RU2010123917A - Способ получения больших однородных кристаллов карбида кремния с использованием процессов возгонки и конденсации - Google Patents
Способ получения больших однородных кристаллов карбида кремния с использованием процессов возгонки и конденсации Download PDFInfo
- Publication number
- RU2010123917A RU2010123917A RU2010123917/05A RU2010123917A RU2010123917A RU 2010123917 A RU2010123917 A RU 2010123917A RU 2010123917/05 A RU2010123917/05 A RU 2010123917/05A RU 2010123917 A RU2010123917 A RU 2010123917A RU 2010123917 A RU2010123917 A RU 2010123917A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- reaction chamber
- polycrystalline silicon
- cylindrical reaction
- furnace
- chips
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/90—Carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/90—Carbides
- C01B32/914—Carbides of single elements
- C01B32/956—Silicon carbide
- C01B32/963—Preparation from compounds containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/90—Carbides
- C01B32/914—Carbides of single elements
- C01B32/956—Silicon carbide
- C01B32/963—Preparation from compounds containing silicon
- C01B32/984—Preparation from elemental silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/80—Compositional purity
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/005—Growth of whiskers or needles
Abstract
1. Способ получения монолитных кристаллов карбида кремния, включающий ! i) введение смеси, содержащей крошку поликристаллического кремния и порошок углерода, в цилиндрическую реакционную камеру, имеющую крышку; ! ii) герметизацию цилиндрической реакционной камеры; ! iii) помещение цилиндрической реакционной камеры в вакуумную печь; ! iv) откачивание из печи воздуха; ! v) заполнение печи смесью газов, которые по существу являются инертными газами, до приблизительно атмосферного давления; ! vi) нагревание цилиндрической реакционной камеры в печи до температуры от 1600 до 2500°С; ! vii) снижение давления в цилиндрической реакционной камере до менее 50 торр, но не менее 0,05 торр; и ! viii) осуществление сублимации и конденсации паров на внутренней части крышки цилиндрической реакционной камеры. ! 2. Способ по п.1, где размеры и форма частиц крошки поликристаллического кремния и порошка углерода существенно отличаются. ! 3. Способ по п.1 или 2, где размеры частиц крошки поликристаллического кремния составляют от 0,5 до 10 мм. ! 4. Способ по п.1, где размеры частиц крошки поликристаллического кремния составляют от 1 до 3,5 мм. ! 5. Способ по п.2, где размеры частиц крошки поликристаллического кремния составляют от 1 до 3,5 мм. ! 6. Способ по п.1, 2, 4 или 5, где размеры частиц порошка углерода составляют от 5 до 125 мкм. ! 7. Способ по п.1, где смесь крошки поликристаллического кремния и порошка углерода занимает 35-50% общего объема реакционной камеры. ! 8. Способ по п.1, где смесь газов содержит аргон. ! 9. Способ по п.1, где реакционную камеру изготавливают из электропроводного графита. ! 10. Способ по п.1, где в реакционной камере устанавливают затравочный кристалл ка�
Claims (16)
1. Способ получения монолитных кристаллов карбида кремния, включающий
i) введение смеси, содержащей крошку поликристаллического кремния и порошок углерода, в цилиндрическую реакционную камеру, имеющую крышку;
ii) герметизацию цилиндрической реакционной камеры;
iii) помещение цилиндрической реакционной камеры в вакуумную печь;
iv) откачивание из печи воздуха;
v) заполнение печи смесью газов, которые по существу являются инертными газами, до приблизительно атмосферного давления;
vi) нагревание цилиндрической реакционной камеры в печи до температуры от 1600 до 2500°С;
vii) снижение давления в цилиндрической реакционной камере до менее 50 торр, но не менее 0,05 торр; и
viii) осуществление сублимации и конденсации паров на внутренней части крышки цилиндрической реакционной камеры.
