RU2009136493A - Способ изготовления пучкового перехода, пучковый преобразователь электромагнитного излучения - Google Patents
Способ изготовления пучкового перехода, пучковый преобразователь электромагнитного излучения Download PDFInfo
- Publication number
- RU2009136493A RU2009136493A RU2009136493/28A RU2009136493A RU2009136493A RU 2009136493 A RU2009136493 A RU 2009136493A RU 2009136493/28 A RU2009136493/28 A RU 2009136493/28A RU 2009136493 A RU2009136493 A RU 2009136493A RU 2009136493 A RU2009136493 A RU 2009136493A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- transitions
- volume
- transition
- type
- defect
- Prior art date
Links
- 230000007704 transition Effects 0.000 title claims abstract 21
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 13
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 title claims abstract 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 12
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 2
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0475—PV cell arrays made by cells in a planar, e.g. repetitive, configuration on a single semiconductor substrate; PV cell microarrays
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Thyristors (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
1. Способ изготовления пучкового перехода, в котором на полупроводниковой подложке выполняют N>1 отдельных однотипных переходов, объединяют их в параллельную цепь посредством токовых электродов, характеризующийся тем, что объем каждого однотипного перехода, выбирают меньше объема, содержащего наиболее опасный характерный доминирующий дефект в полупроводниковой базе. ! 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что число переходов N выбирают из соотношения N≥Shck, где S - рабочая площадь поверхности полупроводниковой подложки, на которой формируются переходы, h - ширина перехода, с - объемная концентрация дефектов или примесей, k=2, 3,…, km а величина km=1/сνa, νa - атомный объем материала, 1/с - объем, приходящийся на один дефект. ! 3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что расстояние между отдельными однотипными переходами больше поперечного размера наиболее опасного характерного доминирующего типа дефекта в полупроводниковой базе. ! 4. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что расстояние между отдельными однотипными переходами выбирают менее удвоенной диффузионной длины. ! 5. Способ по п.1, отличающийся тем, что число переходов N выбирают из соотношения составляет N≥(cV)2/3, где с - объемная концентрация дефектов, а V - объем полупроводниковой базы. ! 6. Способ по любому из пп.1, 2, 5, отличающийся тем, что толщину подложки выбирают менее 60 мкм. ! 7. Пучковый преобразователь электромагнитного излучения, содержащий по крайней мере один пучковый переход, выполненный на полупроводниковой подложке в соответствии со способом по любому из пп.1-7.
Claims (7)
1. Способ изготовления пучкового перехода, в котором на полупроводниковой подложке выполняют N>1 отдельных однотипных переходов, объединяют их в параллельную цепь посредством токовых электродов, характеризующийся тем, что объем каждого однотипного перехода, выбирают меньше объема, содержащего наиболее опасный характерный доминирующий дефект в полупроводниковой базе.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что число переходов N выбирают из соотношения N≥Shck, где S - рабочая площадь поверхности полупроводниковой подложки, на которой формируются переходы, h - ширина перехода, с - объемная концентрация дефектов или примесей, k=2, 3,…, km а величина km=1/сνa, νa - атомный объем материала, 1/с - объем, приходящийся на один дефект.
3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что расстояние между отдельными однотипными переходами больше поперечного размера наиболее опасного характерного доминирующего типа дефекта в полупроводниковой базе.
4. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что расстояние между отдельными однотипными переходами выбирают менее удвоенной диффузионной длины.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что число переходов N выбирают из соотношения составляет N≥(cV)2/3, где с - объемная концентрация дефектов, а V - объем полупроводниковой базы.
6. Способ по любому из пп.1, 2, 5, отличающийся тем, что толщину подложки выбирают менее 60 мкм.
