RU2008131699A - Лавинный фотодиод в режиме счетчика гейгера - Google Patents
Лавинный фотодиод в режиме счетчика гейгера Download PDFInfo
- Publication number
- RU2008131699A RU2008131699A RU2008131699/28A RU2008131699A RU2008131699A RU 2008131699 A RU2008131699 A RU 2008131699A RU 2008131699/28 A RU2008131699/28 A RU 2008131699/28A RU 2008131699 A RU2008131699 A RU 2008131699A RU 2008131699 A RU2008131699 A RU 2008131699A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- photodiode
- layer
- depletion region
- photodiodes
- avalanche
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 12
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims abstract 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 claims 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 2
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1464—Back illuminated imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/107—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
Landscapes
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
1. Лавинный фотодиод, содержащий: ! полупроводниковую обедненную область (204); ! анод (208, 210); ! катод (208, 210); ! в котором падающие фотоны (202), имеющие длину волны в синем конце видимого спектра, поглощаются в обедненной области, с тем чтобы формировать носители заряда, и в котором носители заряда подвергаются ударной ионизации в обедненной области, с тем чтобы формировать ток лавинного процесса в фотодиоде. ! 2. Фотодиод по п.1, в котором фотодиод содержит принимающую свет поверхность (222) и электроизолирующий слой (202), и в котором электроизолирующий слой располагается между принимающей свет поверхностью и обедненной областью. ! 3. Фотодиод по п.2, в котором электроизолирующий слой изготовлен из слоя углубленного оксида пластины из кремния на диэлектрике (SOI; КНД). ! 4. Фотодиод по п.2, содержащий средство для уменьшения воздействия дефектов кристаллической решетки на поверхности раздела между обедненной областью и электроизолирующим слоем. ! 5. Фотодиод по п.4, в котором средство для уменьшения воздействия содержит тонкий легированный полупроводниковый слой (206). ! 6. Фотодиод по п.2, в котором фотодиод освещается сзади. ! 7. Фотодиод по п.2, в котором фотодиод содержит: ! несущую пластину (217); ! слой (212) межсоединений, физически расположенный между обедненной областью и несущей пластиной. ! 8. Фотодиод по п.1, содержащий сцинтиллятор (602), оптически соединенный с обедненной областью. ! 9. Фотодиод по п.8, в котором сцинтиллятор содержит одно вещество из множества, состоящего из LySO, LSO, LGSO или LaBr. ! 10. Фотодиод по п.1 в котором анод и катод выполнены в виде встречно-штыревой структуры. ! 11. Способ производства матрицы лавинных фотодиодов с использов
Claims (34)
1. Лавинный фотодиод, содержащий:
полупроводниковую обедненную область (204);
анод (208, 210);
катод (208, 210);
в котором падающие фотоны (202), имеющие длину волны в синем конце видимого спектра, поглощаются в обедненной области, с тем чтобы формировать носители заряда, и в котором носители заряда подвергаются ударной ионизации в обедненной области, с тем чтобы формировать ток лавинного процесса в фотодиоде.
2. Фотодиод по п.1, в котором фотодиод содержит принимающую свет поверхность (222) и электроизолирующий слой (202), и в котором электроизолирующий слой располагается между принимающей свет поверхностью и обедненной областью.
3. Фотодиод по п.2, в котором электроизолирующий слой изготовлен из слоя углубленного оксида пластины из кремния на диэлектрике (SOI; КНД).
4. Фотодиод по п.2, содержащий средство для уменьшения воздействия дефектов кристаллической решетки на поверхности раздела между обедненной областью и электроизолирующим слоем.
5. Фотодиод по п.4, в котором средство для уменьшения воздействия содержит тонкий легированный полупроводниковый слой (206).
6. Фотодиод по п.2, в котором фотодиод освещается сзади.
7. Фотодиод по п.2, в котором фотодиод содержит:
несущую пластину (217);
слой (212) межсоединений, физически расположенный между обедненной областью и несущей пластиной.
8. Фотодиод по п.1, содержащий сцинтиллятор (602), оптически соединенный с обедненной областью.
9. Фотодиод по п.8, в котором сцинтиллятор содержит одно вещество из множества, состоящего из LySO, LSO, LGSO или LaBr.
10. Фотодиод по п.1 в котором анод и катод выполнены в виде встречно-штыревой структуры.
