JP2006015342A - カーボンナノチューブ製造用の触媒ベースの製造方法及びそれを利用したカーボンナノチューブの製造方法 - Google Patents
カーボンナノチューブ製造用の触媒ベースの製造方法及びそれを利用したカーボンナノチューブの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006015342A JP2006015342A JP2005190274A JP2005190274A JP2006015342A JP 2006015342 A JP2006015342 A JP 2006015342A JP 2005190274 A JP2005190274 A JP 2005190274A JP 2005190274 A JP2005190274 A JP 2005190274A JP 2006015342 A JP2006015342 A JP 2006015342A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- precursor
- substrate
- paste
- precursor paste
- catalyst
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 title claims abstract description 80
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 63
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 51
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title abstract description 9
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 133
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 61
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 54
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 claims description 45
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 13
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 claims description 13
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 10
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 claims description 7
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical group CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000002902 organometallic compounds Chemical group 0.000 claims description 5
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 4
- RBNWAMSGVWEHFP-UHFFFAOYSA-N trans-p-Menthane-1,8-diol Chemical compound CC(C)(O)C1CCC(C)(O)CC1 RBNWAMSGVWEHFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 abstract description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000007833 carbon precursor Substances 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 4
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 3
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PVFSDGKDKFSOTB-UHFFFAOYSA-K iron(3+);triacetate Chemical compound [Fe+3].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O PVFSDGKDKFSOTB-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQRWBMAEBQOWAF-UHFFFAOYSA-N acetic acid;nickel Chemical compound [Ni].CC(O)=O.CC(O)=O MQRWBMAEBQOWAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 150000001540 azides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000440 bentonite Substances 0.000 description 1
