RU2008102963A - Архитектура датчика изображения с применением одного или более устройств с плавающим затвором - Google Patents
Архитектура датчика изображения с применением одного или более устройств с плавающим затвором Download PDFInfo
- Publication number
- RU2008102963A RU2008102963A RU2008102963/09A RU2008102963A RU2008102963A RU 2008102963 A RU2008102963 A RU 2008102963A RU 2008102963/09 A RU2008102963/09 A RU 2008102963/09A RU 2008102963 A RU2008102963 A RU 2008102963A RU 2008102963 A RU2008102963 A RU 2008102963A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- semiconductor device
- floating gate
- floating
- gate
- exposure
- Prior art date
Links
- VJYFKVYYMZPMAB-UHFFFAOYSA-N ethoprophos Chemical compound CCCSP(=O)(OCC)SCCC VJYFKVYYMZPMAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 85
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims abstract 17
- 238000013500 data storage Methods 0.000 claims abstract 8
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/53—Control of the integration time
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
- H04N25/771—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising storage means other than floating diffusion
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N3/00—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages
- H04N3/10—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
- H04N3/14—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices
- H04N3/15—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices for picture signal generation
- H04N3/155—Control of the image-sensor operation, e.g. image processing within the image-sensor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
- G11C16/0408—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
1. Схема для использования в датчике изображения, содержащая: ! полупроводниковое устройство с плавающим затвором, которое содержит плавающий затвор, управляющий затвор, сток и исток; ! фоточувствительное полупроводниковое устройство, размещенное для экспозиции электромагнитному излучению от изображения; ! схему управления пикселя, соединенную, чтобы переводить упомянутое полупроводниковое устройство с плавающим затвором и упомянутое фоточувствительное полупроводниковое устройство во множество управляемых режимов, причем упомянутые управляемые режимы включают в себя ! режим стирания, в котором, по меньшей мере, часть электрического заряда удаляется с плавающего затвора, чтобы перевести полупроводниковое устройство с плавающим затвором в исходное состояние, ! режим экспозиции, в котором упомянутый плавающий затвор заряжается, по меньшей мере, частично под влиянием напряжения на контакте упомянутого фоточувствительного полупроводникового устройства, причем упомянутое напряжение на упомянутом контакте соответствует экспозиции упомянутого фоточувствительного полупроводникового устройства упомянутого электромагнитному излучению от упомянутого изображения. ! 2. Схема по п.1, в которой упомянутые управляемые режимы сверх того включают в себя режим сохранения данных, в котором заряд на упомянутом плавающем затворе упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором, полученный в течение упомянутого режима экспозиции, сохраняется на нем, несмотря на дальнейшую экспозицию упомянутого фоточувствительного полупроводникового устройства упомянутому электромагнитному излучению от упомян
Claims (28)
1. Схема для использования в датчике изображения, содержащая:
полупроводниковое устройство с плавающим затвором, которое содержит плавающий затвор, управляющий затвор, сток и исток;
фоточувствительное полупроводниковое устройство, размещенное для экспозиции электромагнитному излучению от изображения;
схему управления пикселя, соединенную, чтобы переводить упомянутое полупроводниковое устройство с плавающим затвором и упомянутое фоточувствительное полупроводниковое устройство во множество управляемых режимов, причем упомянутые управляемые режимы включают в себя
режим стирания, в котором, по меньшей мере, часть электрического заряда удаляется с плавающего затвора, чтобы перевести полупроводниковое устройство с плавающим затвором в исходное состояние,
режим экспозиции, в котором упомянутый плавающий затвор заряжается, по меньшей мере, частично под влиянием напряжения на контакте упомянутого фоточувствительного полупроводникового устройства, причем упомянутое напряжение на упомянутом контакте соответствует экспозиции упомянутого фоточувствительного полупроводникового устройства упомянутого электромагнитному излучению от упомянутого изображения.
