RU2006114333A - СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК РАСТВОРОВ (SiC)1-x(AlN)x - Google Patents
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК РАСТВОРОВ (SiC)1-x(AlN)x Download PDFInfo
- Publication number
- RU2006114333A RU2006114333A RU2006114333/15A RU2006114333A RU2006114333A RU 2006114333 A RU2006114333 A RU 2006114333A RU 2006114333/15 A RU2006114333/15 A RU 2006114333/15A RU 2006114333 A RU2006114333 A RU 2006114333A RU 2006114333 A RU2006114333 A RU 2006114333A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- sic
- aln
- solutions
- epitaxial films
- producing epitaxial
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Claims (1)
- Способ получения эпитаксиальных пленок твердого раствора карбида кремния с нитридом алюминия (SiC)1-x(AlN)x, где x больше нуля, но меньше единицы, содержащий осаждение твердого раствора на монокристаллическую подложку SiC-6Н при температуре 1000°С ионно-плазменным магнетронным распылением, отличающийся тем, что распыление мишени поликристаллического твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x, где x больше нуля, но меньше единицы, осуществляют на переменном токе с частотой 13,56 МГц.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2006114333/15A RU2333300C2 (ru) | 2006-04-26 | 2006-04-26 | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК РАСТВОРОВ (SiC)1-x(AlN)x |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2006114333/15A RU2333300C2 (ru) | 2006-04-26 | 2006-04-26 | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК РАСТВОРОВ (SiC)1-x(AlN)x |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2006114333A true RU2006114333A (ru) | 2007-11-20 |
| RU2333300C2 RU2333300C2 (ru) | 2008-09-10 |
Family
ID=38959018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2006114333/15A RU2333300C2 (ru) | 2006-04-26 | 2006-04-26 | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК РАСТВОРОВ (SiC)1-x(AlN)x |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2333300C2 (ru) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2451769C2 (ru) * | 2009-12-22 | 2012-05-27 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н.Ельцина" | Способ, устройство для получения многослойных пленок и многослойная структура, полученная с их использованием |
| EA023854B1 (ru) * | 2011-04-29 | 2016-07-29 | Зарецкий, Александр Константинович | Способ изменения аллотропных форм веществ инерционным воздействием и электромагнитная инерционная система |
| RU2521581C2 (ru) * | 2012-08-03 | 2014-06-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) | Способ получения наноалмазов при пиролизе метана в электрическом поле |
| RU2521142C2 (ru) * | 2012-09-21 | 2014-06-27 | Общество с ограниченной ответственностью "СИКЛАБ" | Способ получения гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке |
-
2006
- 2006-04-26 RU RU2006114333/15A patent/RU2333300C2/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2333300C2 (ru) | 2008-09-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2006130622A3 (en) | Growth of planar non-polar{1-1 0 0} m-plane gallium nitride with metalorganic chemical vapor deposition (mocvd) | |
| UA95942C2 (ru) | Способ получения солнечного элемента применение тетрахлорида кремния в нем и тонкопленочный солнечный элемент полученный данным способом | |
| TWI265558B (en) | Method for depositing III-V semiconductor layers on a non-III-V substrate | |
| TW201101373A (en) | Diamond GaN devices and associated methods | |
| WO2008127425A3 (en) | Abatement of reaction gases from gallium nitride deposition | |
| Boyd et al. | Growth of GaN/AlGaN on 200 mm diameter silicon (111) wafers by MOCVD | |
| FR2977260B1 (fr) | Procede de fabrication d'une couche epitaxiale epaisse de nitrure de gallium sur un substrat de silicium ou analogue et couche obtenue par ledit procede | |
| CN105914139A (zh) | 一种石墨烯上自组织成核外延GaN材料的方法 | |
| JP2010533633A5 (ru) | ||
| TW200943393A (en) | A semiconductor wafer with a heteroepitaxial layer and a method for producing the wafer | |
| SG157279A1 (en) | Method for producing an epitaxially coated semiconductor wafer | |
| RU2006114333A (ru) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК РАСТВОРОВ (SiC)1-x(AlN)x | |
| Wang et al. | Effect of residual stress on the microstructure of GaN epitaxial films grown by pulsed laser deposition | |
| CN101661876A (zh) | 一种制备氮化物自支撑衬底的方法 | |
| Guo et al. | Heteroepitaxial growth of gallium nitride on (1 1 1) GaAs substrates by radio frequency magnetron sputtering | |
| JP2013505590A5 (ru) | ||
| Guo et al. | Reactive sputter deposition of AlInN thin films | |
| JP5333156B2 (ja) | 気相成長装置 | |
| US20140001486A1 (en) | Composite semidconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing method | |
| Shinoda et al. | Preparation and properties of GaN: Al layers grown by radio-frequency magnetron sputter epitaxy | |
| RU2012140590A (ru) | Способ получения гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке | |
| Hamada et al. | Preparation of single-crystalline ZnO films on ZnO-buffered a-plane sapphire by chemical bath deposition | |
| Fouda et al. | Ultra-smooth and lattice relaxed ZnO thin films | |
| JP2015103652A (ja) | 気相成長装置 | |
| CN103474331A (zh) | 在蓝宝石衬底上生长外延用AlN模板的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20130427 |