RU2006120073A - Преобразователь - Google Patents
Преобразователь Download PDFInfo
- Publication number
- RU2006120073A RU2006120073A RU2006120073/28A RU2006120073A RU2006120073A RU 2006120073 A RU2006120073 A RU 2006120073A RU 2006120073/28 A RU2006120073/28 A RU 2006120073/28A RU 2006120073 A RU2006120073 A RU 2006120073A RU 2006120073 A RU2006120073 A RU 2006120073A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- converter according
- electrode
- region
- regions
- same conductivity
- Prior art date
Links
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Claims (17)
1. Преобразователь, содержащий по меньшей мере одну p-область и по меньшей мере одну n-область, а также первый и второй электроды, отличающийся тем, что он содержит N>1, где N - целое число, областей с одноименной проводимостью и одну область с противоположной проводимостью с образованием N отдельных однотипных p-n-переходов, и при этом первый электрод прилегает к каждой из указанных N областей с одноименной проводимостью, а второй электрод - к указанной области с противоположной проводимостью.
2. Преобразователь по п.1, отличающийся тем, что указанный первый электрод облегает каждую из областей с одноименной проводимостью по ее периметру.
3. Преобразователь по п.1, отличающийся тем, что указанный первый электрод по меньшей мере частично покрывает каждую из указанных областей.
4. Преобразователь по п.3, отличающийся тем, что указанный первый электрод полностью покрывает каждую из указанных областей с одноименной проводимостью.
5. Преобразователь по п.4, отличающийся тем, что участки первого электрода, прилегающие к каждой из областей с одноименной проводимостью, имеют многоугольную форму.
6. Преобразователь по п.5, отличающийся тем, что прилегающие к областям с одноименной проводимостью участки первого электрода выполнены прямоугольными.
7. Преобразователь по п.5, отличающийся тем, что прилегающие к областям с одноименной проводимостью участки первого электрода выполнены шестиугольными.
8. Преобразователь по п.5, отличающийся тем, что прилегающие к областям с одноименной проводимостью участки первого электрода выполнены восьмиугольными.
9. Преобразователь по п.5, отличающийся тем, что прилегающие к областям с одноименной проводимостью участки первого электрода выполнены двенадцатиугольными.
10. Преобразователь по любому из пп.3-9, отличающийся тем, что по крайней мере один из участков первого электрода, прилегающий к одной из областей с одноименной проводимостью, в зоне покрытия этой области включает в себя М>1 параллельно соединенных и объединенных в один токовый узел отдельных однотипных элементов, где М - целое число.
11. Преобразователь по п.10, отличающийся тем, что по крайней мере один из указанных однотипных элементов участка первого электрода отделен от соседнего с ним аналогичного элемента оксидным зазором.
12. Преобразователь по п.10, отличающийся тем, что по крайней мере один из указанных однотипных элементов участка первого электрода отделен от соседнего с ним аналогичного элемента выполненным в первом электроде сквозным отверстием.
13. Преобразователь по п.12, отличающийся тем, что по крайней мере один из участков первого электрода, прилегающих к областям с одноименной проводимостью, содержит K сквозных отверстий, где K - целое число, причем K>1.
14. Преобразователь по любому из пп.1-9, 11-13, отличающийся тем, что указанные области с одноименной проводимостью представляют собой p-области, а область с противоположной проводимостью - n-область.
15. Преобразователь по п.10, отличающийся тем, что указанные области с одноименной проводимостью представляют собой p-области, а область с противоположной проводимостью - n-область.
16. Преобразователь по любому из пп.1-9, 11-13, отличающийся тем, что указанные области с одноименной проводимостью представляют собой n-области, а область с противоположной проводимостью - p-область.
17. Преобразователь по п.10, отличающийся тем, что указанные области с одноименной проводимостью представляют собой n-области, а область с противоположной проводимостью - p-область.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2006120073/28A RU2355066C2 (ru) | 2006-06-08 | 2006-06-08 | Преобразователь электромагнитного излучения |
PCT/RU2007/000301 WO2007145546A1 (en) | 2006-06-08 | 2007-06-05 | Photoconverter |
KR1020097000414A KR101107645B1 (ko) | 2006-06-08 | 2007-06-05 | 광변환기 |
EA200802430A EA013788B1 (ru) | 2006-06-08 | 2007-06-05 | Преобразователь электромагнитного излучения |
EP07794035A EP2037504A1 (de) | 2006-06-08 | 2007-06-05 | Fotoumsetzer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2006120073/28A RU2355066C2 (ru) | 2006-06-08 | 2006-06-08 | Преобразователь электромагнитного излучения |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2006120073A true RU2006120073A (ru) | 2007-12-27 |
