RU2011107600A - Способ изготовления структуры фотоэлектрического элемента - Google Patents
Способ изготовления структуры фотоэлектрического элемента Download PDFInfo
- Publication number
- RU2011107600A RU2011107600A RU2011107600/28A RU2011107600A RU2011107600A RU 2011107600 A RU2011107600 A RU 2011107600A RU 2011107600/28 A RU2011107600/28 A RU 2011107600/28A RU 2011107600 A RU2011107600 A RU 2011107600A RU 2011107600 A RU2011107600 A RU 2011107600A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon compound
- compound layer
- atmosphere
- oxygen
- predetermined
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 21
- 150000003377 silicon compounds Chemical group 0.000 claims abstract 16
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract 9
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
- H01L31/076—Multiple junction or tandem solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L31/182—Special manufacturing methods for polycrystalline Si, e.g. Si ribbon, poly Si ingots, thin films of polycrystalline Si
- H01L31/1824—Special manufacturing methods for microcrystalline Si, uc-Si
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
- H01L31/1864—Annealing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
- H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/545—Microcrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
1. Способ изготовления структуры фотоэлектрического элемента, имеющей два электрода и содержащей по меньшей мере один слой соединения кремния, включающий в себя: ! осаждение упомянутого слоя соединения кремния на несущую структуру для упомянутого одного слоя соединения кремния, в результате чего одна поверхность упомянутого слоя соединения кремния покоится на упомянутой несущей структуре, а вторая поверхность упомянутого слоя соединения кремния является непокрытой, ! обработку второй поверхности упомянутого слоя соединения кремния в заданной кислородсодержащей атмосфере с обогащением тем самым упомянутой второй поверхности упомянутого слоя соединения кремния кислородом, ! воздействие на упомянутую обогащенную вторую поверхность окружающим воздухом. ! 2. Способ по п.1, при этом упомянутую обработку выполняют, подвергая упомянутую вторую поверхность воздействию заданной газовой атмосферы, содержащей кислород, в течение заданного времени. ! 3. Способ по п.2, при этом упомянутая газовая атмосфера находится при давлении выше давления окружающей среды. ! 4. Способ по п.2, при этом упомянутая газовая атмосфера находится при температуре выше температуры окружающей среды. ! 5. Способ по п.3, при этом упомянутая газовая атмосфера находится при температуре выше температуры окружающей среды. ! 6. Способ по п.1, при этом упомянутую обработку выполняют, подвергая упомянутую вторую поверхность в течение заданного времени воздействию заданного потока газа, содержащего кислород. ! 7. Способ по п.1, при этом упомянутую обработку выполняют, подвергая упомянутую поверхность в течение заданного количества времени воздейств�
Claims (15)
1. Способ изготовления структуры фотоэлектрического элемента, имеющей два электрода и содержащей по меньшей мере один слой соединения кремния, включающий в себя:
осаждение упомянутого слоя соединения кремния на несущую структуру для упомянутого одного слоя соединения кремния, в результате чего одна поверхность упомянутого слоя соединения кремния покоится на упомянутой несущей структуре, а вторая поверхность упомянутого слоя соединения кремния является непокрытой,
обработку второй поверхности упомянутого слоя соединения кремния в заданной кислородсодержащей атмосфере с обогащением тем самым упомянутой второй поверхности упомянутого слоя соединения кремния кислородом,
воздействие на упомянутую обогащенную вторую поверхность окружающим воздухом.
2. Способ по п.1, при этом упомянутую обработку выполняют, подвергая упомянутую вторую поверхность воздействию заданной газовой атмосферы, содержащей кислород, в течение заданного времени.
3. Способ по п.2, при этом упомянутая газовая атмосфера находится при давлении выше давления окружающей среды.
4. Способ по п.2, при этом упомянутая газовая атмосфера находится при температуре выше температуры окружающей среды.
5. Способ по п.3, при этом упомянутая газовая атмосфера находится при температуре выше температуры окружающей среды.
6. Способ по п.1, при этом упомянутую обработку выполняют, подвергая упомянутую вторую поверхность в течение заданного времени воздействию заданного потока газа, содержащего кислород.
