RU2008108626A - Устройство полупроводниковой памяти - Google Patents
Устройство полупроводниковой памяти Download PDFInfo
- Publication number
- RU2008108626A RU2008108626A RU2008108626/09A RU2008108626A RU2008108626A RU 2008108626 A RU2008108626 A RU 2008108626A RU 2008108626/09 A RU2008108626/09 A RU 2008108626/09A RU 2008108626 A RU2008108626 A RU 2008108626A RU 2008108626 A RU2008108626 A RU 2008108626A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- semiconductor memory
- memory device
- area
- access
- address
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/22—Safety or protection circuits preventing unauthorised or accidental access to memory cells
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
- G03G15/06—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for developing
- G03G15/08—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for developing using a solid developer, e.g. powder developer
- G03G15/0822—Arrangements for preparing, mixing, supplying or dispensing developer
- G03G15/0863—Arrangements for preparing, mixing, supplying or dispensing developer provided with identifying means or means for storing process- or use parameters, e.g. an electronic memory
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G2215/00—Apparatus for electrophotographic processes
- G03G2215/06—Developing structures, details
- G03G2215/066—Toner cartridge or other attachable and detachable container for supplying developer material to replace the used material
- G03G2215/0695—Toner cartridge or other attachable and detachable container for supplying developer material to replace the used material using identification means or means for storing process or use parameters
- G03G2215/0697—Toner cartridge or other attachable and detachable container for supplying developer material to replace the used material using identification means or means for storing process or use parameters being an electronically readable memory
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
- G06F12/14—Protection against unauthorised use of memory or access to memory
- G06F12/1416—Protection against unauthorised use of memory or access to memory by checking the object accessibility, e.g. type of access defined by the memory independently of subject rights
- G06F12/1425—Protection against unauthorised use of memory or access to memory by checking the object accessibility, e.g. type of access defined by the memory independently of subject rights the protection being physical, e.g. cell, word, block
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Security & Cryptography (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Storage Device Security (AREA)
- Ink Jet (AREA)
Abstract
1. Устройство полупроводниковой памяти, содержащее: ! матрицу памяти, к которой осуществляют доступ последовательно, начиная с верхнего адреса, и которая содержит перезаписываемую область, используемую для хранения перезаписываемых данных, и область, запрещенную для записи, которую используют для хранения данных только для чтения и которая следует за перезаписываемой областью, ! блок приема запроса на доступ, который принимает запросы на доступ для осуществления доступа к требуемому адресу в упомянутой матрице памяти, ! блок установки флага, который устанавливает флаг в положение ВКЛЮЧЕНО, когда был осуществлен доступ к области, запрещенной для записи, и ! контроллер памяти, который управляет доступом к упомянутой матрице памяти и не записывает данные в упомянутый требуемый адрес, если упомянутый требуемый адрес содержится в упомянутой перезаписываемой области, и упомянутый флаг установлен в положение ВКЛЮЧЕНО. ! 2. Устройство полупроводниковой памяти по п.1, в котором упомянутый контроллер памяти определяет согласно информации, определяющей область, запрещенную для записи, в упомянутой матрице памяти содержится ли упомянутый требуемый адрес в упомянутой области, запрещенной для записи. ! 3. Устройство полупроводниковой памяти по п.2, в котором упомянутый контроллер памяти выполняет доступ только для чтения к данным из упомянутого требуемого адреса, если упомянутый контроллер доступа определяет, что упомянутый требуемый адрес содержится в упомянутой области, запрещенной для записи, согласно информации, определяющей область, запрещенную для записи, в упомянутой матрице памяти. ! 4. Устройство полупроводни�
Claims (14)
1. Устройство полупроводниковой памяти, содержащее:
матрицу памяти, к которой осуществляют доступ последовательно, начиная с верхнего адреса, и которая содержит перезаписываемую область, используемую для хранения перезаписываемых данных, и область, запрещенную для записи, которую используют для хранения данных только для чтения и которая следует за перезаписываемой областью,
блок приема запроса на доступ, который принимает запросы на доступ для осуществления доступа к требуемому адресу в упомянутой матрице памяти,
блок установки флага, который устанавливает флаг в положение ВКЛЮЧЕНО, когда был осуществлен доступ к области, запрещенной для записи, и
контроллер памяти, который управляет доступом к упомянутой матрице памяти и не записывает данные в упомянутый требуемый адрес, если упомянутый требуемый адрес содержится в упомянутой перезаписываемой области, и упомянутый флаг установлен в положение ВКЛЮЧЕНО.