11. Способ производства матрицы лавинных фотодиодов с использованием пластины (301) из кремния на диэлектрике, которая включает в себя подложку (302), кремниевый слой (304) и слой (202) из углубленного оксида, физически расположенный между подложкой и кремниевым слоем, способ содержит этапы, на которых:
формируют множество лавинных фотодиодов (100) в кремниевом слое, фотодиоды содержат анод, катод и обедненную область;
формируют множество электродов (214, 216), электрически соединенных с анодами и катодами соответствующих фотодиодов, причем множество электродов располагается на стороне кремниевого слоя, которая находится напротив слоя из углубленного оксида;
удаляют подложку, посредством чего фотодиоды освещаются через слой из углубленного оксида.
12. Способ по п.11, дополнительно содержащий этап, на котором прикрепляют несущую пластину (217) к матрице, причем множество электродов физически располагается между несущей пластиной и кремниевой пластиной.
13. Способ по п.11, содержащий этап, на котором формируют изолирующую область (218), который обеспечивает электрическую изоляцию между фотодиодами в матрице.
14. Способ по п.13, в котором изолирующая область формируется с использованием технологии локального оксидирования кремния.
15. Способ по п.11, содержащий этап, на котором формируют ионно-имплантированный слой (206) на поверхности раздела между слоем из углубленного оксида и кремниевого слоя.
16. Способ по п.11, содержащий этап, на котором размещают сцинтиллятор (602), оптически соединенный со слоем из углубленного оксида.
17. Датчик ионизирующего излучения, изготовленный с использованием способа по п.16.
18. Фотодиодная матрица, изготовленная с использование пластины из кремния на диэлектрике, которая содержит подложку (302), кремниевый слой (304) и слой (202) из углубленного оксида, физически расположенный между подложкой и кремниевым слоем, причем фотодиодная матрица изготовляется с использованием процесса, содержащего этапы, на которых:
формируют множество лавинных фотодиодов (100) в кремниевом слое, фотодиоды содержат анод, катод и обедненную область;
формируют множество электродов (214, 216), электрически соединенных с анодами и катодами соответствующих фотодиодов, причем множество электродов располагается на стороне фотодиодов напротив слоя из углубленного оксида;
прикрепляют несущую пластину (217) к пластине из кремния на диэлектрике, причем электроды физически располагаются между несущей пластиной и фотодиодами;
удаляют подложку с пластины из кремния на диэлектрике, посредством чего фотодиоды освещаются через слой из углубленного оксида.
19. Фотодиод по п.18, в котором процесс дополнительно содержит этап, на котором формируют изолирующую канавку (218), которая простирается между слоем межсоединений и слоем из углубленного оксида.
20. Лавинный фотодиод, содержащий:
первую легированную полупроводниковую область (208, 210), которая образует катод фотодиода;
вторую легированную полупроводниковую область (208, 210), которая образует анод фотодиода;
третью полупроводниковую область (204), оптически соединенную с принимающей свет поверхностью фотодиода, причем по существу вся третья полупроводниковая область истощается, когда фотодиод работает в лавинном режиме;
слой (212) межсоединений, содержащий первый электрод (214), электрически соединенный с первой легированной полупроводниковой областью, и второй электрод (216), электрически соединенный со второй легированной полупроводниковой областью, причем третья полупроводниковая область (204) физически располагается между слоем межсоединений и принимающей свет поверхностью.
21. Фотодиод по п.20, в котором первая легированная полупроводниковая область, вторая легированная полупроводниковая область и третья полупроводниковая область образуют один фотодиод из множества, состоящего из фотодиода типа pπn и фотодиода типа pνn.
22. Фотодиод по п.21 в котором третья полупроводниковая область имеет толщину, менее чем приблизительно 500 нм.
23. Фотодиод по п.20, содержащий изолирующую канавку (218), которая окружает фотодиод.
24. Фотодиод по п.20, содержащий электроизолирующий слой (202), расположенный между третьей полупроводниковой областью и принимающей свет поверхностью.
25. Фотодиод по п.24, в котором электроизолирующий слой содержит диоксид кремния, и в котором электроизолирующий слой является по существу проницаемым для света, имеющего длину волны в синем конце оптического спектра.
26. Фотодиод по п.25, содержащий слой пассивации, расположенную на поверхности раздела между третьей полупроводниковой областью и электроизолирущим слоем.
27. Фотодиод по п.20, содержащий несущую пластину (217), расположенную на стороне фотодиодов напротив принимающей свет поверхности.
28. Фотодиод по п.27, в котором несущая пластина содержит стекло.
