RU2007104786A - Полупроводниковый детектор излучения с модифицированной структурой внутреннего затвора - Google Patents

Полупроводниковый детектор излучения с модифицированной структурой внутреннего затвора Download PDF

Info

Publication number
RU2007104786A
RU2007104786A RU2007104786/28A RU2007104786A RU2007104786A RU 2007104786 A RU2007104786 A RU 2007104786A RU 2007104786/28 A RU2007104786/28 A RU 2007104786/28A RU 2007104786 A RU2007104786 A RU 2007104786A RU 2007104786 A RU2007104786 A RU 2007104786A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
semiconductor
layer
detector according
doping
semiconductor detector
Prior art date
Application number
RU2007104786/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2376678C2 (ru
Inventor
Артто АУРОЛА (FI)
Артто АУРОЛА
Original Assignee
Артто АУРОЛА (FI)
Артто АУРОЛА
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from PCT/FI2004/000492 external-priority patent/WO2006018470A1/en
Priority claimed from FI20041479A external-priority patent/FI20041479A/fi
Application filed by Артто АУРОЛА (FI), Артто АУРОЛА filed Critical Артто АУРОЛА (FI)
Publication of RU2007104786A publication Critical patent/RU2007104786A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2376678C2 publication Critical patent/RU2376678C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14679—Junction field effect transistor [JFET] imagers; static induction transistor [SIT] imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1464—Back illuminated imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14681—Bipolar transistor imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H01L27/14806—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14812—Special geometry or disposition of pixel-elements, address lines or gate-electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/112—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/115—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Claims (27)