- 229910000278 bentonite Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012216 bentonite Nutrition 0.000 description 1
- SVPXDRXYRYOSEX-UHFFFAOYSA-N bentoquatam Chemical compound O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O SVPXDRXYRYOSEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940011182 cobalt acetate Drugs 0.000 description 1
- QAHREYKOYSIQPH-UHFFFAOYSA-L cobalt(II) acetate Chemical compound [Co+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O QAHREYKOYSIQPH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- VEPSWGHMGZQCIN-UHFFFAOYSA-H ferric oxalate Chemical compound [Fe+3].[Fe+3].[O-]C(=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)C([O-])=O VEPSWGHMGZQCIN-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N ferrocene Chemical compound [Fe+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229920013819 hydroxyethyl ethylcellulose Polymers 0.000 description 1
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229940078494 nickel acetate Drugs 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J37/00—Processes, in general, for preparing catalysts; Processes, in general, for activation of catalysts
- B01J37/08—Heat treatment
- B01J37/082—Decomposition and pyrolysis
- B01J37/086—Decomposition of an organometallic compound, a metal complex or a metal salt of a carboxylic acid
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J21/00—Catalysts comprising the elements, oxides, or hydroxides of magnesium, boron, aluminium, carbon, silicon, titanium, zirconium, or hafnium
- B01J21/18—Carbon
- B01J21/185—Carbon nanotubes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- D—TEXTILES; PAPER
- D01—NATURAL OR MAN-MADE THREADS OR FIBRES; SPINNING
- D01F—CHEMICAL FEATURES IN THE MANUFACTURE OF ARTIFICIAL FILAMENTS, THREADS, FIBRES, BRISTLES OR RIBBONS; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OF CARBON FILAMENTS
- D01F9/00—Artificial filaments or the like of other substances; Manufacture thereof; Apparatus specially adapted for the manufacture of carbon filaments
- D01F9/08—Artificial filaments or the like of other substances; Manufacture thereof; Apparatus specially adapted for the manufacture of carbon filaments of inorganic material
- D01F9/12—Carbon filaments; Apparatus specially adapted for the manufacture thereof
- D01F9/127—Carbon filaments; Apparatus specially adapted for the manufacture thereof by thermal decomposition of hydrocarbon gases or vapours or other carbon-containing compounds in the form of gas or vapour, e.g. carbon monoxide, alcohols
