RU2006141387A - Органический электронный контур с функциональным промежуточным слоем и способ изготовления такого контура - Google Patents
Органический электронный контур с функциональным промежуточным слоем и способ изготовления такого контура Download PDFInfo
- Publication number
- RU2006141387A RU2006141387A RU2006141387/09A RU2006141387A RU2006141387A RU 2006141387 A RU2006141387 A RU 2006141387A RU 2006141387/09 A RU2006141387/09 A RU 2006141387/09A RU 2006141387 A RU2006141387 A RU 2006141387A RU 2006141387 A RU2006141387 A RU 2006141387A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- intermediate layer
- circuit
- functional
- electrodes
- electrode
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 29
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 5
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 3
- BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 1,1-Difluoroethene Chemical compound FC(F)=C BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 claims 2
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 claims 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims 2
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 claims 2
- SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);titanium(4+) Chemical class [O-2].[O-2].[Ti+4] SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims 2
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 claims 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- MIZLGWKEZAPEFJ-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trifluoroethene Chemical group FC=C(F)F MIZLGWKEZAPEFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 claims 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 claims 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 claims 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229920000131 polyvinylidene Polymers 0.000 claims 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 claims 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/22—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements
- G11C11/221—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements using ferroelectric capacitors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/22—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/02—Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Claims (20)
1. Органический электронный контур (С), содержащий органический электретный или ферроэлектрический материал (2), расположенный между первым электродом (1а) и вторым электродом (1b) с образованием в указанном материале ячейки с конденсатороподобной структурой, прямой или косвенный электрический доступ к которой возможен через электроды (1а, 1b), и, по меньшей мере, один неорганический функциональный промежуточный слой (3а, 3b), сформированный между, по меньшей мере, одним из электродов и органическим электретным или ферроэлектрическим материалом (2), отличающийся тем, что указанный, по меньшей мере, один функциональный промежуточный слой (3а, 3b) образован непроводящим керамическим материалом или оксидом металла, имеющим силу связи на моль, превышающую 100 кДж/моль и превышающую силу связи для оксидов титана.
2. Контур (С) по п.1, отличающийся тем, что сила связи на моль у материала промежуточного слоя превышает 200 кДж/моль.
3. Контур (С) по п.1, отличающийся тем, что сила связи на моль у материала промежуточного слоя превышает силу связи для связи углерод-фтор (C-F) в полимерной цепи на основе винилиденфторида.
4. Контур (С) по п.1, отличающийся тем, что органический электронный контур содержит первый функциональный промежуточный слой (3а), расположенный между первым электродом (1а) и органическим электретным или ферроэлектрическим материалом (2), и второй функциональный промежуточный слой (3b), расположенный между вторым электродом (1b) и органическим электретным или ферроэлектрическим материалом (2).
5. Контур (С) по п.1, отличающийся тем, что снабжен, по меньшей мере, одним дополнительным функциональным промежуточным слоем (4а, 4b) из другого функционального материала, расположенным между, по меньшей мере, одним из электродов (1а, 1b) и органическим электретным или ферроэлектрическим материалом (2).
6. Контур (С) по п.1, отличающийся тем, что, по меньшей мере, один функциональный промежуточный слой (3а, 3b) выполнен с возможностью участия в заданной химической реакции или в образовании связи с одной или более составляющих смежного с ним органического электретного или ферроэлектрического материала (2), или с одной или более реакционноспособных частиц, образовавшихся в указанном материале в процессе работы контура.
7. Контур (С) по п.1, отличающийся тем, что, по меньшей мере, один функциональный промежуточный слой (3а, 3b) представляет собой сплошной слой, расположенный между сплошным слоем органического электретного или ферроэлектрического материала (2) и первым или вторым электродом (1а, 1b).
8. Контур (С) по п.1, отличающийся тем, что функциональный материал промежуточного слоя является керамическим материалом.
9. Контур (С) по п.8, отличающийся тем, что функциональный материал промежуточного слоя является трехкомпонентной керамикой.
10. Контур (С) по п.8, отличающийся тем, что функциональный материал промежуточного слоя является двухкомпонентной или трехкомпонентной керамикой, содержащей металл с высокой степенью окисления.
11. Контур (С) по п.8, отличающийся тем, что функциональный материал промежуточного слоя является оксидом металла.
12. Контур (С) по п.11, отличающийся тем, что функциональный материал промежуточного слоя выбран из группы, состоящей из следующих материалов: оксид вольфрама, оксид тантала, оксид молибдена, оксид ванадия и оксид ниобия.