2. Устройство полупроводниковой памяти по п.1, в котором упомянутый контроллер памяти определяет согласно информации, определяющей область, запрещенную для записи, в упомянутой матрице памяти содержится ли упомянутый требуемый адрес в упомянутой области, запрещенной для записи.
3. Устройство полупроводниковой памяти по п.2, в котором упомянутый контроллер памяти выполняет доступ только для чтения к данным из упомянутого требуемого адреса, если упомянутый контроллер доступа определяет, что упомянутый требуемый адрес содержится в упомянутой области, запрещенной для записи, согласно информации, определяющей область, запрещенную для записи, в упомянутой матрице памяти.
4. Устройство полупроводниковой памяти по п.2, в котором упомянутый контроллер памяти записывает данные в упомянутый требуемый адрес, если упомянутый контроллер доступа определяет, что упомянутый требуемый адрес содержится в упомянутой перезаписываемой области, но что упомянутый флаг не установлен в положение ВКЛЮЧЕНО, согласно информации, определяющей область, запрещенную для записи, в упомянутой матрице памяти.
5. Устройство полупроводниковой памяти по любому из пп.2-4, в котором упомянутую информацию, определяющую область, запрещенную для записи, записывают в области, проходящей от упомянутого верхнего адреса до упомянутой перезаписываемой области.
6. Устройство полупроводниковой памяти по п.5, в котором информацию идентификации, которая идентифицирует упомянутое устройство полупроводниковой памяти, также записывают в области, проходящей от упомянутого верхнего адреса до упомянутой перезаписываемой области.
7. Устройство полупроводниковой памяти по п.5 или 6, в котором упомянутый блок установки флага устанавливает упомянутый флаг в положение ВКЛЮЧЕНО после приема ввода сигнала сброса.
8. Устройство полупроводниковой памяти по любому из пп.1-4, в котором упомянутая информация установки флага в положение ВКЛЮЧЕНО или в положение ВЫКЛЮЧЕНО хранится в упомянутом контроллере памяти.
9. Устройство полупроводниковой памяти по п.8, в котором упомянутый блок установки флага устанавливает упомянутый флаг в положение ВЫКЛЮЧЕНО после приема ввода сигнала сброса.
10. Устройство полупроводниковой памяти по п.1, в котором упомянутый контроллер памяти дополнительно содержит:
контроллер запрещения записи, который выдает сигнал запрещения записи, который запрещает запись данных в упомянутый требуемый адрес, если упомянутый требуемый адрес содержится в упомянутой перезаписываемой области, согласно информации, определяющей область, запрещенную для записи, в упомянутой матрице памяти, и упомянутый флаг установлен в положение ВКЛЮЧЕНО, и
блок выполнения записи, который не записывает данные в упомянутую матрицу памяти там, где принимают сигнал запрещения записи из упомянутого контроллера запрещения записи.
11. Контейнер пишущего материала для печати, содержащий пишущий материал для печати и съемно устанавливаемый в печатающем устройстве, упомянутый контейнер пишущего материала для печати содержит:
содержащий отсек, который содержит упомянутый пишущий материал для печати, и
устройство полупроводниковой памяти, согласно любому из пп.1-10.