2. Схема по п.1, в которой упомянутые управляемые режимы сверх того включают в себя режим сохранения данных, в котором заряд на упомянутом плавающем затворе упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором, полученный в течение упомянутого режима экспозиции, сохраняется на нем, несмотря на дальнейшую экспозицию упомянутого фоточувствительного полупроводникового устройства упомянутому электромагнитному излучению от упомянутого изображения.
3. Схема по п.1, в которой упомянутые управляемые режимы сверх того включают в себя режим чтения, в котором электрический ток между упомянутым истоком и стоком упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором детектируется в качестве индикатора заряда на упомянутом плавающем затворе.
4. Схема по п.2, в которой упомянутые управляемые режимы сверх того включают в себя режим чтения, в котором электрический ток между упомянутым истоком и стоком упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором детектируется в качестве индикатора заряда на упомянутом плавающем затворе.
5. Схема по п.1, в которой упомянутое фоточувствительное полупроводниковое устройство представляет собой фотодиод с анодом и катодом.
6. Схема по п.4, в которой упомянутое фоточувствительное полупроводниковое устройство представляет собой фотодиод с анодом и катодом.
7. Схема по п.6, в которой упомянутая схема управления пикселя содержит:
транзисторный переключатель, соединенный между упомянутым анодом и катодом упомянутого фотодиода, причем упомянутый транзисторный переключатель имеет контакт управления для выполнения управления состоянием проводимости упомянутого транзисторного переключателя;
диод, соединенный, чтобы снимать, по меньшей мере, часть заряда с упомянутого плавающего затвора упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором в ответ на сигнал стирания.
8. Схема по п.6, в которой упомянутая схема управления пикселя содержит:
полевой транзистор, имеющий управляющий затвор, сток, соединенный с упомянутым катодом упомянутого фотодиода, и исток, соединенный с упомянутым анодом упомянутого фотодиода, причем упомянутый исток упомянутого полевого транзистора и упомянутый анод упомянутого фотодиода сверх того соединены с упомянутым управляющим затвором упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором;
диод, имеющий анод, который соединен с упомянутым управляющим затвором упомянутого полупроводникового устройства.
9. Схема по п.8, в которой в упомянутом режиме стирания упомянутый переключатель полевого транзистора и упомянутое полупроводниковое устройство с плавающим затвором находятся в непроводящих состояниях, упомянутый фотодиод находится в состоянии исходного напряжения, а упомянутый плавающий затвор упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором разряжается через упомянутый диод.
10. Схема по п.8, в которой в упомянутом режиме экспозиции упомянутый переключатель полевого транзистора и упомянутый диод находятся в непроводящих состояниях, напряжение на катоде упомянутого фотодиода повышается до уровня напряжения экспозиции, а напряжение на упомянутом стоке и истоке упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором является достаточным для заряда упомянутого плавающего затвора под влиянием уровней напряжения на упомянутом аноде упомянутого фотодиода.
11. Схема по п.8, в которой в упомянутом режиме сохранения данных упомянутый переключатель полевого транзистора и упомянутый диод находятся в непроводящих состояниях, напряжение на катоде упомянутого фотодиода соответствует уровню напряжения сохранения, а цепь упомянутого истока упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором эффективным образом размыкается.
12. Схема по п.8, в которой в упомянутом режиме чтения на управляющем затворе упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором возбуждается предопределенное напряжения, а между упомянутым стоком и упомянутым истоком упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором протекает электрический ток, являющийся показателем заряда, накопленного на упомянутом плавающем затворе в течение упомянутого режима экспозиции.