29. Фотодиод по п.20, в котором первая и вторая легированные полупроводниковые области являются концентрическими.
30. Фотодиод по п.20, содержащий сцинтиллятор (602), оптически соединенный с третьим полупроводниковым слоем.
31. Устройство, содержащее:
область (708) исследования;
опору (716) для объекта, выполненную с возможностью поддерживать объект (718) исследования в области исследования;
матрицу (102) датчиков излучения, содержащую:
чувствительную к излучению поверхность (222), которая обращена к области исследования;
матрицу из лавинных фотодиодов (100), в которой каждый фотодиод содержит анод, катод и обедненную область, причем фотоны, поглощенные обедненной областью фотодиода, формируют носители заряда, и причем носители заряда подвергаются ударной ионизации в обедненной области фотодиода для формирования тока лавинного процесса в фотодиоде;
слой (212) межсоединений, содержащий множество электродов (214, 216), которые обеспечивают электрические соединения с фотодиодами, причем слой межсоединений располагается на стороне фотодиодной матрицы, которая находится напротив принимающей излучение поверхности.
32. Устройство по п.31, в котором матрица датчиков излучения включает в себя сцинтиллятор (602), который принимает ионизирующее излучение от области исследования.
33. Устройство по п.32, в котором сцинтиллятор содержит одно вещество из множества, состоящего из лютеция и лантана.
34. Устройство по п.31, в котором лавинные фотодиоды работают в режиме счетчика Гейгера.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US76661706P | 2006-02-01 | 2006-02-01 | |
| US60/766,617 | 2006-02-01 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2008131699A true RU2008131699A (ru) | 2010-02-10 |
| RU2416840C2 RU2416840C2 (ru) | 2011-04-20 |
Family
ID=39185979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008131699/28A RU2416840C2 (ru) | 2006-02-01 | 2007-01-17 | Лавинный фотодиод в режиме счетчика гейгера |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7714292B2 (ru) |
| EP (1) | EP1982356B1 (ru) |
| JP (1) | JP2009525619A (ru) |
| CN (1) | CN101379615B (ru) |
| RU (1) | RU2416840C2 (ru) |
| WO (1) | WO2008048694A2 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2778047C1 (ru) * | 2021-11-30 | 2022-08-12 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха" | Способ приема оптических сигналов |
Families Citing this family (105)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2290721C2 (ru) | 2004-05-05 | 2006-12-27 | Борис Анатольевич Долгошеин | Кремниевый фотоэлектронный умножитель (варианты) и ячейка для кремниевого фотоэлектронного умножителя |
| EP3002794B1 (en) | 2006-07-03 | 2020-08-19 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodiode array |
| US8188563B2 (en) * | 2006-07-21 | 2012-05-29 | The Regents Of The University Of California | Shallow-trench-isolation (STI)-bounded single-photon CMOS photodetector |
| JP4413940B2 (ja) * | 2007-03-22 | 2010-02-10 | 株式会社東芝 | 固体撮像素子、単板カラー固体撮像素子及び電子機器 |
| US8022351B2 (en) * | 2008-02-14 | 2011-09-20 | California Institute Of Technology | Single photon detection with self-quenching multiplication |
| US8803075B2 (en) | 2008-04-18 | 2014-08-12 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Radiation detector device |
| US8610808B2 (en) * | 2008-12-22 | 2013-12-17 | Koninklijke Philips N.V. | Color CMOS imager with single photon counting capability |
| WO2010080048A1 (en) * | 2009-01-11 | 2010-07-15 | Popova Elena Viktorovna | Semiconductor geiger mode microcell photodiode (variants) |
| CN101923173B (zh) * | 2009-06-10 | 2014-10-01 | 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 | 闪烁体以及检测器组件 |
| CA2769121C (en) * | 2009-08-03 | 2016-07-26 | Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften E.V. | Highly efficient cmos technology compatible silicon photoelectric multiplier |