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/12—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of actinides
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/16—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of arsenic, antimony, bismuth, vanadium, niobium, tantalum, polonium, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, technetium or rhenium
- B01J23/20—Vanadium, niobium or tantalum
- B01J23/22—Vanadium
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/16—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of arsenic, antimony, bismuth, vanadium, niobium, tantalum, polonium, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, technetium or rhenium
- B01J23/24—Chromium, molybdenum or tungsten
- B01J23/28—Molybdenum
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/70—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of the iron group metals or copper
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Textile Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
【課題】カーボンナノチューブの成長密度の調節とカーボンナノチューブの均一性とを容易に向上させ得る触媒ベースを形成する新たな方法、そして、そのような触媒ベースの形成方法を利用したカーボンナノチューブの合成方法を提供する。
【解決手段】触媒金属前駆体、固形分及びビークルを含む前駆体ペーストを基板上に付着させるステップと、基板上に付着された前駆体ペーストのうち、触媒金属前駆体を還元させて触媒金属粒子を形成するステップとを含む触媒ベースの形成方法。
【選択図】図１
【解決手段】触媒金属前駆体、固形分及びビークルを含む前駆体ペーストを基板上に付着させるステップと、基板上に付着された前駆体ペーストのうち、触媒金属前駆体を還元させて触媒金属粒子を形成するステップとを含む触媒ベースの形成方法。
【選択図】図１
Description
本発明は、カーボンナノチューブ（Ｃａｒｂｏｎ Ｎａｎｏ Ｔｕｂｅ：ＣＮＴ）製造用の触媒ベースの製造方法と、それを利用したＣＮＴの製造方法に関する。
ＣＮＴは、通常的に、約数ｎｍの非常に微細な直径と、約１０ないし１，０００の非常に大きいアスペクト比とを有する円筒形材料である。ＣＮＴにおいて、一般的に、炭素原子は、六角形の格子状の構造で配列されており、それぞれの炭素原子は、隣接する３つの炭素原子と結合している。ＣＮＴは、その構造により、導体の性質または半導体の性質を有しうる。導体の性質を有するＣＮＴの電気伝導度は、非常に優れたものとして知られている。また、ＣＮＴは、非常に強い機械的強度、テラ単位のヤング率（Ｙｏｕｎｇ’ｓ ｍｏｄｕｌｕｓ）、優れた熱伝導度などの特性を有する。そのような優秀な特性を有するＣＮＴは、例えば、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）のエミッタ、トランジスタ、燃料電池の触媒担体、スーパーキャパシタのような多様な技術分野に非常に有利に使用されうる。
ＣＮＴの製造方法としては、電気放電法、レーザー蒸着法、プラズマ化学気相蒸着法、化学気相蒸着法、気相合成法、電気分解法などが知られている。
気相合成法は、基板を使用せずに、反応炉中に反応ガスと触媒金属とを直接供給して気相で合成する方法であって、ＣＮＴをバルク状に合成することに適した方法である。電気放電法とレーザー蒸着法は、ＣＮＴの合成収率が比較的低い。電気放電法とレーザー蒸着法では、ＣＮＴの直径及び長さを調節することが難しい。また、電気放電法とレーザー蒸着法とを使用すれば、ＣＮＴだけでなく、非晶質炭素塊が多量に生成するため、必ず複雑な精製過程が伴わねばならない。
基板上にＣＮＴを形成させるには、一般的に、例えば、熱化学気相蒸着法、低圧化学気相蒸着法及びプラズマ化学気相蒸着法のような化学気相蒸着法が利用される。プラズマ化学気相蒸着法の場合、プラズマを利用してガスを活性化させるため、低温でＣＮＴを合成できる。また、プラズマ化学気相蒸着法は、ＣＮＴの直径、長さ、密度などを比較的に容易に調節できる。
化学気相蒸着法の場合に、基板上に形成されるＣＮＴの密度を均一にするために、あらかじめ基板上に、ＣＮＴ成長の基礎となる「触媒ベース」を形成させる。ここで、“触媒ベース”とは、ＣＮＴの成長の基礎となる触媒それ自体、または、そのような触媒を含む任意の材料を意味する。
