RU2019586C1 - Способ получения оптических поликристаллических блоков селенида цинка - Google Patents
Способ получения оптических поликристаллических блоков селенида цинка Download PDFInfo
- Publication number
- RU2019586C1 RU2019586C1 SU5042141A RU2019586C1 RU 2019586 C1 RU2019586 C1 RU 2019586C1 SU 5042141 A SU5042141 A SU 5042141A RU 2019586 C1 RU2019586 C1 RU 2019586C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- blocks
- zinc selenide
- polycrystallic
- optic
- preparing
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Использование: в оптоэлектронике и лазерной технике. Сущность изобретения: поликристаллические блоки получают путем газофазного осаждения паров селенида цинка, содержащего кремний в количестве (2-6)·10-3 мас.% , на подогретую подложку. Прозрачность обработанных после выращивания блоков на длине волны 10,6 мкм составляет 70-71%. 1 табл.
Description
Изобретение относится к области технологии материалов для оптоэлектроники и лазерной техники, а именно к способам получения поликристаллических блоков селенида цинка. Блоки используют для изготовления оптических элементов ИК-техники и СО2-лазерных технологических установок. Качество блоков селенида цинка оценивается прозрачностью в ИК-области спектра. Увеличение прозрачности блоков позволяет увеличить мощность проходящего излучения лазерных установок.
Известен способ парофазного получения поликристаллических блоков селенида цинка, основанный на смешении паров цинка и селена или их соединений и осаждение селенида цинка на подложку. Этот способ требует точного дозирования компонентов и сложен по техническому оснащению, готовый продукт характеризуется низким коэффициентом пропускания.
Наиболее близким к заявляемому является выбранный в качестве прототипа способ получения поликристаллических блоков селенида цинка методом вакуумной сублимации порошкового селенида цинка. Этот способ отличается простотой технологического исполнения и широко применяется для получения блоков селенида цинка. Недостатком этого способа является то, что получаемые блоки имеют низкое пропускание в ИК-области спектра, что ограничивает возможность их применения.
Сущность предлагаемого способа состоит в том, что блоки селенида цинка получают методом вакуумной сублимации путем осаждения на подогретую подложку паров селенида цинка, при этом используют селенид цинка, содержащий кремний в количестве (2-6) ˙10-3 мас.%.
Реализация заявляемого способа позволяет получать поликристаллические блоки нового качества, а именно высокой прозрачности, сочетая это свойство с высокой надежностью, которая проявляется в воспроизводимости оптических характеристик получаемого материала.
Сущность данного способа поясняется примером.
Пример конкретного выполнения процесса.
Селенид цинка в количестве 5 кг, содержащий кремний в количестве 4 ˙10-3 мас. % загружают в графитовый контейнер для сублимации. Контейнер закрывают крышкой-подложкой и помещают в камеру, которую откачивают до 10-4 мм рт.ст. и нагревают до 1030оС. По окончании процесса возгонки нагрева прекращают, охлаждают контейнер до комнатной температуры. Выращенный блок селенида цинка подвергают шлифовке и полировке. Блок имеет коэффициент пропускания 70-71% при длине волны 10,6 мкм.
Оптические характеристики блоков, полученных из селенида цинка с различным содержанием кремния, представлены в таблице.
Как видно из данных, представленных в таблице, предлагаемый способ обеспечивает получение поликристаллических блоков селенида цинка с коэффициентом пропускания 70-71%, что практически соответствует теоретическому значению.