13. Контур (С) по п.1, отличающийся тем, что органический электретный или ферроэлектрический материал (2) состоит из несвязанных молекул, олигомеров, гомополимеров, сополимеров или их смесей или соединений.
14. Контур (С) по п.1, отличающийся тем, что органический электретный или ферроэлектрический материал (2) содержит фтор.
15. Контур (С) по п.1, отличающийся тем, что органический электретный или ферроэлектрический материал (2) содержит один или более компонентов, выбранных из поливинилиденфторида (ПВФ), поливинилидена с любым из его сополимеров, тройных полимеров на основе указанных сополимеров или сополимера винилиденфторида с трифторэтиленом, найлонов с нечетным номером марки, найлонов с нечетным номером марки с любыми из их сополимеров, цинополимеров и цинополимеров с любыми из их сополимеров.
16. Контур (С) по п.1, отличающийся тем, что материал электрода выбран из группы материалов, включающей алюминий, платину, золото, титан, медь, палладий, проводящие сплавы и композиты на их основе.
17. Контур (С) по п.1, отличающийся тем, что множество подобных контуров образует массив с матричной адресацией, причем ячейки запоминающих контуров (С) образуют пространственно разделенные участки сплошного тонкопленочного слоя органического электретного или ферроэлектрического материала (2), первый и второй электроды (1а, 1b) образуют части первого и второго электродных средств соответственно, каждое электродное средство содержит множество параллельных ленточных электродов (1а, 1b), электроды (1b) второго электродного средства ориентированы под углом, предпочтительно ортогонально, по отношению к электродам (1а) первого электродного средства и сплошной тонкопленочный слой органического электретного или ферроэлектрического материала (2) расположен между электродными средствами с образованием ячеек памяти запоминающих контуров (С) в сплошном тонкопленочном слое (2) в зонах скрещивания электродов (1а) первого электродного средства и электродов (1b) второго электродного средства, так что массив запоминающих контуров (С) формируется электродными средствами и сплошным слоем (2) запоминающего материала, а ячейки памяти образуют интегральное запоминающее устройство с пассивной матричной адресацией, в котором адресация ячеек памяти при выполнении операций записи и считывания осуществляется через электроды (1а, 1b), связанные с соответствующими драйверными, управляющими и детекторными контурами.
18. Способ изготовления органического электронного контура, содержащего органический электретный или ферроэлектрический материал (2), расположенный между первым электродом (1а) и вторым электродом (1b) с образованием в указанном материале ячейки с конденсатороподобной структурой, прямой или косвенный электрический доступ к которой возможен через электроды (1а, 1b), и, по меньшей мере, один неорганический функциональный промежуточный слой (3а, 3b), сформированный между, по меньшей мере, одним из электродов и органическим электретным или ферроэлектрическим материалом (2), при этом способ характеризуется тем, что указанный, по меньшей мере, один функциональный промежуточный слой формируют из непроводящего керамического материала или оксида металла, имеющего силу связи на моль, превышающую 100 кДж/моль и превышающую силу связи для оксидов титана, причем формирование указанного слоя осуществляют посредством нанесения молекул от источника материала функционального промежуточного слоя без диссоциации индивидуальных молекул, образующих функциональный промежуточный слой (3а, 3b).
19. Способ по п.18, отличающийся тем, что функциональный промежуточный слой (3а, 3b) наносят посредством одного из следующих процессов: распыление, испарение электронным пучком, термическое испарение, электроосаждение из раствора, золь-гельный процесс с окунанием, золь-гельный процесс с центрифугированием или золь-гельный процесс с распылением.
