RU2012140590A - Способ получения гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке - Google Patents
Способ получения гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке Download PDFInfo
- Publication number
- RU2012140590A RU2012140590A RU2012140590/28A RU2012140590A RU2012140590A RU 2012140590 A RU2012140590 A RU 2012140590A RU 2012140590/28 A RU2012140590/28 A RU 2012140590/28A RU 2012140590 A RU2012140590 A RU 2012140590A RU 2012140590 A RU2012140590 A RU 2012140590A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon carbide
- producing
- substrate
- silicon substrate
- silicon
- Prior art date
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
1. Способ получения гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке, включающий нагрев подложки до температуры 950-1400°С в атмосфере Ar и получение пленки на поверхности подложки ионно-плазменным магнетронным распылением, отличающийся тем, что распыление осуществляют из одной поликристаллической мишени карбида кремния.2. Способ получения гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке по п.1, отличающийся тем, что ионно-плазменное магнетронное распыление поликристаллической мишени карбида кремния осуществляют на постоянном токе.
Claims (2)
1. Способ получения гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке, включающий нагрев подложки до температуры 950-1400°С в атмосфере Ar и получение пленки на поверхности подложки ионно-плазменным магнетронным распылением, отличающийся тем, что распыление осуществляют из одной поликристаллической мишени карбида кремния.
2. Способ получения гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке по п.1, отличающийся тем, что ионно-плазменное магнетронное распыление поликристаллической мишени карбида кремния осуществляют на постоянном токе.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012140590/28A RU2521142C2 (ru) | 2012-09-21 | 2012-09-21 | Способ получения гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012140590/28A RU2521142C2 (ru) | 2012-09-21 | 2012-09-21 | Способ получения гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012140590A true RU2012140590A (ru) | 2014-03-27 |
| RU2521142C2 RU2521142C2 (ru) | 2014-06-27 |
Family
ID=50342834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012140590/28A RU2521142C2 (ru) | 2012-09-21 | 2012-09-21 | Способ получения гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2521142C2 (ru) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6572694B2 (ja) * | 2015-09-11 | 2019-09-11 | 信越化学工業株式会社 | ＳｉＣ複合基板の製造方法及び半導体基板の製造方法 |
| CN109355707A (zh) * | 2018-11-26 | 2019-02-19 | 国宏中晶集团有限公司 | 一种c轴取向的碳化硅磁控溅射系统及方法 |
| RU2733941C2 (ru) * | 2019-04-01 | 2020-10-08 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ изготовления полупроводниковой структуры |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2260636C1 (ru) * | 2004-03-31 | 2005-09-20 | Дагестанский государственный университет | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ SiC-AlN |
| RU2333300C2 (ru) * | 2006-04-26 | 2008-09-10 | Дагестанский государственный университет | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК РАСТВОРОВ (SiC)1-x(AlN)x |
| RU2363067C1 (ru) * | 2008-01-22 | 2009-07-27 | Фонд поддержки науки и образования | Способ изготовления изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности |
-
2012
- 2012-09-21 RU RU2012140590/28A patent/RU2521142C2/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2521142C2 (ru) | 2014-06-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SG10201804322UA (en) | Variable frequency microwave (vfm) processes and applications in semiconductor thin film fabrications | |
| EA033122B1 (ru) | Способ получения подложки, покрытой набором, содержащим слой прозрачного проводящего оксида | |
| TW201614758A (en) | Top lamp module for carousel deposition chamber | |
| EA201592260A1 (ru) | Полупроводниковые пленки из соединения iii-v или ii-vi на графитовых подложках | |
| RU2018113434A (ru) | Способ изготовления составной подложки из sic | |
| TW201612345A (en) | Methods and apparatus for maintaining low non-uniformity over target life | |
| GB2548280A (en) | Apparatus and method of manufacturing free standing CVD polycrystalline diamond films | |
| EP3338299A4 (en) | TREATMENT-SPECIFIC SEMICONDUCTOR WAFER SUPPORT CORRECTION FOR ENHANCED THERMAL UNIFORMITY IN CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SYSTEMS AND METHODS | |
| MY188961A (en) | High-throughput thermal processing methods for producing high-efficiency crystalline silicon solar cells | |
| RU2018113432A (ru) | Способ изготовления составной подложки из sic | |
| TW201612976A (en) | Etching method and storage medium | |
| RU2012140590A (ru) | Способ получения гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке | |
| JP2012216765A5 (ru) | ||
| ES2527644A2 (es) | SISTEMAS Y MÉTODOS PARA FORMAR CÉLULAS SOLARES CON PELÍCULAS DE CuInSe2 y Cu(In,Ga)Se2 | |
| TW201614756A (en) | Magnetic annealing apparatus and magnetic annealing method | |
| MY153875A (en) | A method of producing a polytetrafluoroethylene adhesive polymer membrane | |
| WO2015050630A3 (en) | Methods of producing large grain or single crystal films | |
| JP2014181178A5 (ru) | ||
| RU2016115398A (ru) | Способ получения диссипативных структур | |
| JP2020147826A5 (ru) | ||
| RU2006114333A (ru) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК РАСТВОРОВ (SiC)1-x(AlN)x | |
| RU2009135890A (ru) | Способ формирования тонких пленок карбида вольфрама | |
| JP2015163736A5 (ru) | ||
| RU2010149538A (ru) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОПТИЧЕСКОГО ЭЛЕМЕНТА ZnSe/ZnS | |
| RU2009137618A (ru) | СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК НА ОСНОВЕ EuS |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20190922 |