| EP2293032A1 (en) * | 2009-09-04 | 2011-03-09 | Radisens Diagnostic Limited | An Integrated Cytometric Sensor System and Method |
| CN102695967A (zh) * | 2009-10-19 | 2012-09-26 | 布鲁克哈文科学协会有限责任公司 | 3d沟槽电极检测器 |
| CN101789040B (zh) * | 2010-01-27 | 2011-09-14 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 盖革模式apd被动淬火与恢复集成电路的设计方法 |
| KR101098165B1 (ko) * | 2010-01-29 | 2011-12-22 | 센스기술 주식회사 | 전 파장 대의 양자효율이 우수한 수직구조의 실리콘 광전자 증배관 |
| US8324554B2 (en) | 2010-03-23 | 2012-12-04 | Massachusetts Institute Of Technology | Single-electron detection method and apparatus for solid-state intensity image sensors with a charge-metering device |
| GB201004922D0 (en) * | 2010-03-24 | 2010-05-12 | Sensl Technologies Ltd | Silicon photomultiplier and readout method |
| RU2524917C1 (ru) * | 2010-04-23 | 2014-08-10 | Макс-Планк-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Виссеншафтен Е.Ф. | Кремниевый фотоэлектронный умножитель |
| KR101169708B1 (ko) * | 2010-04-26 | 2012-07-30 | 서강대학교산학협력단 | 큰 면적을 가진 마이크로셀로 구성된 ｇａｐｄ를 이용한 ｐｅｔ 검출기 모듈 |
| CN102184929B (zh) * | 2011-03-24 | 2013-04-24 | 南京大学 | 紫外光雪崩管成像阵列像元、其应用方法及雪崩管成像阵列 |
| WO2012145641A2 (en) * | 2011-04-21 | 2012-10-26 | Redlen Technologies | Side shielding cathode design for a radiation detector with improved efficiency |
| EP2732311A1 (en) * | 2011-07-12 | 2014-05-21 | Isis Innovation Limited | Ion detector |
| US9917118B2 (en) | 2011-09-09 | 2018-03-13 | Zecotek Imaging Systems Pte. Ltd. | Photodetector array and method of manufacture |
| JP5791461B2 (ja) | 2011-10-21 | 2015-10-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置 |
| JP5926921B2 (ja) | 2011-10-21 | 2016-05-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置 |
| JP5832852B2 (ja) | 2011-10-21 | 2015-12-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置 |
| CN104303291A (zh) * | 2012-05-23 | 2015-01-21 | 皇家飞利浦有限公司 | 可表面安装的半导体器件 |
| JP5984617B2 (ja) * | 2012-10-18 | 2016-09-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | フォトダイオードアレイ |
| KR101964891B1 (ko) | 2013-01-28 | 2019-08-07 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 광증배관 디텍터 셀 |
| JP5925711B2 (ja) | 2013-02-20 | 2016-05-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 検出器、ｐｅｔ装置及びｘ線ｃｔ装置 |
| US9276031B2 (en) | 2013-03-04 | 2016-03-01 | Apple Inc. | Photodiode with different electric potential regions for image sensors |
| US9741754B2 (en) | 2013-03-06 | 2017-08-22 | Apple Inc. | Charge transfer circuit with storage nodes in image sensors |
| US9160949B2 (en) * | 2013-04-01 | 2015-10-13 | Omnivision Technologies, Inc. | Enhanced photon detection device with biased deep trench isolation |
| JP5996478B2 (ja) * | 2013-04-09 | 2016-09-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線画像検出装置 |
| EP2793273B1 (en) * | 2013-04-17 | 2016-12-28 | Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Silicon photomultiplier with very low optical cross-talk and improved readout |
| CN104377269A (zh) * | 2013-08-13 | 2015-02-25 | 哈尔滨工大华生电子有限公司 | 一种高增益微元雪崩光电二极管阵列制造方法 |
| US9876127B2 (en) * | 2013-11-22 | 2018-01-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Backside-illuminated photodetector structure and method of making the same |
| JP6162595B2 (ja) * | 2013-12-19 | 2017-07-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出器 |
| CN104752340B (zh) * | 2013-12-31 | 2018-05-01 | 上海丽恒光微电子科技有限公司 | 雪崩光电二极管阵列装置及形成方法、激光三维成像装置 |
| US10285626B1 (en) | 2014-02-14 | 2019-05-14 | Apple Inc. | Activity identification using an optical heart rate monitor |
| KR102380829B1 (ko) * | 2014-04-23 | 2022-03-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 촬상 장치 |
| US9686485B2 (en) | 2014-05-30 | 2017-06-20 | Apple Inc. | Pixel binning in an image sensor |
| KR102649896B1 (ko) | 2015-03-31 | 2024-03-22 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 반도체 장치 |