13. Монолитный датчик изображения, сформированный в подложке, который содержит множество пикселей, причем один или более из упомянутого множества пикселей содержат:
полупроводниковое устройство с плавающим затвором, сформированное в упомянутой подложке, причем упомянутое полупроводниковое устройство с плавающим затвором содержит плавающий затвор, управляющий затвор, сток и исток;
фоточувствительное полупроводниковое устройство, сформированное в упомянутой подложке и размещенное для экспозиции электромагнитному излучению от изображения;
схему управления пикселя, сформированную в упомянутой подложке и соединенную, чтобы переводить упомянутое полупроводниковое устройство с плавающим затвором и упомянутое фоточувствительное полупроводниковое устройство во множество управляемых режимов, причем упомянутые управляемые режимы включают в себя
режим стирания, в котором, по меньшей мере, часть электрического заряда удаляется с плавающего затвора, чтобы перевести полупроводниковое устройство с плавающим затвором в исходное состояние,
режим экспозиции, в котором упомянутый плавающий затвор заряжается, по меньшей мере, частично под влиянием напряжения на контакте упомянутого фоточувствительного полупроводникового устройства, причем упомянутое напряжение на упомянутом контакте соответствует экспозиции упомянутого фоточувствительного полупроводникового устройства упомянутого электромагнитному излучению от упомянутого изображения.
14. Монолитный датчик изображения по п.13, в котором упомянутые управляемые режимы сверх того включают в себя режим сохранения данных, в котором заряд на упомянутом плавающем затворе упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором, полученный в течение упомянутого режима экспозиции, сохраняется на нем, несмотря на дальнейшую экспозицию упомянутого фоточувствительного полупроводникового устройства упомянутому электромагнитному излучению от упомянутого изображения.
15. Монолитный датчик изображения по п.13, в котором упомянутые управляемые режимы сверх того включают в себя режим чтения, в котором электрический ток между упомянутым истоком и стоком упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором детектируется в качестве индикатора заряда на упомянутом плавающем затворе.
16. Датчик изображения, который содержит множество сформированных в монолитной подложке пикселей, причем один или более из упомянутого множества пикселей содержат:
полупроводниковое устройство с плавающим затвором, которое содержит плавающий затвор, управляющий затвор, сток и исток;
фотодиод, размещенный для экспозиции электромагнитному излучению от изображения;
полевой транзистор, имеющий управляющий затвор, сток, соединенный с упомянутым катодом упомянутого фотодиода, и исток, соединенный с упомянутым анодом упомянутого фотодиода, причем упомянутый исток упомянутого полевого транзистора и упомянутый анод упомянутого фотодиода сверх того соединены с упомянутым управляющим затвором упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором;
диод, имеющий анод, который соединен с упомянутым управляющим затвором упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором.
17. Датчик изображения по п.16, способный работать в режиме стирания, в котором упомянутый переключатель полевого транзистора и упомянутое полупроводниковое устройство с плавающим затвором находятся в непроводящих состояниях, упомянутый фотодиод находится в состоянии исходного напряжения, а упомянутый плавающий затвор упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором разряжается через упомянутый диод.
18. Датчик изображения по п.16, способный работать в режиме экспозиции, в котором упомянутый переключатель полевого транзистора и упомянутый диод находятся в непроводящих состояниях, напряжение на катоде упомянутого фотодиода повышается до уровня напряжения экспозиции, а напряжение на упомянутом стоке и истоке упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором является достаточным для заряда упомянутого плавающего затвора под влиянием напряжения на упомянутом аноде упомянутого фотодиода.
19. Датчик изображения по п.16, способный работать в режиме сохранения данных, в котором упомянутый переключатель полевого транзистора и упомянутый диод находятся в непроводящих состояниях, напряжение на катоде упомянутого фотодиода понижается до уровня напряжения сохранения, а цепь упомянутого истока упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором эффективным образом размыкается.
20. Датчик изображения по п.18, способный работать в режиме чтения, в котором на упомянутом управляющем затворе упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором возбуждается предопределенное напряжение, а между упомянутым стоком и упомянутым истоком упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором протекает электрический ток, который является показателем заряда, полученного на упомянутом плавающем затворе в течение упомянутого режима экспозиции.
