RU2005103321A - Способ изготовления изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности - Google Patents

Способ изготовления изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности Download PDF

Info

Publication number
RU2005103321A
RU2005103321A RU2005103321/28A RU2005103321A RU2005103321A RU 2005103321 A RU2005103321 A RU 2005103321A RU 2005103321/28 A RU2005103321/28 A RU 2005103321/28A RU 2005103321 A RU2005103321 A RU 2005103321A RU 2005103321 A RU2005103321 A RU 2005103321A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
manufacturing
product according
carried out
carbon
substrate
Prior art date
Application number
RU2005103321/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2286616C2 (ru
Inventor
Сергей Константинович Гордеев (RU)
Сергей Константинович Гордеев
Светлана Борисовна Корчагина (RU)
Светлана Борисовна Корчагина
Сергей Арсеньевич Кукушкин (RU)
Сергей Арсеньевич Кукушкин
Андрей Викторович Осипов (RU)
Андрей Викторович Осипов
Original Assignee
Фонд Поддержки Науки И Образования (Ru)
Фонд поддержки науки и образования
Общество С Ограниченной Ответственностью "Управляющая Компания "Созвездие" (Ооо "Ук "Созвездие") (Ru)
Общество С Ограниченной Ответственностью "Управляющая Компания "Созвездие" (Ооо "Ук "Созвездие")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Фонд Поддержки Науки И Образования (Ru), Фонд поддержки науки и образования, Общество С Ограниченной Ответственностью "Управляющая Компания "Созвездие" (Ооо "Ук "Созвездие") (Ru), Общество С Ограниченной Ответственностью "Управляющая Компания "Созвездие" (Ооо "Ук "Созвездие") filed Critical Фонд Поддержки Науки И Образования (Ru)
Priority to RU2005103321/28A priority Critical patent/RU2286616C2/ru
Priority to PCT/RU2006/000067 priority patent/WO2006085798A2/en
Publication of RU2005103321A publication Critical patent/RU2005103321A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2286616C2 publication Critical patent/RU2286616C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/02—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion materials in the solid state
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C8/60—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using solids, e.g. powders, pastes
    • C23C8/62—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using solids, e.g. powders, pastes only one element being applied
    • C23C8/64—Carburising
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C8/80—After-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Catalysts (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Claims (11)

1. Способ изготовления изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности, включающий синтез пленки карбида кремния на поверхности подложки при совместном нагреве подложки и углеродсодержащего материала, отличающийся тем, что в качестве углеродсодержащего материала используют твердый материал, который приводят в механический контакт с подложкой путем приложения давления, а нагрев осуществляют при температуре 1100-1400°С.
2. Способ изготовления изделия по п.1, отличающийся тем, что в качестве углеродсодержащего материала используют материал с содержанием углерода более 90% масс.
3. Способ изготовления изделия по п.1, отличающийся тем, что механический контакт осуществляют путем приложения давления более 1,5 Па.
4. Способ изготовления изделия по п.1, отличающийся тем, что механический контакт осуществляют с частью поверхности подложки.
5. Способ изготовления изделия по п.1, отличающийся тем, что в качестве углеродсодержащего материала используют, материал из группы: искусственный графит, стеклоуглерод, пирографит, углеситалл, графитовая фольга.
6. Способ изготовления изделия по любому из пп.1-5, отличающийся тем, что после нагрева осуществляют дополнительное травление и/или термообработку.
7. Способ изготовления изделия по п.6, отличающийся тем, что травление осуществляют в кислотах-окислителях.
8. Способ изготовления изделия по п.7, отличающийся тем, что травление осуществляют в хлорной или азотной кислоте.
9. Способ изготовления изделия по п.6, отличающийся тем, что термообработку осуществляют в вакууме или среде инертного газа при температуре 1100-1400°С.
10. Способ изготовления изделия по п.6, отличающийся тем, что термообработку осуществляют в кислородсодержащей среде при температуре 500-800°С.
11. Способ изготовления изделия по п.10, отличающийся тем, что термообработку осуществляют на воздухе.
RU2005103321/28A 2005-02-10 2005-02-10 Способ изготовления изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности RU2286616C2 (ru)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2005103321/28A RU2286616C2 (ru) 2005-02-10 2005-02-10 Способ изготовления изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности
PCT/RU2006/000067 WO2006085798A2 (en) 2005-02-10 2006-02-10 Method for manufacturing of article comprising silicon substrate with silicon carbide film on its surface