2. Способ по п.1, где размеры и форма частиц крошки поликристаллического кремния и порошка углерода существенно отличаются.
3. Способ по п.1 или 2, где размеры частиц крошки поликристаллического кремния составляют от 0,5 до 10 мм.
4. Способ по п.1, где размеры частиц крошки поликристаллического кремния составляют от 1 до 3,5 мм.
5. Способ по п.2, где размеры частиц крошки поликристаллического кремния составляют от 1 до 3,5 мм.
6. Способ по п.1, 2, 4 или 5, где размеры частиц порошка углерода составляют от 5 до 125 мкм.
7. Способ по п.1, где смесь крошки поликристаллического кремния и порошка углерода занимает 35-50% общего объема реакционной камеры.
8. Способ по п.1, где смесь газов содержит аргон.
9. Способ по п.1, где реакционную камеру изготавливают из электропроводного графита.
10. Способ по п.1, где в реакционной камере устанавливают затравочный кристалл карбида кремния на внутреннюю поверхность крышки камеры.
11. Способ по п.1, дополнительно включающий
ix) введение продукта со стадии viii) во вторую цилиндрическую реакционную камеру, содержащую затравочный кристалл карбида кремния, помещенный на внутренней поверхности крышки камеры;
x) герметизацию цилиндрической реакционной камеры;
xi) помещение цилиндрической реакционной камеры в вакуумную печь;
xii) откачивание из печи воздуха;
xiii) заполнение печи смесью газов, которые по существу являются инертными газами, до приблизительно атмосферного давления;
xiv) нагревание цилиндрической реакционной камеры в печи до температуры от 1600 до 2500°С;
xv) снижение давления в цилиндрической реакционной камере до менее 50 торр, но не менее 0,05 торр; и
xvi) осуществление сублимации и конденсации паров на внутренней части крышки цилиндрической реакционной камеры.
12. Способ по п.1 или 11, где используют реакционную камеру, изготовленную из электропроводного графита высокой степени чистоты, порошок углерода высокой степени чистоты и крошку поликристаллического кремния высокой степени чистоты.
13. Способ по п.11, где используют реакционную камеру, изготовленную из электропроводного графита высокой степени чистоты.
14. Способ по п.1 или 11, где для заполнения печи после откачивания воздуха используют смесь газов, которая дополнительно содержит легирующий газ.
15. Способ по п.14, где легирующий газ выбирают из азота, фосфорсодержащего газа, бор-содержащего газа или алюминий-содержащего газа.
16. Продукт из карбида кремния, изготовленный с использованием крошки поликристаллического кремния, содержащей общее количество атомных концентраций В, Р, Al, Ti, V и Fe менее 1×1016 /см3.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US1308307P | 2007-12-12 | 2007-12-12 | |
US61/013,083 | 2007-12-12 | ||
PCT/US2008/079126 WO2009075935A1 (en) | 2007-12-12 | 2008-10-08 | Method to manufacture large uniform ingots of silicon carbide by sublimation/condensation processes |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2010123917A true RU2010123917A (ru) | 2012-01-20 |
RU2495163C2 RU2495163C2 (ru) | 2013-10-10 |
Family
ID=40344869