例えば、電子ビーム蒸発法またはスパッタリング法で蒸着された遷移金属薄膜を触媒ベースとして使用した事例がある。しかし、そのような触媒ベースを基礎としてＣＮＴを成長させる場合には、ＣＮＴの成長密度調節が難しく、それにより、生成されたＣＮＴの均一性が低下することが知られている。さらに、そのような触媒ベースを形成するには、高価な真空装備を使用せねばならない。また、そのような触媒ベースは、大面積の基板には適用し難い。
更に他の例を挙げれば、多孔性担体に担持された遷移金属粒子を触媒ベースとして使用した事例がある。しかし、そのような触媒ベースを使用する場合、パターニングが難しく、ＣＮＴの成長密度の調節が難しいことが知られている。
それにより、均一で且つ密度調節が可能なＣＮＴの成長を効果的に誘導できる新たな触媒ベースの形成方法が相変らず要求されている。
ＵＳ ６，３５０，４８８号明細書
ＵＳ ６，４０１，５２６号明細書
本発明の目的は、ＣＮＴの成長密度の調節と、ＣＮＴの均一性の向上とを容易に行い得る触媒ベースを形成する新たな方法を提供するところにある。
本発明の他の目的は、そのような触媒ベースの形成方法を利用したＣＮＴの合成方法を提供するところにある。
本発明で提供する、ＣＮＴの成長の基礎となる触媒ベースを形成する方法は、触媒金属前駆体、固形分及びビークルを含む前駆体ペーストを基板上に付着させるステップと、前記基板上に付着された前駆体ペーストのうち、触媒金属前駆体を還元させて触媒金属粒子を形成させるステップと、を含む。
本発明の触媒ベースの形成方法において注目する点は、固形分を含む前駆体ペーストの使用が多くの利点を提供するということである。すなわち、前駆体ペーストのうち、触媒金属前駆体の含量を調節することで、基板上に形成される触媒金属粒子の生成密度を容易に調節でき、固形分を通じて触媒金属前駆体の凝集を防止して加工性を向上させるという長所を有する。また、前駆体ペーストの使用は、大面積にわたって均一なコーティングを容易に提供できる多様なコーティング方法を利用でき、それにより、低コストで大面積の基板上に触媒金属粒子を均一に生成させうる。また、前駆体ペーストの使用は、大面積にわたってパターニングされたコーティングを容易に提供できる多様なコーティング方法を利用でき、それにより、大面積の基板上に触媒金属粒子のパターンを容易に生成させうる。
本発明で提供するＣＮＴ合成方法は、触媒金属前駆体、固形分及びビークルを含む前駆体ペーストを基板上に付着させるステップと、前記基板上に付着された前駆体ペーストのうち、触媒金属前駆体を還元させて触媒金属粒子を形成させるステップと、前記触媒金属粒子に炭素源を供給して、前記触媒金属粒子上にＣＮＴを成長させるステップと、を含む。
本発明の触媒ベースの形成方法において、前駆体ペースト中の触媒金属前駆体の含量を調節することで、また、前駆体ペースト中の固形分の含量を調節して触媒の凝集を妨害することで、基板上に形成される触媒金属粒子の生成密度を容易に調節できる。また、前駆体ペーストの使用は、大面積にわたって均一なコーティングを容易に提供できる多様なコーティング方法を利用でき、それにより、低コストで大面積の基板上に触媒金属粒子を均一に生成させうる。また、前駆体ペーストの使用は、大面積にわたってパターニングされたコーティングを容易に提供できる多様なコーティング方法を利用でき、それにより、大面積の基板上に触媒金属粒子のパターンを容易に生成させうる。
以下では、本発明で提供するＣＮＴ成長の基礎となる触媒ベースの形成方法を詳細に説明する。
本発明の触媒ベースの形成方法は、触媒金属前駆体、固形分及びビークルを含む前駆体ペーストを基板上に付着させるステップと、前記基板上に付着された前駆体ペーストのうち、触媒金属前駆体を還元させて触媒金属粒子を形成させるステップと、を含む。
前駆体ペーストは、触媒金属前駆体、固形分及びビークルを含む。触媒金属前駆体は、還元過程を通じて金属粒子に転換されうる含金属化合物である。ビークルは、触媒金属前駆体を溶解または分散させうる液状の物質である。
固形分は、触媒の形成過程で触媒の凝集を妨害するものであり、基板上に形成される触媒金属粒子の生成密度を容易に調節できる。固形分としては、例えば、ガラス粉末、フリット、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）のような無機バインダが使用されうる。前記無機バインダの粒子サイズは、数μｍないし数十μｍでありうる。固形分の適切な含量は、具体的な適用分野で要求されるところによって、当業者によって容易に選択されうるため、本発明では特別に限定しない。典型的には、前駆体ペースト中の固形分の含量は、触媒金属前駆体１００質量部を基準として、約１００ないし１０，０００質量部でありうる。
触媒金属前駆体としては、例えば、有機金属化合物が使用されうる。有機金属化合物は、例えば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｙ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｖ及びＴｉの中から選択される少なくとも一つの金属原子を含み得る。有機金属化合物の具体的な例としては、酢酸鉄、シュウ酸鉄、酢酸コバルト、酢酸ニッケル、フェロセン、またはそれらの混合物がある。
ビークルとしては、例えば、エタノール、エチレングリコール、テルピノール、ポリエチレングリコール、ポリビニルアルコール、それらの混合物などが使用されうる。ビークルは、触媒金属前駆体の還元過程で容易に除去されうることが更に好ましい。
