RU2010132967A

RU2010132967A - Способ получения поликристаллического оптического селенида цинка

Info

Publication number: RU2010132967A
Application number: RU2010132967/05A
Authority: RU
Inventors: Евгений Андреевич Гарибин (RU); Евгений Андреевич Гарибин; Павел Евгеньевич Гусев (RU); Павел Евгеньевич Гусев; Алексей Александрович Демиденко (RU); Алексей Александрович Демиденко; Анатолий Алексеевич Дунаев (RU); Анатолий Алексеевич Дунаев; Игорь Алексеевич Миронов (RU); Игорь Алексеевич Миронов; Ицинь Цзи (CN); Ицинь Цзи; Цзявуй Го (CN); Цзявуй Го; Вэй Хун (CN); Вэй Хун; Жунши Чжан (CN); Жунши Чжан
Original assignee: Закрытое акционерное общество "ИНКРОМ" (ЗАО "ИНКРОМ") (RU); Закрытое акционерное общество "ИНКРОМ" (ЗАО "ИНКРОМ")
Priority date: 2010-08-02
Filing date: 2010-08-02
Publication date: 2012-02-10
Also published as: CN102400212B; CN102400212A; RU2490376C2

Abstract

1. Способ получения поликристаллического оптического селенида цинка, включающий нагрев и испарение исходного сырья, конденсацию пара на нагретую подложку, отличающийся тем, что испарение исходного материала ведут при температуре 1050-1150°С, а конденсацию пара на подложку, нагретую до 950-1050°С. ! 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что конденсацию пара на подложку осуществляют со скоростью 0,2-0,8 мм/ч. ! 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что охлаждение установки с выращенной заготовкой осуществляют по регулируемому режиму, при котором до 900°С охлаждение проводят со скоростью 50-100°С/ч, в интервале 900-600°С - со скоростью 30-50°С/ч, от 600°С - инерционное охлаждение до комнатной температуры. ! 4. Способ по п.1, отличающийся тем, что исходное сырье в виде порошка или компактных осколков подвергают предварительному отжигу в среде инертного газа, например, аргона, при температуре до 1200°С в течение 10-15 ч.

Claims

1. Способ получения поликристаллического оптического селенида цинка, включающий нагрев и испарение исходного сырья, конденсацию пара на нагретую подложку, отличающийся тем, что испарение исходного материала ведут при температуре 1050-1150°С, а конденсацию пара на подложку, нагретую до 950-1050°С.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что конденсацию пара на подложку осуществляют со скоростью 0,2-0,8 мм/ч.

3. Способ по п.1, отличающийся тем, что охлаждение установки с выращенной заготовкой осуществляют по регулируемому режиму, при котором до 900°С охлаждение проводят со скоростью 50-100°С/ч, в интервале 900-600°С - со скоростью 30-50°С/ч, от 600°С - инерционное охлаждение до комнатной температуры.

4. Способ по п.1, отличающийся тем, что исходное сырье в виде порошка или компактных осколков подвергают предварительному отжигу в среде инертного газа, например, аргона, при температуре до 1200°С в течение 10-15 ч.