RU2355066C2 RU2355066C2 (ru) | 2009-05-10 |
Family
ID=38831970
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2006120073/28A RU2355066C2 (ru) | 2006-06-08 | 2006-06-08 | Преобразователь электромагнитного излучения |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP2037504A1 (ru) |
KR (1) | KR101107645B1 (ru) |
EA (1) | EA013788B1 (ru) |
RU (1) | RU2355066C2 (ru) |
WO (1) | WO2007145546A1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009142529A1 (ru) * | 2008-05-20 | 2009-11-26 | Tsoi Bronya | Преобразователь электромагнитного излучения и батарея |
WO2010104414A1 (ru) * | 2009-03-04 | 2010-09-16 | Tsoi Bronya | Фотопреобразующая часть преобразователя электромагнитного излучения (варианты), преобразователь электромагнитного излучения |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2009136493A (ru) * | 2009-10-16 | 2011-04-27 | Броня Цой (RU) | Способ изготовления пучкового перехода, пучковый преобразователь электромагнитного излучения |
KR101685470B1 (ko) * | 2010-10-14 | 2016-12-13 | 코리아번들테크 주식회사 | 빔 접합 제조방법, 전자기파 빔 변환기 |
WO2013112063A1 (ru) * | 2012-01-24 | 2013-08-01 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) | Генератор и способ преобразования электромагнитного излучения в электрическую энергию |
RU188356U1 (ru) * | 2019-01-10 | 2019-04-09 | Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" | Тестовый элемент для контроля качества планаризации |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU1702831A1 (ru) * | 1989-10-11 | 1997-06-27 | Институт ядерных исследований АН СССР | Лавинный фотоприемник |
SU1823725A1 (ru) * | 1991-03-26 | 1997-02-27 | Институт электроники АН БССР | Лавинный фотодетектор |
JP3115950B2 (ja) * | 1992-07-29 | 2000-12-11 | シャープ株式会社 | 光電変換装置およびその製造方法 |
JP3202536B2 (ja) * | 1994-07-19 | 2001-08-27 | シャープ株式会社 | バイパス機能付太陽電池セル |
JP2001189483A (ja) | 1999-10-18 | 2001-07-10 | Sharp Corp | バイパス機能付太陽電池セルおよびバイパス機能付き多接合積層型太陽電池セルおよびそれらの製造方法 |
JP2004193350A (ja) * | 2002-12-11 | 2004-07-08 | Sharp Corp | 太陽電池セルおよびその製造方法 |
JP2004221149A (ja) | 2003-01-10 | 2004-08-05 | Hitachi Ltd | 太陽電池の製造方法 |
-
2006
- 2006-06-08 RU RU2006120073/28A patent/RU2355066C2/ru not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-06-05 EA EA200802430A patent/EA013788B1/ru not_active IP Right Cessation
- 2007-06-05 EP EP07794035A patent/EP2037504A1/de not_active Withdrawn
- 2007-06-05 WO PCT/RU2007/000301 patent/WO2007145546A1/ru active Application Filing
- 2007-06-05 KR KR1020097000414A patent/KR101107645B1/ko active IP Right Grant
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009142529A1 (ru) * | 2008-05-20 | 2009-11-26 | Tsoi Bronya | Преобразователь электромагнитного излучения и батарея |
EA017920B1 (ru) * | 2008-05-20 | 2013-04-30 | Цой Броня | Преобразователь электромагнитного излучения и батарея |
WO2010104414A1 (ru) * | 2009-03-04 | 2010-09-16 | Tsoi Bronya | Фотопреобразующая часть преобразователя электромагнитного излучения (варианты), преобразователь электромагнитного излучения |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2007145546A1 (en) | 2007-12-21 |
EP2037504A1 (de) | 2009-03-18 |
KR101107645B1 (ko) | 2012-01-20 |
KR20090060257A (ko) | 2009-06-11 |
EA200802430A1 (ru) | 2009-04-28 |
EA013788B1 (ru) | 2010-06-30 |
RU2355066C2 (ru) | 2009-05-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2006120073A (ru) | Преобразователь | |
JP5967944B2 (ja) | 固体撮像装置およびカメラ | |
CN208796997U (zh) | 集成金属氧化物半导体场效应晶体管器件 | |
JP5307991B2 (ja) | 半導体装置 | |
WO2006050372A3 (en) | Interdigitated multi-pixel arrays for the fabrication of light-emitting devices with very low series-resistances and improved heat-sinking | |
JP5269017B2 (ja) | 電力増幅器 | |
RU2011127865A (ru) | Твердотельное устройство формирования изображения и система формирования изображения | |
JP2008166810A (ja) | シーモスイメージセンサ及びその製造方法 | |
US5753942A (en) | Power semiconductor devices having arcuate-shaped source regions for inhibiting parasitic thyristor latch-up | |
US20210091176A1 (en) | Method of forming guard ring and circuit device | |
JP2016523454A (ja) | フィールドプレート・トレンチ・fet、及び、半導体構成素子 | |
US20120235231A1 (en) | Semiconductor structure | |
CN104064547B (zh) | 集成电路的电感衬底隔离结构 | |
JP5843527B2 (ja) | 光電変換装置 | |
JP2005197674A5 (ru) | ||
US20050173742A1 (en) | Solid state image sensing device and method of manufacturing the same | |
JP2007027313A (ja) | 半導体装置 | |
CN101510559A (zh) | 功率金属氧化物半导体晶体管元件与布局 | |
US20140110768A1 (en) | Transistor device | |
JP4407257B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2005203738A (ja) | ダイオード | |
JP2006319073A (ja) | 保護素子 | |
KR20230001795A (ko) | Spad 픽셀 구조 및 제조방법 | |
CN207834299U (zh) | 背照式图像传感器 | |
US6147372A (en) | Layout of an image sensor for increasing photon induced current |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20130609 |