RU2012140590A - Способ получения гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке - Google Patents

Способ получения гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке Download PDF

Info

Publication number
RU2012140590A
RU2012140590A RU2012140590/28A RU2012140590A RU2012140590A RU 2012140590 A RU2012140590 A RU 2012140590A RU 2012140590/28 A RU2012140590/28 A RU 2012140590/28A RU 2012140590 A RU2012140590 A RU 2012140590A RU 2012140590 A RU2012140590 A RU 2012140590A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
silicon carbide
producing
substrate
silicon substrate
silicon
Prior art date
Application number
RU2012140590/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2521142C2 (ru
Inventor
Шихгасан Муфтялиевич Рамазанов
Гусейн Муфтялиевич Рамазанов
Газимагомед Убайдулаевич Газимагомедов
Original Assignee
Общество с ограниченной ответственностью "СИКЛАБ"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Общество с ограниченной ответственностью "СИКЛАБ" filed Critical Общество с ограниченной ответственностью "СИКЛАБ"
Priority to RU2012140590/28A priority Critical patent/RU2521142C2/ru
Publication of RU2012140590A publication Critical patent/RU2012140590A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2521142C2 publication Critical patent/RU2521142C2/ru

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

1. Способ получения гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке, включающий нагрев подложки до температуры 950-1400°С в атмосфере Ar и получение пленки на поверхности подложки ионно-плазменным магнетронным распылением, отличающийся тем, что распыление осуществляют из одной поликристаллической мишени карбида кремния.2. Способ получения гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке по п.1, отличающийся тем, что ионно-плазменное магнетронное распыление поликристаллической мишени карбида кремния осуществляют на постоянном токе.

Claims (2)

1. Способ получения гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке, включающий нагрев подложки до температуры 950-1400°С в атмосфере Ar и получение пленки на поверхности подложки ионно-плазменным магнетронным распылением, отличающийся тем, что распыление осуществляют из одной поликристаллической мишени карбида кремния.
2. Способ получения гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке по п.1, отличающийся тем, что ионно-плазменное магнетронное распыление поликристаллической мишени карбида кремния осуществляют на постоянном токе.
RU2012140590/28A 2012-09-21 2012-09-21 Способ получения гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке RU2521142C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012140590/28A RU2521142C2 (ru) 2012-09-21 2012-09-21 Способ получения гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012140590/28A RU2521142C2 (ru) 2012-09-21 2012-09-21 Способ получения гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012140590A true RU2012140590A (ru) 2014-03-27
RU2521142C2 RU2521142C2 (ru) 2014-06-27

Family

ID=50342834

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012140590/28A RU2521142C2 (ru) 2012-09-21 2012-09-21 Способ получения гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2521142C2 (ru)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6572694B2 (ja) * 2015-09-11 2019-09-11 信越化学工業株式会社 SiC複合基板の製造方法及び半導体基板の製造方法
CN109355707A (zh) * 2018-11-26 2019-02-19 国宏中晶集团有限公司 一种c轴取向的碳化硅磁控溅射系统及方法
RU2733941C2 (ru) * 2019-04-01 2020-10-08 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) Способ изготовления полупроводниковой структуры

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2260636C1 (ru) * 2004-03-31 2005-09-20 Дагестанский государственный университет СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ SiC-AlN
RU2333300C2 (ru) * 2006-04-26 2008-09-10 Дагестанский государственный университет СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК РАСТВОРОВ (SiC)1-x(AlN)x
RU2363067C1 (ru) * 2008-01-22 2009-07-27 Фонд поддержки науки и образования Способ изготовления изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности

Also Published As

Publication number Publication date
RU2521142C2 (ru) 2014-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EA033122B1 (ru) Способ получения подложки, покрытой набором, содержащим слой прозрачного проводящего оксида
TW201614758A (en) Top lamp module for carousel deposition chamber
EA201592260A1 (ru) Полупроводниковые пленки из соединения iii-v или ii-vi на графитовых подложках
RU2018113434A (ru) Способ изготовления составной подложки из sic
TW201612345A (en) Methods and apparatus for maintaining low non-uniformity over target life
EP3338299A4 (en) TREATMENT-SPECIFIC SEMICONDUCTOR WAFER SUPPORT CORRECTION FOR ENHANCED THERMAL UNIFORMITY IN CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SYSTEMS AND METHODS
MY188961A (en) High-throughput thermal processing methods for producing high-efficiency crystalline silicon solar cells
RU2018113432A (ru) Способ изготовления составной подложки из sic
TW201612976A (en) Etching method and storage medium
RU2012140590A (ru) Способ получения гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке
JP2012216765A5 (ru)
ES2527644A2 (es) SISTEMAS Y MÉTODOS PARA FORMAR CÉLULAS SOLARES CON PELÍCULAS DE CuInSe2 y Cu(In,Ga)Se2
TW201614756A (en) Magnetic annealing apparatus and magnetic annealing method
MY153875A (en) A method of producing a polytetrafluoroethylene adhesive polymer membrane
WO2015050630A3 (en) Methods of producing large grain or single crystal films
JP2014181178A5 (ru)
RU2016115398A (ru) Способ получения диссипативных структур
JP2020147826A5 (ru)
RU2006114333A (ru) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК РАСТВОРОВ (SiC)1-x(AlN)x
RU2013127831A (ru) Способ стерилизации компота из черешни
WO2013034411A3 (en) Vacuum coating apparatus
RU2009135890A (ru) Способ формирования тонких пленок карбида вольфрама
JP2015163736A5 (ru)
RU2010149538A (ru) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОПТИЧЕСКОГО ЭЛЕМЕНТА ZnSe/ZnS
RU2009137618A (ru) СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК НА ОСНОВЕ EuS

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20190922