RU2005103322A - Способ получения изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности - Google Patents
Способ получения изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности Download PDFInfo
- Publication number
- RU2005103322A RU2005103322A RU2005103322/28A RU2005103322A RU2005103322A RU 2005103322 A RU2005103322 A RU 2005103322A RU 2005103322/28 A RU2005103322/28 A RU 2005103322/28A RU 2005103322 A RU2005103322 A RU 2005103322A RU 2005103322 A RU2005103322 A RU 2005103322A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- obtaining
- carbon
- carried out
- product according
- silicon carbide
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Claims (12)
1. Способ получения изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности, включающий синтез пленки карбида кремния на поверхности подложки с использованием углерода, осаждаемого из углеродсодержащего материала на поверхность подложки при нагревании, отличающийся тем, что углерод на поверхности подложки осаждают в условиях, не обеспечивающих образование карбида кремния, после чего создают условия для синтеза карбида кремния.
2. Способ получения изделия по п.1, отличающийся тем, что в качестве углеродсодержащего материала используют, по меньшей мере, один газообразный углеводород, углерод на поверхности подложки осаждают в виде пироуглерода путем термического разложения указанного углеродсодержащего материала, а синтез карбида кремния осуществляют при последующем нагреве до 1100-1400°С в вакууме или в инертной атмосфере.
3. Способ получения изделия по п.2, отличающийся тем, что пироуглерод осаждают температуре 750-1000°С.
4. Способ получения изделия по п.1, отличающийся тем, что углерод на поверхности подложки осаждают конденсацией углеродных атомов и/или кластеров из газовой фазы, путем распыления углеродного материала в инертной среде, а синтез карбида кремния осуществляют при последующем нагреве до 1100-1400°С в вакууме или в инертной атмосфере.
5. Способ получения изделия по п.1, отличающийся тем, что в качестве углеродсодержащего материала используют раствор, по меньшей мере, одной органической смолы в органическом растворителе, который предварительно наносят на поверхность подложки, отверждают, осаждение углерода осуществляют путем карбонизации слоя смолы на поверхности подложки, а синтез карбида кремния осуществляют при последующем нагреве до 1100-1400°С в вакууме или в инертной атмосфере.
6. Способ получения изделия по п.5, отличающийся тем, что в качестве раствора органической смолы используют раствор фенол-формальдегидной смолы в спирте, отверждение осуществляют при 160°С, а карбонизацию осуществляют при подъеме температуры до 900°С.
7. Способ получения изделия по любому из пп.1-6, отличающийся тем, что после нагрева осуществляют дополнительное травление и/или термообработку.
8. Способ получения изделия по п.7, отличающийся тем, что травление осуществляют в кислотах-окислителях.
9. Способ получения изделия по п.8, отличающийся тем, что травление осуществляют в хлорной или азотной кислотах.
10. Способ получения изделия по п.7, отличающийся тем, что термообработку осуществляют в вакууме или среде инертного газа при температуре 1100-1400°С.
11 Способ получения изделия по п.7, отличающийся тем, что термообработку осуществляют в кислородсодержащей среде при температуре 500-800°С.
12. Способ получения изделия по п.11, отличающийся тем, что термообработку осуществляют на воздухе.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2005103322/28A RU2286617C2 (ru) | 2005-02-10 | 2005-02-10 | Способ получения изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2005103322/28A RU2286617C2 (ru) | 2005-02-10 | 2005-02-10 | Способ получения изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2005103322A true RU2005103322A (ru) | 2006-07-20 |
RU2286617C2 RU2286617C2 (ru) | 2006-10-27 |
Family
ID=37028371
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2005103322/28A RU2286617C2 (ru) | 2005-02-10 | 2005-02-10 | Способ получения изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2286617C2 (ru) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2538358C1 (ru) * | 2013-06-19 | 2015-01-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) | СПОСОБ СВЧ ПЛАЗМЕННОГО ФОРМИРОВАНИЯ ПЛЕНОК КУБИЧЕСКОГО КАРБИДА КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ (3С-SiC) |
-
2005
- 2005-02-10 RU RU2005103322/28A patent/RU2286617C2/ru active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2286617C2 (ru) | 2006-10-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101443222B1 (ko) | 그라펜 패턴 및 그의 형성방법 | |
JP6196246B2 (ja) | 炭化ケイ素−炭化タンタル複合材及びサセプタ | |
JP5407921B2 (ja) | グラフェン膜の製造方法 | |
US20150151973A1 (en) | Covalently-bonded graphene coating and its applications thereof | |
EP2098549B1 (en) | Fullerene film using fullerene derivative as raw material, fullerene polymer and their production methods | |
JP5839571B2 (ja) | 窒素原子がドープされたグラフェンフィルムを製造する方法 | |
US7785948B2 (en) | Semiconductor element and process for producing the same | |
US9284196B2 (en) | Graphene-like nanosheet structure network on a substrate and the method for forming the same | |
DE50002017D1 (de) | Verfahren zur herstellung einer nanotube-schicht auf einem substrat | |
JP2006015342A (ja) | カーボンナノチューブ製造用の触媒ベースの製造方法及びそれを利用したカーボンナノチューブの製造方法 | |
KR20170035323A (ko) | 무전사식 그래핀층의 형성 방법 | |
Sokolowski et al. | Ceramic coating formation during carbothermic reaction of polysiloxanes with carbon and graphite materials | |
RU2005103321A (ru) | Способ изготовления изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности | |
RU2005103322A (ru) | Способ получения изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности | |
WO2014174133A1 (es) | Procedimiento para la producción controlada de grafeno a muy baja presión y dispositivo para llevar a cabo el procedimiento | |
JP2007504086A5 (ru) | ||
JP2001519319A (ja) | 高熱伝導率炭素/炭素ハニカム構造 | |
KR101724832B1 (ko) | 그래핀 옥사이드 및 그 제조 방법 | |
KR20130124702A (ko) | 그래핀의 직접 전사 방법 | |
KR20130016846A (ko) | 우수한 면저항을 갖는 그래핀 투명 전극 및 이를 제조하는 방법 | |
KR101752838B1 (ko) | 화학증강 라만산란용 기재, 이의 제조방법, 및 이를 이용한 화학증강 라만산란 방법 | |
JPS62270491A (ja) | サセプタ−の製造方法 | |
TWI847410B (zh) | 石墨烯的製造方法 | |
RU2276661C2 (ru) | Способ обработки изделий из керамических материалов на основе карбида кремния и/или углерода | |
Dhiman et al. | An Improved CVD Design for Graphene Growth and Transfer Improvements |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PC4A | Invention patent assignment |
Effective date: 20081113 |