12. Система печати, которая содержит печатающее устройство и контейнер пишущего материала для печати по п.11, съемно устанавливаемый в печатающем устройстве,
при этом упомянутое печатающее устройство содержит главный компьютер, который имеет шинное соединение с устройством полупроводниковой памяти, установленным на упомянутом контейнере пишущего материала для печати, через линию передачи сигнала передачи данных, линию передачи синхросигнала, линию передачи сигнала сброса, линию мощности положительного электрода и линию мощности отрицательного электрода и который передает в устройство полупроводниковой памяти информацию относительно количества пишущего материала для печати, израсходованного в упомянутом печатающем устройстве, и
устройство полупроводниковой памяти сохраняет в упомянутой матрице памяти принятую информацию относительно количества пишущего материала для печати.
13. Устройство управления для устройства полупроводниковой памяти, которое содержит матрицу памяти, к которой осуществляют доступ последовательно, начиная с верхнего адреса, и которая содержит перезаписываемую область, используемую для хранения перезаписываемых данных, и область, запрещенную для записи, которая следует за перезаписываемой областью и используется для хранения данных только для чтения, упомянутое устройство управления содержит:
блок приема запроса на доступ, который принимает запросы на доступ для осуществления доступа к требуемому адресу в упомянутой матрице памяти упомянутого устройства полупроводниковой памяти,
блок установки флага, который устанавливает флаг в положение ВКЛЮЧЕНО, когда был осуществлен доступ к области, запрещенной для записи, и
контроллер доступа, который управляет доступом к упомянутой матрице памяти упомянутого устройства полупроводниковой памяти и не записывает данные в упомянутый требуемый адрес, если контроллер доступа определяет, что упомянутый требуемый адрес содержится в упомянутой перезаписываемой области, согласно информации, определяющей область, запрещенную для записи, в упомянутой матрице памяти, и что упомянутый флаг установлен в положение ВКЛЮЧЕНО.
14. Способ управления доступом для устройства полупроводниковой памяти, которое содержит матрицу памяти, к которой осуществляют доступ последовательно, начиная с верхнего адреса, и которая содержит перезаписываемую область, используемую для хранения перезаписываемых данных, и область, запрещенную для записи, которая следует за перезаписываемой областью и используется для хранения данных только для чтения, способ содержит:
прием запроса на доступ для осуществления доступа к требуемому адресу в упомянутой матрице памяти,
обращение к информации, которая определяет область, запрещенную для записи, в упомянутой матрице памяти и
не осуществление записи данных в упомянутый требуемый адрес, если упомянутый требуемый адрес содержится в упомянутой перезаписываемой области и если флаг, который устанавливают в положение ВКЛЮЧЕНО, когда был осуществлен доступ к упомянутой области, запрещенной для записи, установлен в положение ВКЛЮЧЕНО.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005231503 | 2005-08-10 | ||
JP2005-231503 | 2005-08-10 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2008108626A true RU2008108626A (ru) | 2009-09-20 |
Family
ID=37727271
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2008108626/09A RU2008108626A (ru) | 2005-08-10 | 2006-07-26 | Устройство полупроводниковой памяти |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7406576B2 (ru) |
EP (1) | EP1921631A4 (ru) |
JP (1) | JP4910705B2 (ru) |
KR (1) | KR20080033531A (ru) |
CN (1) | CN101243519B (ru) |
AU (1) | AU2006277451A1 (ru) |