1. Полупроводниковый детектор излучения, содержащий проводящий тыльный слой (102) и объемный слой (103) полупроводникового материала, отличающийся тем, что на поверхности объемного слоя (103), противоположной проводящему тыльному слою (102), указанный детектор содержит в следующем порядке:
слой (104) модифицированного внутреннего затвора из полупроводникового материала с проводимостью второго типа,
барьерный слой (105) из полупроводникового материала с проводимостью первого типа, и
области (111, 112, 506, 511, 512) легирования элементов изображения из полупроводникового материала с проводимостью второго типа, выполненные с возможностью подключения к напряжению элементов изображения, по меньшей мере, одной величины для формирования элементов изображения, соответствующих указанным областям легирования, при этом в качестве указанного напряжения элементов изображения выбрана разность потенциалов между областями легирования и проводящим тыльным слоем (102).
2. Полупроводниковый детектор по п.1, отличающийся тем, что слой (104) модифицированного внутреннего затвора и барьерный слой (105) выполнены сплошными на протяжении всей активной зоны, содержащей матрицу областей (111, 112, 506, 511, 512) легирования элементов изображения.
3. Полупроводниковый детектор по п.1, отличающийся тем, что слой (104) модифицированного внутреннего затвора представляет собой слой, полученный ионной имплантацией в материал объемного слоя (103), а барьерный слой (105) представляет собой эпитаксиальный слой, полученный эпитаксиальным выращиванием поверх слоя (104) модифицированного внутреннего затвора.
4. Полупроводниковый детектор по п.3, отличающийся тем, что области (111, 112, 506, 511, 512) легирования элементов изображения содержат участки эпитаксиального слоя (105), полученные ионной имплантацией примеси, которая придает областям (111, 112) легирования проводимость второго типа.
5. Полупроводниковый детектор по п.1, отличающийся тем, что ряд областей (111, 112, 506, 511, 512) легирования элементов изображения содержит специфичный для элемента изображения транзистор, построенный на области легирования элемента изображения, причем указанный транзистор представляет собой полевой или биполярный транзистор, а полупроводниковый детектор излучения содержит схему считывания сигнальных зарядов, выполненную с возможностью измерения электрических характеристик специфичных для элементов изображения транзисторов, связанных с эффективным размером канала или базы указанных транзисторов.
6. Полупроводниковый детектор по п.5, отличающийся тем, что схема считывания сигнальных зарядов выполнена с возможностью измерения электрических характеристик специфичного для элемента изображения транзистора, связанных с уменьшением ширины канала или базы, вызванным дырками или электронами, которые индуцированы излучением и накапливаются в слое модифицированного внутреннего затвора в том месте, которое совпадает с элементом изображения, содержащим указанный специфичный для элемента изображения транзистор.
7. Полупроводниковый детектор по п.5, отличающийся тем, что схема считывания сигнальных зарядов выполнена с возможностью измерения электрических характеристик специфичного для элемента изображения транзистора, связанных с увеличением ширины канала или базы, вызванным электронами или дырками, которые индуцированы излучением и накапливаются в слое модифицированного внутреннего затвора в том месте, которое совпадает с элементом изображения, содержащим указанный специфичный для элемента изображения транзистор.
8. Полупроводниковый детектор по п.1, отличающийся тем, что содержит активную зону в части полупроводникового кристалла, причем активная зона содержит области (111, 112, 506, 511, 512) легирования элементов изображения, и контакт (821, 825, 1030, 1210) на фронтальной стороне для передачи напряжения смещения в полупроводниковый детектор излучения, при этом указанный контакт (821, 825, 1030, 1210) расположен на участке между указанной активной зоной и краем полупроводникового кристалла.
9. Полупроводниковый детектор по п.8, отличающийся тем, что указанный контакт (821, 825) содержит структуру с канавкой, доходящей до объемного слоя (103).
10. Полупроводниковый детектор по п.9, отличающийся тем, что содержит ряд отдельных структур (822, 823, 824) с канавками между указанным контактом (821) и активной зоной.
11. Полупроводниковый детектор по п.1, отличающийся тем, что между элементами изображения предусмотрены каналоограничивающие области (115, 116, 515, 516) легирования, которые выполнены с возможностью нахождения в плавающем состоянии или под потенциалом смещения.