| US10825939B2 (en) | 2016-01-07 | 2020-11-03 | The Research Foundation For The State University Of New York | Selenium photomultiplier and method for fabrication thereof |
| CN107086253B (zh) * | 2016-02-15 | 2019-02-22 | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 | 半导体器件的制造方法 |
| US9939536B2 (en) | 2016-02-19 | 2018-04-10 | Sensi Technologies Ltd. | Semiconductor photomultiplier with baseline restoration for a fast terminal signal output including output loads to correct an overshoot of an output signal (as amended) |
| US9912883B1 (en) | 2016-05-10 | 2018-03-06 | Apple Inc. | Image sensor with calibrated column analog-to-digital converters |
| JP7013120B2 (ja) * | 2016-07-29 | 2022-01-31 | キヤノン株式会社 | 光検出装置および光検出システム |
| US10497818B2 (en) | 2016-07-29 | 2019-12-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Photodetection device and photodetection system |
| JP2018019040A (ja) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | キヤノン株式会社 | 光検出装置および光検出システム |
| FR3056019B1 (fr) * | 2016-09-13 | 2018-10-12 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Photodiode de type spad |
| CN109716525B (zh) | 2016-09-23 | 2020-06-09 | 苹果公司 | 堆叠式背面照明spad阵列 |
| US10312391B2 (en) * | 2016-10-04 | 2019-06-04 | Omnivision Technologies, Inc. | Apparatus and method for single-photon avalanche-photodiode detectors with reduced dark count rate |
| JP7058479B2 (ja) | 2016-10-18 | 2022-04-22 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光検出器 |
| CN116525633A (zh) * | 2016-10-18 | 2023-08-01 | 索尼半导体解决方案公司 | 传感器 |
| JP7285351B2 (ja) * | 2016-11-29 | 2023-06-01 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光検出素子および電子機器 |
| WO2018140522A2 (en) | 2017-01-25 | 2018-08-02 | Apple Inc. | Spad detector having modulated sensitivity |
| US10656251B1 (en) | 2017-01-25 | 2020-05-19 | Apple Inc. | Signal acquisition in a SPAD detector |
| US10962628B1 (en) | 2017-01-26 | 2021-03-30 | Apple Inc. | Spatial temporal weighting in a SPAD detector |
| US10673204B2 (en) | 2017-03-07 | 2020-06-02 | Sensl Technologies Ltd. | Laser driver |
| US10622538B2 (en) | 2017-07-18 | 2020-04-14 | Apple Inc. | Techniques for providing a haptic output and sensing a haptic input using a piezoelectric body |
| JP6932580B2 (ja) * | 2017-08-04 | 2021-09-08 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子 |
| CN111052405B (zh) * | 2017-09-06 | 2023-03-31 | 日本电信电话株式会社 | 雪崩光电二极管及其制造方法 |
| US10440301B2 (en) | 2017-09-08 | 2019-10-08 | Apple Inc. | Image capture device, pixel, and method providing improved phase detection auto-focus performance |
| US10340408B1 (en) | 2018-05-17 | 2019-07-02 | Hi Llc | Non-invasive wearable brain interface systems including a headgear and a plurality of self-contained photodetector units configured to removably attach to the headgear |
| US10158038B1 (en) | 2018-05-17 | 2018-12-18 | Hi Llc | Fast-gated photodetector architectures comprising dual voltage sources with a switch configuration |
| US10515993B2 (en) * | 2018-05-17 | 2019-12-24 | Hi Llc | Stacked photodetector assemblies |
| US10420498B1 (en) | 2018-06-20 | 2019-09-24 | Hi Llc | Spatial and temporal-based diffusive correlation spectroscopy systems and methods |
| US11213206B2 (en) | 2018-07-17 | 2022-01-04 | Hi Llc | Non-invasive measurement systems with single-photon counting camera |
| US11019294B2 (en) | 2018-07-18 | 2021-05-25 | Apple Inc. | Seamless readout mode transitions in image sensors |
| US10848693B2 (en) | 2018-07-18 | 2020-11-24 | Apple Inc. | Image flare detection using asymmetric pixels |
| US11233966B1 (en) | 2018-11-29 | 2022-01-25 | Apple Inc. | Breakdown voltage monitoring for avalanche diodes |
| CN109638024B (zh) * | 2018-12-18 | 2024-06-18 | 暨南大学 | 一种可见光短波段硅基雪崩光电二极管阵列及其制备方法 |
| JP7190648B2 (ja) * | 2018-12-20 | 2022-12-16 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 固体撮像素子、及び、固体撮像素子の製造方法 |
