SU1686983A1 - СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ n-p-p- СТРУКТУР ПРИ ИЗГОТОВЛЕНИИ КРЕМНИЕВЫХ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ - Google Patents

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ n-p-p- СТРУКТУР ПРИ ИЗГОТОВЛЕНИИ КРЕМНИЕВЫХ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ

Info

Publication number
SU1686983A1
SU1686983A1 SU4793472/25A SU4793472A SU1686983A1 SU 1686983 A1 SU1686983 A1 SU 1686983A1 SU 4793472/25 A SU4793472/25 A SU 4793472/25A SU 4793472 A SU4793472 A SU 4793472A SU 1686983 A1 SU1686983 A1 SU 1686983A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
manufacturing silicon
shaping structures
silicon photodetectors
diffusion
structures
Prior art date
Application number
SU4793472/25A
Other languages
English (en)
Inventor
В.В. Заддэ
Ю.М. Кузнецов
Т.И. Сурьянинова
В.Е. Токарев
В.В. Курсакова
Original Assignee
Всесоюзный научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Всесоюзный научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства filed Critical Всесоюзный научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства
Priority to SU4793472/25A priority Critical patent/SU1686983A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1686983A1 publication Critical patent/SU1686983A1/ru

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности кремниевых фотопреобразователей (ФП). Целью изобретения является повышение КПД ФП за счет изменения формы профиля распределения примесей и исключения взаимного их влияния. Цель достигается тем, что диффузию фосфора проводят в две стадии со сменой источника, при этом первую стадию диффузии фосфора проводят одновременно с диффузией бора.
SU4793472/25A 1990-02-21 1990-02-21 СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ n-p-p- СТРУКТУР ПРИ ИЗГОТОВЛЕНИИ КРЕМНИЕВЫХ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ SU1686983A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4793472/25A SU1686983A1 (ru) 1990-02-21 1990-02-21 СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ n-p-p- СТРУКТУР ПРИ ИЗГОТОВЛЕНИИ КРЕМНИЕВЫХ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4793472/25A SU1686983A1 (ru) 1990-02-21 1990-02-21 СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ n-p-p- СТРУКТУР ПРИ ИЗГОТОВЛЕНИИ КРЕМНИЕВЫХ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1686983A1 true SU1686983A1 (ru) 1998-06-27

Family

ID=60530480

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU4793472/25A SU1686983A1 (ru) 1990-02-21 1990-02-21 СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ n-p-p- СТРУКТУР ПРИ ИЗГОТОВЛЕНИИ КРЕМНИЕВЫХ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1686983A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8198115B2 (en) 2008-04-25 2012-06-12 Ulvac, Inc. Solar cell, and method and apparatus for manufacturing the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8198115B2 (en) 2008-04-25 2012-06-12 Ulvac, Inc. Solar cell, and method and apparatus for manufacturing the same
RU2456709C2 (ru) * 2008-04-25 2012-07-20 Улвак, Инк. Солнечный элемент и способ и аппарат для его изготовления

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB922617A (en) Semiconductor translating devices and processes for making them
SE9501310D0 (sv) A method for introduction of an impurity dopant in SiC, a semiconductor device formed by the mehtod and a use of a highly doped amorphous layer as a source for dopant diffusion into SiC
SU1686983A1 (ru) СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ n-p-p- СТРУКТУР ПРИ ИЗГОТОВЛЕНИИ КРЕМНИЕВЫХ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ
GB1504032A (en) Muting circuits
JPS54109765A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS57134967A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS5244576A (en) Process for production of semiconductor device
JPS5487194A (en) Manufacture for semiconductor
JPS53130981A (en) Manufacture for semiconductor device
JPS5248978A (en) Process for production of semiconductor device
JPS5227354A (en) Impurity diffusion method for iii-v group compound semiconductor region
JPS53132274A (en) Semiconductor device and its production
JPS57128063A (en) Semiconductor device and manufacture thereof
JPS54122092A (en) Manufacture of semiconductor integrated circuit
JPS54140464A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS5745276A (en) Manufacture of thyristor
JPS5339888A (en) Semiconductor integrated circuit device and its production
JPS5544701A (en) Manufacturing transistor
JPS5750473A (en) Semiconductor integrated circuit device
SE7910530L (sv) Sett att tillverka integrerade kretsar
JPS5710966A (en) Manufacture of semiconductor integrated circuit device
JPS5536919A (en) Manufacturing of semiconductor device
SU1032936A1 (ru) Способ изготовления свч-биполярных транзисторов
JPS57113272A (en) I2l integrated circuit device
JPS6421918A (en) Manufacture of semiconductor device