RU2006120073A - Преобразователь - Google Patents

Преобразователь Download PDF

Info

Publication number
RU2006120073A
RU2006120073A RU2006120073/28A RU2006120073A RU2006120073A RU 2006120073 A RU2006120073 A RU 2006120073A RU 2006120073/28 A RU2006120073/28 A RU 2006120073/28A RU 2006120073 A RU2006120073 A RU 2006120073A RU 2006120073 A RU2006120073 A RU 2006120073A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
converter according
electrode
region
regions
same conductivity
Prior art date
Application number
RU2006120073/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2355066C2 (ru
Inventor
Брон Цой (RU)
Броня Цой
Идрис Магомедович Идрисов (RU)
Идрис Магомедович Идрисов
Валерь н Эдуардович Цой (RU)
Валерьян Эдуардович Цой
Юрий Дмитриевич Будишевский (RU)
Юрий Дмитриевич Будишевский
Тать на Сергеевна Цой (RU)
Татьяна Сергеевна Цой
Original Assignee
Брон Цой (RU)
Броня Цой
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Брон Цой (RU), Броня Цой filed Critical Брон Цой (RU)
Priority to RU2006120073/28A priority Critical patent/RU2355066C2/ru
Priority to PCT/RU2007/000301 priority patent/WO2007145546A1/ru
Priority to KR1020097000414A priority patent/KR101107645B1/ko
Priority to EA200802430A priority patent/EA013788B1/ru
Priority to EP07794035A priority patent/EP2037504A1/de
Publication of RU2006120073A publication Critical patent/RU2006120073A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2355066C2 publication Critical patent/RU2355066C2/ru

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Claims (17)

1. Преобразователь, содержащий по меньшей мере одну p-область и по меньшей мере одну n-область, а также первый и второй электроды, отличающийся тем, что он содержит N>1, где N - целое число, областей с одноименной проводимостью и одну область с противоположной проводимостью с образованием N отдельных однотипных p-n-переходов, и при этом первый электрод прилегает к каждой из указанных N областей с одноименной проводимостью, а второй электрод - к указанной области с противоположной проводимостью.
2. Преобразователь по п.1, отличающийся тем, что указанный первый электрод облегает каждую из областей с одноименной проводимостью по ее периметру.
3. Преобразователь по п.1, отличающийся тем, что указанный первый электрод по меньшей мере частично покрывает каждую из указанных областей.
4. Преобразователь по п.3, отличающийся тем, что указанный первый электрод полностью покрывает каждую из указанных областей с одноименной проводимостью.
5. Преобразователь по п.4, отличающийся тем, что участки первого электрода, прилегающие к каждой из областей с одноименной проводимостью, имеют многоугольную форму.
6. Преобразователь по п.5, отличающийся тем, что прилегающие к областям с одноименной проводимостью участки первого электрода выполнены прямоугольными.
7. Преобразователь по п.5, отличающийся тем, что прилегающие к областям с одноименной проводимостью участки первого электрода выполнены шестиугольными.
8. Преобразователь по п.5, отличающийся тем, что прилегающие к областям с одноименной проводимостью участки первого электрода выполнены восьмиугольными.
9. Преобразователь по п.5, отличающийся тем, что прилегающие к областям с одноименной проводимостью участки первого электрода выполнены двенадцатиугольными.
10. Преобразователь по любому из пп.3-9, отличающийся тем, что по крайней мере один из участков первого электрода, прилегающий к одной из областей с одноименной проводимостью, в зоне покрытия этой области включает в себя М>1 параллельно соединенных и объединенных в один токовый узел отдельных однотипных элементов, где М - целое число.
11. Преобразователь по п.10, отличающийся тем, что по крайней мере один из указанных однотипных элементов участка первого электрода отделен от соседнего с ним аналогичного элемента оксидным зазором.
12. Преобразователь по п.10, отличающийся тем, что по крайней мере один из указанных однотипных элементов участка первого электрода отделен от соседнего с ним аналогичного элемента выполненным в первом электроде сквозным отверстием.
13. Преобразователь по п.12, отличающийся тем, что по крайней мере один из участков первого электрода, прилегающих к областям с одноименной проводимостью, содержит K сквозных отверстий, где K - целое число, причем K>1.
14. Преобразователь по любому из пп.1-9, 11-13, отличающийся тем, что указанные области с одноименной проводимостью представляют собой p-области, а область с противоположной проводимостью - n-область.
15. Преобразователь по п.10, отличающийся тем, что указанные области с одноименной проводимостью представляют собой p-области, а область с противоположной проводимостью - n-область.
16. Преобразователь по любому из пп.1-9, 11-13, отличающийся тем, что указанные области с одноименной проводимостью представляют собой n-области, а область с противоположной проводимостью - p-область.
17. Преобразователь по п.10, отличающийся тем, что указанные области с одноименной проводимостью представляют собой n-области, а область с противоположной проводимостью - p-область.
RU2006120073/28A 2006-06-08 2006-06-08 Преобразователь электромагнитного излучения RU2355066C2 (ru)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2006120073/28A RU2355066C2 (ru) 2006-06-08 2006-06-08 Преобразователь электромагнитного излучения
PCT/RU2007/000301 WO2007145546A1 (en) 2006-06-08 2007-06-05 Photoconverter
KR1020097000414A KR101107645B1 (ko) 2006-06-08 2007-06-05 광변환기
EA200802430A EA013788B1 (ru) 2006-06-08 2007-06-05 Преобразователь электромагнитного излучения
EP07794035A EP2037504A1 (de) 2006-06-08 2007-06-05 Fotoumsetzer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2006120073/28A RU2355066C2 (ru) 2006-06-08 2006-06-08 Преобразователь электромагнитного излучения