12. Полупроводниковый детектор по п.11, отличающийся тем, что каналоограничивающие области (115, 116, 515, 516) легирования имеют проводимость первого типа, а именно проводимость противоположного типа по сравнению с элементами изображения.
13. Полупроводниковый детектор по п.1, отличающийся тем, что между элементами изображения предусмотрены плавающие или смещенные МОП-структуры.
14. Полупроводниковый детектор по п.1, отличающийся тем, что содержит активную зону в части полупроводникового кристалла, причем активная зона содержит области (111, 112, 506, 511, 512) легирования элементов изображения, и тыльный контакт, ведущий к тыльному слою (102) для передачи напряжения смещения в полупроводниковый детектор излучения, при этом тыльный контакт расположен на участке между указанной активной зоной и краем полупроводникового кристалла.
15. Полупроводниковый детектор по п.1, отличающийся тем, что содержит выступ (1510, 1710, 1810, 3010, 3210, 3310) области легирования элемента изображения или ионно-имплантированной примеси внутри области легирования элемента изображения, причем указанный выступ увеличивает размер области легирования элемента изображения или ионно-имплантированной примеси в направлении слоя (104) модифицированного внутреннего затвора.
16. Полупроводниковый детектор по п.1, отличающийся тем, что содержит локальную область (1504) с увеличенной концентрацией легирующей примеси в слое (104) модифицированного внутреннего затвора.
17. Полупроводниковый детектор по п.1, отличающийся тем, что содержит вариации уровня легирования барьерного слоя (105).
18. Полупроводниковый детектор по п.5, отличающийся тем, что исток полевого транзистора или эмиттер биполярного транзистора выполнены плавающими.
19. Полупроводниковый детектор по п.5, отличающийся тем, что плавающий исток полевого транзистора или плавающий эмиттер биполярного транзистора подключены к конденсатору.
20. Полупроводниковый детектор по п.1, отличающийся тем, что содержит плавающие или смещенные дополнительные области (811, 814, 815, 819, 1020, 1115) легирования с проводимостью первого или второго типа или с проводимостью обоих типов вне активной зоны, которая содержит матрицу областей (111, 112, 506, 511, 512) легирования элементов изображения.
21. Полупроводниковый детектор по п.20, отличающийся тем, что дополнительные области (811, 814, 815, 819, 1020, 1115) легирования снабжены электронными схемами считывания и выборки.
22. Полупроводниковый детектор по п.1, отличающийся тем, что содержит слои (104, 105), полученные ионной имплантацией.
23. Полупроводниковый детектор по п.1, отличающийся тем, что содержит слой (506), полученный ионной имплантацией.
24. Полупроводниковый детектор по п.22 или 23, отличающийся тем, что ионная имплантация представляет собой безмасочную сплошную ионную имплантацию.
25. Способ регистрации излучения, состоящий в подключении ряда элементов (111, 511) изображения на поверхности полупроводникового детектора излучения к напряжению элементов изображения, и освещении излучением указанного полупроводникового детектора, отличающийся тем, что содержит операции:
накопления сигнальных зарядов первого типа, индуцированных излучением, из объемного слоя (103) полупроводникового детектора излучения в локальных минимумах трехмерной функции распределения потенциалов для указанных сигнальных зарядов первого типа, причем указанные локальные минимумы по расположению совпадают с элементами (111) изображения в слое (104) модифицированного внутреннего затвора, расположенном рядом с объемным слоем (103), и
измерения величины сигнальных зарядов, накопленных в локальных минимумах, которые совпадают с элементами (111) изображения.
26. Способ по п.25, отличающийся тем, что при измерении величины сигнальных зарядов наблюдают электрические характеристики специфичных для элементов изображения транзисторов, связанные с эффективными размерами канала или базы указанных транзисторов.
27. Способ по п.25, отличающийся тем, что при измерении величины сигнальных зарядов передают связанный с элементом изображения заряд через ряд элементов изображения к считывающему элементу изображения, и наблюдают электрические характеристики указанного считывающего элемента изображения.
RU2007104786/28A 2004-08-20 2005-08-22 Полупроводниковый детектор излучения с модифицированной структурой внутреннего затвора RU2376678C2 (ru)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FIPCT/FI2004/000492 2004-08-20
PCT/FI2004/000492 WO2006018470A1 (en) 2004-08-20 2004-08-20 Semiconductor radiation detector with a modified internal gate structure
FI20041479A FI20041479A (fi) 2004-11-17 2004-11-17 Muunnettu puolijohdeajautumisilmaisin
FI20041479 2004-11-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2007104786A true RU2007104786A (ru) 2008-09-27
RU2376678C2 RU2376678C2 (ru) 2009-12-20

