JP2003256269A - 不揮発性記憶装置の制御方法及びメモリ装置 - Google Patents

不揮発性記憶装置の制御方法及びメモリ装置

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JP2003256269A
JP2003256269A JP2002050961A JP2002050961A JP2003256269A JP 2003256269 A JP2003256269 A JP 2003256269A JP 2002050961 A JP2002050961 A JP 2002050961A JP 2002050961 A JP2002050961 A JP 2002050961A JP 2003256269 A JP2003256269 A JP 2003256269A
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memory device
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ram
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Juichi Shiyouraiden
重一 小来田
Daisuke Kunimune
大介 国宗
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 論理アドレスと物理アドレスが、アドレス変
換テーブルによって対応付けられる不揮発性記憶装置の
制御方法において、限られたRAM容量で、アクセス頻
度の高い領域へのアクセス速度を高速化することを目的
とする。 【解決手段】 不揮発性記憶装置1を複数のエリアに分
割し、エリア単位でアドレス変換テーブルをRAM2上
に生成し、アクセス頻度の高い、少なくとも1つのエリ
アについては、アドレス変換テーブルを常にRAM2上
に置き、少なくとも他の1つのエリアについては、アド
レス変換テーブルをアクセス履歴に基づきRAM2上に
生成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、論理アドレスと物
理アドレスがアドレス変換テーブルによって対応付けら
れる記憶システムに関する不揮発性記憶装置の制御方法
及び、フラッシュメモリコントローラ、フラッシュメモ
リカード、その他メモリ装置に利用されるメモリ装置に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来は、例えば、特開2001−243
110号公報に開示されるように、アドレス変換テーブ
ルをRAM上に置き、前記アドレス変換テーブルを参照
することで、論理アドレスから物理アドレスを取得し、
不揮発性記憶装置の目的の領域にアクセスを行う制御方
法であって、前記不揮発性記憶装置を複数のエリアに分
割し、前記アドレス変換テーブルを前記エリア単位で生
成する制御方法においては、前記エリア単位で生成する
前記アドレス変換テーブルは、全て、アクセス履歴に基
づき、前記RAM上に生成する制御方法が提案されてい
る。
【0003】これは、前記不揮発性記憶装置の大容量化
に伴って、アドレス変換テーブルの記憶容量を増大する
ことを避け、当該アドレス変換テーブルの記憶容量を低
減しようとするものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
方法では、アクセス履歴次第で、FAT(FILE A
LLOCATION TABLE)のようなファイル管
理情報や、メモリ装置のシステム情報のように、アクセ
ス頻度の高い情報が格納されたエリアに対し、アドレス
変換テーブルの再生成が必要になる可能性があり、その
場合、アクセス速度が極端に低下する、という問題を有
していた。
【0005】本発明は、このような問題点を解決するも
ので、FATのようなファイル管理情報や、メモリ装置
のシステム情報のように、アクセス頻度の高い情報が格
納されたエリアに関し、アクセス速度を高速化すること
を目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明の不揮発性記憶装置の制御方法は、アドレス
変換テーブルをRAM上に置き、前記アドレス変換テー
ブルを参照することで、論理アドレスから物理アドレス
を取得し、不揮発性記憶装置の目的の領域にアクセスを
行う制御方法であって、前記不揮発性記憶装置を複数の
エリアに分割し、前記アドレス変換テーブルを前記エリ
ア単位で前記RAM上に生成し、前記エリア単位で生成
した前記アドレス変換テーブルのうち、少なくとも1つ
は常に前記RAM上に置き、少なくとも他の1つはアク
セス履歴に基づき前記RAM上に生成し、これらのアド
レス変換テーブルを参照することにより所定のアクセス
を行うものである。
【0007】これにより、アクセス頻度の高い情報が格
納された前記エリアに対しては、前記アドレス変換テー
ブルの再生成を必要としないため、アクセス速度を向上
