% и 50% от общей наружной поверхности кольцевых стенок (22, 23, 24).
7. Устройство по п.1, отличающееся тем, что удлиненные газовыходные отверстия (25) проходят с наклоном под углом между 30 и 60° к вертикали.
8. Устройство по п.6, отличающееся тем, что газовыходные отверстия (25) кольцевой стенки (23) расположены в несколько рядов друг над другом, причем газовыходные отверстия (25) разных рядов перекрываются в вертикальном направлении.
9. Устройство по п.8, отличающееся тем, что расстояние (d) между двумя соседними газовыходными отверстиями (25) выбрано так, что оба соседних газовыходных отверстия (25) перекрываются в вертикальном направлении, и составляет примерно 1 мм.
10. Устройство по п.1, отличающееся тем, что кольцевые стенки образованы из кольцевых деталей (22, 23, 24), состоящих из кварца или графита.
11. Устройство по п.1, отличающееся тем, что кольцевые детали (22, 23, 24) опираются на края горизонтальных перегородок (12, 13, 26), имеющих форму круглых шайб.
12. Устройство по п.11, отличающееся тем, что содержащая, в частности, камеру (18) охлаждающей среды торцевая сторона (21) газовпускного элемента (4) лежит в центральном гнезде приемного основания (2) таким образом, что ограничивающая самую нижнюю газовпускную камеру (10) от торцевой стороны (21) горизонтальная перегородка (26) находится примерно на одной линии с обращенной к рабочей камере (1) поверхностью (2') приемного основания (2).
13. Устройство по п.1, отличающееся тем, что верхняя стенка (29) самой верхней газовпускной камеры (8) находится, по существу, на одной линии с обращенной к рабочей камере (1) нижней стороной (3') крышки (3) рабочей камеры.
14. Устройство по п.1, отличающееся тем, что при диаметре рабочей камеры в интервале между 500 и 700 мм одинаковый наружный диаметр кольцевых стенок (22, 23, 24) составляет примерно от 35 до 50 мм.
15. Устройство по п.1, отличающееся тем, что при диаметре рабочей камеры (1) в интервале от 500 до 700 мм высота рабочей камеры (1) составляет примерно от 25 до 30 мм.
16. Устройство по п.1, отличающееся тем, что высота газовпускных камер (8, 9, 10) повышается в направлении течения газа.
17. Устройство по п.11, отличающееся гладкостенным искривленным очертанием обращенной к газовпускным камерам (8, 9, 10) поверхности горизонтальных перегородок (12, 13, 26).
18. Устройство по п.3, отличающееся тем, что удлиненные газовыходные отверстия (25) проходят с наклоном под углом между 30 и 60° к вертикали.
19. Устройство по п.18, отличающееся тем, что газовыходные отверстия (25) кольцевой стенки (23) расположены в несколько рядов друг над другом, причем газовыходные отверстия (25) разных рядов перекрываются в вертикальном направлении.
20. Устройство по п.3, отличающееся тем, что кольцевые стенки образованы из кольцевых деталей (22, 23, 24), состоящих из кварца или графита.
21. Устройство по п.18, отличающееся тем, что кольцевые стенки образованы из кольцевых деталей (22, 23, 24), состоящих из кварца или графита.
22. Устройство по п.3, отличающееся тем, что верхняя стенка (29) самой верхней газовпускной камеры (8) находится, по существу, на одной линии с обращенной к рабочей камере (1) нижней стороной (3') крышки (3) рабочей камеры.
23. Устройство по п.18, отличающееся тем, что верхняя стенка (29) самой верхней газовпускной камеры (8) находится по существу на одной линии с обращенной к рабочей камере (1) нижней стороной (3') крышки (3) рабочей камеры.
24. Применение устройства по любому из пп.1-23 для осаждения полупроводниковых слоев, причем через газовыходные отверстия (25) самой верхней газовпускной камеры (8) и через газовыходные отверстия (25) самой нижней газовпускной камеры (10) в обогреваемую нагревателем (27) рабочую камеру вместе с газом-носителем вводят гидрид, например NH3, PH3 или AsH3, а через газовыходные отверстия (25) средней газовпускной камеры (9) - металлоорганическое соединение, например TMGa, TMIn или TMAl, отличающееся тем, что общий поток вводимых в рабочую камеру через газовыходные отверстия (25) газов составляет больше 100 Нл/мин, предпочтительно больше 250 Нл/мин, и тем, что общее давление в рабочей камере составляет выше 400 мбар, предпочтительно выше 800 мбар.
25. Применение по п.24, отличающееся тем, что гидрид представляет собой NH3, металлоорганическое соединение представляет собой TMGa, и работу нагревателя (27) осуществляют так, что температура поверхности приемного основания (2) лежит в интервале между 500°C и 1200°C.
RU2011130900/02A 2008-12-23 2009-12-18 Mocvd-реактор с цилиндрическим газовпускным элементом RU2011130900A (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008055582A DE102008055582A1 (de) 2008-12-23 2008-12-23 MOCVD-Reaktor mit zylindrischem Gaseinlassorgan
DE102008055582.7 2008-12-23
PCT/EP2009/009133 WO2010072380A1 (de) 2008-12-23 2009-12-18 Mocvd-reaktor mit zylindrischem gaseinlassorgan

