RU2010137796A - Солнечный элемент и способ и аппарат для его изготовления - Google Patents
Солнечный элемент и способ и аппарат для его изготовления Download PDFInfo
- Publication number
- RU2010137796A RU2010137796A RU2010137796/28A RU2010137796A RU2010137796A RU 2010137796 A RU2010137796 A RU 2010137796A RU 2010137796/28 A RU2010137796/28 A RU 2010137796/28A RU 2010137796 A RU2010137796 A RU 2010137796A RU 2010137796 A RU2010137796 A RU 2010137796A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon substrate
- silicon layer
- silicon
- substrate
- solar cell
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract 24
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 116
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract 116
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 112
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 68
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract 23
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract 21
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 claims abstract 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 8
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims 4
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
1. Способ изготовления солнечного элемента, где: ! формируют на кремниевой подложке, проводимость которой имеет р-тип или n-тип, кремниевый слой, включающий в себя легирующую примесь, тип проводимости которой отличается от типа проводимости данной кремниевой подложки; и ! вызывают диффузию легирующей примеси, включенной в кремниевый слой, в кремниевую подложку с помощью термической обработки кремниевого слоя. ! 2. Способ изготовления солнечного элемента по п.1, где дополнительно: ! формируют противоотражающую пленку на данном кремниевом слое в состоянии, когда кремниевая подложка поддерживается в атмосфере вакуума, после того, как сформирован кремниевый слой. ! 3. Способ изготовления солнечного элемента по п.1, где дополнительно: ! формируют противоотражающую пленку на данном кремниевом слое после того, как сформирован кремниевый слой; и ! формируют верхний электрод на данной противоотражающей пленке, при этом, ! когда легирующая примесь, включенная в кремниевый слой, диффундирует в кремниевую подложку, верхний электрод является электропроводящим к данному кремниевому слою или кремниевой подложке, и легирующая примесь диффундирует в кремниевую подложку с помощью нагрева кремниевой подложки, в которой были сформированы кремниевый слой, противоотражающая пленка и верхний электрод. ! 4. Способ изготовления солнечного элемента по п.1, где ! когда формируют кремниевый слой, кремниевый слой, включающий в себя легирующую примесь n-типа, формируется на верхней стороне кремниевой подложки р-типа; ! после того как сформирован данный кремниевый слой, нижний электрод, включающий в себя алюминий, формируют на обратной с�
Claims (19)
1. Способ изготовления солнечного элемента, где:
формируют на кремниевой подложке, проводимость которой имеет р-тип или n-тип, кремниевый слой, включающий в себя легирующую примесь, тип проводимости которой отличается от типа проводимости данной кремниевой подложки; и
вызывают диффузию легирующей примеси, включенной в кремниевый слой, в кремниевую подложку с помощью термической обработки кремниевого слоя.
2. Способ изготовления солнечного элемента по п.1, где дополнительно:
формируют противоотражающую пленку на данном кремниевом слое в состоянии, когда кремниевая подложка поддерживается в атмосфере вакуума, после того, как сформирован кремниевый слой.
3. Способ изготовления солнечного элемента по п.1, где дополнительно:
формируют противоотражающую пленку на данном кремниевом слое после того, как сформирован кремниевый слой; и
формируют верхний электрод на данной противоотражающей пленке, при этом,
когда легирующая примесь, включенная в кремниевый слой, диффундирует в кремниевую подложку, верхний электрод является электропроводящим к данному кремниевому слою или кремниевой подложке, и легирующая примесь диффундирует в кремниевую подложку с помощью нагрева кремниевой подложки, в которой были сформированы кремниевый слой, противоотражающая пленка и верхний электрод.