| WO2020131148A1 (en) | 2018-12-21 | 2020-06-25 | Hi Llc | Biofeedback for awareness and modulation of mental state using a non-invasive brain interface system and method |
| CN109713081B (zh) * | 2018-12-27 | 2022-02-01 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 集成硅基可见光探测器阵列器件的制作方法 |
| JP2020155503A (ja) * | 2019-03-19 | 2020-09-24 | 株式会社東芝 | 光検出装置 |
| US10868207B1 (en) | 2019-06-06 | 2020-12-15 | Hi Llc | Photodetector systems with low-power time-to-digital converter architectures to determine an arrival time of photon at a photodetector based on event detection time window |
| FR3101727B1 (fr) * | 2019-10-08 | 2021-09-17 | Commissariat Energie Atomique | procede de fabrication d’au moins une photodiode planaire contrainte en tension |
| WO2021167890A1 (en) | 2020-02-21 | 2021-08-26 | Hi Llc | Wearable module assemblies for an optical measurement system |
| WO2021167876A1 (en) | 2020-02-21 | 2021-08-26 | Hi Llc | Methods and systems for initiating and conducting a customized computer-enabled brain research study |
| US12029558B2 (en) | 2020-02-21 | 2024-07-09 | Hi Llc | Time domain-based optical measurement systems and methods configured to measure absolute properties of tissue |
| WO2021167893A1 (en) | 2020-02-21 | 2021-08-26 | Hi Llc | Integrated detector assemblies for a wearable module of an optical measurement system |
| US11950879B2 (en) | 2020-02-21 | 2024-04-09 | Hi Llc | Estimation of source-detector separation in an optical measurement system |
| US11969259B2 (en) | 2020-02-21 | 2024-04-30 | Hi Llc | Detector assemblies for a wearable module of an optical measurement system and including spring-loaded light-receiving members |
| US11883181B2 (en) | 2020-02-21 | 2024-01-30 | Hi Llc | Multimodal wearable measurement systems and methods |
| US11630310B2 (en) | 2020-02-21 | 2023-04-18 | Hi Llc | Wearable devices and wearable assemblies with adjustable positioning for use in an optical measurement system |
| WO2021188489A1 (en) | 2020-03-20 | 2021-09-23 | Hi Llc | High density optical measurement systems with minimal number of light sources |
| US12059262B2 (en) | 2020-03-20 | 2024-08-13 | Hi Llc | Maintaining consistent photodetector sensitivity in an optical measurement system |
| WO2021188485A1 (en) | 2020-03-20 | 2021-09-23 | Hi Llc | Maintaining consistent photodetector sensitivity in an optical measurement system |
| US11877825B2 (en) | 2020-03-20 | 2024-01-23 | Hi Llc | Device enumeration in an optical measurement system |
| US11645483B2 (en) | 2020-03-20 | 2023-05-09 | Hi Llc | Phase lock loop circuit based adjustment of a measurement time window in an optical measurement system |
| US12085789B2 (en) | 2020-03-20 | 2024-09-10 | Hi Llc | Bias voltage generation in an optical measurement system |
| US11245404B2 (en) | 2020-03-20 | 2022-02-08 | Hi Llc | Phase lock loop circuit based signal generation in an optical measurement system |
| WO2021188496A1 (en) | 2020-03-20 | 2021-09-23 | Hi Llc | Photodetector calibration of an optical measurement system |
| US11864867B2 (en) | 2020-03-20 | 2024-01-09 | Hi Llc | Control circuit for a light source in an optical measurement system by applying voltage with a first polarity to start an emission of a light pulse and applying voltage with a second polarity to stop the emission of the light pulse |
| WO2021188487A1 (en) | 2020-03-20 | 2021-09-23 | Hi Llc | Temporal resolution control for temporal point spread function generation in an optical measurement system |
| US11857348B2 (en) | 2020-03-20 | 2024-01-02 | Hi Llc | Techniques for determining a timing uncertainty of a component of an optical measurement system |
| US11322639B2 (en) * | 2020-04-09 | 2022-05-03 | Globalfoundries U.S. Inc. | Avalanche photodiode |
| US12059270B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-08-13 | Hi Llc | Systems and methods for noise removal in an optical measurement system |
