RU2016115398A - Способ получения диссипативных структур - Google Patents
Способ получения диссипативных структур Download PDFInfo
- Publication number
- RU2016115398A RU2016115398A RU2016115398A RU2016115398A RU2016115398A RU 2016115398 A RU2016115398 A RU 2016115398A RU 2016115398 A RU2016115398 A RU 2016115398A RU 2016115398 A RU2016115398 A RU 2016115398A RU 2016115398 A RU2016115398 A RU 2016115398A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- obtaining
- thickness
- amorphous
- layer
- carbon
- Prior art date
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Claims (1)
- Способ получения диссипативной структуры в аморфной пленке в виде нанотонких кристаллов с упругим ротационным искривлением решетки, включающий нагревание и последующее охлаждение, отличающийся тем, что предварительно на подложку из слюды путем вакуумного напыления наносят слой аморфного углерода толщиной не более 25 нм с использованием в качестве источника углерода углеродный стержень, затем - слой аморфного селена толщиной не более 80 нм с использованием в качестве источника порошкообразный селен, затем - снова слой аморфного углерода толщиной не более 25 нм, и осуществляют термоградиентную обработку путем нагрева нижней поверхности подложки в интервале температур 373-463 К в течение 30-180 с, а затем осуществляют охлаждение путем закалки на воздухе.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2016115398A RU2637396C2 (ru) | 2016-04-20 | 2016-04-20 | Способ получения диссипативных структур |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2016115398A RU2637396C2 (ru) | 2016-04-20 | 2016-04-20 | Способ получения диссипативных структур |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2016115398A true RU2016115398A (ru) | 2017-10-25 |
RU2637396C2 RU2637396C2 (ru) | 2017-12-04 |
Family
ID=60153592
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2016115398A RU2637396C2 (ru) | 2016-04-20 | 2016-04-20 | Способ получения диссипативных структур |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2637396C2 (ru) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2687876C1 (ru) * | 2018-07-13 | 2019-05-16 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук | Способ диагностики эволюции нанотонких пространственных структур |
CN109331665B (zh) * | 2018-11-01 | 2021-01-05 | 中国原子能科学研究院 | 含微粒薄膜的制备方法 |
RU2737861C1 (ru) * | 2019-07-26 | 2020-12-03 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" | Способ исследования физических свойств и физических процессов в нанотонких пространственных диссипативных структурах |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2534719C1 (ru) * | 2013-06-11 | 2014-12-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук | Способ диагностики реальной структуры кристаллов |
RU2570106C1 (ru) * | 2014-05-30 | 2015-12-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение наук Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук | Способ визуализации ротационного искривления решетки нанотонких кристаллов |
-
2016
- 2016-04-20 RU RU2016115398A patent/RU2637396C2/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2637396C2 (ru) | 2017-12-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
SG10201802228YA (en) | Selective growth of silicon nitride | |
JP2015079945A5 (ru) | ||
RU2016115398A (ru) | Способ получения диссипативных структур | |
BR112018000181A2 (pt) | dispositivo fotovoltaico compreendendo material de perovskita | |
JP2015143396A5 (ja) | 酸化物半導体膜の成膜方法 | |
MY198714A (en) | Photovoltaic devices and method of manufacturing | |
JP2013145876A5 (ja) | 酸化物半導体層 | |
JP2015079946A5 (ru) | ||
EA033122B1 (ru) | Способ получения подложки, покрытой набором, содержащим слой прозрачного проводящего оксида | |
JP2016095504A5 (ru) | ||
RU2018113432A (ru) | Способ изготовления составной подложки из sic | |
JP2014241409A5 (ja) | 酸化物半導体膜の作製方法 | |
WO2015189701A3 (en) | Self-assembled monolayers of phosphonic acids as dielectric surfaces for high-performance organic thin film transistors | |
JP2013147743A5 (ru) | ||
JP2014181178A5 (ru) | ||
WO2017048259A8 (en) | Methods for doping a sub-fin region of a semiconductor fin structure and devices containing the same | |
JP2015214448A5 (ru) | ||
JP2012216765A5 (ru) | ||
JP2016092169A5 (ru) | ||
EP3882370A4 (en) | SUBSTRATE WITH WATER-REPELLENT OIL-REPELLENT COATING, EVAPORATION MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE WITH WATER-REPELLENT OIL-REPELLENT COATING | |
RU2012140590A (ru) | Способ получения гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке | |
RU2013130125A (ru) | Способ изготовления тонкого слоя диоксида кремния | |
JP2016022593A5 (ru) | ||
WO2015192144A3 (en) | Protective coatings for electronic devices and atomic layer deposition processes for forming the protective coatings | |
JP2016531837A5 (ru) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20190421 |