前駆体ペーストの組成比は、触媒金属粒子の生成密度に影響を及ぼす。前駆体ペーストのうち、触媒金属前駆体の含量が少ないほど、触媒金属粒子の生成密度は減少する傾向を表す。逆に、前駆体ペーストのうち、触媒金属前駆体の含量が高いほど、触媒金属粒子の生成密度は上昇する傾向を表す。
前駆体ペーストの組成比は、また、前駆体ペーストの粘度に影響を及ぼす。前駆体ペーストの粘度は、所望のコーティング方法に適用されるのに適した程度であることが好ましい。前駆体ペーストのうち、ビークルの含量が少ないほど、前駆体ペーストの粘度は上昇する傾向を表す。逆に、前駆体ペーストのうち、ビークルの含量が多いほど、前駆体ペーストの粘度は低下する傾向を表す。
そのような要因と関連する前駆体ペーストの適切な組成比は、具体的な適用分野で要求されるところによって、当業者によって容易に選択されうるため、本発明では特別に限定しない。典型的には、前駆体ペースト中のビークルの含量は、触媒金属前駆体１００質量部を基準として、約２００ないし１００，０００質量部でありうる（この場合、触媒金属前駆体が前駆体ペースト全体の約０．１〜５０質量％でありうる）。
前駆体ペーストは、増粘剤を更に含みうる。増粘剤を添加することで、前駆体ペーストの触媒金属前駆体の含量と前駆体ペーストの粘度とを独立的に調節できる。増粘剤としては、例えば、有機ベントナイト、ヒドロキシエチルセルロース、エチルセルロースなどが使用されうる。増粘剤は、触媒金属前駆体の還元過程で容易に除去されうることが更に好ましい。増粘剤の適切な含量は、具体的な適用分野で要求されるところによって、当業者によって容易に選択されうるため、本発明では特別に限定しない。典型的には、前駆体ペースト中の増粘剤の含量は、触媒金属前駆体１００質量部を基準として、約１０ないし５００質量部でありうる。
前駆体ペーストは、感光剤を更に含みうる。感光剤を添加することで、フォトリソグラフィを利用した前駆体ペーストのパターニングを非常に容易に行い得る。感光剤としては、例えば、ジアゾ樹脂、アジド樹脂、ポリ硬皮膜ビニール、アクリル樹脂、ポリアミド、ポリエステルなどが使用されうる。感光剤は、触媒金属前駆体の還元過程で容易に除去されうることが更に好ましい。感光剤の適切な含量は、具体的な適用分野で要求されるところによって、当業者によって容易に選択されうるため、本発明では特別に限定しない。典型的には、前駆体ペースト中の感光剤の含量は、触媒金属前駆体１００質量部を基準として、約１００ないし１，０００質量部でありうる。
前駆体ペーストは、バインダを更に含みうる。バインダを添加することで、前駆体ペーストが基板上に更にしっかりと付着されうる。バインダとしては、例えば、エチルセルロース、ニトロセルロースのようなセルロース系の化合物、アクリル系の樹脂のような有機バインダが使用されうる。バインダは、触媒金属前駆体の還元過程で容易に除去されうることが更に好ましい。バインダの適切な含量は、具体的な適用分野で要求されるところによって、当業者によって容易に選択されうるため、本発明では特別に限定しない。典型的には、前駆体ペースト中のバインダの含量は、触媒金属前駆体１００質量部を基準として、約１００ないし１０，０００質量部でありうる。
前駆体ペーストは、多様なコーティング方法によって基板上に付着されうる。例えば、スピンコーティング、スクリーンプリンティング、ディップコーティング、ブレードコーティング、インクジェットプリンティングのような多様なコーティング法が使用されうる。前駆体ペーストは、基板の全面に塗布されてもよく、基板の一面のみに塗布されてもよい。
基板は、触媒金属粒子がその表面上に付着されうる任意の材料である。例えば、基板としては、例えば、Ｍｏ、Ｃｒ及びＷのように、高融点を有する金属、シリコン、ガラス、プラスチック、石英などが使用されうる。基板は、単純な平板状であってもよく、または、エミッタ設置のためのウエルが形成されているＦＥＤの背面板のような複雑な形態であってもよい。
その後、基板の表面に付着された前駆体ペーストのうち、触媒金属前駆体を触媒金属粒子に還元させる。その過程で、前駆体ペーストのうち、ビークル成分またはその他の添加剤の成分が除去される。触媒金属前駆体を触媒金属粒子に還元させる過程は、例えば、次の通りに行われ得る。まず、酸化雰囲気内での熱処理を通じて触媒金属前駆体を酸化物に転換させた後、そのように形成された酸化物を、還元雰囲気で熱処理またはプラズマ処理して金属に還元させる。触媒金属前駆体の還元過程は、当業界に知られた多様な方法によって行われ得る。
基板の表面に付着された前駆体ペースト中の触媒金属前駆体を触媒金属粒子に還元させるステップは、次の通りに行われてもよい。まず、基板上の前駆体ペーストを、ビークル成分が蒸発されるのに十分な温度に加熱して、前記前駆体ペーストからビークル成分を除去する。その後、ビークルが除去された前記前駆体ペーストを酸化雰囲気で熱処理して、もし、存在すれば、その他の添加剤の成分を除去し、触媒金属前駆体を酸化物に転換する。その次に、そのように形成された酸化物を、還元雰囲気で熱処理またはプラズマ処理して、粒状の金属に還元させる。
本発明の他の具現例で、パターンを有する触媒ベースを形成させうる。そのために、前駆体ペーストを基板上に付着させるステップで、例えば、インクジェットプリンティング、スクリーンプリンティングのような多様な印刷法が使用されうる。
本発明の更に他の具現例では、パターンを有する触媒ベースを形成させるために、感光剤を更に含む前駆体ペーストを使用できる。この具現例で、前駆体ペーストを基板上に付着させるステップは、触媒金属前駆体、固形分、ビークル及び感光剤を含む前駆体ペーストを基板上に付着させるステップと、前記前駆体ペーストを加熱してビークル成分を除去することで、前記前駆体ペーストを乾燥させるステップと、前記乾燥された前駆体ペーストを所定のパターンで露光させるステップと、前記パターンに含まれない前駆体ペーストの部分を除去するステップと、を含みうる。