BR (1) | BRPI0614247A2 (ru) |
CA (1) | CA2616359A1 (ru) |
RU (1) | RU2008108626A (ru) |
TW (1) | TW200717527A (ru) |
WO (1) | WO2007018084A1 (ru) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100929155B1 (ko) * | 2007-01-25 | 2009-12-01 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 그것의 메모리 셀 억세스 방법 |
US7929372B2 (en) * | 2007-01-25 | 2011-04-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Decoder, memory system, and physical position converting method thereof |
JP5170246B2 (ja) * | 2008-08-05 | 2013-03-27 | 日本電気株式会社 | 半導体検証装置、方法およびプログラム |
JP5233801B2 (ja) * | 2009-04-01 | 2013-07-10 | セイコーエプソン株式会社 | 記憶装置、ホスト回路、基板、液体容器、不揮発性のデータ記憶部に格納されたデータをホスト回路に送信する方法、ホスト回路と、前記ホスト回路と着脱可能な記憶装置を含むシステム |
US9141538B2 (en) | 2010-07-07 | 2015-09-22 | Marvell World Trade Ltd. | Apparatus and method for generating descriptors to transfer data to and from non-volatile semiconductor memory of a storage drive |
US8868852B2 (en) | 2010-07-07 | 2014-10-21 | Marvell World Trade Ltd. | Interface management control systems and methods for non-volatile semiconductor memory |
US9135168B2 (en) | 2010-07-07 | 2015-09-15 | Marvell World Trade Ltd. | Apparatus and method for generating descriptors to reaccess a non-volatile semiconductor memory of a storage drive due to an error |
US8184487B2 (en) * | 2010-08-30 | 2012-05-22 | Micron Technology, Inc. | Modified read operation for non-volatile memory |
WO2015166494A1 (en) * | 2014-04-29 | 2015-11-05 | Raphael Cohen | An address intercepting integrated circuit for write-once operation of a storage |
US9767045B2 (en) * | 2014-08-29 | 2017-09-19 | Memory Technologies Llc | Control for authenticated accesses to a memory device |
CN104354473B (zh) * | 2014-09-29 | 2016-03-30 | 珠海艾派克微电子有限公司 | 一种成像盒芯片及成像盒 |
CN104570653B (zh) * | 2014-12-26 | 2017-10-10 | 珠海赛纳打印科技股份有限公司 | 一种图像形成装置及对附加纸盒的控制方法 |
US10748591B2 (en) * | 2019-01-13 | 2020-08-18 | Ememory Technology Inc. | Random code generator |
JP2021006960A (ja) * | 2019-06-28 | 2021-01-21 | 株式会社アクセル | メモリコントローラ、及び、不揮発性記憶装置 |
US12008254B2 (en) * | 2021-01-08 | 2024-06-11 | Western Digital Technologies, Inc. | Deduplication of storage device encoded data |
US11561707B2 (en) | 2021-01-08 | 2023-01-24 | Western Digital Technologies, Inc. | Allocating data storage based on aggregate duplicate performance |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60193193A (ja) * | 1984-03-13 | 1985-10-01 | Toshiba Corp | メモリlsi |
JP3229066B2 (ja) * | 1993-04-21 | 2001-11-12 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 半導体集積回路 |
KR100319886B1 (ko) * | 1999-05-04 | 2002-01-10 | 윤종용 | 외부 어드레스에 의해 자동 리프레쉬 동작이 수행될 수 있는 테스트 모드를 갖는 동기식 디램 및 자동 리프레쉬 방법 |
JP4497689B2 (ja) | 1999-10-01 | 2010-07-07 | キヤノン株式会社 | 印刷装置、交換ユニット、及び、メモリユニット |
US6643751B2 (en) * | 2000-03-20 | 2003-11-04 | Texas Instruments Incorporated | System and method for limited access to system memory |
JP4081963B2 (ja) * | 2000-06-30 | 2008-04-30 | セイコーエプソン株式会社 | 記憶装置および記憶装置に対するアクセス方法 |
JP2002023570A (ja) * | 2000-07-13 | 2002-01-23 | Canon Inc | 画像形成装置およびその装置ユニット |
US6976136B2 (en) * | 2001-05-07 | 2005-12-13 | National Semiconductor Corporation | Flash memory protection scheme for secured shared BIOS implementation in personal computers with an embedded controller |
US7051180B2 (en) * | 2002-01-09 | 2006-05-23 | International Business Machines Corporation | Masterless building block binding to partitions using identifiers and indicators |
US7295787B2 (en) * | 2003-08-22 | 2007-11-13 | Ricoh Company, Ltd. | Device unit, an image forming apparatus, a management system, and a recycling system capable of using non-genuine device unit as replacement product |