4. Способ изготовления солнечного элемента по п.1, где
когда формируют кремниевый слой, кремниевый слой, включающий в себя легирующую примесь n-типа, формируется на верхней стороне кремниевой подложки р-типа;
после того как сформирован данный кремниевый слой, нижний электрод, включающий в себя алюминий, формируют на обратной стороне кремниевой подложки; и
когда легирующая примесь, включенная в кремниевый слой, диффундирует в кремниевой подложке, данная легирующая примесь диффундирует в кремниевой подложке и часть алюминия нижнего электрода диффундирует в кремниевой подложке с помощью нагрева кремниевой подложки, в которой были сформированы кремниевый слой и нижний электрод.
5. Способ изготовления солнечного элемента по п.1, где
когда легирующая примесь, включенная в кремниевый слой, диффундирует в кремниевой подложке, максимальный уровень температуры нагрева больше или равен 600°С и меньше или равен 1200°С, и время нагрева больше или равно 1 мин и меньше или равно 120 мин.
6. Способ изготовления солнечного элемента по п.1, где дополнительно
подвергают кремниевую подложку действию плазмы в вакууме перед формированием кремниевого слоя и
затем формируют кремниевый слой в состоянии, когда кремниевая подложка поддерживается в атмосфере вакуума после того, как кремниевая подложка подвергалась действию плазмы.
7. Способ изготовления солнечного элемента по п.6, где
кремниевый слой формируют с помощью способа плазменного осаждения из газовой фазы, подвергают кремниевую подложку действию плазмы и формируют кремниевый слой путем применения того же аппарата плазменного осаждения из газовой фазы.
8. Способ изготовления солнечного элемента по п.1, где дополнительно
формируют текстуру путем сухого травления верхней стороны кремниевой подложки в вакууме перед формированием кремниевого слоя; и
затем формируют кремниевый слой в состоянии, когда кремниевая подложка поддерживается в атмосфере вакуума после травления.
9. Способ изготовления солнечного элемента по п.8, где дополнительно
формируют текстуру путем сухого травления верхней стороны кремниевой подложки в вакууме перед формированием кремниевого слоя; и
затем подвергают кремниевую подложку действию плазмы в состоянии, когда кремниевая подложка поддерживается в атмосфере вакуума после травления.
10. Аппарат для изготовления солнечного элемента, содержащий:
устройство формирования первой пленки, формирующее кремниевый слой на подложке при подаче газа, содержащего легирующую примесь, на подложку;
устройство формирования второй пленки, формирующее противоотражающую пленку на кремниевом слое;
устройство формирования электрода, формирующее электрод на подложке или противоотражающей пленке; и
нагревающее устройство, нагревающее подложку.
11. Аппарат для изготовления солнечного элемента по п.10, где
устройство формирования первой пленки содержит нагревающую секцию, нагревающую подложку.
12. Аппарат для изготовления солнечного элемента по п.10, где
устройство формирования первой пленки содержит секцию обработки плазмой, подвергающую подложку действию плазмы.
13. Аппарат для изготовления солнечного элемента по п.10, дополнительно содержащий:
механизм переноса подложки, переносящий подложку в устройство формирования первой пленки, устройство формирования второй пленки, устройство формирования электрода и нагревающее устройство в данном порядке.
14. Способ изготовления солнечного элемента, где:
формируют на кремниевой подложке, проводимость которой имеет р-тип или n-тип, кремниевый слой, включающий в себя легирующую примесь, тип проводимости которой отличается от типа проводимости данной кремниевой подложки; и
вызывают диффузию легирующей примеси, включенной в кремниевый слой, в кремниевую подложку с помощью нагрева кремниевой подложки во время формирования кремниевого слоя.
15. Способ изготовления солнечного элемента по п.14, где
когда легирующая примесь, включенная в кремниевый слой, диффундирует в кремниевой подложке с помощью нагрева кремниевой подложки во время формирования кремниевого слоя, максимальный уровень температуры нагрева больше или равен 600°С и меньше или равен 1200°С, и время нагрева больше или равно 1 мин и меньше или равно 120 мин.