Family

ID=35907245

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2007104786/28A RU2376678C2 (ru) 2004-08-20 2005-08-22 Полупроводниковый детектор излучения с модифицированной структурой внутреннего затвора

Country Status (10)

Country Link
US (1) US7816653B2 (ru)
EP (2) EP1790011A4 (ru)
JP (1) JP5081621B2 (ru)
KR (1) KR101143346B1 (ru)
AU (1) AU2005273818B2 (ru)
CA (1) CA2577198C (ru)
IL (1) IL181187A (ru)
MX (1) MX2007002133A (ru)
RU (1) RU2376678C2 (ru)
WO (1) WO2006018477A1 (ru)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1969632A4 (en) * 2006-01-05 2012-07-04 Artto Aurola SEMICONDUCTOR RADIATION DETECTOR DETECTING VISIBLE LIGHT
US8148760B2 (en) * 2006-01-05 2012-04-03 Artto Aurola Visible light detecting semiconductor radiation detector
WO2007077286A1 (en) * 2006-01-05 2007-07-12 Artto Aurola Semiconductor radiation detector detecting visible light
DE102007017640B3 (de) * 2007-04-13 2008-09-04 MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Halbleiterdetektor und zugehöriges Betriebsverfahren
DE102007048890B3 (de) 2007-10-11 2009-03-19 MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. DEPFET-Transistor mit großem Dynamikbereich und Halbleiterdetektor
GB2466502B (en) * 2008-12-23 2013-09-04 E2V Tech Uk Ltd CCD Sensor
US8481380B2 (en) * 2010-09-23 2013-07-09 International Business Machines Corporation Asymmetric wedge JFET, related method and design structure
DE102011003454A1 (de) * 2011-02-01 2012-08-02 Siemens Aktiengesellschaft Strahlungsdirektkonverter, Strahlungsdetektor, medizintechnisches Gerät und Verfahren zum Erzeugen eines Strahlungsdirektkonverters
JP5766062B2 (ja) * 2011-08-05 2015-08-19 キヤノン株式会社 軟ｘ線検出装置、及び軟ｘ線検出システム
DE102011115656B4 (de) * 2011-09-28 2014-10-16 Pnsensor Gmbh Halbleiterdetektor mit einem Zwischenspeicher für Signalladungsträger und entsprechendes Betriebsverfahren
US8742522B2 (en) 2012-04-10 2014-06-03 Ev Products, Inc. Method of making a semiconductor radiation detector
US9040929B2 (en) 2012-07-30 2015-05-26 International Business Machines Corporation Charge sensors using inverted lateral bipolar junction transistors
CN104756480B (zh) * 2012-10-30 2018-09-21 卡尔斯特里姆保健公司 用于数字放射影像检测器的电荷注入补偿
EP3489328A1 (en) * 2012-11-14 2019-05-29 Koninklijke Philips N.V. Scintillator material
US9123837B2 (en) * 2013-05-31 2015-09-01 Oxford Instruments Analytical Oy Semiconductor detector with radiation shield
EP3066689B1 (en) * 2013-11-04 2020-07-08 Artto Aurola Improved semiconductor radiation detector
GB201421512D0 (en) * 2014-12-03 2015-01-14 Melexis Technologies Nv A semiconductor pixel unit for simultaneously sensing visible light and near-infrared light, and a semiconductor sensor comprising same
FI20150334A (fi) * 2015-01-14 2016-07-15 Artto Mikael Aurola Paranneltu puolijohdekokoonpano
US9812489B2 (en) * 2015-11-09 2017-11-07 Semiconductor Components Industries, Llc Pixels with photodiodes formed from epitaxial silicon
DE102016120909A1 (de) * 2016-11-02 2018-05-03 Universität Duisburg-Essen Feldeffekttransistor in einer Open-Gate-FET-Schaltung
GB201703785D0 (en) * 2017-03-09 2017-04-26 Univ Bristol Radiation detector
EP3683837B1 (en) 2019-01-16 2022-04-27 STMicroelectronics (Research & Development) Limited Optical sensor and apparatus comprising an optical sensor
DE102019206494A1 (de) * 2019-05-06 2020-11-12 MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. DEPFET-Transistor und Verfahren zur Herstellung eines DEPFET- Transistors
US11978790B2 (en) 2020-12-01 2024-05-07 Texas Instruments Incorporated Normally-on gallium nitride based transistor with p-type gate
KR102535002B1 (ko) * 2021-04-23 2023-05-26 주식회사 키파운드리 Cmos 공정 기반의 홀 센서를 포함하는 반도체 소자 및 그 제조 방법
DE112022003425T5 (de) * 2021-07-06 2024-04-18 Riken Lichtempfangselement, röntgenbildgebungselement und elektronische einrichtung

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4053335A (en) * 1976-04-02 1977-10-11 International Business Machines Corporation Method of gettering using backside polycrystalline silicon
JPS55124259A (en) * 1979-03-19 1980-09-25 Semiconductor Res Found Semiconductor device
JPS56165473A (en) * 1980-05-24 1981-12-19 Semiconductor Res Found Semiconductor pickup device
JPS5724577A (en) * 1980-07-21 1982-02-09 Semiconductor Res Found Manufacture of solid state image pick up device
JPS5813079A (ja) * 1981-07-16 1983-01-25 Olympus Optical Co Ltd イメ−ジセンサ
JPS59108468A (ja) * 1982-12-14 1984-06-22 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置
US4639753A (en) * 1984-04-19 1987-01-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device
JPS61214465A (ja) * 1985-03-19 1986-09-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置
NL8900343A (nl) 1989-02-13 1990-09-03 Univ Delft Tech Plaatsgevoelige stralingsdetector.
DE4331391A1 (de) 1993-09-15 1995-03-16 Josef Dr Kemmer Halbleiter(detektor)struktur
US5670817A (en) * 1995-03-03 1997-09-23 Santa Barbara Research Center Monolithic-hybrid radiation detector/readout
US5712498A (en) * 1996-08-26 1998-01-27 Massachusetts Institute Of Technology Charge modulation device
AU5354698A (en) 1996-11-01 1998-05-29 Lawrence Berkeley Laboratory Low-resistivity photon-transparent window attached to photo-sensitive silicon detector
US6259085B1 (en) * 1996-11-01 2001-07-10 The Regents Of The University Of California Fully depleted back illuminated CCD
US6278142B1 (en) * 1999-08-30 2001-08-21 Isetex, Inc Semiconductor image intensifier
JP4571267B2 (ja) * 2000-04-04 2010-10-27 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器
WO2001082382A1 (en) * 2000-04-20 2001-11-01 Digirad Corporation Fabrication of low leakage-current backside illuminated photodiodes
US6541836B2 (en) * 2001-02-21 2003-04-01 Photon Imaging, Inc. Semiconductor radiation detector with internal gain
JP3722367B2 (ja) * 2002-03-19 2005-11-30 ソニー株式会社 固体撮像素子の製造方法
US6586789B1 (en) * 2002-10-07 2003-07-01 Lixin Zhao Pixel image sensor
FI20040966A (fi) 2004-07-09 2006-01-10 Artto Aurola Pinta-akkumulaatiorakenne säteilydetektoria varten

