RU2006110946A - Способ и устройство для литографии с помощью излучения в далекой ультрафиолетовой области спектра - Google Patents

Способ и устройство для литографии с помощью излучения в далекой ультрафиолетовой области спектра Download PDF

Info

Publication number
RU2006110946A
RU2006110946A RU2006110946/28A RU2006110946A RU2006110946A RU 2006110946 A RU2006110946 A RU 2006110946A RU 2006110946/28 A RU2006110946/28 A RU 2006110946/28A RU 2006110946 A RU2006110946 A RU 2006110946A RU 2006110946 A RU2006110946 A RU 2006110946A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
energy
radiation
laser
lasers
window
Prior art date
Application number
RU2006110946/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2359303C2 (ru
Inventor
Филипп КОРМОН (FR)
Филипп КОРМОН
Пьер-Ив ТРО (FR)
Пьер-Ив ТРО
Шарли ВАШЕ (FR)
Шарли ВАШЕ
Original Assignee
Комиссариат А Л` Энержи Атомик (Fr)
Комиссариат А Л` Энержи Атомик
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Комиссариат А Л` Энержи Атомик (Fr), Комиссариат А Л` Энержи Атомик filed Critical Комиссариат А Л` Энержи Атомик (Fr)
Publication of RU2006110946A publication Critical patent/RU2006110946A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2359303C2 publication Critical patent/RU2359303C2/ru

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70041—Production of exposure light, i.e. light sources by pulsed sources, e.g. multiplexing, pulse duration, interval control or intensity control
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)

Claims (17)