16. Способ изготовления солнечного элемента по п.14, где дополнительно
подвергают кремниевую подложку действию плазмы в вакууме перед диффузией легирующей примеси, включенной в кремниевый слой, в кремниевую подложку с помощью нагрева кремниевой подложки во время формирования кремниевого слоя; и
затем вызывают диффузию легирующей примеси, включенной в кремниевый слой, в кремниевую подложку с помощью нагрева кремниевой подложки во время формирования кремниевого слоя в состоянии, когда кремниевая подложка поддерживается в атмосфере вакуума после того, как кремниевая подложка подвергалась действию плазмы.
17. Способ изготовления солнечного элемента по п.16, где
кремниевый слой формируют с помощью способа плазменного осаждения из газовой фазы, подвергают кремниевую подложку действию плазмы и вызывают диффузию легирующей примеси, включенной в кремниевый слой, в кремниевую подложку с помощью нагрева кремниевой подложки во время формирования кремниевого слоя путем применения того же аппарата плазменного осаждения из газовой фазы.
18. Способ изготовления солнечного элемента по п.14, где дополнительно
формируют текстуру путем сухого травления верхней стороны кремниевой подложки в вакууме перед диффузией легирующей примеси, включенной в кремниевый слой, в кремниевую подложку с помощью нагрева кремниевой подложки во время формирования кремниевого слоя; и
затем вызывают диффузию легирующей примеси, включенной в кремниевый слой, в кремниевую подложку с помощью нагрева кремниевой подложки во время формирования кремниевого слоя в состоянии, когда кремниевая подложка поддерживается в атмосфере вакуума после травления.
19. Способ изготовления солнечного элемента по п.16, где дополнительно
формируют текстуру путем сухого травления верхней стороны кремниевой подложки в вакууме перед диффузией легирующей примеси, включенной в кремниевый слой, в кремниевую подложку с помощью нагрева кремниевой подложки во время формирования кремниевого слоя; и
затем подвергают кремниевую подложку действию плазмы в состоянии, когда кремниевая подложка поддерживается в атмосфере вакуума после травления.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008-115977 | 2008-04-25 | ||
| JP2008115977 | 2008-04-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2010137796A true RU2010137796A (ru) | 2012-05-27 |
| RU2456709C2 RU2456709C2 (ru) | 2012-07-20 |
Family
ID=41216843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2010137796/28A RU2456709C2 (ru) | 2008-04-25 | 2009-04-21 | Солнечный элемент и способ и аппарат для его изготовления |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8198115B2 (ru) |
| JP (1) | JPWO2009131111A1 (ru) |
| KR (1) | KR20100112656A (ru) |
| CN (1) | CN101971358A (ru) |
| DE (1) | DE112009000788T5 (ru) |
| RU (1) | RU2456709C2 (ru) |
| TW (1) | TW201003939A (ru) |
| WO (1) | WO2009131111A1 (ru) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2282332B1 (en) * | 2009-08-04 | 2012-06-27 | S.O.I. TEC Silicon | Method for fabricating a semiconductor substrate |
| FR2959351B1 (fr) * | 2010-04-26 | 2013-11-08 | Photowatt Int | Procede de preparation d’une structure de type n+pp+ ou de type p+nn+ sur plaques de silicium |
