RU2016115398A - Способ получения диссипативных структур - Google Patents

Способ получения диссипативных структур Download PDF

Info

Publication number
RU2016115398A
RU2016115398A RU2016115398A RU2016115398A RU2016115398A RU 2016115398 A RU2016115398 A RU 2016115398A RU 2016115398 A RU2016115398 A RU 2016115398A RU 2016115398 A RU2016115398 A RU 2016115398A RU 2016115398 A RU2016115398 A RU 2016115398A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
obtaining
thickness
amorphous
layer
carbon
Prior art date
Application number
RU2016115398A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2637396C2 (ru
Inventor
Вячеслав Борисович Малков
Ирина Владимировна Николаенко
Геннадий Петрович Швейкин
Владимир Григорьевич Пушин
Андрей Вячеславович Малков
Борис Владимирович Шульгин
Олег Вячеславович Малков
Сергей Владимирович Плаксин
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук filed Critical Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук
Priority to RU2016115398A priority Critical patent/RU2637396C2/ru
Publication of RU2016115398A publication Critical patent/RU2016115398A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2637396C2 publication Critical patent/RU2637396C2/ru

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Claims (1)

  1. Способ получения диссипативной структуры в аморфной пленке в виде нанотонких кристаллов с упругим ротационным искривлением решетки, включающий нагревание и последующее охлаждение, отличающийся тем, что предварительно на подложку из слюды путем вакуумного напыления наносят слой аморфного углерода толщиной не более 25 нм с использованием в качестве источника углерода углеродный стержень, затем - слой аморфного селена толщиной не более 80 нм с использованием в качестве источника порошкообразный селен, затем - снова слой аморфного углерода толщиной не более 25 нм, и осуществляют термоградиентную обработку путем нагрева нижней поверхности подложки в интервале температур 373-463 К в течение 30-180 с, а затем осуществляют охлаждение путем закалки на воздухе.
RU2016115398A 2016-04-20 2016-04-20 Способ получения диссипативных структур RU2637396C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016115398A RU2637396C2 (ru) 2016-04-20 2016-04-20 Способ получения диссипативных структур

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016115398A RU2637396C2 (ru) 2016-04-20 2016-04-20 Способ получения диссипативных структур

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2016115398A true RU2016115398A (ru) 2017-10-25
RU2637396C2 RU2637396C2 (ru) 2017-12-04

Family

ID=60153592

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016115398A RU2637396C2 (ru) 2016-04-20 2016-04-20 Способ получения диссипативных структур

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2637396C2 (ru)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2687876C1 (ru) * 2018-07-13 2019-05-16 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук Способ диагностики эволюции нанотонких пространственных структур
CN109331665B (zh) * 2018-11-01 2021-01-05 中国原子能科学研究院 含微粒薄膜的制备方法
RU2737861C1 (ru) * 2019-07-26 2020-12-03 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" Способ исследования физических свойств и физических процессов в нанотонких пространственных диссипативных структурах

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2534719C1 (ru) * 2013-06-11 2014-12-10 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук Способ диагностики реальной структуры кристаллов
RU2570106C1 (ru) * 2014-05-30 2015-12-10 Федеральное государственное бюджетное учреждение наук Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук Способ визуализации ротационного искривления решетки нанотонких кристаллов

Also Published As

Publication number Publication date
RU2637396C2 (ru) 2017-12-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SG10201802228YA (en) Selective growth of silicon nitride
JP2015079945A5 (ru)
RU2016115398A (ru) Способ получения диссипативных структур
BR112018000181A2 (pt) dispositivo fotovoltaico compreendendo material de perovskita
JP2015143396A5 (ja) 酸化物半導体膜の成膜方法
MY198714A (en) Photovoltaic devices and method of manufacturing
JP2013145876A5 (ja) 酸化物半導体層
JP2015079946A5 (ru)
EA033122B1 (ru) Способ получения подложки, покрытой набором, содержащим слой прозрачного проводящего оксида
JP2016095504A5 (ru)
RU2018113432A (ru) Способ изготовления составной подложки из sic
JP2014241409A5 (ja) 酸化物半導体膜の作製方法
WO2015189701A3 (en) Self-assembled monolayers of phosphonic acids as dielectric surfaces for high-performance organic thin film transistors
JP2013147743A5 (ru)
JP2014181178A5 (ru)
WO2017048259A8 (en) Methods for doping a sub-fin region of a semiconductor fin structure and devices containing the same
JP2015214448A5 (ru)
JP2012216765A5 (ru)
JP2016092169A5 (ru)
EP3882370A4 (en) SUBSTRATE WITH WATER-REPELLENT OIL-REPELLENT COATING, EVAPORATION MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE WITH WATER-REPELLENT OIL-REPELLENT COATING
RU2012140590A (ru) Способ получения гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке
RU2013130125A (ru) Способ изготовления тонкого слоя диоксида кремния
JP2016022593A5 (ru)
WO2015192144A3 (en) Protective coatings for electronic devices and atomic layer deposition processes for forming the protective coatings
JP2016531837A5 (ru)

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20190421