21. Цифровая камера, содержащая:
датчик изображения, содержащий матрицу пикселей, причем один или более из упомянутых пикселей включают в себя
полупроводниковое устройство с плавающим затвором, которое содержит плавающий затвор, управляющий затвор, сток и исток,
фоточувствительное полупроводниковое устройство, размещенное для экспозиции электромагнитному излучению от изображения;
схему управления пикселя, соединенную, чтобы переводить упомянутое полупроводниковое устройство с плавающим затвором и упомянутое фоточувствительное полупроводниковое устройство во множество управляемых режимов, причем упомянутое множество управляемых режимов включает в себя
режим стирания, в котором, по меньшей мере, часть электрического заряда удаляется с плавающего затвора, чтобы перевести полупроводниковое устройство с плавающим затвором в исходное состояние для экспозиции упомянутому электромагнитному излучению,
режим экспозиции, в котором упомянутый плавающий затвор заряжается, по меньшей мере, частично под влиянием напряжения на контакте упомянутого фоточувствительного полупроводникового устройства, причем упомянутое напряжение на упомянутом контакте соответствует экспозиции упомянутого фоточувствительного полупроводникового устройства упомянутого электромагнитному излучению от упомянутого изображения, и
режим чтения, в котором на упомянутом управляющем затворе упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором возбуждается предопределенное напряжение, а между упомянутым стоком и упомянутым истоком упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором протекает электрический ток, который является показателем заряда, полученного на упомянутом плавающем затворе в течение упомянутого режима экспозиции;
схему считывания датчика изображения, соединенную, чтобы получать данные изображения из каждого из упомянутых пикселей в течение упомянутого режима чтения;
устройство захвата кадра, соединенное, чтобы упорядочивать данные изображения, полученные путем считывания упомянутого датчика изображения, в кадр изображения.
22. Цифровая камера по п.21, в которой упомянутые управляемые режимы сверх того включают в себя режим сохранения данных, в котором заряд на упомянутом плавающем затворе упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором, полученный в течение упомянутого режима экспозиции, сохраняется на нем, несмотря на дальнейшую экспозицию упомянутого фоточувствительного полупроводникового устройства упомянутому электромагнитному излучению от упомянутого изображения.
23. Способ работы пикселя в датчике изображения, причем упомянутый пиксель состоит из полупроводникового устройства с плавающим затвором, которое содержит плавающий затвор, управляющий затвор, сток и исток, и фоточувствительного полупроводникового устройства, расположенного для экспозиции электромагнитному излучению от изображения, при этом упомянутый способ содержит этапы, на которых:
переводят упомянутое полупроводниковое устройство с плавающим затвором и упомянутое фоточувствительное полупроводниковое устройство в режим стирания, в котором, по меньшей мере, часть электрического заряда удаляется с упомянутого плавающего затвора, чтобы перевести упомянутое полупроводниковое устройство с плавающим затвором в исходное состояние для экспозиции упомянутому электромагнитному излучению; и
переводят упомянутое полупроводниковое устройство с плавающим затвором и упомянутое фоточувствительное полупроводниковое устройство в режим экспозиции, в котором упомянутый плавающий затвор заряжается, по меньшей мере, частично под влиянием напряжения на контакте упомянутого фоточувствительного полупроводникового устройства, причем упомянутое напряжение на упомянутом контакте соответствует экспозиции упомянутого фоточувствительного полупроводникового устройства упомянутому электромагнитному излучению от упомянутого изображения.
24. Способ по п.23, который сверх того содержит этап, на котором переводят упомянутое полупроводниковое устройство с плавающим затвором и упомянутое фоточувствительное полупроводниковое устройство в режим сохранения данных, в котором заряд на упомянутом плавающем затворе упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором, полученный в течение упомянутого режима экспозиции, сохраняется на нем, несмотря на дальнейшую экспозицию упомянутого фоточувствительного полупроводникового устройства упомянутому электромагнитному излучению от упомянутого изображения.