| TWI426618B (zh) * | 2011-01-04 | 2014-02-11 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 太陽能電池及其製備方法 |
| JP2015519729A (ja) * | 2012-04-02 | 2015-07-09 | ヌソラ インコーポレイテッドｎｕｓｏｌａ Ｉｎｃ． | 光電変換素子及びその製造方法 |
| MY169379A (en) * | 2012-11-01 | 2019-03-26 | Shinetsu Chemical Co | Solar cell and solar cell module |
| RU2531519C1 (ru) * | 2013-05-27 | 2014-10-20 | Закрытое акционерное общество "Монокристалл" ЗАО "Монокристалл" | Алюминиевая паста для кремниевых солнечных элементов |
| JP2016092238A (ja) | 2014-11-05 | 2016-05-23 | 信越化学工業株式会社 | 太陽電池及びその製造方法 |
| JP5938113B1 (ja) | 2015-01-05 | 2016-06-22 | 信越化学工業株式会社 | 太陽電池用基板の製造方法 |
| KR102547804B1 (ko) * | 2016-06-17 | 2023-06-28 | 오씨아이 주식회사 | 양면 수광형 실리콘 태양전지 및 그 제조 방법 |
| CH713453A1 (de) * | 2017-02-13 | 2018-08-15 | Evatec Ag | Verfahren zur Herstellung eines Substrates mit einer bordotierten Oberfläche. |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63283172A (ja) | 1987-05-15 | 1988-11-21 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法 |
| JPS6489568A (en) | 1987-09-30 | 1989-04-04 | Sharp Kk | Manufacture of semiconductor device |
| JPH01290267A (ja) * | 1988-05-18 | 1989-11-22 | Fuji Electric Co Ltd | 光電変換素子の製造方法 |
| SU1686983A1 (ru) * | 1990-02-21 | 1998-06-27 | Всесоюзный научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства | СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ n-p-p- СТРУКТУР ПРИ ИЗГОТОВЛЕНИИ КРЕМНИЕВЫХ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ |
| JPH0793453B2 (ja) | 1992-03-11 | 1995-10-09 | 株式会社日立製作所 | シリコン太陽電池素子の製造方法 |
| JP2564073B2 (ja) | 1992-06-18 | 1996-12-18 | リンナイ株式会社 | 湯沸器の出湯管 |
| JP3238945B2 (ja) | 1992-07-09 | 2001-12-17 | シャープ株式会社 | 太陽電池およびその製造方法 |
| JPH0855818A (ja) | 1994-06-10 | 1996-02-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の製造装置及び製造方法 |
| JP3795103B2 (ja) | 1994-07-21 | 2006-07-12 | シャープ株式会社 | リンを含む酸化チタン膜の形成方法および太陽電池の製造装置 |
| JP3722326B2 (ja) | 1996-12-20 | 2005-11-30 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
| US6207890B1 (en) * | 1997-03-21 | 2001-03-27 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic element and method for manufacture thereof |
| JP2000323735A (ja) | 1999-05-10 | 2000-11-24 | Mitsubishi Electric Corp | 光起電力装置の製造方法及び光起電力装置 |
| JP2001144022A (ja) | 1999-11-15 | 2001-05-25 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置の製造方法 |
| JP4244549B2 (ja) * | 2001-11-13 | 2009-03-25 | トヨタ自動車株式会社 | 光電変換素子及びその製造方法 |
| JP2004014958A (ja) * | 2002-06-11 | 2004-01-15 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 薄膜多結晶太陽電池とその製造方法 |
| US6744077B2 (en) | 2002-09-27 | 2004-06-01 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Selective filtering of wavelength-converted semiconductor light emitting devices |
| JP4438293B2 (ja) | 2003-01-09 | 2010-03-24 | シャープ株式会社 | 太陽電池及びその設置方法 |
| JP2004247364A (ja) | 2003-02-12 | 2004-09-02 | Hitachi Cable Ltd | 結晶系シリコン太陽電池の製造方法 |
| KR100548613B1 (ko) * | 2003-10-14 | 2006-01-31 | 삼성전기주식회사 | 블루레이용 수광소자 및 그 제조방법 |
| JP4180636B2 (ja) * | 2004-03-12 | 2008-11-12 | 京セミ株式会社 | 積層型太陽電池 |
| WO2006075426A1 (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-20 | Naoetsu Electronics Co., Ltd. | 裏面接合型太陽電池及びその製造方法 |
| WO2006101200A1 (ja) * | 2005-03-24 | 2006-09-28 | Kyocera Corporation | 光電変換素子とその製造方法、及びこれを用いた光電変換モジュール |