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2010123917/05A RU2495163C2 (ru) | 2007-12-12 | 2008-10-08 | Способ получения больших однородных кристаллов карбида кремния с использованием процессов возгонки и конденсации |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8765091B2 (ru) |
EP (1) | EP2245217A1 (ru) |
JP (1) | JP5524855B2 (ru) |
KR (1) | KR101566020B1 (ru) |
CN (1) | CN101896646A (ru) |
AU (1) | AU2008335680B2 (ru) |
RU (1) | RU2495163C2 (ru) |
TW (1) | TWI441963B (ru) |
WO (1) | WO2009075935A1 (ru) |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9388509B2 (en) | 2005-12-07 | 2016-07-12 | Ii-Vi Incorporated | Method for synthesizing ultrahigh-purity silicon carbide |
DE102009016132B4 (de) * | 2009-04-03 | 2012-12-27 | Sicrystal Ag | Verfahren zur Herstellung eines langen Volumeneinkristalls aus SiC oder AlN und langer Volumeneinkristall aus SiC oder AlN |
JP2012240869A (ja) * | 2011-05-18 | 2012-12-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素粉末および炭化珪素粉末の製造方法 |
JP2013189355A (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 |
CN102674357A (zh) * | 2012-05-29 | 2012-09-19 | 上海硅酸盐研究所中试基地 | 用于碳化硅单晶生长的高纯碳化硅原料的合成方法 |
JP5219230B1 (ja) * | 2012-09-04 | 2013-06-26 | エルシード株式会社 | SiC蛍光材料及びその製造方法並びに発光素子 |
US8860040B2 (en) | 2012-09-11 | 2014-10-14 | Dow Corning Corporation | High voltage power semiconductor devices on SiC |
US9018639B2 (en) | 2012-10-26 | 2015-04-28 | Dow Corning Corporation | Flat SiC semiconductor substrate |
US9797064B2 (en) | 2013-02-05 | 2017-10-24 | Dow Corning Corporation | Method for growing a SiC crystal by vapor deposition onto a seed crystal provided on a support shelf which permits thermal expansion |
US9017804B2 (en) | 2013-02-05 | 2015-04-28 | Dow Corning Corporation | Method to reduce dislocations in SiC crystal growth |
US9738991B2 (en) | 2013-02-05 | 2017-08-22 | Dow Corning Corporation | Method for growing a SiC crystal by vapor deposition onto a seed crystal provided on a supporting shelf which permits thermal expansion |
US8940614B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-01-27 | Dow Corning Corporation | SiC substrate with SiC epitaxial film |
US11091370B2 (en) | 2013-05-02 | 2021-08-17 | Pallidus, Inc. | Polysilocarb based silicon carbide materials, applications and devices |
US9657409B2 (en) * | 2013-05-02 | 2017-05-23 | Melior Innovations, Inc. | High purity SiOC and SiC, methods compositions and applications |
US10322936B2 (en) | 2013-05-02 | 2019-06-18 | Pallidus, Inc. | High purity polysilocarb materials, applications and processes |
US9919972B2 (en) * | 2013-05-02 | 2018-03-20 | Melior Innovations, Inc. | Pressed and self sintered polymer derived SiC materials, applications and devices |
WO2015012954A1 (en) * | 2013-07-26 | 2015-01-29 | Ii-Vi Incorporated | Method for synthesizing ultrahigh-purity silicon carbide |
US10633762B2 (en) | 2013-09-06 | 2020-04-28 | GTAT Corporation. | Method for producing bulk silicon carbide by sublimation of a silicon carbide precursor prepared from silicon and carbon particles or particulate silicon carbide |