Claims (1)
- СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОПТИЧЕСКИХ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ БЛОКОВ СЕЛЕНИДА ЦИНКА методом вакуумной сублимации путем осаждения паров на подогретую подложку, отличающийся тем, что используют селенид цинка, содержащий кремний в количестве (2 - 6) · 10-3 мас.%.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU5042141 RU2019586C1 (ru) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | Способ получения оптических поликристаллических блоков селенида цинка |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU5042141 RU2019586C1 (ru) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | Способ получения оптических поликристаллических блоков селенида цинка |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2019586C1 true RU2019586C1 (ru) | 1994-09-15 |
Family
ID=21604204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU5042141 RU2019586C1 (ru) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | Способ получения оптических поликристаллических блоков селенида цинка |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2019586C1 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102400212A (zh) * | 2010-08-02 | 2012-04-04 | 天津津航技术物理研究所 | 获取多晶体光学硒化锌的方法 |
| RU2516557C2 (ru) * | 2012-08-22 | 2014-05-20 | Елена Ивановна Смирнова | Способ получения оптических поликристаллических материалов на основе селенида цинка |
-
1992
- 1992-05-12 RU SU5042141 patent/RU2019586C1/ru active
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 1. Jim W.M. et al. Elecfrochem. Soc., 1972, 119, N 3, p.381-388. * |
| 2. Авторское свидетельство СССР N 844609, кл. C 04B 35/00, 1979. * |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102400212A (zh) * | 2010-08-02 | 2012-04-04 | 天津津航技术物理研究所 | 获取多晶体光学硒化锌的方法 |
| RU2490376C2 (ru) * | 2010-08-02 | 2013-08-20 | Закрытое акционерное общество "ИНКРОМ" (ЗАО "ИНКРОМ") | Способ получения поликристаллического оптического селенида цинка |
| CN102400212B (zh) * | 2010-08-02 | 2014-06-18 | 天津津航技术物理研究所 | 获取多晶体光学硒化锌的方法 |
| RU2516557C2 (ru) * | 2012-08-22 | 2014-05-20 | Елена Ивановна Смирнова | Способ получения оптических поликристаллических материалов на основе селенида цинка |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Jacco et al. | Flux growth and properties of KTiOPO4 | |
| EP0581621A1 (fr) | Nouveaux luminophores verts à base de phosphate mixte de lanthane, cerium et terbium, précurseurs de ceux-ci et procédés de synthèse | |
| RU2019586C1 (ru) | Способ получения оптических поликристаллических блоков селенида цинка | |
| EP0241614B1 (en) | Process for enhancing ti:al2o3 tunable laser crystal fluorescence by controlling crystal growth atmosphere | |
| EP0384284B1 (en) | Process for preparing silica having a low silanol content | |
| US5126081A (en) | Polycrystalline zinc sulfide and zinc selenide articles having improved optical quality | |
| JP2004526654A (ja) | 透過性グラファイトを用いた波長１５７ｎｍの光を透過するフッ化バリウム結晶の調製 | |
| US3979232A (en) | Mercury cadmium telluride annealing procedure | |
| US20040167010A1 (en) | Transparent ceramics and method for producing the same | |
| Wang et al. | Crystal Growth and Characterization of a New Organometallic Nonlinear‐Optical Crystal Material: MnHg (SCN) 4 (C3H8O2) | |
| RU2490376C2 (ru) | Способ получения поликристаллического оптического селенида цинка | |
| SU1691302A1 (ru) | Способ обработки аморфного диоксида кремни | |
| JP2866891B2 (ja) | 多結晶透明イットリウムアルミニウムガーネット焼結体及びその製造方法 | |
| JP3289905B2 (ja) | 光学品質結晶の損傷感受性を減少させる方法 | |
| Pernot et al. | Photo‐assisted chemical vapor deposition of gallium sulfide thin films | |
| RU2077617C1 (ru) | Способ получения поликристаллических блоков или пленочных покрытий на основе сульфида цинка | |
| US3836632A (en) | Method for improving transparency of gadolinium molybdate single crystal | |
| JPH0226826A (ja) | 硫化亜鉛の熱処理法 | |
| CN110791812B (zh) | 一种BaHgSnSe4非线性光学晶体及其制备方法和应用 | |
| JPS5927000A (ja) | モリブデン酸鉛単結晶光学素子およびその製造方法 | |
| JPH06191827A (ja) | シリカ球状単分散粒子の製造方法 | |
| RU2516557C2 (ru) | Способ получения оптических поликристаллических материалов на основе селенида цинка | |
| Atroshchenko et al. | Doping methods and properties of the solid solutions on AIᴵᴵBⱽᴵ crystals base | |
| Deb | Optical absorption and photoconductivity in thin films of unstable azides. Part 3.—Cadmium azide and mercuric azide | |
| Dehghanpour et al. | Improving the Optical Properties of Potassium Chloride Crystals by Doping Diamond Nanoparticles |