することが可能となる。
【0008】また、第2の発明は、前記不揮発性記憶装
置に対する前記アドレス変換テーブルを前記アクセス履
歴に基づきRAM上に生成する手順として、前記RAM
上に存在する前記アドレス変換テーブルのうち、最も過
去にアクセスされた前記エリアに対応する前記アドレス
変換テーブルを前記RAM上から破棄し、その場所に次
のアクセス対象となるエリアのアドレス変換テーブルを
生成するものであり、再アクセスの可能性が高い直前に
アクセスされたエリアに対応するアドレス変換テーブル
を残すことにより、当該テーブルを使用する場合のアク
セス速度を向上することが可能となる。
【0009】また、第3の発明は、常にRAM上に置く
前記アドレス変換テーブルとして、前記不揮発性記憶装
置の複数のエリアのうち、ファイル管理情報が格納され
るエリアのアドレス変換テーブルを置くものであり、ア
クセス頻度の高い情報が格納されたエリアのアドレス変
換テーブルを常にRAM上に置くことにより、初期の目
的を達成することができることとなる。
【0010】また、第4の発明は、前述の発明における
不揮発性記憶装置の制御方法を実行するコントローラ
と、前記不揮発性記憶装置と、前記アドレス変換テーブ
ルを生成するRAMと、ホスト装置との間で相互認証を
実施する認証回路とを有するメモリ装置であって、前記
コントローラは、前記認証回路による相互認証の結果に
より、前記不揮発性記憶装置に存在する認証領域へのア
クセスを許可する機能を有しており、前記コントローラ
の実行により、前記認証領域のファイル管理情報、前記
相互認証に必要な鍵情報、前記メモリ装置のシステム情
報のうち少なくとも1つが格納される前記エリアの前記
アドレス変換テーブルを、常に前記RAM上に置くよう
に構成したものであり、ファイル管理情報、相互認証に
必要な鍵情報、メモリ装置のシステム情報等を有するメ
モリ装置において、アクセス速度が向上されたメモリ装
置とすることができることとなる。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態
におけるメモリ装置システムを示す説明図である。図1
において、1は不揮発性記憶装置、2はRAM、3はコ
ントローラ、4は認証回路、5はメモリ装置、6はホス
ト装置、7は不揮発性記憶装置インタフェース回路、8
はホストインタフェース回路、9はバッファである。
【0012】不揮発性記憶装置1は、読み出し、書き込
み、消去が可能な、電源を落としても記憶内容が保持さ
れる不揮発性の記憶装置であり、代表例として、フラッ
シュメモリ等が挙げられる。本実施形態では、不揮発性
記憶装置1は、エリア#0〜エリア#7の8つのエリア
に分割して扱われる。エリア#0には、ファイル管理情
報であるFAT(FILE ALLOCATION T
ABLE)が含まれる。また、エリア#7には、相互認
証の結果によりアクセス可能な認証領域(FATを含
む)、相互認証に必要な鍵情報、メモリ装置のシステム
情報が含まれる。
【0013】RAM2は、ランダムアクセス可能な記憶
装置であり、通常、SRAM等が使用される。本実施形
態では、RAM2は、4つのエリア分のアドレス変換テ
ーブルを格納する容量を有する。
【0014】コントローラ3は、不揮発性記憶装置1に
対する、読み出し、書き込み、消去等のアクセス制御を
行う。また、コントローラ3は、不揮発性記憶装置1を
複数のエリアに分割して扱い、エリア毎にアドレス変換
テーブルをRAM2上に生成する。
【0015】認証回路4は、ホストインタフェース回路
8を介し、ホスト装置6との間で相互認証を実施し、そ
の結果をコントローラ3に通知する。コントローラ3
は、相互認証の結果により、ホスト装置6に対し、不揮
発性記憶装置1に存在する認証領域へのアクセスを許可
する。
【0016】メモリ装置5は、不揮発性記憶装置1、R
AM2、コントローラ3、認証回路4、不揮発性記憶装
置インタフェース回路7、ホストインタフェース回路
8、バッファ9を具備し、ホストインタフェース回路8
を介してホスト装置6と通信を行い、不揮発性記憶装置
インタフェース回路7を介して不揮発性記憶装置1への
書き込みと、不揮発性記憶装置1に記憶されたデータの
読み出し、消去が行われる。このメモリ装置5は、カー
ド形状の場合、メモリカードとしてホスト装置6に対し
て着脱して利用されるものであるが、ホスト装置6を有
する機器に内蔵されている場合もある。
【0017】ホスト装置6は、メモリ装置5と通信を行
うことで、メモリ装置5に蓄積された記憶内容を、読み
出し、書き込み、消去する。
【0018】不揮発性記憶装置インタフェース回路7
は、コントローラ3の制御により、不揮発性記憶装置1
と直接やり取りを行い、コントローラ3の実行を受け
て、不揮発性記憶装置1に対し、バッファ9に存在する
データの書き込み、バッファ9へのデータ読み出し、消
去を実行する。ホストインタフェース回路8は、ホスト
装置6からの要求をコントローラ3へ伝え、ホスト装置
6からメモリ装置5への書き込みの際には、ホスト装置