US9279192B2 (en) | 2014-07-29 | 2016-03-08 | Dow Corning Corporation | Method for manufacturing SiC wafer fit for integration with power device manufacturing technology |
CN105734672B (zh) * | 2014-12-10 | 2018-11-30 | 北京天科合达半导体股份有限公司 | 一种在含氧气氛下生长高质量碳化硅晶体的方法 |
CN107223168B (zh) * | 2015-02-05 | 2019-11-05 | 美国陶氏有机硅公司 | 用于宽能带隙晶体的种晶升华的炉 |
CN105463573A (zh) * | 2015-12-22 | 2016-04-06 | 中国电子科技集团公司第二研究所 | 降低碳化硅晶体杂质并获得高纯半绝缘碳化硅晶体的方法 |
CN107190322B (zh) * | 2017-04-01 | 2019-06-11 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种大尺寸电阻率可调的碳化硅多晶陶瓷的生长方法 |
CN109205625B (zh) * | 2017-07-03 | 2020-12-25 | 比亚迪股份有限公司 | 一种制备碳化硅粉末的方法 |
CN109646979B (zh) * | 2019-01-10 | 2021-04-20 | 成都中建材光电材料有限公司 | 一种高纯无氧硒真空精馏装置 |
TWI794908B (zh) * | 2020-07-27 | 2023-03-01 | 環球晶圓股份有限公司 | 碳化矽晶圓及其製備方法 |
RU2770838C1 (ru) * | 2021-05-04 | 2022-04-22 | Юрий Николаевич Макаров | СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КАРБИДА КРЕМНИЯ С ПРОВОДИМОСТЬЮ n-ТИПА |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL87348C (ru) | 1954-03-19 | 1900-01-01 | ||
JPH06316499A (ja) * | 1993-04-30 | 1994-11-15 | Sharp Corp | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
JP3934695B2 (ja) * | 1995-05-31 | 2007-06-20 | 株式会社ブリヂストン | 炭化ケイ素単結晶製造用高純度炭化ケイ素粉体の製造方法 |
DE19527536A1 (de) * | 1995-07-27 | 1997-01-30 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen von Siliciumcarbid-Einkristallen |
JPH0977594A (ja) * | 1995-09-11 | 1997-03-25 | Nippon Steel Corp | 低抵抗単結晶炭化珪素の製造方法 |
RU2094547C1 (ru) * | 1996-01-22 | 1997-10-27 | Юрий Александрович Водаков | Сублимационный способ выращивания монокристаллов карбида кремния и источник карбида кремния для осуществления способа |
US5985024A (en) | 1997-12-11 | 1999-11-16 | Northrop Grumman Corporation | Method and apparatus for growing high purity single crystal silicon carbide |
WO2000004211A1 (de) * | 1998-07-13 | 2000-01-27 | Siemens Aktiengesellschaft | VERFAHREN ZUR ZÜCHTUNG VON SiC-EINKRISTALLEN |
US6396080B2 (en) * | 1999-05-18 | 2002-05-28 | Cree, Inc | Semi-insulating silicon carbide without vanadium domination |
JP4288792B2 (ja) * | 1999-10-15 | 2009-07-01 | 株式会社デンソー | 単結晶製造方法及び単結晶製造装置 |
AU2225601A (en) * | 1999-12-27 | 2001-07-09 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for producing single crystal of silicon carbide |
WO2002021575A2 (en) * | 2000-09-06 | 2002-03-14 | Silbid Ltd. | Method of producing silicon carbide and various forms thereof |
US6811761B2 (en) * | 2000-11-10 | 2004-11-02 | Shipley Company, L.L.C. | Silicon carbide with high thermal conductivity |
JP4903946B2 (ja) | 2000-12-28 | 2012-03-28 | 株式会社ブリヂストン | 炭化ケイ素単結晶の製造方法及び製造装置 |
JP4830073B2 (ja) * | 2001-03-27 | 2011-12-07 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 炭化珪素単結晶の成長方法 |
JP4813021B2 (ja) * | 2002-02-14 | 2011-11-09 | レック シリコン インコーポレイテッド | ポリシリコンの製造方法 |
US7601441B2 (en) * | 2002-06-24 | 2009-10-13 | Cree, Inc. | One hundred millimeter high purity semi-insulating single crystal silicon carbide wafer |