20. Способ по п.18, отличающийся тем, что в качестве функционального промежуточного слоя наносят испарением оксид вольфрама с использованием в качестве испаряемого вещества WO3.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NO20041733 | 2004-04-28 | ||
| NO20041733A NO20041733L (no) | 2004-04-28 | 2004-04-28 | Organisk elektronisk krets med funksjonelt mellomsjikt og fremgangsmate til dens fremstilling. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2006141387A true RU2006141387A (ru) | 2008-06-10 |
Family
ID=34880489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2006141387/09A RU2006141387A (ru) | 2004-04-28 | 2005-04-22 | Органический электронный контур с функциональным промежуточным слоем и способ изготовления такого контура |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20050242343A1 (ru) |
| EP (1) | EP1743342A1 (ru) |
| JP (1) | JP2007535166A (ru) |
| KR (1) | KR20070006930A (ru) |
| CN (1) | CN1973332A (ru) |
| AU (1) | AU2005239266A1 (ru) |
| CA (1) | CA2563551A1 (ru) |
| NO (1) | NO20041733L (ru) |
| RU (1) | RU2006141387A (ru) |
| WO (1) | WO2005106890A1 (ru) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NO321280B1 (no) * | 2004-07-22 | 2006-04-18 | Thin Film Electronics Asa | Organisk, elektronisk krets og fremgangsmate til dens fremstilling |
| US7691888B2 (en) * | 2004-10-07 | 2010-04-06 | Boehringer Ingelheim International Gmbh | Thiazolyl-dihydro-indazole |
| NO322202B1 (no) * | 2004-12-30 | 2006-08-28 | Thin Film Electronics Asa | Fremgangsmate i fremstillingen av en elektronisk innretning |
| GB2436893A (en) * | 2006-03-31 | 2007-10-10 | Seiko Epson Corp | Inkjet printing of cross point passive matrix devices |
| DE102009032696A1 (de) * | 2009-07-09 | 2011-01-13 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Organisch elektronische Schaltung |
| KR101145332B1 (ko) * | 2010-09-17 | 2012-05-14 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 스위칭 장치 및 이를 구비한 메모리 장치 |
| US9460770B1 (en) | 2015-09-01 | 2016-10-04 | Micron Technology, Inc. | Methods of operating ferroelectric memory cells, and related ferroelectric memory cells |
| CN107204325B (zh) * | 2017-05-25 | 2023-06-02 | 成都线易科技有限责任公司 | 电容器阵列及制造方法 |
| CN111403417B (zh) * | 2020-03-25 | 2023-06-16 | 无锡舜铭存储科技有限公司 | 一种存储器件的结构及其制造方法 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5254504A (en) * | 1989-04-13 | 1993-10-19 | Trustees Of The University Of Pennsylvania | Method of manufacturing ferroelectric MOSFET sensors |
| US5142437A (en) * | 1991-06-13 | 1992-08-25 | Ramtron Corporation | Conducting electrode layers for ferroelectric capacitors in integrated circuits and method |
| US5218512A (en) * | 1991-08-16 | 1993-06-08 | Rohm Co., Ltd. | Ferroelectric device |
| EP0636271B1 (en) * | 1992-04-13 | 1999-11-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Multilayer electrodes for ferroelectric devices |
| US5390142A (en) * | 1992-05-26 | 1995-02-14 | Kappa Numerics, Inc. | Memory material and method for its manufacture |
| US5471364A (en) * | 1993-03-31 | 1995-11-28 | Texas Instruments Incorporated | Electrode interface for high-dielectric-constant materials |
| JPH0793969A (ja) * | 1993-09-22 | 1995-04-07 | Olympus Optical Co Ltd | 強誘電体容量素子 |
| NO309500B1 (no) * | 1997-08-15 | 2001-02-05 | Thin Film Electronics Asa | Ferroelektrisk databehandlingsinnretning, fremgangsmåter til dens fremstilling og utlesing, samt bruk av samme |
| US6284654B1 (en) * | 1998-04-16 | 2001-09-04 | Advanced Technology Materials, Inc. | Chemical vapor deposition process for fabrication of hybrid electrodes |
| US6420740B1 (en) * | 1999-05-24 | 2002-07-16 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Lead germanate ferroelectric structure with multi-layered electrode |
| US6341056B1 (en) * | 2000-05-17 | 2002-01-22 | Lsi Logic Corporation | Capacitor with multiple-component dielectric and method of fabricating same |
| US6730575B2 (en) * | 2001-08-30 | 2004-05-04 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming perovskite-type material and capacitor dielectric having perovskite-type crystalline structure |
| US6878980B2 (en) * | 2001-11-23 | 2005-04-12 | Hans Gude Gudesen | Ferroelectric or electret memory circuit |
| NO20015735D0 (no) * | 2001-11-23 | 2001-11-23 | Thin Film Electronics Asa | Barrierelag |
| JP4218350B2 (ja) * | 2002-02-01 | 2009-02-04 | パナソニック株式会社 | 強誘電体薄膜素子およびその製造方法、これを用いた薄膜コンデンサ並びに圧電アクチュエータ |
| NO315399B1 (no) * | 2002-03-01 | 2003-08-25 | Thin Film Electronics Asa | Minnecelle |