25. Способ по п.23 сверх того содержащий этапы, на которых:
переводят упомянутое полупроводниковое устройство с плавающим затвором и фоточувствительное полупроводниковое устройство в режим чтения, в котором между упомянутым истоком и упомянутым стоком упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором протекает электрический ток, который является показателем заряда на упомянутом плавающем затворе; и
воспринимают упомянутый электрический ток между упомянутым истоком и стоком упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором.
26. Способ по п.23, в котором упомянутое фоточувствительное полупроводниковое устройство является фотодиодом, который содержит анод и катод, и в котором упомянутый пиксель сверх того содержит полевой транзистор, имеющий управляющий затвор, сток, соединенный с упомянутым катодом упомянутого фотодиода, и исток, соединенный с упомянутым анодом упомянутого фотодиода, причем упомянутый исток упомянутого полевого транзистора и упомянутый анод упомянутого фотодиода сверх того соединены с упомянутым управляющим затвором упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором, причем пиксели сверх того содержат диод, имеющий анод, который соединен с упомянутым управляющим затвором упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором, причем этап переведения упомянутого пикселя в режим стирания содержит подэтапы, на которых:
переводят упомянутый переключатель полевого транзистора и упомянутое полупроводниковое устройство с плавающим затвором в непроводящие состояния;
переводят упомянутый фотодиод в состояние исходного напряжения и
по меньшей мере, частично разряжают упомянутый плавающий затвор упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором через упомянутый диод.
27. Способ по п.26, в котором этап перевода упомянутого пикселя в упомянутый режим экспозиции содержит подэтапы, на которых:
переводят упомянутый переключатель полевого транзистора и упомянутый диод в непроводящие состояния;
возбуждают на упомянутом катоде упомянутого фотодиода уровень напряжения экспозиции и
повышают напряжение на упомянутом стоке и истоке упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором до напряжения, которое достаточно, чтобы зарядить упомянутый плавающий затвор под влиянием уровней напряжения на упомянутом аноде упомянутого фотодиода.
28. Способ по п.27, в котором этап перевода упомянутого пикселя в упомянутый режим сохранения данных содержит подэтапы, на которых:
переводят упомянутый переключатель полевого транзистора и упомянутый диод в непроводящие состояния, возбуждая на упомянутом катоде упомянутого фотодиода уровень напряжения сохранения, и
переводят цепь упомянутого истока упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором в эффективно разомкнутое состояние.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11/168,945 US7508434B2 (en) | 2005-06-28 | 2005-06-28 | Image sensor architecture employing one or more floating gate devices |
| US11/168,945 | 2005-06-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2008102963A true RU2008102963A (ru) | 2009-08-10 |
| RU2418383C2 RU2418383C2 (ru) | 2011-05-10 |
Family
ID=36972838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008102963/09A RU2418383C2 (ru) | 2005-06-28 | 2006-05-23 | Архитектура датчика изображения с применением одного или более устройств с плавающим затвором |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7508434B2 (ru) |
| EP (1) | EP1908278B1 (ru) |
| JP (1) | JP4554560B2 (ru) |
| KR (1) | KR101235537B1 (ru) |
| CN (1) | CN101263708B (ru) |
| BR (1) | BRPI0612562A2 (ru) |