JP5740111B2 (ja) * | 2010-07-22 | 2015-06-24 | 三菱マテリアル株式会社 | 多結晶シリコンインゴット製造装置、多結晶シリコンインゴットの製造方法及び多結晶シリコンインゴット |
JP2014047105A (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-17 | Shinano Denki Seiren Kk | 炭化珪素粉の製造方法 |
-
2008
- 2008-10-08 KR KR1020107014917A patent/KR101566020B1/ko active IP Right Grant
- 2008-10-08 CN CN2008801204121A patent/CN101896646A/zh active Pending
- 2008-10-08 RU RU2010123917/05A patent/RU2495163C2/ru active
- 2008-10-08 JP JP2010538004A patent/JP5524855B2/ja active Active
- 2008-10-08 US US12/744,532 patent/US8765091B2/en active Active
- 2008-10-08 AU AU2008335680A patent/AU2008335680B2/en not_active Ceased
- 2008-10-08 WO PCT/US2008/079126 patent/WO2009075935A1/en active Application Filing
- 2008-10-08 EP EP08859709A patent/EP2245217A1/en not_active Withdrawn
- 2008-10-09 TW TW097139066A patent/TWI441963B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200932964A (en) | 2009-08-01 |
WO2009075935A1 (en) | 2009-06-18 |
AU2008335680A1 (en) | 2009-06-18 |
US8765091B2 (en) | 2014-07-01 |
TWI441963B (zh) | 2014-06-21 |
AU2008335680B2 (en) | 2013-11-21 |
RU2495163C2 (ru) | 2013-10-10 |
KR20100100944A (ko) | 2010-09-15 |
KR101566020B1 (ko) | 2015-11-04 |
JP5524855B2 (ja) | 2014-06-18 |
US20120114545A1 (en) | 2012-05-10 |
EP2245217A1 (en) | 2010-11-03 |
JP2011506253A (ja) | 2011-03-03 |
CN101896646A (zh) | 2010-11-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2010123917A (ru) | Способ получения больших однородных кристаллов карбида кремния с использованием процессов возгонки и конденсации | |
US9388509B2 (en) | Method for synthesizing ultrahigh-purity silicon carbide | |
CN109502589A (zh) | 一种制备高纯碳化硅粉料的方法 | |
CN106698436B (zh) | 一种高纯碳化硅粉料的制备方法 | |
EP3024962B1 (en) | Method for synthesizing ultrahigh-purity silicon carbide | |
CN112030232B (zh) | 一种碳化硅单晶生长坩埚及生长方法 | |
JPH10291899A (ja) | 炭化ケイ素単結晶の製造方法及びその製造装置 | |
EP1375423B1 (en) | Use of a low nitrogen concentration carbonaceous material as a jig. | |
CN111484019A (zh) | 一种用于单晶生长的高纯碳化硅粉体制备方法 | |
WO2019095634A1 (zh) | 一种高纯碳化硅原料的合成方法及其应用 | |
CN110203933B (zh) | 一种降低碳化硅粉体中氮杂质含量的方法 | |
WO2009098997A1 (ja) | 炭化ケイ素単結晶の製造方法 | |
JP5362992B2 (ja) | ダイヤモンドの合成 | |
CN108046246B (zh) | 一种工艺气体辅助的石墨烯薄膜生长方法 | |
CN113735110B (zh) | 一种半导体级石墨粉的纯化方法 | |
CN111362701B (zh) | 一种碳化硅晶块的制备装置、碳化硅晶块及其制备方法 | |
CN109437148B (zh) | 由碳化硅长晶剩料制备高纯碳材料的方法 | |
US20180087186A1 (en) | Method of producing carbide raw material | |
CN117342560B (zh) | 碳化硅粉料合成方法 | |
US10246334B2 (en) | Method of producing heterophase graphite | |
CN215976142U (zh) | 碳化硅粉料合成装置 | |
CN103361729A (zh) | 一种制备p型氮化铝晶体的方法 | |
CN113562733A (zh) | 一种高纯碳化硅原料的合成方法 | |
CN117735544A (zh) | 一种半导体级石墨粉的深度纯化方法 | |
CN115896945A (zh) | 碳化硅粉料合成装置及方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PD4A | Correction of name of patent owner | ||
PC41 | Official registration of the transfer of exclusive right |
Effective date: 20200226 |
|
PC41 | Official registration of the transfer of exclusive right |
Effective date: 20200716 |