RU2009135890A - Способ формирования тонких пленок карбида вольфрама - Google Patents
Способ формирования тонких пленок карбида вольфрама Download PDFInfo
- Publication number
- RU2009135890A RU2009135890A RU2009135890/12A RU2009135890A RU2009135890A RU 2009135890 A RU2009135890 A RU 2009135890A RU 2009135890/12 A RU2009135890/12 A RU 2009135890/12A RU 2009135890 A RU2009135890 A RU 2009135890A RU 2009135890 A RU2009135890 A RU 2009135890A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- thin
- tungsten carbide
- thin films
- film
- tungsten
- Prior art date
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
Способ формирования тонких пленок карбида вольфрама, включающий нанесение тонкой вольфрамосодержащей пленки на полупроводниковую подложку, карботермический синтез, отличающийся тем, что тонкая пленка вольфрама наносится импульсно-плазменным осаждением, а карботермический синтез проводят, помещая полупроводниковую подложку с тонкой пленкой фольфрама на графитовый столик и подвергая термообработке в вакууме при давлении не выше 5·10-4 Па при температуре от 450 до 600°С при времени выдержки при данных температурах не менее 40 мин.
Claims (1)
- Способ формирования тонких пленок карбида вольфрама, включающий нанесение тонкой вольфрамосодержащей пленки на полупроводниковую подложку, карботермический синтез, отличающийся тем, что тонкая пленка вольфрама наносится импульсно-плазменным осаждением, а карботермический синтез проводят, помещая полупроводниковую подложку с тонкой пленкой фольфрама на графитовый столик и подвергая термообработке в вакууме при давлении не выше 5·10-4 Па при температуре от 450 до 600°С при времени выдержки при данных температурах не менее 40 мин.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2009135890/12A RU2430017C2 (ru) | 2009-09-29 | 2009-09-29 | Способ формирования тонких пленок карбида вольфрама |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2009135890/12A RU2430017C2 (ru) | 2009-09-29 | 2009-09-29 | Способ формирования тонких пленок карбида вольфрама |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2009135890A true RU2009135890A (ru) | 2011-04-10 |
| RU2430017C2 RU2430017C2 (ru) | 2011-09-27 |
Family
ID=44051787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2009135890/12A RU2430017C2 (ru) | 2009-09-29 | 2009-09-29 | Способ формирования тонких пленок карбида вольфрама |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2430017C2 (ru) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2513555C2 (ru) * | 2012-05-22 | 2014-04-20 | Николай Евгеньевич Староверов | Карбидная нанопленка или нанонить и способ их получения |
| RU2540622C2 (ru) * | 2013-05-20 | 2015-02-10 | Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли РФ | Способ формирования наноразмерной пленки карбида вольфрама |
-
2009
- 2009-09-29 RU RU2009135890/12A patent/RU2430017C2/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2430017C2 (ru) | 2011-09-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2013039881A3 (en) | Carbosilane precursors for low temperature film deposition | |
| EA201071184A1 (ru) | Способ осаждения тонкого слоя | |
| UA95942C2 (ru) | Способ получения солнечного элемента применение тетрахлорида кремния в нем и тонкопленочный солнечный элемент полученный данным способом | |
| RU2018113434A (ru) | Способ изготовления составной подложки из sic | |
| WO2012061593A3 (en) | Apparatus and methods for deposition of silicon carbide and silicon carbonitride films | |
| TW200710956A (en) | Method to improve transmittance of an encapsulating film | |
| JP2009509338A5 (ru) | ||
| WO2011047210A3 (en) | Inhibiting excess precursor transport between separate precursor zones in an atomic layer deposition system | |
| RU2018113432A (ru) | Способ изготовления составной подложки из sic | |
| WO2015038267A3 (en) | Graphene synthesis by suppressing evaporative substrate loss during low pressure chemical vapor deposition | |
| TWD207362S (zh) | 半導體製造用之晶圓用的支撐器具 | |
| TW201612345A (en) | Methods and apparatus for maintaining low non-uniformity over target life | |
| RU2009135890A (ru) | Способ формирования тонких пленок карбида вольфрама | |
| MY162042A (en) | Manufacturing apparatus for depositing a material on a carrier body | |
| JP2010507924A5 (ru) | ||
| AR044334A1 (es) | Proceso para preparar un material compuesto | |
| RU2011145603A (ru) | Способ изготовления матрицы многоострийного автоэмиссионного катода на монокристаллическом кремнии | |
| JP2014181178A5 (ru) | ||
| SG11201805526PA (en) | Single-crystal diamond, method for manufacturing single-crystal diamond, and chemical vapor deposition device used in same | |
| RU2012140590A (ru) | Способ получения гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке | |
| CN103556217A (zh) | 一种制备1至5层单晶石墨烯的方法 | |
| WO2014154424A3 (fr) | Procédé de dépôt de diamant en phase vapeur | |
| TW200727345A (en) | Method of forming silicon film by two step deposition | |
| FI20115255A0 (fi) | Yhdistelmäpuolijohdesubstraatti, puolijohdelaite, ja valmistusmenetelmä | |
| JP2017043538A (ja) | グラフェン膜、複合体、及びそれらの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA94 | Acknowledgement of application withdrawn (non-payment of fees) |
Effective date: 20110321 |
|
| FZ9A | Application not withdrawn (correction of the notice of withdrawal) |
Effective date: 20110425 |
|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20110930 |