| CA (1) | CA2612194C (ru) |
| RU (1) | RU2418383C2 (ru) |
| TW (1) | TWI398162B (ru) |
| WO (1) | WO2007001688A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2488190C1 (ru) * | 2010-11-16 | 2013-07-20 | Кэнон Кабусики Кайся | Твердотельный датчик изображения, способ его производства и система формирования изображения |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7652699B2 (en) * | 2005-08-30 | 2010-01-26 | Motorola, Inc. | Color image sensor with tunable color filter |
| US7884869B2 (en) * | 2007-04-30 | 2011-02-08 | Motorola Mobility, Inc. | Assignment of pixel element exposure times in digital camera modules and mobile communication devices |
| US9077916B2 (en) * | 2009-01-16 | 2015-07-07 | Dual Aperture International Co. Ltd. | Improving the depth of field in an imaging system |
| WO2010094233A1 (zh) * | 2009-02-18 | 2010-08-26 | 南京大学 | 复合介质栅mosfet光敏探测器及其信号读取方法 |
| US20140035069A1 (en) * | 2011-06-04 | 2014-02-06 | Avalanche Technology Inc. | Field effect transistor having a trough channel |
| CN102572323B (zh) * | 2011-12-28 | 2014-12-10 | 中国科学院上海高等研究院 | 图像传感器像素电路 |
| CN103024301B (zh) * | 2013-01-11 | 2015-10-28 | 清华大学 | 浮栅型图像传感器的成像方法 |
| US9420176B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-08-16 | Omnivision Technologies, Inc. | 360 degree multi-camera system |
| CN105578084B (zh) * | 2015-12-28 | 2018-12-18 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种3t cmos像素单元结构及其信号采集方法 |
| CN110099231B (zh) * | 2019-05-17 | 2021-12-28 | Oppo广东移动通信有限公司 | 一种有源像素图像传感器及图像处理方法、存储介质 |
| CN110233980B (zh) * | 2019-06-27 | 2021-11-02 | Oppo广东移动通信有限公司 | 一种有源像素图像传感器及图像处理方法、存储介质 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06215593A (ja) | 1993-01-20 | 1994-08-05 | Rohm Co Ltd | 光記憶装置 |
| US6166768A (en) * | 1994-01-28 | 2000-12-26 | California Institute Of Technology | Active pixel sensor array with simple floating gate pixels |
| US5625210A (en) * | 1995-04-13 | 1997-04-29 | Eastman Kodak Company | Active pixel sensor integrated with a pinned photodiode |
| US5608243A (en) * | 1995-10-19 | 1997-03-04 | National Semiconductor Corporation | Single split-gate MOS transistor active pixel sensor cell with automatic anti-blooming and wide dynamic range |
| JP3559640B2 (ja) * | 1996-02-27 | 2004-09-02 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| US6049483A (en) * | 1998-08-11 | 2000-04-11 | Texas Instruments Incorporated | Nonvolatile memory device having program and/or erase voltage clamp |
| US6879340B1 (en) | 1998-08-19 | 2005-04-12 | Micron Technology Inc. | CMOS imager with integrated non-volatile memory |
| JP2001085660A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-03-30 | Toshiba Corp | 固体撮像装置及びその制御方法 |
| JP4040261B2 (ja) * | 2001-03-22 | 2008-01-30 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置とその駆動方法 |
| JP2003101005A (ja) | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Citizen Watch Co Ltd | 固体撮像装置 |
| US7372495B2 (en) * | 2002-08-23 | 2008-05-13 | Micron Technology, Inc. | CMOS aps with stacked avalanche multiplication layer and low voltage readout electronics |
| JP4183464B2 (ja) | 2002-09-20 | 2008-11-19 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置とその駆動方法 |
| US6974943B2 (en) * | 2003-07-22 | 2005-12-13 | Omnivision Technologies, Inc. | Active pixel cell using negative to positive voltage swing transfer transistor |
| US6972995B1 (en) * | 2004-04-09 | 2005-12-06 | Eastman Kodak Company | Imaging cell with a non-volatile memory that provides a long integration period and method of operating the imaging cell |
-
2005