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2011130900A true RU2011130900A (ru) 2013-01-27

Family

ID=41809207

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011130900/02A RU2011130900A (ru) 2008-12-23 2009-12-18 Mocvd-реактор с цилиндрическим газовпускным элементом

Country Status (9)

Country Link
US (1) US8841221B2 (ru)
EP (1) EP2406411B1 (ru)
JP (1) JP5613680B2 (ru)
KR (1) KR101534560B1 (ru)
CN (1) CN102325921B (ru)
DE (1) DE102008055582A1 (ru)
RU (1) RU2011130900A (ru)
TW (1) TWI482205B (ru)
WO (1) WO2010072380A1 (ru)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5410348B2 (ja) * 2010-03-26 2014-02-05 株式会社豊田中央研究所 表面処理装置
KR100996210B1 (ko) * 2010-04-12 2010-11-24 세메스 주식회사 가스 분사 유닛 및 이를 이용한 박막 증착 장치 및 방법
US9303318B2 (en) * 2011-10-20 2016-04-05 Applied Materials, Inc. Multiple complementary gas distribution assemblies
US20130171350A1 (en) * 2011-12-29 2013-07-04 Intermolecular Inc. High Throughput Processing Using Metal Organic Chemical Vapor Deposition
US9388494B2 (en) * 2012-06-25 2016-07-12 Novellus Systems, Inc. Suppression of parasitic deposition in a substrate processing system by suppressing precursor flow and plasma outside of substrate region
CN103243311A (zh) * 2013-05-16 2013-08-14 合肥彩虹蓝光科技有限公司 一种垂直进气和水平进气在基片表面正交的气体输运反应腔体
US9276190B2 (en) 2013-10-01 2016-03-01 The Pen Practical method of producing an aerogel composite continuous thin film thermoelectric semiconductor material by modified MOCVD
CN103614707B (zh) * 2013-11-25 2015-08-05 扬州中科半导体照明有限公司 一种提高mocvd外延片均匀性的石墨盘
DE102015101343A1 (de) 2015-01-29 2016-08-18 Aixtron Se CVD-Reaktor mit dreidimensional strukturierter Prozesskammerdecke
DE102015101462A1 (de) 2015-02-02 2016-08-04 Aixtron Se Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden einer III-V-Halbleiterschicht
JP6398761B2 (ja) * 2015-02-04 2018-10-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
CN105256369A (zh) * 2015-10-20 2016-01-20 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种用于SiC外延的耐高温水平多层进气装置
CN106811736B (zh) * 2016-12-27 2019-03-05 南昌大学 一种化学气相沉积装置
KR102369676B1 (ko) 2017-04-10 2022-03-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
DE102018107135A1 (de) 2018-03-26 2019-09-26 Aixtron Se Mit einer individuellen Kennung versehenes Bauteil einer CVD-Vorrichtung sowie Verfahren zur Übermittlung von Informationen
FR3084136B1 (fr) 2018-07-20 2021-01-29 Valeo Vision Dispositif lumineux matriciel avec estimation de temps de vol
FR3086723B1 (fr) 2018-09-28 2022-08-12 Valeo Vision Source lumineuse matricielle a gradation de l’intensite lumineuse
FR3086726B1 (fr) 2018-09-28 2021-05-07 Valeo Vision Source lumineuse matricielle pour un vehicule automobile
FR3086725B1 (fr) 2018-09-28 2022-10-14 Valeo Vision Source lumineuse matricielle a circuit diagnostic pour un vehicule automobile
FR3086724B1 (fr) 2018-09-28 2022-10-14 Valeo Vision Source lumineuse matricielle pilotee en tension a circuit diagnostic pour un vehicule automobile
FR3087246B1 (fr) 2018-10-15 2022-12-16 Valeo Vision Source lumineuse matricielle a architecture ajustable
FR3088408B1 (fr) 2018-11-09 2020-11-13 Valeo Vision Dispositif lumineux pour un vehicule automobile comprenant une source lumineuse matricielle
DE102018130140A1 (de) 2018-11-28 2020-05-28 Aixtron Se Verfahren zur Herstellung eines Bestandteils eines CVD-Reaktors
DE102018130139A1 (de) * 2018-11-28 2020-05-28 Aixtron Se Gaseinlassvorrichtung für einen CVD-Reaktor
US20220235466A1 (en) * 2019-06-06 2022-07-28 Picosun Oy Porous inlet
CN110643976B (zh) * 2019-11-13 2021-06-22 江苏实为半导体科技有限公司 一种具有快速预热功能的mocvd加热器源
DE102019131794A1 (de) * 2019-11-25 2021-05-27 Aixtron Se Wandgekühltes Gaseinlassorgan für einen CVD-Reaktor
DE102019133023A1 (de) 2019-12-04 2021-06-10 Aixtron Se Gaseinlassvorrichtung für einen CVD-Reaktor
CN111850514B (zh) * 2020-06-30 2022-11-22 北京北方华创微电子装备有限公司 用于外延生长设备的进排气构件及外延生长设备
CN112501590B (zh) * 2020-11-09 2022-03-18 温州大学 一种mocvd设备
FR3128351B1 (fr) 2021-10-15 2024-03-01 Valeo Vision Source lumineuse matricielle pour un vehicule automobile

