RU2009138235A - Способ получения монокристалла оксида цинка - Google Patents
Способ получения монокристалла оксида цинка Download PDFInfo
- Publication number
- RU2009138235A RU2009138235A RU2009138235/05A RU2009138235A RU2009138235A RU 2009138235 A RU2009138235 A RU 2009138235A RU 2009138235/05 A RU2009138235/05 A RU 2009138235/05A RU 2009138235 A RU2009138235 A RU 2009138235A RU 2009138235 A RU2009138235 A RU 2009138235A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- zinc oxide
- single crystal
- melt
- crystal
- producing
- Prior art date
Links
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 114
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 title claims abstract 57
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 5
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims abstract 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 13
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract 11
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims abstract 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract 7
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 claims abstract 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims abstract 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 6
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims 4
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(II) oxide Inorganic materials [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- FPHIOHCCQGUGKU-UHFFFAOYSA-L difluorolead Chemical compound F[Pb]F FPHIOHCCQGUGKU-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- UQGFMSUEHSUPRD-UHFFFAOYSA-N disodium;3,7-dioxido-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3,5,7-tetraborabicyclo[3.3.1]nonane Chemical compound [Na+].[Na+].O1B([O-])OB2OB([O-])OB1O2 UQGFMSUEHSUPRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims 1
- HWSZZLVAJGOAAY-UHFFFAOYSA-L lead(II) chloride Chemical compound Cl[Pb]Cl HWSZZLVAJGOAAY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
1. Способ получения монокристалла оксида цинка методом вытягивания из расплава, включающий осаждение кристалла оксида цинка на затравочном кристалле в верхней части и из смешанного расплава оксида цинка и растворителя, способного растворять оксид цинка и имеющего более высокую среднюю плотность, чем оксид цинка в расплаве, и вытягивание монокристалла оксида цинка. ! 2. Способ получения монокристалла оксида цинка по п.1, при котором кристалл оксида цинка осаждают на затравочном кристалле из упомянутого смешанного расплава, монокристалл оксида цинка вытягивают из расплава, и при упомянутом вытягивании подают такое же количество исходного материала оксида цинка, что и количество вытянутого оксида цинка, для непрерывного вытягивания монокристалла оксида цинка. ! 3. Способ получения монокристалла оксида цинка по п.2, при котором после вытягивания определенного количества кристалла оксида цинка из расплава повторяют операцию подачи в расплав такого же количества исходного материала оксида цинка, что и количество вытянутого оксида цинка, и вновь вытягивают кристалл оксида цинка из расплава, а вытягиваемое количество оксида цинка регулируют до количества, не позволяющего составу расплава вблизи кристалла превратиться в состав, состоящий только из жидкой фазы выше линии ликвидуса на фазовой диаграмме системы с использованием растворителя и оксида цинка в качестве компонентов. ! 4. Способ получения монокристалла оксида цинка по любому из пп.1-3, при котором исходный материал оксид цинка предварительно нагревают, а затем подают. ! 5. Способ получения монокристалла оксида цинка по п.4, при котором разница между тем�
Claims (11)
1. Способ получения монокристалла оксида цинка методом вытягивания из расплава, включающий осаждение кристалла оксида цинка на затравочном кристалле в верхней части и из смешанного расплава оксида цинка и растворителя, способного растворять оксид цинка и имеющего более высокую среднюю плотность, чем оксид цинка в расплаве, и вытягивание монокристалла оксида цинка.
2. Способ получения монокристалла оксида цинка по п.1, при котором кристалл оксида цинка осаждают на затравочном кристалле из упомянутого смешанного расплава, монокристалл оксида цинка вытягивают из расплава, и при упомянутом вытягивании подают такое же количество исходного материала оксида цинка, что и количество вытянутого оксида цинка, для непрерывного вытягивания монокристалла оксида цинка.
3. Способ получения монокристалла оксида цинка по п.2, при котором после вытягивания определенного количества кристалла оксида цинка из расплава повторяют операцию подачи в расплав такого же количества исходного материала оксида цинка, что и количество вытянутого оксида цинка, и вновь вытягивают кристалл оксида цинка из расплава, а вытягиваемое количество оксида цинка регулируют до количества, не позволяющего составу расплава вблизи кристалла превратиться в состав, состоящий только из жидкой фазы выше линии ликвидуса на фазовой диаграмме системы с использованием растворителя и оксида цинка в качестве компонентов.
4. Способ получения монокристалла оксида цинка по любому из пп.1-3, при котором исходный материал оксид цинка предварительно нагревают, а затем подают.
5. Способ получения монокристалла оксида цинка по п.4, при котором разница между температурой предварительного нагрева и температурой расплава составляет в пределах 100°С.