Also Published As

Publication number Publication date
EP1790011A4 (en) 2011-01-05
CA2577198C (en) 2016-06-21
US7816653B2 (en) 2010-10-19
RU2376678C2 (ru) 2009-12-20
AU2005273818B2 (en) 2010-09-23
AU2005273818A1 (en) 2006-02-23
EP2950346A3 (en) 2016-03-16
EP2950346A2 (en) 2015-12-02
IL181187A0 (en) 2007-07-04
EP1790011A1 (en) 2007-05-30
JP2008511132A (ja) 2008-04-10
KR20070044026A (ko) 2007-04-26
CA2577198A1 (en) 2006-02-23
JP5081621B2 (ja) 2012-11-28
WO2006018477A1 (en) 2006-02-23
US20100133441A1 (en) 2010-06-03
MX2007002133A (es) 2007-08-14
KR101143346B1 (ko) 2012-05-11
IL181187A (en) 2015-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2007104786A (ru) Полупроводниковый детектор излучения с модифицированной структурой внутреннего затвора
US6225670B1 (en) Detector for electromagnetic radiation, pixel structure with high sensitivity using such detector and method of manufacturing such detector
US7015522B2 (en) Solid-state image sensor
US8193479B2 (en) Very small image sensor
CN101356646B (zh) 可见光检测半导体辐射检测器
US7939859B2 (en) Solid state imaging device and method for manufacturing the same
US5130774A (en) Antiblooming structure for solid-state image sensor
EP1478028B1 (en) Solid-state image sensor, production method for solid-state image sensor, and camera using solid-state image sensor
JPH04501636A (ja) Ｃｃｄ撮像器及びその駆動方法
US20070235780A1 (en) Body potential imager cell
US4388532A (en) Solid state image sensor with image sensing elements having charge coupled photocapacitors and a floating gate amplifier
KR100545801B1 (ko) 전자기 복사 탐지기, 이러한 탐지기를 사용하는 고감도 픽셀구조 및 이러한 탐지기 제조방법.
US20060192261A1 (en) Active pixel sensor
JPH04370972A (ja) 固体撮像装置
KR20020096336A (ko) 씨모스형 촬상 장치
US20080179494A1 (en) Image sensor circuit and method comprising one-transistor pixels
KR100233185B1 (ko) 인터라인 전달 ccd 이미지 센서의 화소배열구조를 가진 고체촬상장치
KR20080003830A (ko) 영상 센서를 구비하는 반도체 디바이스 및 이러한디바이스를 제조하기 위한 방법
EP0383210A1 (en) Charge transfer device achieving a large charge transferring efficiency without sacrifice of dynamic range of output signal level
US8148760B2 (en) Visible light detecting semiconductor radiation detector
EP1969632A1 (en) Visible light detecting semiconductor radiation detector
JPH11274458A (ja) 固体撮像装置
JPH0412068B2 (ru)
JP4246890B2 (ja) 固体撮像装置
US6984817B2 (en) CMOS-type photodetector for improved charge transfer from the photodetector to a MOS transistor