1. Способ фотолитографии при помощи излучения в далекой ультрафиолетовой области спектра, характеризующийся тем, что
предназначенный для нанесения рисунка объект (OBJ) содержит плоскую поверхность, расположенную перпендикулярно излучению и содержащую светочувствительную зону (PR), при этом объект может перемещаться (41) поперечно относительно этого излучения (23);
излучение (23), предназначенное для фотолитографии, содержит, по меньшей мере, одну линию в далекой ультрафиолетовой области спектра, и состоит из N последовательных импульсов, для которых измеряют поверхностную энергию излучения, прошедшего через облучающее окно (40);
импульсы излучения получают путем возбуждения соответствующей мишени (21), по меньшей мере, двумя лазерными пучками, выходящими из импульсных лазерных источников (10-19), выбранных из множества, при этом каждый лазерных источников при каждом включении излучает квант (Q) энергии заданной длительности (Δt), при этом лазеры сфокусированы на одно и то же место мишени,
при этом способ включает следующие повторяющиеся этапы, в рамках одного n-го повтора:
а) интегрирование поверхностной энергии ВУФ-излучения, прошедшего через облучающее окно за N-1 последних импульсов;
б) в течение временного интервала, разделяющего два последовательных импульса излучения, поступательное перемещение светочувствительного объекта на расстояние, равное 1/N-й доле ширины (L) облучающего окна вдоль оси этого перемещения;
в) вычитание интеграла, полученного на этапе а), из количества энергии (Wtot), необходимого для процесса фотолитографии;
г) определение количества энергии, которое остается выдать для получения этого количества энергии (Wtot);
д) вычисление числа квантов в импульсе, которые осталось генерировать для n-го импульса;
е) определение числа предназначенных для включения лазерных источников и выбор лазерных источников в количестве, равном целой части этого числа;
ж) синхронное включение лазеров, выбранных на этапе е) и повторение этапов а) - ж) для следующей текущей точки.
2. Способ по п.1, характеризующийся тем, что число лазерных источников, вычисляемое на этапе е), является дробным, при этом энергия величиной менее одного кванта, связанная с этой дробной частью числа лазеров, излучается лазерным источником, способным излучать квант энергии, общий для остальных лазерных источников, причем этот лазерный источник включают с задержкой, меньшей длительности (Δt) кванта, относительно момента синхронного включения других лазерных источников, которые излучают энергию, соответствующую целой части количества квантов текущего импульса.
3. Способ по п.1, характеризующийся тем, что число лазерных источников, вычисляемое на этапе е), является дробным, при этом энергия величиной менее одного кванта, связанная с этой дробной частью числа лазеров, излучается лазерным источником, способным излучать энергию величиной менее одного кванта, причем этот лазерный источник включают с задержкой, меньшей длительности (Δt) кванта, относительно момента синхронного включения других лазерных источников, которые излучают энергию, соответствующую целой части количества квантов текущего импульса.
4. Способ по п.2, характеризующийся тем, что число лазерных источников, рассчитанное на этапе е), является дробным, при этом энергия величиной менее одного кванта, связанная с этой дробной частью числа лазеров, излучается несколькими лазерными источниками, из которых
первый включают с задержкой (1-k1)Δt, где 0<k1<1, после момента синхронного включения лазеров, представляющих целую часть числа лазеров;
второй включают с задержкой (1-k2)Δt, где k1<k2<1, после момента синхронного включения лазеров, представляющих целую часть числа лазеров;
и так далее, q-й лазер включают с задержкой (1-kq)Δt, где 0<kq<1, после момента синхронного включения лазеров, представляющих целую часть числа лазеров; и
суммарная величина задержек меньше длительности одного кванта Δt.
5. Способ по п.2, характеризующийся тем, что подают команду на включение
по меньшей мере, первого лазерного выстрела в заранее определенный момент (t11); и
одного или нескольких последовательных лазерных выстрелов в соответствующие моменты времени, выбранные для корректировки энергии импульса, излучаемого в далекой ультрафиолетовой области спектра, при этом соответствующие моменты времени распределены в промежутке меньшем, чем длительность (Δt) выстрелов.
6. Способ по п.3, характеризующийся тем, что подают команду на включение
по меньшей мере, первого лазерного выстрела в заранее определенный момент (t11);и
одного или нескольких последовательных лазерных выстрелов в соответствующие моменты времени, выбранные для корректировки энергии импульса, излучаемого в далекой ультрафиолетовой области спектра, при этом соответствующие моменты времени распределены в промежутке меньшем, чем длительность (Δt) выстрелов.
7. Способ по п.1, характеризующийся тем, что подают команду на лазерные источники для включения повторяющихся лазерных выстрелов со средней частотой, определяющей период повторения импульсов, излучаемых плазмой, при этом обеспечивают непрерывное перемещение объекта относительно излучения, со скоростью (V), соответствующей 1/N-й доле ширины (L) окна, деленной на период повторения импульсов.
8. Способ по п.7, характеризующийся тем, что начинается со следующих этапов:
а0) предназначенный для нанесения рисунка светочувствительный объект помещают за окном таким образом, чтобы облучался только участок облучаемой зоны шириной, равной 1/N-й доле ширины окна;
а1) выбирают, по меньшей мере, часть лазерных источников для возбуждения мишени, генерирующей плазму, и активации текущего импульса в направлении облучаемой зоны;
а2) измеряют пиковую мощность текущего импульса излучения в далекой ультрафиолетовой области, действительно полученного облучаемой зоной объекта;
а3) объект перемещают относительно окна на шаг, равный 1/N-й доле ширины окна;