6. Способ получения монокристалла оксида цинка по п.2 или 3, при котором предусматривают перемычку между областью вытягивания кристалла для вытягивания кристалла из расплава и зоной подачи для подачи исходного материала оксида цинка так, чтобы не вызывать турбулентности в расплаве в области вытягивания кристалла во время подачи исходного материала оксида цинка.
7. Способ получения монокристалла оксида цинка по п.1 или 2, при котором упомянутым растворителем является растворитель, образованный одним или более видами соединений, дающих эвтектический состав от 30 до 99,9 мол.% в единицах концентрации оксида цинка и с температурой эвтектики от 700 до 1720°С, которые представляют собой соединения, образующие эвтектическую фазовую диаграмму с оксидом цинка в качестве растворяемого вещества.
8. Способ получения монокристалла оксида цинка по п.1 или 2, при котором в качестве упомянутого растворителя используют соединение, образующее эвтектическую фазовую диаграмму с оксидом цинка в качестве растворяемого вещества и имеющее среднюю плотность (при комнатной температуре) в 5,6 г/см3 или более в твердом состоянии.
9. Способ получения монокристалла оксида цинка по п.1 или 2, при котором соединение, составляющее упомянутый растворитель, содержит один или более компонентов из оксида и галогенида, такого, как фторид и хлорид.
10. Способ получения монокристалла оксида цинка по п.1 или 2, при котором соотношение компонентов в смеси между оксидом цинка и соединением, составляющим упомянутый растворитель, составляет от 99,9 до 30 мол.% против от 0,1 до 70 мол.%, а соотношение компонентов в смеси соответствующих растворителей составляет от 0 до 100 мол.%.
11. Способ получения монокристалла оксида цинка по п.1 или 2, при котором соединение, составляющее упомянутый растворитель, содержит один или более компонентов из оксида вольфрама (WO3), фторида свинца (PbF2), хлорида свинца (PbCl2), оксида ниобия (Nb2O3), монооксида кобальта (CoO), диоксида кремния (SiO2), оксида титана (TiO2), оксида алюминия (Al2O3) и тетрабората натрия (Na2B4O7).
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007-068848 | 2007-03-16 | ||
| JP2007068848 | 2007-03-16 | ||
| PCT/JP2008/055198 WO2008114855A1 (ja) | 2007-03-16 | 2008-03-14 | 酸化亜鉛単結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2009138235A true RU2009138235A (ru) | 2011-04-27 |
| RU2474625C2 RU2474625C2 (ru) | 2013-02-10 |
Family
ID=39765955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2009138235/05A RU2474625C2 (ru) | 2007-03-16 | 2008-03-14 | Способ получения монокристалла оксида цинка |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8409348B2 (ru) |
| JP (1) | JP5067419B2 (ru) |
| CN (1) | CN101646809B (ru) |
| RU (1) | RU2474625C2 (ru) |
| WO (1) | WO2008114855A1 (ru) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102131530A (zh) * | 2008-06-27 | 2011-07-20 | 心脏起搏器公司 | 聚异丁烯-氨基甲酸酯共聚物、聚异丁烯-脲共聚物和聚异丁烯-氨基甲酸酯/脲共聚物及含有这类共聚物的医疗器械 |
| EP2385960B1 (en) * | 2009-01-12 | 2020-03-11 | University Of Massachusetts Lowell | Polyisobutylene-based polyurethanes |
| JP2010235350A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Ube Ind Ltd | 酸化亜鉛単結晶の製造方法 |
| CN102573940B (zh) | 2009-08-21 | 2015-04-01 | 心脏起搏器公司 | 可交联聚异丁烯类聚合物及包含其的医疗装置 |
| US8374704B2 (en) | 2009-09-02 | 2013-02-12 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Polyisobutylene urethane, urea and urethane/urea copolymers and medical leads containing the same |
| US8644952B2 (en) | 2009-09-02 | 2014-02-04 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Medical devices including polyisobutylene based polymers and derivatives thereof |
| KR101690490B1 (ko) * | 2010-10-21 | 2016-12-28 | 에스케이이노베이션 주식회사 | 탄화규소 단결정의 제조방법 및 장치 |
| JP5739007B2 (ja) | 2010-12-20 | 2015-06-24 | カーディアック ペースメイカーズ， インコーポレイテッド | 導電性ポリマー導体を有するリード及びその製造方法 |