7. Способ по п.1, при этом упомянутую обработку выполняют, подвергая упомянутую поверхность в течение заданного количества времени воздействию термокаталитического процесса с кислородсодержащими радикалами.
8. Способ по п.2, при котором активируют газ упомянутой атмосферы плазменным разрядом.
9. Способ по п.8, где упомянутый газ упомянутой атмосферы содержит CO2.
10. Способ по одному из пп.2 и 4-8, где упомянутая атмосфера находится при давлении вакуума.
11. Способ по п.1, где упомянутая обработка представляет собой влажную обработку.
12. Способ по одному из пп.1-9 или 11, дополнительно содержащий осаждение дополнительного слоя на упомянутой второй поверхности после упомянутого воздействия окружающей среды.
13. Способ по п.10, дополнительно содержащий осаждение дополнительного слоя на упомянутой второй поверхности после упомянутого воздействия окружающей среды.
14. Способ по п.12, где упомянутый дополнительный слой представляет собой соединение кремния.
15. Способ по п.13, где упомянутый дополнительный слой представляет собой соединение кремния.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US8547008P | 2008-08-01 | 2008-08-01 | |
| US61/085,470 | 2008-08-01 | ||
| PCT/EP2009/059637 WO2010012674A2 (en) | 2008-08-01 | 2009-07-27 | Method for manufacturing a photovoltaic cell structure |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2011107600A true RU2011107600A (ru) | 2012-09-10 |
| RU2509392C2 RU2509392C2 (ru) | 2014-03-10 |
Family
ID=41610781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011107600/28A RU2509392C2 (ru) | 2008-08-01 | 2009-07-27 | Способ изготовления структуры фотоэлектрического элемента |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20110129954A1 (ru) |
| EP (1) | EP2316137A2 (ru) |
| JP (1) | JP2011530161A (ru) |
| CN (1) | CN102113138A (ru) |
| RU (1) | RU2509392C2 (ru) |
| TW (1) | TW201013962A (ru) |
| WO (1) | WO2010012674A2 (ru) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102460698A (zh) | 2009-06-05 | 2012-05-16 | 欧瑞康太阳能股份公司(特吕巴赫) | 用于制造薄膜光伏转换器设备的方法 |
| CN103000767A (zh) * | 2011-09-14 | 2013-03-27 | 吉富新能源科技(上海)有限公司 | 联机生成硅薄膜双结太阳能电池介反射层技术 |
| US9190549B2 (en) | 2012-02-28 | 2015-11-17 | International Business Machines Corporation | Solar cell made using a barrier layer between p-type and intrinsic layers |
| CN109615612A (zh) * | 2018-11-20 | 2019-04-12 | 华南理工大学 | 一种太阳能电池板的缺陷检测方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60240167A (ja) * | 1984-05-15 | 1985-11-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
| JPS6191973A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-10 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 耐熱性薄膜光電変換素子およびその製法 |
| JPH07283304A (ja) * | 1994-04-12 | 1995-10-27 | Sony Corp | 分離酸化膜の形成方法 |
| US6379994B1 (en) * | 1995-09-25 | 2002-04-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing photovoltaic element |
| JP2001223363A (ja) * | 2000-02-09 | 2001-08-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| JP4219096B2 (ja) * | 2000-03-24 | 2009-02-04 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置の製造方法 |
| JP2002170973A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-06-14 | Canon Inc | 半導体素子の形成方法及び半導体素子 |
| JP2004153186A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 光電変換装置 |
| US6858532B2 (en) * | 2002-12-10 | 2005-02-22 | International Business Machines Corporation | Low defect pre-emitter and pre-base oxide etch for bipolar transistors and related tooling |
| DK1650811T3 (da) * | 2003-07-24 | 2013-07-08 | Kaneka Corp | Stakket fotoelektrisk converter |
| JP4025744B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2007-12-26 | 株式会社カネカ | 積層型光電変換装置の製造方法 |