6から転送されたデータをバッファ9へ格納し、メモリ
装置5からホスト装置6への読み出しの際には、ホスト
装置6へバッファ9に存在するデータを出力する。
【0019】バッファ9は、ホスト装置6から転送され
るデータ、ホスト装置6へ出力されるデータ、不揮発性
記憶装置1に書き込まれるデータ、不揮発性記憶装置1
から読み出されるデータが、コントローラ3の制御によ
り、一時的に格納される記憶領域である。
【0020】アドレス変換テーブルは、不揮発性記憶装
置1に、集中的に、もしくは、分散的に、格納されたア
ドレス情報を元に、RAM2上に、エリア毎に生成され
るものである。このアドレス変換テーブルには、不揮発
性記憶装置1の物理アドレスが格納され、論理アドレス
を決定すると、アドレス変換テーブルを参照すること
で、不揮発性記憶装置1の物理アドレスを取得すること
ができる。それは、例えば、アドレス変換テーブルの番
地を論理アドレスと見なし、各番地に、論理アドレスに
対応する、不揮発性記憶装置1の物理アドレスを格納す
ることで、可能となる。
【0021】本実施形態では、前述のように、RAM2
上に置くことができるアドレス変換テーブルの数は、ア
ドレス変換テーブル#0〜#3の4つであり、不揮発性
記憶装置1に存在する8つのエリア数と比較すると、不
足するため、本発明の制御方法が有効となる。ここで、
RAM2のサイズが限られる理由としては、チップ面積
の削減や、コストダウンや、システム内の資源が限定さ
れている場合がある、等が挙げられる。
【0022】コントローラ3が不揮発性記憶装置1にア
クセスする際には、該当するエリアに対応するRAM2
上のアドレス変換テーブルを参照し、目的の論理アドレ
スに対応する物理アドレスを取得し、不揮発性記憶装置
1に対し、取得した物理アドレスを指定し、不揮発性記
憶装置インタフェース回路7を介し、アクセスを行う。
【0023】ここで、アドレス変換テーブルを参照する
際、該当するエリアのアドレス変換テーブルがRAM2
上に存在しない場合があり得る。これは、RAM2が、
全てのエリアのアドレス変換テーブルを格納できる程、
十分なサイズではないためだが、その場合、コントロー
ラ3は、不揮発性記憶装置1に格納されたアドレス情報
を元に、該当するエリアのアドレス変換テーブルをRA
M2上に生成し、その上で、アドレス変換テーブルを参
照する。
【0024】このアドレス変換テーブルの生成の際、そ
の前にRAM2上に存在していた、1つの別エリアのア
ドレス変換テーブルは、RAM2上から内容が破棄され
るが、再びそのエリアのアドレス変換テーブルが必要と
なった場合には、不揮発性記憶装置1に格納されたアド
レス情報を元に、RAM2上に再生成される。
【0025】ここで、破棄されるアドレス変換テーブル
は、アクセス履歴に基づき、RAM2上に存在する最も
過去にアクセスされたエリアのアドレス変換テーブル
を、破棄する対象としており、再アクセスの可能性が最
も高い直前にアクセスされたエリアに対応するアドレス
変換テーブルを残すようにしている。
【0026】また、アクセス頻度が高いエリアに関して
は、破棄しないで、常にRAM2上にアドレス変換テー
ブルを置くようにしている。特に、FATのようなファ
イル管理情報や、メモリ装置のシステム情報が格納され
るエリアに関しては、たいていの場合、アクセス頻度が
高いことが知られており、これらのエリアのアドレス変
換テーブルを常にARM2上に置くことにより、全体と
して、アクセス速度を向上することが可能である。
【0027】本実施形態においては、コントローラ3
は、RAM2上に、アドレス変換テーブル#0として、
常にエリア#0のアドレス変換テーブルを置き、アドレ
ス変換テーブル#1〜#2には、アクセス履歴に基づ
き、エリア#1〜#6のいずれかのアドレス変換テーブ
ルを生成し、アドレス変換テーブル#3としては常にエ
リア#7のアドレス変換テーブルを置く。
【0028】この構成において、エリア#1〜#6に対
し、アクセスがあった場合、RAM2上に存在するアド
レス変換テーブル#1〜#2のいずれかが、アクセス対
象のエリアのものであればそれがそのまま参照される
が、アクセス対象のエリアのものでなければ、エリア#
1〜#6へのアクセス履歴に基づき、例えば最も過去に
アクセスされたエリアのアドレス変換テーブル#1〜#
2のいずれかの内容が破棄され、その場所に、アクセス
対象のエリアのアドレス変換テーブルが新たに生成され
る。
【0029】また、エリア#0、もしくは、エリア#7
に対し、アクセスがあった場合、エリア#0のアドレス
変換テーブルは、常にアドレス変換テーブル#0に置か
れ、エリア#7のアドレス変換テーブルは、常にアドレ
ス変換テーブル#3に置かれているため、それがそのま
ま参照され、アドレス変換テーブル再生成のオーバーヘ
ッド時間は必要としない。
【0030】ここで、エリア#0には、ファイル管理情
報であるFATが含まれ、エリア#7には、認証領域
(認証領域のFATを含む)、相互認証に必要な鍵情
報、メモリ装置5のシステム情報(属性情報、ID情
報、制御パラメータ、等)が含まれるため、エリア#