| US11476372B1 (en) | 2020-05-13 | 2022-10-18 | Apple Inc. | SPAD-based photon detectors with multi-phase sampling TDCs |
| US11611002B2 (en) | 2020-07-22 | 2023-03-21 | Globalfoundries U.S. Inc. | Photodiode and/or pin diode structures |
| US11424377B2 (en) | 2020-10-08 | 2022-08-23 | Globalfoundries U.S. Inc. | Photodiode with integrated, light focusing element |
| US20240063321A1 (en) | 2021-02-07 | 2024-02-22 | Koninklijke Philips N.V. | Apparatus having a single photon avalanche diode (spad) with improved near infrared (nir) photon detection efficiency |
| JP7524407B2 (ja) | 2022-03-04 | 2024-07-29 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光検出素子および電子機器 |
| US11949034B2 (en) | 2022-06-24 | 2024-04-02 | Globalfoundries U.S. Inc. | Photodetector with dual doped semiconductor material |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL187416C (nl) | 1983-07-14 | 1991-09-16 | Philips Nv | Stralingsgevoelige halfgeleiderinrichting. |
| JP3137431B2 (ja) * | 1991-06-13 | 2001-02-19 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 半導体集積回路装置 |
| US5923071A (en) * | 1992-06-12 | 1999-07-13 | Seiko Instruments Inc. | Semiconductor device having a semiconductor film of low oxygen concentration |
| DE4322648C1 (de) * | 1993-07-07 | 1994-08-18 | Siemens Ag | Gerät mit Vierbeinspule |
| JPH07221341A (ja) * | 1993-12-08 | 1995-08-18 | Nikon Corp | 紫外線検出用シリコンアバランシェフォトダイオード |
| US5446308A (en) | 1994-04-04 | 1995-08-29 | General Electric Company | Deep-diffused planar avalanche photodiode |
| US5583352A (en) | 1994-04-29 | 1996-12-10 | Eg&G Limited | Low-noise, reach-through, avalanche photodiodes |
| JPH1020042A (ja) * | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Shimadzu Corp | Ｘ線ｃｔ用固体検出器 |
| JPH10233525A (ja) | 1997-02-19 | 1998-09-02 | Hamamatsu Photonics Kk | アバランシェフォトダイオード |
| JPH10261588A (ja) | 1997-03-19 | 1998-09-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| FR2764381A1 (fr) * | 1997-06-09 | 1998-12-11 | Univ De Neuchatel | Detecteur electrochimioluminescent |
| US5757057A (en) | 1997-06-25 | 1998-05-26 | Advanced Photonix, Inc. | Large area avalanche photodiode array |
| EP0985228A1 (en) | 1998-03-02 | 2000-03-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor device comprising a glass supporting body onto which a substrate with semiconductor elements and a metallization is attached by means of an adhesive |
| EP1284021A4 (en) | 2000-04-20 | 2008-08-13 | Digirad Corp | MANUFACTURE OF ILLUMINATED PHOTODIODS ON LOW LEAKAGE CURRENT LEFT |
| US6426991B1 (en) | 2000-11-16 | 2002-07-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Back-illuminated photodiodes for computed tomography detectors |
| US6541836B2 (en) * | 2001-02-21 | 2003-04-01 | Photon Imaging, Inc. | Semiconductor radiation detector with internal gain |
| US20020138021A1 (en) | 2001-03-23 | 2002-09-26 | Devonrex, Inc. | Micro-invasive tissue removal device |
| DE60112726T2 (de) | 2001-05-15 | 2006-06-14 | St Microelectronics Srl | Halbleiter-Photodetektor mit hoher Verstärkung und Herstellungsverfahren |
| DE10124032B4 (de) | 2001-05-16 | 2011-02-17 | Telefunken Semiconductors Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung von Bauelementen auf einem SOI-Wafer |
| CA2396325C (en) | 2001-09-06 | 2010-03-30 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Zn1-xmgxsyse1-y pin photodiode and zn1-xmgxsyse1-y avalanche-photodiode |
| GB0216075D0 (en) * | 2002-07-11 | 2002-08-21 | Qinetiq Ltd | Photodetector circuits |
| DE60322233D1 (de) * | 2002-09-19 | 2008-08-28 | Quantum Semiconductor Llc | Licht-detektierende vorrichtung |
| US7254851B2 (en) * | 2002-11-13 | 2007-08-14 | Imaging Diagnostic Systems, Inc. | Patient support structure having a tabletop with a breast positioning aperture for a laser imaging apparatus |