この具現例で、前駆体ペーストを露光させるステップ、及びパターンに含まれない前駆体ペーストの部分を除去するステップの具体的な方法としては、フォトリソグラフィ法で広く利用される多様なパターン形成法が使用されうる。例えば、まず、感光剤を含む前駆体ペーストを基板にスピンコーティング法で付着した後、フォトマスクを使用して所望のパターン以外の領域に紫外線を照射した後、現像液に現像することで行われ得る。その時に露光される光の波長は、４００ｎｍ以下の短波長紫外線を使用し、現像後に残留しうる残滓は、追加プラズマエッチングなどを通じて除去できる。
以下では、本発明のＣＮＴの製造方法を詳細に説明する。
本発明のＣＮＴの製造方法は、触媒金属前駆体、固形分及びビークルを含む前駆体ペーストを基板上に付着させるステップと、前記基板上に付着された前駆体ペーストのうち、触媒金属前駆体を還元させて触媒金属粒子を形成させるステップと、前記触媒金属粒子に炭素源を供給して、前記触媒金属粒子上にＣＮＴを成長させるステップと、を含む。
基板上に触媒金属粒子を形成させるステップは、前記した本発明の触媒ベースの形成方法と同じである。
触媒金属粒子に炭素源を供給して、触媒金属粒子上にＣＮＴを成長させるステップは、ＣＮＴの製造に使用されうる多様な方法によって行われ得る。
例えば、前記ＣＮＴ成長のステップでは、反応チャンバ内に、ＣＮＴ成長の基礎となる触媒金属粒子が付着されている基板を位置させ、前記反応チャンバ内に炭素前駆体ガスを供給した後、前記反応チャンバ内で前記炭素前駆体ガスを分解して、前記触媒金属粒子に炭素を供給することで、前記触媒金属粒子上でＣＮＴが成長する。
更に具体的な例を挙げれば、前記ＣＮＴ成長のステップは、低圧化学気相蒸着法、熱化学気相蒸着法、及びプラズマ化学気相蒸着法、または、それらの方法を組合わせた方法のような化学気相蒸着法によって行われても良い。
炭素前駆体ガスとしては、例えば、アセチレン、メタン、プロパン、エチレン、一酸化炭素、二酸化炭素、アルコール、ベンゼンのような含炭素化合物が使用されうる。
前記反応チャンバ内の温度が低すぎれば、生成されるＣＮＴの結晶性が低下することがあり、高すぎれば、ＣＮＴが良好に形成されないことがある。そのような点を考慮して、前記反応チャンバ内の温度は、典型的に約４５０ないし１１００℃でありうる。
前記ＣＮＴ成長のステップでの他の工程条件は、ＣＮＴの成長に適した通常的なものが使用されてもよく、また、当業者によって具体的な適用目的によって容易に選択されうる。
本発明のＣＮＴの製造方法の一具現例では、パターンを有する触媒ベースを使用して、基板上にＣＮＴのパターンを形成させうる。そのために、前駆体ペーストを基板上に付着させるステップで、例えば、インクジェットプリンティング、スクリーンプリンティング、及びスピンコーティングのような多様な印刷法が使用されうる。
本発明のＣＮＴの製造方法の更に他の具現例では、基板上にＣＮＴのパターンを形成させるために、感光剤を更に含む前駆体ペーストを使用できる。この具現例で、前駆体ペーストを基板上に付着させるステップは、触媒金属前駆体、固形分、ビークル及び感光剤を含む前駆体ペーストを基板上に付着させるステップと、前記前駆体ペーストを加熱してビークル成分を除去することで、前記前駆体ペーストを乾燥させるステップと、前記乾燥された前駆体ペーストを所定のパターンで露光させるステップと、前記パターンに含まれない前駆体ペーストの部分を除去するステップと、を含みうる。
基板上にＣＮＴのパターンを形成させうる本発明のＣＮＴの製造方法の具現例は、例えば、ＦＥＤ製造工程のＣＮＴエミッタ形成のステップに有効に適用できる。
＜実施例＞
酢酸鉄０．５ｇ、フリット０．１ｇ、及びテルピノール９．４ｇを３ロールミルで１０分間混合して、前駆体ペーストを製造した。
酢酸鉄０．５ｇ、フリット０．１ｇ、及びテルピノール９．４ｇを３ロールミルで１０分間混合して、前駆体ペーストを製造した。
このように得た前駆体ペーストを、ガラス基板上にスクリーンプリンティングした。
前駆体ペーストが付着された基板を９０℃の温度で１５分間加熱して、スクリーンプリンティングされた前駆体ペーストからビークルとして使用されたテルピノールを除去した。
基板上のビークルが除去された前駆体ペーストを、空気雰囲気で１７０℃で１０分間、３５０℃で１０分間、そして、４５０℃で１０分間熱処理することで、基板上に触媒ベースを形成した。
熱化学気相蒸着法を使用して、触媒ベースが付着されている基板上にＣＮＴを成長させた。この時、炭素前駆体ガスとしてＣＯとＨ２との混合ガスを使用した（この時、そのような水素雰囲気下の昇温過程で触媒金属も還元される）。ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）チャンバの温度を５５０℃に設定して成長させたＣＮＴの電子顕微鏡写真を図１に示す。ＣＶＤチャンバの温度を６５０℃に設定して成長させたＣＮＴの電子顕微鏡写真を図２に示す。
＜比較例＞
ガラス基板上に電子ビーム蒸発器を使用して、インバール（Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ合金）触媒を１０ｎｍの厚さに蒸着して触媒ベースを形成した。
ガラス基板上に電子ビーム蒸発器を使用して、インバール（Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ合金）触媒を１０ｎｍの厚さに蒸着して触媒ベースを形成した。