-
2006
- 2006-07-25 TW TW095127146A patent/TW200717527A/zh unknown
- 2006-07-26 CA CA002616359A patent/CA2616359A1/en not_active Abandoned
- 2006-07-26 RU RU2008108626/09A patent/RU2008108626A/ru not_active Application Discontinuation
- 2006-07-26 AU AU2006277451A patent/AU2006277451A1/en not_active Abandoned
- 2006-07-26 JP JP2006552415A patent/JP4910705B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-07-26 WO PCT/JP2006/315259 patent/WO2007018084A1/ja active Application Filing
- 2006-07-26 CN CN2006800296201A patent/CN101243519B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-07-26 KR KR1020087005716A patent/KR20080033531A/ko active IP Right Grant
- 2006-07-26 EP EP06768411A patent/EP1921631A4/en not_active Withdrawn
- 2006-07-26 BR BRPI0614247-8A patent/BRPI0614247A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2006-07-28 US US11/495,013 patent/US7406576B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1921631A4 (en) | 2009-03-11 |
KR20080033531A (ko) | 2008-04-16 |
JP4910705B2 (ja) | 2012-04-04 |
US7406576B2 (en) | 2008-07-29 |
TW200717527A (en) | 2007-05-01 |
WO2007018084A1 (ja) | 2007-02-15 |
CN101243519B (zh) | 2010-10-13 |
CN101243519A (zh) | 2008-08-13 |
BRPI0614247A2 (pt) | 2011-03-15 |
AU2006277451A1 (en) | 2007-02-15 |
JPWO2007018084A1 (ja) | 2009-02-19 |
EP1921631A1 (en) | 2008-05-14 |
CA2616359A1 (en) | 2007-02-15 |
US20070050584A1 (en) | 2007-03-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2008108626A (ru) | Устройство полупроводниковой памяти | |
US7752412B2 (en) | Methods of managing file allocation table information | |
US9367451B2 (en) | Storage device management device and method for managing storage device | |
US6366977B1 (en) | Semiconductor storage device employing cluster unit data transfer scheme and data management method thereof | |
US20080082773A1 (en) | Systems for Managing File Allocation Table Information | |
RU2006138014A (ru) | Запоминающее устройство и ведущее устройство | |
US7564721B2 (en) | Method and apparatus for improving storage performance using a background erase | |
US20100082883A1 (en) | Hybrid density memory system and control method thereof | |
KR940022572A (ko) | 일괄소거형 비휘발성 메모리 | |
WO2005082037A3 (en) | Intelligent solid state disk with hot-swappable components | |
CN101297276A (zh) | 具有本地执行功能和存储功能的大容量存储设备 | |
KR20060029272A (ko) | Dram들의 부분적인 새로 고침을 위한 방법 및 장치 | |
CN110033799A (zh) | 基于屏障命令按顺序存储数据的存储设备 | |
EP1771862A1 (en) | Method and device to improve usb flash write performance | |
US20110179217A1 (en) | Flash Storage Device and Data Access Method of Flash Memory | |
US20160328183A1 (en) | Methods for accessing data in a circular block mode and apparatuses using the same | |
JP2005222383A5 (ru) | ||
EP1712984A1 (en) | Method and system for accessing logical data blocks in a storage system that includes multiple memories which are connected to at least one common bus | |
US7430632B2 (en) | Data management apparatus and method for determining a response time in flash memory devices | |
TWI376599B (en) | Method and nonvolatile memory system of managing file allocation table information | |
JP2003256269A (ja) | 不揮発性記憶装置の制御方法及びメモリ装置 | |
US20060294292A1 (en) | Shared spare block for multiple memory file volumes | |
DE69825621D1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur zugriffsteuerung von gemeinsamem speicher | |
JP2004086300A (ja) | フラッシュメモリ論理アドレス検出方法 | |
JP2014006902A (ja) | フラッシュメモリ内に記憶されるデータのためのアドレスramを有するエミュレート電気的消去可能メモリ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FA94 | Acknowledgement of application withdrawn (non-payment of fees) |
Effective date: 20100712 |