| US20040245592A1 (en) | 2003-05-01 | 2004-12-09 | Yale University | Solid state microchannel plate photodetector |
| US7160753B2 (en) * | 2004-03-16 | 2007-01-09 | Voxtel, Inc. | Silicon-on-insulator active pixel sensors |
| RU2290721C2 (ru) * | 2004-05-05 | 2006-12-27 | Борис Анатольевич Долгошеин | Кремниевый фотоэлектронный умножитель (варианты) и ячейка для кремниевого фотоэлектронного умножителя |
| US7361882B2 (en) * | 2005-04-14 | 2008-04-22 | Sensors Unlimited, Inc. | Method and apparatus for providing non-linear, passive quenching of avalanche currents in Geiger-mode avalanche photodiodes |
-
2007
- 2007-01-17 RU RU2008131699/28A patent/RU2416840C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2007-01-17 JP JP2008553439A patent/JP2009525619A/ja active Pending
- 2007-01-17 CN CN200780004329.3A patent/CN101379615B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-01-17 WO PCT/US2007/060621 patent/WO2008048694A2/en active Application Filing
- 2007-01-17 EP EP07863309.6A patent/EP1982356B1/en not_active Not-in-force
- 2007-01-17 US US12/162,999 patent/US7714292B2/en active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2778047C1 (ru) * | 2021-11-30 | 2022-08-12 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха" | Способ приема оптических сигналов |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101379615A (zh) | 2009-03-04 |
| RU2416840C2 (ru) | 2011-04-20 |
| JP2009525619A (ja) | 2009-07-09 |
| US7714292B2 (en) | 2010-05-11 |
| US20090008566A1 (en) | 2009-01-08 |
| WO2008048694A3 (en) | 2008-07-24 |
| EP1982356A2 (en) | 2008-10-22 |
| CN101379615B (zh) | 2013-06-12 |
| WO2008048694A2 (en) | 2008-04-24 |
| EP1982356B1 (en) | 2017-03-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2008131699A (ru) | Лавинный фотодиод в режиме счетчика гейгера | |
| US9209336B2 (en) | Array of mutually isolated, geiger-mode, avalanche photodiodes and manufacturing method thereof | |
| US9236519B2 (en) | Geiger-mode avalanche photodiode with high signal-to-noise ratio, and corresponding manufacturing process | |
| US11888003B2 (en) | Photodetector | |
| US7576371B1 (en) | Structures and methods to improve the crosstalk between adjacent pixels of back-illuminated photodiode arrays | |
| JP5523317B2 (ja) | アバランシェフォトダイオード及びアバランシェ照射検出器 | |
| US8471293B2 (en) | Array of mutually insulated Geiger-mode avalanche photodiodes, and corresponding manufacturing process | |
| JP5385315B2 (ja) | 全波長帯の量子効率に優れた垂直構造のシリコン光電子増倍管 | |
| JP2010503991A (ja) | 薄膜ｓｏｉを用いるイメージセンサ | |
| US20100108893A1 (en) | Devices and Methods for Ultra Thin Photodiode Arrays on Bonded Supports | |
| US20040262652A1 (en) | Ultra thin back-illuminated photodiode array structures and fabrication methods | |
| US11239382B2 (en) | Semiconductor photomultiplier | |
| JP2006324686A (ja) | 光子感知エレメント及びこれを用いたデバイス | |
| ITTO20080945A1 (it) | Fotodiodo operante in modalita' geiger con resistore di soppressione integrato e controllabile, schiera di fotodiodi e relativo procedimento di fabbricazione | |
| US20150221801A1 (en) | Photoelectric conversion element and method of manufacturing photoelectric conversion element | |
| CN107895743B (zh) | 单光子雪崩光电二极管探测器的装置和方法 | |
| JP2022526587A (ja) | アバランシェフォトダイオードアレイ | |
| KR101515687B1 (ko) | ＣＭＯＳ 이미지 센서 ＡＲＣ 층으로서의 다공성 Ｓｉ | |
| US20130001729A1 (en) | High Fill-Factor Laser-Treated Semiconductor Device on Bulk Material with Single Side Contact Scheme | |
| Ninković et al. | SiMPl—An avalanche diode array with bulk integrated quench resistors for single photon detection | |
| KR20150064959A (ko) | 엑스선 디텍터 및 이를 이용한 엑스선 영상장치와 이의 구동방법 | |
| RU121102U1 (ru) | ФОТОРЕЗИСТОР НА ОСНОВЕ InSb | |
| WO2024185302A1 (ja) | 光検出装置 | |
| TW201301487A (zh) | 背照式照明影像感測器以及製造背照式照明影像感測器之方法 | |
| US20100213466A1 (en) | Photosensors including semiconductor-on-insulator structure |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20200118 |