| EP2922888B1 (en) | 2012-11-21 | 2021-08-18 | The University of Massachusetts | High strength polyisobutylene polyurethanes |
| WO2018165273A1 (en) | 2017-03-07 | 2018-09-13 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Hydroboration/oxidation of allyl-terminated polyisobutylene |
| US10415149B2 (en) * | 2017-03-31 | 2019-09-17 | Silfex, Inc. | Growth of a shaped silicon ingot by feeding liquid onto a shaped ingot |
| CN106958041B (zh) * | 2017-05-27 | 2019-01-29 | 山东大学 | 一种xTeO2·P2O5(x＝2,4)晶体的制备方法及制备装置 |
| EP3668912B1 (en) | 2017-08-17 | 2021-06-30 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Photocrosslinked polymers for enhanced durability |
| CN111479596B (zh) | 2018-01-17 | 2023-04-07 | 心脏起搏器股份公司 | 封端聚异丁烯聚氨酯 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4944870B1 (ru) * | 1967-09-21 | 1974-11-30 | ||
| JPH04367588A (ja) * | 1991-06-17 | 1992-12-18 | Fujitsu Ltd | エピタキシャル結晶の製造方法 |
| JPH08253393A (ja) * | 1995-01-19 | 1996-10-01 | Hoya Corp | Ｋｔｐ固溶体単結晶及びその製造方法 |
| JP3548910B2 (ja) * | 2000-12-26 | 2004-08-04 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | ＺｎＯ単結晶の製造方法 |
| JP3694736B2 (ja) * | 2001-06-12 | 2005-09-14 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 酸化亜鉛単結晶の製造方法 |
| US7708831B2 (en) * | 2006-03-01 | 2010-05-04 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Process for producing ZnO single crystal according to method of liquid phase growth |
-
2008
- 2008-03-14 CN CN200880005468.2A patent/CN101646809B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-03-14 RU RU2009138235/05A patent/RU2474625C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2008-03-14 JP JP2009505251A patent/JP5067419B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-03-14 WO PCT/JP2008/055198 patent/WO2008114855A1/ja active Application Filing
- 2008-03-14 US US12/531,087 patent/US8409348B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5067419B2 (ja) | 2012-11-07 |
| CN101646809B (zh) | 2014-01-29 |
| US20100107967A1 (en) | 2010-05-06 |
| JPWO2008114855A1 (ja) | 2010-07-08 |
| RU2474625C2 (ru) | 2013-02-10 |
| WO2008114855A1 (ja) | 2008-09-25 |
| CN101646809A (zh) | 2010-02-10 |
| US8409348B2 (en) | 2013-04-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2009138235A (ru) | Способ получения монокристалла оксида цинка | |
| RU2670865C2 (ru) | Способ регулирования содержания галлия в сцинтилляторах на основе гадолиний-галлиевых гранатов | |
| JP5207432B2 (ja) | アンチ溶媒凝固プロセス | |
| CN106178583B (zh) | 一种溶析结晶过程中晶体产品粒度的反馈控制方法 | |
| Maurera et al. | Microstructural and optical characterization of CaWO4 and SrWO4 thin films prepared by a chemical solution method | |
| JP2016522135A5 (ru) | ||
| CN105350078B (zh) | 一种快速制备大面积钙钛矿晶体的方法 | |
| CN106634987A (zh) | 金属卤化物钙钛矿量子点CsSnX3及其制备方法 | |
| CN107739611A (zh) | 一种快速简单制备室温CsPbX3钙钛矿量子点的方法 | |
| CN108559503A (zh) | 一种Cs2AgBiBr6双钙钛矿及其制备方法 | |
| US10961452B2 (en) | Method for controlling gallium content in gadolinium-gallium garnet scintillators | |
| CN106902651A (zh) | 一种亲疏水性梯度变化的复合膜制备方法 | |
| CN112853466A (zh) | 一种低温溶剂法生长铜基无铅钙钛矿单晶的方法 | |
| CN106442607A (zh) | 一种调控甘氨酸冷却结晶出晶点温度的方法 | |
| Sethuraman et al. | Unidirectional growth of< 1 1 0> ammonium dihydrogen orthophosphate single crystal by Sankaranarayanan–Ramasamy method | |
| JP2021501755A (ja) | 大きいサイズのイソキサゾリン粒子の調製方法 | |
| CN105481687A (zh) | 一种邻甲氧基苯甲酰氯的制备方法 | |
| JP2005306640A (ja) | アルカリ土類金属の炭酸塩結晶の製造方法およびアルカリ土類金属の炭酸塩結晶 | |
| CN101831709A (zh) | 一种Re3+:KY(WO4)2激光晶体的生长方法 | |
| CN103949655A (zh) | 一种用化学计量比的原料和溶胶凝胶法制备硅酸铋粉体的方法 | |
| BR112020020036A2 (pt) | Método de controle do teor de gálio em cintiladores de granada de gadolínio e gálio | |
| CN102485976A (zh) | 近化学计量比铌酸锂单晶的生长方法及装置 | |
| CN103588860B (zh) | 丙谷二肽球形晶体的制备方法 | |
| JPS63230520A (ja) | 粒子径が制御された炭酸カルシウムの製造法 | |
| CN106432201A (zh) | 一种坎地沙坦酯结晶的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20170315 |