а4) этапы а1)-а3) повторяют, пока облучаемая зона объекта, находящаяся за окном, остается более узкой, чем окно, при этом направляют импульсы энергии, вычисленной путем вычитания из энергии (Wtot), необходимой для нанесения рисунка на объект, суммы значений энергии, измеренных во время n последовательных проходов на этапе а2), и затем деления результата вычитания на N-n, где n - целое число, меньшее заранее определенного числа N импульсов;
а5) когда облучаемая зона объекта, находящаяся за окном, становится равной ширине окна, точно определяют оставшееся количество энергии, необходимое для того, чтобы участок облучаемой зоны в результате облучения последним импульсом получил общее количество энергии (Wtot), необходимое для нанесения рисунка.
9. Устройство для фотолитографии с помощью излучения в далекой ультрафиолетовой области спектра, характеризующееся тем, что содержит
источник излучения в далекой ультрафиолетовой области, содержащий, по меньшей мере, два лазерных пучка, выходящих из импульсных лазерных источников (10-19), каждый из которых излучает квант (Q) энергии заданной длительности (Δt) во время одного выстрела лазера, при этом лазерные пучки могут возбуждать одну и ту же область мишени (21), образующей плазму, причем излучение плазмы имеет, по меньшей мере, одну линию в далекой ультрафиолетовой области спектра;
облучающее окно (40) заданной ширины (L), расположенное между источником излучения и объектом (OBJ) и выполненное неподвижным относительно источника (20, 22) излучения;
средства (41) для поперечного перемещения относительно окна объекта (OBJ), на который наносится фотолитографический рисунок и который имеет плоскую поверхность, перпендикулярную излучению и содержащую светочувствительную зону (PR), при этом перемещение определяют таким образом, чтобы между двумя последовательными импульсами излучения в далекой ультрафиолетовой области спектра поперечное перемещение объекта (OBJ) относительно облучающего окна составляло 1/N-ю долю ширины окна в направлении перемещения, а на одну и ту же полосу (Z1, Z2) в указанной зоне объекта попадало заданное число N последовательных импульсов излучения в далекой ультрафиолетовой области спектра,
средства (31) измерения поверхностной энергии излучения, прошедшего через облучающее окно (40);
средства вычисления следующих параметров для n-го текущего импульса:
суммарной измеренной энергии ВУФ-излучения N-1 последних импульсов;
количества оставшейся энергии, которую должен обеспечить следующий n-й импульс, путем сравнения указанной суммарной энергии с заранее определенной общей величиной энергии (Wtot), необходимой для осуществления фотолитографии;
числа квантов энергии, которые должны обеспечить лазерные источники для получения указанного количества энергии с помощью n-го импульса;
средства (30) выбора и управления синхронностью включения выбранного числа лазеров в зависимости от расчетного числа квантов;
причем средства для перемещения объекта, предназначенного для нанесения рисунка, относительно излучения выполняют активными с целью дальнейшего перемещения объекта на шаг, эквивалентный 1/N-й доле ширины окна.
10. Устройство по п.9, характеризующееся тем, что средства (33) вычисления выполнены с возможностью определения моментов включения лазерных выстрелов для корректировки энергии импульса, излучаемого в далекой ультрафиолетовой области спектра, при этом средства управления (GI, AI, MOA1-MOA10) выполнены с возможностью управления задержкой включения лазерных выстрелов с временным интервалом между выстрелами, меньшем длительности (Δt) выстрелов.
11. Устройство по п.9, характеризующееся тем, что средства управления содержат акустооптические модуляторы (MOA1-MOA10) для управления каждым лазерным источником в выбранный момент, радиочастотный источник энергии (AL) для управления акустооптическими модуляторами, причем радиочастотный источник энергии и акустооптические модуляторы выполнены с возможностью работы на максимальной частоте, превышающей, по меньшей мере, в тысячу раз частоту импульсов ВУФ-излучения.
12. Устройство по п.9, характеризующееся тем, что средства измерения энергии содержат датчик (31), который характеризуется определенной скоростью измерения, а средства (33) вычисления включают процессор с определенной частотой обработки данных, при этом датчик и средства вычисления могут работать одновременно в течение периода, меньшего периода повторения импульсов ВУФ-излучения.
13. Устройство по п.9, характеризующееся тем, что мишень представляет собой ксеноновую струю.
14. Устройство по п.9, характеризующееся тем, что мишень представляет собой направленную струю из частиц, состоящих из микроскопических капель ксенона и/или воды в виде тумана.
15. Устройство по п.9, характеризующееся тем, что лазерные выстрелы производят импульсными твердотельными лазерами, работающими в режиме осцилляторов и накачиваемыми диодами, работающими в непрерывном режиме.
16. Устройство по п.9, характеризующееся тем, что дробная часть числа лазеров представляет квант энергии, испускаемый с задержкой относительно синхронного включения предыдущих лазеров, при этом средства выбора выполняют с возможностью формирования этих задержек в зависимости от значения дробной части числа лазеров для генерирования текущего n-го импульса.
17. Устройство по п.9, характеризующееся тем, что средства выбора выполнены с возможностью раздельного включения оставшихся лазеров, не участвующих в генерации излучении ВУФ-импульса, таким образом, чтобы выстрелов этих лазеров было недостаточно для генерации излучения ВУФ-импульса.
RU2006110946/28A 2003-09-05 2004-09-01 Способ и устройство для литографии с помощью излучения в далекой ультрафиолетовой области спектра RU2359303C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0310547A FR2859545B1 (fr) 2003-09-05 2003-09-05 Procede et dispositif de lithographie par rayonnement dans l'extreme utraviolet
FR0310547 2003-09-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2006110946A true RU2006110946A (ru) 2007-10-20
RU2359303C2 RU2359303C2 (ru) 2009-06-20