熱化学気相蒸着法を使用して、触媒ベースが付着されている基板上にＣＮＴを成長させた。この時、炭素前駆体ガスとしてＣＯとＨ２との混合ガスを使用した。ＣＶＤチャンバの温度を５５０℃と設定して成長させたＣＮＴの電子顕微鏡写真を図３に示した。
実施例の図１及び図２と比較例の図３とを比較すると、本発明の触媒ベースの形成方法及びＣＮＴの製造方法が、比較例に比べて非常に向上した効果を発揮することが分かる。
図３に示されたように、比較例のＣＮＴは過度に密集している。また、比較例のＣＮＴの直径は２０〜７０ｎｍの範囲にあり、その均一性が劣る。
それに対し、図１及び図２に示されたように、実施例のＣＮＴは密集していない。それは、本発明の方法が、ＣＮＴの生成密度を容易に調節できるということを表す。図１のＣＮＴの直径は１０〜２０ｎｍの範囲であり、図２のＣＮＴの直径は２０〜３０ｎｍ範囲であった。
それは、本発明の方法が微細で且つ均一な直径を有するＣＮＴを成長させうるということを表す。
したがって、本発明の触媒ベースの形成方法を利用することで、基板上に形成される触媒金属粒子の生成密度を容易に調節でき、また、基板上に触媒金属粒子を均一に生成させうるということを確認できる。
本発明のＣＮＴを合成する方法によって、ＣＮＴの成長密度を容易に調節でき、微細でかつ均一な直径のＣＮＴを形成しうる。また、大面積の基板上にＣＮＴのパターンを容易に形成しうる。
本発明によって得られるＣＮＴは、ＦＥＤのエミッタ、トランジスタ、燃料電池の触媒担体、及びスーパーキャパシタのような多様な技術分野に非常に有効に使用されうる。
Claims (10)
- 触媒金属前駆体、固形分及びビークルを含有する前駆体ペーストを基板上に付着させるステップと、
前記基板上に付着された前駆体ペーストのうち、触媒金属前駆体を還元させて触媒金属粒子を形成させるステップと、を含む触媒ベースの形成方法。 - 前記触媒金属前駆体が有機金属化合物であることを特徴とする請求項１に記載の触媒ベースの形成方法。
- 前記触媒金属前駆体は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｙ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｖ及びＴｉの中から選択される少なくとも一つの金属原子を含む有機金属化合物であることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
- 前記ビークルは、エタノール、エチレングリコール、テルピノール、ポリエチレングリコール、ポリビニルアルコール、またはそれらの混合物であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
- 前記前駆体ペーストは、増粘剤、感光剤、バインダ、またはそれらの混合物を更に含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
- 前記前駆体ペーストは、スピンコーティング、スクリーンプリンティング、ディップコーティング、ブレードコーティングまたはインクジェットプリンティングによって基板上に付着されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
- 前記基板上に付着された前駆体ペーストのうち、触媒金属前駆体を還元させて触媒金属粒子を形成させるステップが、
前記基板上の前駆体ペーストを、ビークル成分の蒸発に十分な温度に加熱して、前記前駆体ペーストからビークル成分を除去するステップと、
ビークルが除去された前記前駆体ペーストを、酸化雰囲気で熱処理して触媒金属前駆体を酸化物に転換させるステップと、
前記酸化物を粒状の金属に還元させるステップと、を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。 - 前記前駆体ペーストを基板上に付着させるステップが、
触媒金属前駆体、固形分、ビークル及び感光剤を含む前駆体ペーストを基板上に付着させるステップと、
前記前駆体ペーストを加熱してビークル成分を除去することで、前記前駆体ペーストを乾燥させるステップと、
前記乾燥された前駆体ペーストを所定のパターンに露光させるステップと、
前記パターンに含まれない前駆体ペーストの部分を除去するステップと、を含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。 - 請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法において形成された触媒金属粒子に炭素源を供給して、前記触媒金属粒子上にカーボンナノチューブを成長させるステップを含む、カーボンナノチューブの製造方法。
- 前記カーボンナノチューブを成長させるステップは、化学気相蒸着法によって行われることを特徴とする請求項９に記載のカーボンナノチューブの製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040051523A KR20060002476A (ko) | 2004-07-02 | 2004-07-02 | 탄소나노튜브 제조용 촉매 베이스의 제조 방법 및 이를이용한 탄소나노튜브 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006015342A true JP2006015342A (ja) | 2006-01-19 |
Family
ID=36099351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005190274A Pending JP2006015342A (ja) | 2004-07-02 | 2005-06-29 | カーボンナノチューブ製造用の触媒ベースの製造方法及びそれを利用したカーボンナノチューブの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20060067872A1 (ja) |