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2005103321/28A RU2286616C2 (ru) 2005-02-10 2005-02-10 Способ изготовления изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2005103321A true RU2005103321A (ru) 2006-07-20
RU2286616C2 RU2286616C2 (ru) 2006-10-27

Family

ID=36793460

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2005103321/28A RU2286616C2 (ru) 2005-02-10 2005-02-10 Способ изготовления изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности

Country Status (2)

Country Link
RU (1) RU2286616C2 (ru)
WO (1) WO2006085798A2 (ru)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2520480C1 (ru) * 2013-02-12 2014-06-27 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) Способ получения слоев карбида кремния
RU2540668C1 (ru) * 2013-12-11 2015-02-10 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Инситут физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) Способ получения пластин на основе карбида кремния
RU2578104C1 (ru) * 2015-04-07 2016-03-20 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ) Способ газофазной карбидизации поверхности монокристаллического кремния ориентации (111), (100)
RU2714783C2 (ru) * 2019-05-29 2020-02-19 Общество с ограниченной ответственностью "БетаВольтаика" Способ формирования полупроводниковых структур для преобразования энергии радиохимического распада с-14 в электрическую
RU2715472C1 (ru) * 2019-06-11 2020-02-28 Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии" Изделие, содержащее основу из кремния и покрывающий слой в виде нанопленки углерода с кристаллической решеткой алмазного типа, и способ изготовления этого изделия
RU2727557C1 (ru) * 2019-12-17 2020-07-22 Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии" Способ изготовления функционального элемента полупроводникового прибора

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000226299A (ja) * 1999-02-04 2000-08-15 Denso Corp 単結晶炭化珪素薄膜の製造方法および単結晶炭化珪素薄膜
JP2002363751A (ja) * 2001-06-06 2002-12-18 Osaka Prefecture 単結晶炭化シリコン薄膜の製造方法及びその製造装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2006085798A2 (en) 2006-08-17
RU2286616C2 (ru) 2006-10-27
WO2006085798A3 (en) 2006-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5137066B2 (ja) グラフェンシートの製造方法
RU2005103321A (ru) Способ изготовления изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности
JP4754995B2 (ja) 熱伝導材料及びその製造方法
JP2008042067A5 (ru)
CN102802109B (zh) 热致发声元件的制备方法
JP5270800B2 (ja) 炭化ケイ素上のグラフェン・バッファ層の活性化のための方法およびデバイス
BRPI0410641A (pt) processo para revestimento de substratos com material baseado em carbono
TW200603225A (en) Method of manufacturing carbon nanotube and plasma cvd(chemical vapor deposition) apparatus for implementing thereof
CN105000552A (zh) 一种氧化石墨烯的制备方法
US20200101424A1 (en) Method for perforating carbon nanomaterial, and method for producing filter molded article
JP2007530788A5 (ru)
EP2778128B1 (en) Method of thermal reduction of graphene oxide
CN102642822B (zh) 一种分离金属型和半导体型单壁碳纳米管阵列的方法
TWI762150B (zh) 石墨烯奈米帶複合結構及其製備方法
RU2005124203A (ru) Способ изготовления изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности
JP2005001942A (ja) 配向性カーボンナノチューブ膜の精製方法
RU2005103322A (ru) Способ получения изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности
Shimoo et al. Oxidation behavior and mechanical properties of low-oxygen SiC fibers prepared by vacuum heat-treatment of electron-beam-cured poly (carbosilane) precursor
JP6894606B6 (ja) グラフェンの作製方法
JPS6013298B2 (ja) 半導体製造用拡散洗滌兼用治具
JP2004196631A (ja) ナノカーボンの製造方法
JP2014528895A (ja) シリコン層を含む基板表面にグラフェン層を形成する方法
CN203922733U (zh) 一种生长大面积石墨烯的装置
SU795961A1 (ru) Способ газовой обработки сапфира
JP5245159B2 (ja) ダイヤモンド基材中への流路形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
PC4A Invention patent assignment

Effective date: 20081113