| JP2005159320A (ja) * | 2003-10-27 | 2005-06-16 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
| US20050103377A1 (en) * | 2003-10-27 | 2005-05-19 | Goya Saneyuki | Solar cell and process for producing solar cell |
| GB0401578D0 (en) * | 2004-01-24 | 2004-02-25 | Koninkl Philips Electronics Nv | Phototransistor |
| JP2006135161A (ja) * | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Canon Inc | 絶縁膜の形成方法及び装置 |
| JP4864661B2 (ja) * | 2006-11-22 | 2012-02-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 太陽電池の製造方法及び太陽電池の製造装置 |
| US7932344B2 (en) * | 2007-09-06 | 2011-04-26 | Xerox Corporation | Diketopyrrolopyrrole-based polymers |
| US8802485B2 (en) * | 2009-09-07 | 2014-08-12 | Tel Solar Ag | Method for manufacturing a photovoltaic cell structure |
-
2009
- 2009-07-27 US US13/056,136 patent/US20110129954A1/en not_active Abandoned
- 2009-07-27 RU RU2011107600/28A patent/RU2509392C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2009-07-27 JP JP2011520446A patent/JP2011530161A/ja active Pending
- 2009-07-27 WO PCT/EP2009/059637 patent/WO2010012674A2/en active Application Filing
- 2009-07-27 CN CN2009801304069A patent/CN102113138A/zh active Pending
- 2009-07-27 EP EP09781101A patent/EP2316137A2/en not_active Withdrawn
- 2009-07-30 TW TW098125612A patent/TW201013962A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2010012674A3 (en) | 2010-12-23 |
| JP2011530161A (ja) | 2011-12-15 |
| WO2010012674A2 (en) | 2010-02-04 |
| EP2316137A2 (en) | 2011-05-04 |
| US20110129954A1 (en) | 2011-06-02 |
| TW201013962A (en) | 2010-04-01 |
| CN102113138A (zh) | 2011-06-29 |
| RU2509392C2 (ru) | 2014-03-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2010534935A5 (ru) | ||
| TW200717653A (en) | A method of forming a silicon oxynitride film with tensile stress | |
| TW200731407A (en) | Manufacturing method for a semiconductor device and substrate processing apparatus | |
| JP2007506250A5 (ru) | ||
| ATE440385T1 (de) | Verfahren zur grosstechnischen herstellung von cdte/cds dünnschicht-solarzellen | |
| TW200741823A (en) | Semiconductor device manufacturing method and substrate processing apparatus | |
| RU2011107600A (ru) | Способ изготовления структуры фотоэлектрического элемента | |
| DE602006017042D1 (de) | Verfahren zur herstellung von siliziumoxidhaltigen schichten | |
| RU2010124378A (ru) | Способ обработки подложек и подложка, обработанная этим способом | |
| JP2013546169A5 (ru) | ||
| WO2011028349A3 (en) | Remote hydrogen plasma source of silicon containing film deposition | |
| TW201246320A (en) | Method for cleaning silicon substrate, and method for producing solar cell | |
| JP2010537867A5 (ru) | ||
| TW200741027A (en) | Method and apparatus for growing plasma atomic layer | |
| WO2010080446A3 (en) | Microcrystalline silicon alloys for thin film and wafer based solar applications | |
| WO2006104819A3 (en) | A method and system for removing an oxide from a substrate | |
| WO2011097178A3 (en) | Methods for nitridation and oxidation | |
| WO2012011377A1 (ja) | ガスバリアフィルムの製造方法 | |
| JP2011044704A5 (ja) | 微結晶半導体膜の作製方法および半導体装置の作製方法 | |
| MX2012006821A (es) | Celula solar de pelicula fina de silicio que tiene turbidez mejorada y metodos de fabricacion de la misma. | |
| DK1603660T3 (da) | Fremgangsmåde til hærdning af defekter ved fremstillingen af et kompositgasseparationsmodul | |
| DE60210337D1 (de) | Verfahren zur herstellung eines films aus kohlenstoffdotiertem oxid | |
| CN105813838A (zh) | 层叠体及阻气膜 | |
| WO2009141459A3 (en) | Method for manufacturing a photovoltaic cell structure | |
| CN110760819A (zh) | 一种利用臭氧快速实现原子层沉积膜改性的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20160728 |