Family

ID=34178832

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2006110946/28A RU2359303C2 (ru) 2003-09-05 2004-09-01 Способ и устройство для литографии с помощью излучения в далекой ультрафиолетовой области спектра

Country Status (9)

Country Link
US (1) US7480030B2 (ru)
EP (1) EP1660946B1 (ru)
JP (1) JP5095209B2 (ru)
KR (1) KR101102608B1 (ru)
CN (1) CN1864104B (ru)
DE (1) DE602004006281T2 (ru)
FR (1) FR2859545B1 (ru)
RU (1) RU2359303C2 (ru)
WO (1) WO2005029191A2 (ru)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2884652B1 (fr) * 2005-04-19 2009-07-10 Femlight Sa Dispositif de generation d'impulsions laser amplifiees par fibres optiques a couches photoniques
DE102006060368B3 (de) * 2006-12-16 2008-07-31 Xtreme Technologies Gmbh Verfahren und Anordnung zur Stabilisierung der mittleren abgegebenen Strahlungsleistung einer gepulst betriebenen Strahlungsquelle
JP5358060B2 (ja) * 2007-02-20 2013-12-04 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
JP5335298B2 (ja) * 2008-06-20 2013-11-06 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置及び極端紫外光の生成方法
EP2154574B1 (en) * 2008-08-14 2011-12-07 ASML Netherlands BV Radiation source and method of generating radiation
KR101031779B1 (ko) * 2008-11-20 2011-04-29 한국표준과학연구원 다중광노출법 기반 초고분해능 리소그래피 장치 및 방법
JP5612579B2 (ja) * 2009-07-29 2014-10-22 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法、およびそのプログラムを記録した記録媒体
JP5578483B2 (ja) * 2009-09-01 2014-08-27 株式会社Ｉｈｉ Ｌｐｐ方式のｅｕｖ光源とその発生方法
DE102010047419B4 (de) * 2010-10-01 2013-09-05 Xtreme Technologies Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung von EUV-Strahlung aus einem Gasentladungsplasma
DE102011005826A1 (de) * 2011-03-21 2012-03-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Vorrichtung
JP5374724B2 (ja) * 2012-04-18 2013-12-25 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
TWI618453B (zh) * 2013-01-10 2018-03-11 Ａｓｍｌ荷蘭公司 用以調整雷射光束脈衝時序以調節極端紫外光劑量之方法及系統
CN108476577B (zh) * 2015-12-22 2020-09-04 飞利浦照明控股有限公司 需求响应照明控制系统和方法
RU2658314C1 (ru) * 2016-06-14 2018-06-20 Общество С Ограниченной Ответственностью "Эуф Лабс" Высокояркостный источник эуф-излучения и способ генерации излучения из лазерной плазмы
US9832852B1 (en) 2016-11-04 2017-11-28 Asml Netherlands B.V. EUV LPP source with dose control and laser stabilization using variable width laser pulses
US11392036B2 (en) * 2020-01-31 2022-07-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photoresist and method
KR102470475B1 (ko) 2020-11-12 2022-11-25 아이센서스 주식회사 리소그래피 장치 및 리소그래피 방법
CN112951049B (zh) * 2020-12-31 2022-11-25 重庆工程职业技术学院 一种基于可变换单辐射源的量子退相干试验箱
CN113433805B (zh) * 2021-07-26 2023-04-14 广东省智能机器人研究院 极紫外光光刻方法和系统
CN113433804B (zh) * 2021-07-26 2023-04-14 广东省智能机器人研究院 极紫外光光刻方法和系统