0、エリア#7は、ホスト装置6からのアクセス頻度が
高いことが知られている。本実施形態においては、エリ
ア#0、エリア#7のアドレス変換テーブルは、常にR
AM2上に存在するため、アドレス変換テーブルのRA
M2上への再生成を必要とせず、全体として、アクセス
速度の向上を図ることが可能である。
【0031】本実施形態では、図1において、不揮発性
記憶装置1上のエリア数は8つとしたが、それ以外のエ
リア数でも、本発明は有効である。
【0032】また、本実施形態では、図1において、R
AM2上に置くことができるアドレス変換テーブルの数
を4つとし、そのうち、常にRAM2上に置くアドレス
変換テーブルの数を2、アクセス履歴に基づき生成する
アドレス変換テーブルの数を2としたが、それぞれ、そ
れ以外の数においても、本発明は有効である。
【0033】
【発明の効果】以上のように本発明は、不揮発性記憶装
置を複数のエリアに分割し、アドレス変換テーブルを前
記エリア単位で生成し、前記エリア単位で生成した前記
アドレス変換テーブルのうち、少なくとも1つは、常に
前記RAM上に置き、少なくとも他の1つは、アクセス
履歴に基づき、前記RAM上に生成することにより、限
られたRAM容量でありながら、FATのようなファイ
ル管理情報や、メモリ装置のシステム情報のように、ア
クセス頻度の高い情報が格納されたエリアの前記アドレ
ス変換テーブルについては、常に前記RAM上に置くこ
とで、アクセス頻度の高い情報が格納されたエリアに対
しては、前記アドレス変換テーブルの再生成を必要とし
ない、アクセス速度を向上することができる、優れた不
揮発性記憶装置の制御方法及びメモリ装置を実現できる
ものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態におけるメモリ装置システム
を示す図
【符号の説明】
1 不揮発性記憶装置 2 RAM 3 コントローラ 4 認証回路 5 メモリ装置 6 ホスト装置 7 不揮発性記憶装置インタフェース回路 8 ホストインタフェース回路 9 バッファ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5B017 AA07 BA06 BB06 CA16 5B060 AB26 MM02 5B082 FA13 JA04

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アドレス変換テーブルをRAM上に置
    き、前記アドレス変換テーブルを参照することで、論理
    アドレスから物理アドレスを取得し、不揮発性記憶装置
    の目的の領域にアクセスを行う制御方法であって、 前記不揮発性記憶装置を複数のエリアに分割し、前記ア
    ドレス変換テーブルを前記エリア単位で前記RAM上に
    生成し、前記エリア単位で生成した前記アドレス変換テ
    ーブルのうち、少なくとも1つは常に前記RAM上に置
    き、少なくとも他の1つはアクセス履歴に基づき前記R
    AM上に生成し、これらのアドレス変換テーブルを参照
    することにより所定のアクセスを行うことを特徴とする
    不揮発性記憶装置の制御方法。
  2. 【請求項2】 前記不揮発性記憶装置に対する前記アド
    レス変換テーブルを前記アクセス履歴に基づきRAM上
    に生成する手順として、前記RAM上に存在する前記ア
    ドレス変換テーブルのうち、最も過去にアクセスされた
    前記エリアに対応する前記アドレス変換テーブルを前記
    RAM上から破棄し、その場所に次のアクセス対象とな
    るエリアのアドレス変換テーブルを生成することを特徴
    とする請求項1記載の不揮発性記憶装置の制御方法。
  3. 【請求項3】 常にRAM上に置く前記アドレス変換テ
    ーブルとして、前記不揮発性記憶装置の複数のエリアの
    うち、ファイル管理情報が格納されるエリアのアドレス
    変換テーブルを置くことを特徴とする請求項1または2
    記載の不揮発性記憶装置の制御方法。
  4. 【請求項4】 請求項1乃至3に記載の不揮発性記憶装
    置の制御方法を実行するコントローラと、前記不揮発性
    記憶装置と、前記アドレス変換テーブルを生成するRA
    Mと、ホスト装置との間で相互認証を実施する認証回路
    とを有するメモリ装置であって、 前記コントローラは、前記認証回路による相互認証の結
    果により、前記不揮発性記憶装置に存在する認証領域へ
    のアクセスを許可する機能を有しており、 前記コントローラの実行により、前記認証領域のファイ
    ル管理情報、前記相互認証に必要な鍵情報、前記メモリ
    装置のシステム情報のうち少なくとも1つが格納される
    前記エリアの前記アドレス変換テーブルを、常に前記R
    AM上に置くように構成したことを特徴とするメモリ装
    置。
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