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5062386A (en) * 1987-07-27 1991-11-05 Epitaxy Systems, Inc. Induction heated pancake epitaxial reactor
JPH04287912A (ja) * 1991-02-19 1992-10-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置
US6090211A (en) * 1996-03-27 2000-07-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus and method for forming semiconductor thin layer
JP3517808B2 (ja) 1996-07-17 2004-04-12 日本酸素株式会社 気相成長方法及び装置
JP2000331943A (ja) * 1999-05-20 2000-11-30 Komatsu Electronic Metals Co Ltd 半導体ウェーハの薄膜形成方法および半導体ウェーハの薄膜形成装置
US6548112B1 (en) * 1999-11-18 2003-04-15 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for delivery of precursor vapor from low vapor pressure liquid sources to a CVD chamber
JP3702403B2 (ja) * 2000-05-24 2005-10-05 株式会社日鉱マテリアルズ 気相成長方法
DE10043599A1 (de) * 2000-09-01 2002-03-14 Aixtron Ag Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten auf einem oder mehreren insbesondere ebenfalls kristalliner Substraten
DE10064944A1 (de) * 2000-09-22 2002-04-11 Aixtron Ag Verfahren zum Abscheiden von insbesondere kristallinen Schichten, Gaseinlassorgan sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE10064941A1 (de) 2000-09-22 2002-04-11 Aixtron Ag Gaseinlassorgan
DE10118130A1 (de) * 2001-04-11 2002-10-17 Aixtron Ag Vorrichtung oder Verfahren zum Abscheiden von insbesondere kristallinen Schichten auf insbesondere kristallinen Substraten aus der Gasphase
DE10153463A1 (de) 2001-10-30 2003-05-15 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten auf insbesondere kristallinen Substraten
DE10247921A1 (de) * 2002-10-10 2004-04-22 Aixtron Ag Hydrid VPE Reaktor
JP2005072314A (ja) * 2003-08-26 2005-03-17 Sharp Corp 気相成長装置および気相成長方法
DE102004009130A1 (de) 2004-02-25 2005-09-15 Aixtron Ag Einlasssystem für einen MOCVD-Reaktor
JP4542860B2 (ja) * 2004-10-04 2010-09-15 大陽日酸株式会社 気相成長装置
JP4542859B2 (ja) * 2004-10-04 2010-09-15 大陽日酸株式会社 気相成長装置
DE102005004312A1 (de) * 2005-01-31 2006-08-03 Aixtron Ag Gasverteiler mit in Ebenen angeordneten Vorkammern
JP4598568B2 (ja) * 2005-03-09 2010-12-15 大陽日酸株式会社 気相成長装置
JP2006344615A (ja) * 2005-06-07 2006-12-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 化合物半導体製造装置および製造方法
JP2007109685A (ja) * 2005-10-11 2007-04-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 化合物半導体製造装置および化合物半導体製造方法