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4504964A (en) * 1982-09-20 1985-03-12 Eaton Corporation Laser beam plasma pinch X-ray system
JP3235078B2 (ja) * 1993-02-24 2001-12-04 株式会社ニコン 走査露光方法、露光制御装置、走査型露光装置、及びデバイス製造方法
JPH08213192A (ja) * 1995-02-02 1996-08-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Ｘ線発生装置およびその発生方法
US6038279A (en) * 1995-10-16 2000-03-14 Canon Kabushiki Kaisha X-ray generating device, and exposure apparatus and semiconductor device production method using the X-ray generating device
JP2001035688A (ja) * 1999-07-26 2001-02-09 Nikon Corp 軟ｘ線発生装置及びこれを備えた露光装置及び軟ｘ線の発生方法
AU1454100A (en) * 1998-10-27 2000-05-15 Jmar Research, Inc. Shaped source of soft x-ray, extreme ultraviolet and ultraviolet radiation
FR2799667B1 (fr) * 1999-10-18 2002-03-08 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif de generation d'un brouillard dense de gouttelettes micrometriques et submicrometriques, application a la generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet notamment pour la lithographie
FR2802311B1 (fr) * 1999-12-08 2002-01-18 Commissariat Energie Atomique Dispositif de lithographie utilisant une source de rayonnement dans le domaine extreme ultraviolet et des miroirs multicouches a large bande spectrale dans ce domaine
FR2814599B1 (fr) * 2000-09-27 2005-05-20 Commissariat Energie Atomique Dispositif laser de forte puissance crete et application a la generation de lumiere dans l'extreme ultra violet

Also Published As

Publication number Publication date
EP1660946A2 (fr) 2006-05-31
JP2007504672A (ja) 2007-03-01
KR101102608B1 (ko) 2012-01-04
WO2005029191A3 (fr) 2005-06-09
CN1864104B (zh) 2010-09-29
DE602004006281D1 (de) 2007-06-14
DE602004006281T2 (de) 2008-01-10
FR2859545B1 (fr) 2005-11-11
WO2005029191A2 (fr) 2005-03-31
RU2359303C2 (ru) 2009-06-20
EP1660946B1 (fr) 2007-05-02
US20070127007A1 (en) 2007-06-07
FR2859545A1 (fr) 2005-03-11
JP5095209B2 (ja) 2012-12-12
KR20060058721A (ko) 2006-05-30
CN1864104A (zh) 2006-11-15
US7480030B2 (en) 2009-01-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2006110946A (ru) Способ и устройство для литографии с помощью излучения в далекой ультрафиолетовой области спектра
US7928416B2 (en) Laser produced plasma EUV light source
US8569722B2 (en) Extreme ultraviolet light generation apparatus
EP1811545B1 (en) Exposure equipment and exposure method
US6008497A (en) Laser appartus
JPH09122949A (ja) レーザ加工装置およびレーザ装置
US9426872B1 (en) System and method for controlling source laser firing in an LPP EUV light source
US20050247683A1 (en) Method and apparatus to increase throughput of processes using pulsed radiation sources
JP2003272892A (ja) Ｘ線発生方法およびｘ線発生装置
JP2016516585A (ja) ビームポジショナのレーザ出射に基づく制御
US9363877B2 (en) System and method to reduce oscillations in extreme ultraviolet light generation
JPH09248682A (ja) レーザ装置
JP6855570B2 (ja) ターゲット供給装置、極端紫外光生成装置、及びターゲット供給方法
JP3775840B2 (ja) パルスｘ線照射装置、ｘ線縮小露光装置
JP2000294523A (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP2022026279A (ja) 極端紫外光生成システム、及び電子デバイスの製造方法
RU2264011C1 (ru) Способ возбуждения импульсов излучения лазерных систем на самоограниченных переходах (варианты)
JPH09167871A (ja) パルスレーザ発振装置
Husmann et al. Scaling of a Q-switch CO2 laser for pulsed laser deposition
JPH01158333A (ja) 原子密度測定装置
RU2645780C2 (ru) Способ возбуждения импульсов лазерной системы генератор-усилитель на самоограниченных переходах
TW202414101A (zh) 脈衝雷射及操作方法
KR20240056612A (ko) 레이저 펄스를 생성하기 위한 방법 및 장치
JPH1174217A (ja) レーザアニール処理方法
Ishizawa et al. Dynamical Behavior of Higher Harmonic Generation from a Picosecond-Laser-Produced Solid Surface Plasma

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20150902