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2006120073A true RU2006120073A (ru) 2007-12-27
RU2355066C2 RU2355066C2 (ru) 2009-05-10

Family

ID=38831970

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2006120073/28A RU2355066C2 (ru) 2006-06-08 2006-06-08 Преобразователь электромагнитного излучения

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP2037504A1 (ru)
KR (1) KR101107645B1 (ru)
EA (1) EA013788B1 (ru)
RU (1) RU2355066C2 (ru)
WO (1) WO2007145546A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009142529A1 (ru) * 2008-05-20 2009-11-26 Tsoi Bronya Преобразователь электромагнитного излучения и батарея
WO2010104414A1 (ru) * 2009-03-04 2010-09-16 Tsoi Bronya Фотопреобразующая часть преобразователя электромагнитного излучения (варианты), преобразователь электромагнитного излучения

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2009136493A (ru) * 2009-10-16 2011-04-27 Броня Цой (RU) Способ изготовления пучкового перехода, пучковый преобразователь электромагнитного излучения
KR101685470B1 (ko) * 2010-10-14 2016-12-13 코리아번들테크 주식회사 빔 접합 제조방법, 전자기파 빔 변환기
WO2013112063A1 (ru) * 2012-01-24 2013-08-01 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) Генератор и способ преобразования электромагнитного излучения в электрическую энергию
RU188356U1 (ru) * 2019-01-10 2019-04-09 Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" Тестовый элемент для контроля качества планаризации

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1702831A1 (ru) * 1989-10-11 1997-06-27 Институт ядерных исследований АН СССР Лавинный фотоприемник
SU1823725A1 (ru) * 1991-03-26 1997-02-27 Институт электроники АН БССР Лавинный фотодетектор
JP3115950B2 (ja) * 1992-07-29 2000-12-11 シャープ株式会社 光電変換装置およびその製造方法
JP3202536B2 (ja) * 1994-07-19 2001-08-27 シャープ株式会社 バイパス機能付太陽電池セル
JP2001189483A (ja) 1999-10-18 2001-07-10 Sharp Corp バイパス機能付太陽電池セルおよびバイパス機能付き多接合積層型太陽電池セルおよびそれらの製造方法
JP2004193350A (ja) * 2002-12-11 2004-07-08 Sharp Corp 太陽電池セルおよびその製造方法
JP2004221149A (ja) 2003-01-10 2004-08-05 Hitachi Ltd 太陽電池の製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009142529A1 (ru) * 2008-05-20 2009-11-26 Tsoi Bronya Преобразователь электромагнитного излучения и батарея
EA017920B1 (ru) * 2008-05-20 2013-04-30 Цой Броня Преобразователь электромагнитного излучения и батарея
WO2010104414A1 (ru) * 2009-03-04 2010-09-16 Tsoi Bronya Фотопреобразующая часть преобразователя электромагнитного излучения (варианты), преобразователь электромагнитного излучения

Also Published As

Publication number Publication date
WO2007145546A1 (en) 2007-12-21
EP2037504A1 (de) 2009-03-18
KR101107645B1 (ko) 2012-01-20
KR20090060257A (ko) 2009-06-11
EA200802430A1 (ru) 2009-04-28
EA013788B1 (ru) 2010-06-30
RU2355066C2 (ru) 2009-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2006120073A (ru) Преобразователь
JP5967944B2 (ja) 固体撮像装置およびカメラ
CN208796997U (zh) 集成金属氧化物半导体场效应晶体管器件
JP5307991B2 (ja) 半導体装置
WO2006050372A3 (en) Interdigitated multi-pixel arrays for the fabrication of light-emitting devices with very low series-resistances and improved heat-sinking
JP5269017B2 (ja) 電力増幅器
RU2011127865A (ru) Твердотельное устройство формирования изображения и система формирования изображения
JP2008166810A (ja) シーモスイメージセンサ及びその製造方法
US5753942A (en) Power semiconductor devices having arcuate-shaped source regions for inhibiting parasitic thyristor latch-up
US20210091176A1 (en) Method of forming guard ring and circuit device
JP2016523454A (ja) フィールドプレート・トレンチ・fet、及び、半導体構成素子
US20120235231A1 (en) Semiconductor structure
CN104064547B (zh) 集成电路的电感衬底隔离结构
JP5843527B2 (ja) 光電変換装置
JP2005197674A5 (ru)
US20050173742A1 (en) Solid state image sensing device and method of manufacturing the same
JP2007027313A (ja) 半導体装置
CN101510559A (zh) 功率金属氧化物半导体晶体管元件与布局
US20140110768A1 (en) Transistor device
JP4407257B2 (ja) 固体撮像装置
JP2005203738A (ja) ダイオード
JP2006319073A (ja) 保護素子
KR20230001795A (ko) Spad 픽셀 구조 및 제조방법
CN207834299U (zh) 背照式图像传感器
US6147372A (en) Layout of an image sensor for increasing photon induced current

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20130609