7. Пучковый преобразователь электромагнитного излучения, содержащий по крайней мере один пучковый переход, выполненный на полупроводниковой подложке в соответствии со способом по любому из пп.1-7.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2009136493/28A RU2009136493A (ru) | 2009-10-16 | 2009-10-16 | Способ изготовления пучкового перехода, пучковый преобразователь электромагнитного излучения |
| PCT/RU2010/000582 WO2011040838A2 (ru) | 2009-10-02 | 2010-10-14 | Способ изготовления пучкового перехода, пучковый преобразователь электромагнитного излучения |
| EA201200556A EA018895B1 (ru) | 2009-10-16 | 2010-10-14 | Способ изготовления пучкового перехода, пучковый преобразователь электромагнитного излучения |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2009136493/28A RU2009136493A (ru) | 2009-10-16 | 2009-10-16 | Способ изготовления пучкового перехода, пучковый преобразователь электромагнитного излучения |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2009136493A true RU2009136493A (ru) | 2011-04-27 |
Family
ID=43826826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2009136493/28A RU2009136493A (ru) | 2009-10-02 | 2009-10-16 | Способ изготовления пучкового перехода, пучковый преобразователь электромагнитного излучения |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EA (1) | EA018895B1 (ru) |
| RU (1) | RU2009136493A (ru) |
| WO (1) | WO2011040838A2 (ru) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU743507A1 (ru) * | 1979-05-03 | 1985-10-23 | Ордена Ленина Физической Институт Им.П.Н.Лебедева | Преобразователь электромагнитного излучени в электрических сигнал |
| RU2364008C2 (ru) * | 2006-02-02 | 2009-08-10 | Броня Цой | Транзистор и способ его изготовления |
| RU2355066C2 (ru) * | 2006-06-08 | 2009-05-10 | Броня Цой | Преобразователь электромагнитного излучения |
| RU2367063C2 (ru) * | 2006-11-21 | 2009-09-10 | Броня Цой | Преобразователь электромагнитного излучения |
-
2009
- 2009-10-16 RU RU2009136493/28A patent/RU2009136493A/ru not_active Application Discontinuation
-
2010
- 2010-10-14 WO PCT/RU2010/000582 patent/WO2011040838A2/ru active Application Filing
- 2010-10-14 EA EA201200556A patent/EA018895B1/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EA018895B1 (ru) | 2013-11-29 |
| WO2011040838A2 (ru) | 2011-04-07 |
| WO2011040838A3 (ru) | 2011-05-26 |
| EA201200556A1 (ru) | 2012-09-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Toimil-Molares | Characterization and properties of micro-and nanowires of controlled size, composition, and geometry fabricated by electrodeposition and ion-track technology | |
| Al-Hardan et al. | UV photodetector behavior of 2D ZnO plates prepared by electrochemical deposition | |
| JP2012038903A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| Naderi et al. | A combination of electroless and electrochemical etching methods for enhancing the uniformity of porous silicon substrate for light detection application | |
| FR2883663B1 (fr) | Procede de fabrication d'une cellule photovoltaique a base de silicium en couche mince. | |
| JP2009135453A5 (ru) | ||
| ATE445912T1 (de) | Solarzellenmarkierverfahren und solarzelle | |
| EP2858088A1 (en) | Glass substrate for electronic amplification, and method for manufacturing glass substrate for electronic amplification | |
| US20150064496A1 (en) | Single crystal copper, manufacturing method thereof and substrate comprising the same | |
| JP2009135454A5 (ru) | ||
| MA20150154A1 (fr) | Vitre comprenant un élément de connexion électrique | |
| JP7151856B2 (ja) | ガラス物品 | |
| JP2011171564A (ja) | 金属積層構造体および金属積層構造体の製造方法 | |
| RU2009136493A (ru) | Способ изготовления пучкового перехода, пучковый преобразователь электромагнитного излучения | |
| FR2970788B1 (fr) | Circuit electro-optique en structure micro-massive a base de matériaux electro-optiques a coefficient géant, et procédé de fabrication | |
| KR101444807B1 (ko) | 그래핀 양자점의 크기와 형태를 분류하여 그래핀 양자점의 크기와 형태에 따른 발광에너지 및 광흡수 에너지를 예측하는 방법 | |
| JP2015170792A5 (ru) | ||
| ATE555505T1 (de) | Verfahren zur herstellung eines halbleitersubstrats | |
| EP2244277A3 (en) | Method of manufacturing a field emitter electrode using an array of nanowires | |
| CN203165903U (zh) | 一种半导体探测器 | |
| CN203800048U (zh) | 基于二维电子气的氢气传感器芯片 | |
| CN103748269B (zh) | 镀铜液 | |
| JPWO2013118693A1 (ja) | 透明導電性フィルム | |
| CN114761591A (zh) | 半导体装置用铜接合线及半导体装置 | |
| FR2845519B1 (fr) | Procede de fabrication de nano-structure filaire dans un film semi-conducteur |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA92 | Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted) |
Effective date: 20110627 |