| NO322192B1 (no) * | 2002-06-18 | 2006-08-28 | Thin Film Electronics Asa | Fremgangsmate til fremstilling av elektrodelag av ferroelektriske minneceller i en ferroelektrisk minneinnretning, samt ferroelektrisk minneinnretning |
| JP2004087829A (ja) * | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Shinko Electric Ind Co Ltd | キャパシタ、回路基板、キャパシタの形成方法および回路基板の製造方法 |
| DE10303316A1 (de) * | 2003-01-28 | 2004-08-12 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Schneller remanenter Speicher |
| WO2004068534A2 (de) * | 2003-01-29 | 2004-08-12 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Organisches speicherbauelement und ansteuerungsschaltung dazu |
| US7001821B2 (en) * | 2003-11-10 | 2006-02-21 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming and using a hardmask for forming ferroelectric capacitors in a semiconductor device |
| US7205595B2 (en) * | 2004-03-31 | 2007-04-17 | Intel Corporation | Polymer memory device with electron traps |
| US20050230725A1 (en) * | 2004-04-20 | 2005-10-20 | Texas Instruments Incorporated | Ferroelectric capacitor having an oxide electrode template and a method of manufacture therefor |
-
2004
- 2004-04-28 NO NO20041733A patent/NO20041733L/no unknown
-
2005
- 2005-04-22 JP JP2007510643A patent/JP2007535166A/ja active Pending
- 2005-04-22 RU RU2006141387/09A patent/RU2006141387A/ru unknown
- 2005-04-22 CN CNA2005800133252A patent/CN1973332A/zh active Pending
- 2005-04-22 CA CA002563551A patent/CA2563551A1/en not_active Abandoned
- 2005-04-22 AU AU2005239266A patent/AU2005239266A1/en not_active Abandoned
- 2005-04-22 EP EP05734922A patent/EP1743342A1/en not_active Withdrawn
- 2005-04-22 KR KR1020067025063A patent/KR20070006930A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-04-22 WO PCT/NO2005/000136 patent/WO2005106890A1/en not_active Application Discontinuation
- 2005-04-27 US US11/115,242 patent/US20050242343A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NO20041733L (no) | 2005-10-31 |
| WO2005106890A8 (en) | 2006-01-19 |
| JP2007535166A (ja) | 2007-11-29 |
| CA2563551A1 (en) | 2005-11-10 |
| AU2005239266A1 (en) | 2005-11-10 |
| WO2005106890A1 (en) | 2005-11-10 |
| CN1973332A (zh) | 2007-05-30 |
| US20050242343A1 (en) | 2005-11-03 |
| NO20041733D0 (no) | 2004-04-28 |
| EP1743342A1 (en) | 2007-01-17 |
| KR20070006930A (ko) | 2007-01-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2006141387A (ru) | Органический электронный контур с функциональным промежуточным слоем и способ изготовления такого контура | |
| Zhang et al. | Humidity effect on resistive switching characteristics of the CH3NH3PbI3 memristor | |
| US7026702B2 (en) | Memory device | |
| KR102519699B1 (ko) | 메모리 장치 및 용량성 에너지 저장 장치 | |
| US7580276B2 (en) | Nonvolatile memory element | |
| US7482624B2 (en) | Organic electronic circuit and method for making the same | |
| JP2005520348A5 (ru) | ||
| CN1662994A (zh) | 用于在铁电存储器件中制造铁电存储单元的方法,以及铁电存储器件 | |
| US20150053909A1 (en) | Nonlinear memristors | |
| Al-Haddad et al. | Highly-ordered 3D vertical resistive switching memory arrays with ultralow power consumption and ultrahigh density | |
| CN103050622A (zh) | 一种基于AgInSbTe硫系化合物的忆阻器及其制备方法 | |
| JP2012525016A (ja) | ヘテロ接合酸化物の不揮発性メモリデバイス | |
| Dawson et al. | Nature of Cu interstitials in Al2O3 and the implications for filament formation in conductive bridge random access memory devices | |
| Ren et al. | Self‐rectifying memristors for three‐dimensional in‐memory computing | |
| US6380553B2 (en) | Multilayer matrix-addressable logic device with a plurality of individually matrix-addressable and stacked thin films of an active material | |
| JPH06325970A (ja) | コンデンサ及びその製造方法 | |
| WO2017019068A1 (en) | Non-volatile resistance memory devices including a volatile selector with copper and tantalum oxide | |
| Brenna et al. | Memristive anodic oxides: Production, properties and applications in neuromorphic computing | |
| JP2019195022A (ja) | 抵抗変化素子及びその製造方法、記憶装置 | |
| JP4883672B2 (ja) | 強誘電体記憶素子及び強誘電体記憶装置 | |
| US11437570B2 (en) | Resistive switching memory device based on multi-inputs | |
| US7419579B2 (en) | Method for manufacturing a ferroelectric film | |
| US20090309090A1 (en) | Nanostructures and a Method for the Manufacture of the Same | |
| Lyapunov | Study of resistive switching in GeSx/Ag system for neuromorphic computing applications | |
| Valov et al. | Rainer Waser–A Pioneer of Fundamentals of Resistive Switching Memories. |