DE102005055468A1 (de) * 2005-11-22 2007-05-24 Aixtron Ag Verfahren zum Abscheiden von Schichten in einem CVD-Reaktor sowie Gaseinlassorgan für einen CVD-Reaktor
DE102005056320A1 (de) 2005-11-25 2007-06-06 Aixtron Ag CVD-Reaktor mit einem Gaseinlassorgan
JP4945185B2 (ja) * 2006-07-24 2012-06-06 株式会社東芝 結晶成長方法
DE102007009145A1 (de) * 2007-02-24 2008-08-28 Aixtron Ag Vorrichtung zum Abscheiden kristalliner Schichten wahlweise mittels MOCVD oder HVPE
JP5064132B2 (ja) * 2007-07-25 2012-10-31 シャープ株式会社 気相成長装置、及び半導体素子の製造方法
JP2009032785A (ja) * 2007-07-25 2009-02-12 Sharp Corp 気相成長装置、及び半導体素子の製造方法
JP2009032784A (ja) * 2007-07-25 2009-02-12 Sharp Corp 気相成長装置、及び半導体素子の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI482205B (zh) 2015-04-21
US8841221B2 (en) 2014-09-23
CN102325921B (zh) 2013-08-21
KR101534560B1 (ko) 2015-07-07
WO2010072380A1 (de) 2010-07-01
CN102325921A (zh) 2012-01-18
DE102008055582A1 (de) 2010-06-24
EP2406411A1 (de) 2012-01-18
KR20110104979A (ko) 2011-09-23
EP2406411B1 (de) 2015-04-08
JP5613680B2 (ja) 2014-10-29
TW201027599A (en) 2010-07-16
US20110294283A1 (en) 2011-12-01
JP2012513669A (ja) 2012-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2011130900A (ru) Mocvd-реактор с цилиндрическим газовпускным элементом
US11501956B2 (en) Semiconductor reaction chamber showerhead
JP6176962B2 (ja) Ｃｖｄ反応室のプロセスチャンバの壁の洗浄方法
US20150292088A1 (en) Deposition systems having interchangeable gas injectors and related methods
JP5710002B2 (ja) 薄膜蒸着装置
KR20010102336A (ko) 에피텍셜 반응기를 위한 반응챔버
US20160145766A1 (en) Epitaxial reactor
CN113755823A (zh) 半导体热处理设备的气体喷射装置及半导体热处理设备
KR101004903B1 (ko) 화학 기상 증착 장치
KR101462259B1 (ko) 배치식 증착막 형성장치
CN104981428B (zh) 多晶硅沉积的方法
CN101701333B (zh) 一种矩形化学气相沉积反应器
JP2005033045A (ja) 固体有機金属化合物用充填容器およびその充填方法
KR101625008B1 (ko) 공정 가스 공급부
KR102308139B1 (ko) 기판 처리 장치 및 배기 방법
KR100982985B1 (ko) 화학 기상 증착 장치
KR20120008795A (ko) 화학기상증착장치
KR101615608B1 (ko) 기판처리장치
KR101555021B1 (ko) 배치식 증착층 형성장치
KR101513584B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102256690B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20090047625A (ko) 화학 기상 증착 장치용 서셉터
KR20150089328A (ko) 화학 기상 증착 장치의 샤워 헤드 및 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치
KR101060755B1 (ko) 화학 기상 증착장치
KR20150078647A (ko) 기판처리장치

Legal Events

Date Code Title Description
FA94 Acknowledgement of application withdrawn (non-payment of fees)

Effective date: 20150210