| JP4614172B2 (ja) | 2006-11-07 | 2011-01-19 | 株式会社ユニオン精密 | 締結部品及び締結構造を有する機器 |
| JP5090716B2 (ja) * | 2006-11-24 | 2012-12-05 | 信越化学工業株式会社 | 単結晶シリコン太陽電池の製造方法 |
| WO2008078741A1 (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-03 | Kyocera Corporation | 太陽電池モジュール |
| JP5236914B2 (ja) * | 2007-09-19 | 2013-07-17 | シャープ株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
-
2009
- 2009-04-21 DE DE112009000788T patent/DE112009000788T5/de not_active Ceased
- 2009-04-21 JP JP2010509182A patent/JPWO2009131111A1/ja active Pending
- 2009-04-21 CN CN2009801090233A patent/CN101971358A/zh active Pending
- 2009-04-21 RU RU2010137796/28A patent/RU2456709C2/ru active
- 2009-04-21 KR KR1020107020486A patent/KR20100112656A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-04-21 WO PCT/JP2009/057905 patent/WO2009131111A1/ja active Application Filing
- 2009-04-21 US US12/933,829 patent/US8198115B2/en active Active
- 2009-04-22 TW TW098113327A patent/TW201003939A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8198115B2 (en) | 2012-06-12 |
| US20110020976A1 (en) | 2011-01-27 |
| JPWO2009131111A1 (ja) | 2011-08-18 |
| RU2456709C2 (ru) | 2012-07-20 |
| WO2009131111A1 (ja) | 2009-10-29 |
| CN101971358A (zh) | 2011-02-09 |
| KR20100112656A (ko) | 2010-10-19 |
| DE112009000788T5 (de) | 2011-04-21 |
| TW201003939A (en) | 2010-01-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2010137796A (ru) | Солнечный элемент и способ и аппарат для его изготовления | |
| CN111029438B (zh) | 一种n型钝化接触太阳能电池的制备方法 | |
| US7838400B2 (en) | Rapid thermal oxide passivated solar cell with improved junction | |
| KR20170081735A (ko) | 태양전지, 그 제조방법 및 태양전지 모듈 | |
| CN111668345A (zh) | 一种太阳能电池及其制备方法 | |
| KR20120092184A (ko) | 도핑된 영역을 세정하고 도핑된 영역 위에 음으로 대전된 패시베이션 층을 형성하는 방법 | |
| TWI550890B (zh) | 太陽能電池及其製造方法 | |
| WO2019021545A1 (ja) | 太陽電池、及び、その製造方法 | |
| Wang et al. | Control of Cu doping and CdTe/Te interface modification for CdTe solar cells | |
| JP2012253356A (ja) | ブリスターを伴わずにシリコン表面をパッシベーションする方法 | |
| JP2017504186A (ja) | 結晶シリコン太陽電池上のパッシベーションスタック | |
| JP2014220276A (ja) | 太陽電池の製造方法及び太陽電池 | |
| Yadav et al. | c-Si solar cells formed from spin-on phosphoric acid and boric acid | |
| CN110943143A (zh) | 用于制造具有异质结和发射极扩散区的光伏太阳能电池的方法 | |
| TWI424578B (zh) | 半導體元件的鈍化層結構及其形成方法 | |
| US20100210060A1 (en) | Double anneal process for an improved rapid thermal oxide passivated solar cell | |
| TW201818560A (zh) | 矽材料之加工方法 | |
| TWI650872B (zh) | 太陽能電池及其製造方法、太陽能電池模組及太陽能電池發電系統 | |
| Liu et al. | Effect of rapid thermal oxidation on structure and photoelectronic properties of silicon oxide in monocrystalline silicon solar cells | |
| EP2698806A1 (en) | Method for producing a dopant profile in a semiconductor substrate | |
| JP2018147910A (ja) | 高効率太陽電池及びその製造方法 | |
| CN103066150A (zh) | 一次扩散法制备选择性发射极电池的方法 | |
| Bektaş et al. | A comparative study on alternative industrial manufacturing routes for bifacial n‐PERT silicon solar cells | |
| Zhong et al. | Mass production of high efficiency selective emitter crystalline silicon solar cells employing phosphorus ink technology | |
| TW201240108A (en) | Integrated in-line processing system for selective emitter solar cells |