- 2005-06-28 US US11/168,945 patent/US7508434B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-05-23 CN CN2006800234949A patent/CN101263708B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-05-23 CA CA2612194A patent/CA2612194C/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-05-23 RU RU2008102963/09A patent/RU2418383C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2006-05-23 EP EP06760263A patent/EP1908278B1/en not_active Not-in-force
- 2006-05-23 KR KR1020077030895A patent/KR101235537B1/ko active IP Right Grant
- 2006-05-23 BR BRPI0612562-0A patent/BRPI0612562A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2006-05-23 WO PCT/US2006/019724 patent/WO2007001688A1/en active Application Filing
- 2006-06-19 JP JP2006168874A patent/JP4554560B2/ja active Active
- 2006-06-28 TW TW095123359A patent/TWI398162B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2488190C1 (ru) * | 2010-11-16 | 2013-07-20 | Кэнон Кабусики Кайся | Твердотельный датчик изображения, способ его производства и система формирования изображения |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101235537B1 (ko) | 2013-02-21 |
| KR20080038282A (ko) | 2008-05-06 |
| US20060290798A1 (en) | 2006-12-28 |
| US7508434B2 (en) | 2009-03-24 |
| CN101263708B (zh) | 2011-12-28 |
| EP1908278B1 (en) | 2013-03-27 |
| JP2007013953A (ja) | 2007-01-18 |
| RU2418383C2 (ru) | 2011-05-10 |
| BRPI0612562A2 (pt) | 2010-11-23 |
| CA2612194A1 (en) | 2007-01-04 |
| TWI398162B (zh) | 2013-06-01 |
| WO2007001688A1 (en) | 2007-01-04 |
| CN101263708A (zh) | 2008-09-10 |
| CA2612194C (en) | 2014-07-08 |
| JP4554560B2 (ja) | 2010-09-29 |
| TW200731787A (en) | 2007-08-16 |
| EP1908278A1 (en) | 2008-04-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2008102963A (ru) | Архитектура датчика изображения с применением одного или более устройств с плавающим затвором | |
| KR102302596B1 (ko) | 이진 cmos 이미지 센서, 이의 동작 방법, 및 이를 포함하는 이미지 처리 장치 | |
| US7462834B2 (en) | Radiation image pickup apparatus | |
| CN110012244B (zh) | 固态图像传感器、摄像设备和摄像方法 | |
| JP6308018B2 (ja) | 放射線画像撮影装置 | |
| CN101835003B (zh) | 固体摄像装置、固体摄像装置的驱动方法以及电子设备 | |
| KR20040069183A (ko) | 화상 픽업 장치 및 카메라 시스템 | |
| US20020085106A1 (en) | Mehtod and apparatus for increasing retention time in image sensors having an electronic shutter | |
| JP2000046646A5 (ru) | ||
| JP2008252074A (ja) | 光電変換装置及び光電変換システム並びにその駆動方法 | |
| US20070152133A1 (en) | Image sensor array with ferroelectric elements and method therefor | |
| US7710481B2 (en) | Image sensor architecture employing one or more non-volatile memory cells | |
| US11451730B2 (en) | Image sensor using a global shutter and method for controlling same | |
| US6414300B1 (en) | Circuit with a sensor and non-volatile memory having a ferroelectric dielectric capacitor | |
| US5864726A (en) | Device for controlling operation of electro-developing type camera | |
| US6972995B1 (en) | Imaging cell with a non-volatile memory that provides a long integration period and method of operating the imaging cell | |
| JP2010056475A (ja) | 固体撮像素子及び撮像装置 | |
| JP2021179396A (ja) | 放射線検出器 | |
| KR20090117513A (ko) | 디지털 ｘ선 검출기의 고전압 전원 제공 장치 및 방법 | |
| JP2006030855A (ja) | 制御装置および方法、記録媒体、プログラム、並びに入出力装置 | |
| JP2021179395A (ja) | 放射線検出器 | |
| JP2020039083A (ja) | 放射線検出器 | |
| JP2010087633A (ja) | 撮像装置及び固体撮像素子の駆動方法 | |
| JPH0321960A (ja) | 画像形成装置 | |
| JP2010103233A (ja) | 固体撮像素子及び撮像装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PC41 | Official registration of the transfer of exclusive right |
Effective date: 20120626 |
|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20160524 |