| JP (1) | JP2006015342A (ja) |
| KR (1) | KR20060002476A (ja) |
| CN (1) | CN1721323A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007091530A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Niigata Prefecture | カーボンナノチューブの製造方法 |
| JP2010125371A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Yokohama National Univ | 酸化物触媒粒子の担持方法 |
| JP2012031015A (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-16 | Toray Ind Inc | カーボンナノチューブ製造法 |
| JP2012211034A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 高配向カーボンナノチューブの製造方法 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1736440A1 (fr) * | 2005-06-20 | 2006-12-27 | Nanocyl S.A. | Procédé de fabrication de nanotubes de carbone |
| US7790332B2 (en) * | 2006-07-03 | 2010-09-07 | Appliedus Corporation | Fuel cells and methods of manufacturing the same |
| CN100358802C (zh) * | 2006-07-17 | 2008-01-02 | 天津大学 | 以Ni/RE/Cu催化剂化学气相沉积制备碳纳米管的方法 |
| US7678672B2 (en) * | 2007-01-16 | 2010-03-16 | Northrop Grumman Space & Mission Systems Corp. | Carbon nanotube fabrication from crystallography oriented catalyst |
| KR100905403B1 (ko) | 2007-10-18 | 2009-06-30 | 한국지질자원연구원 | 저품위 철광석을 이용한 아세트산 철(ⅱ)의 제조방법 |
| JP5227570B2 (ja) * | 2007-11-13 | 2013-07-03 | セーレン株式会社 | 透明導電性部材の製造方法 |
| KR101420680B1 (ko) * | 2008-09-22 | 2014-07-17 | 삼성전자주식회사 | 저항가열을 이용한 탄소섬유의 표면처리 장치 및 표면처리 방법 |
| CN113140742B (zh) * | 2021-04-01 | 2022-08-30 | 邵阳学院 | 一种PtM/CNT/C催化剂及其制备方法和应用 |
| CN114515578B (zh) * | 2021-12-31 | 2023-05-23 | 佛山市格瑞芬新能源有限公司 | 一种制备碳纳米管的催化剂及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5278113A (en) * | 1991-03-08 | 1994-01-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Catalytic body and process for producing the same |
| US6401526B1 (en) * | 1999-12-10 | 2002-06-11 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Carbon nanotubes and methods of fabrication thereof using a liquid phase catalyst precursor |
-
2004
- 2004-07-02 KR KR1020040051523A patent/KR20060002476A/ko not_active Application Discontinuation
-
2005
- 2005-06-29 JP JP2005190274A patent/JP2006015342A/ja active Pending
- 2005-07-01 US US11/171,247 patent/US20060067872A1/en not_active Abandoned
- 2005-07-04 CN CNA2005100821396A patent/CN1721323A/zh active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007091530A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Niigata Prefecture | カーボンナノチューブの製造方法 |
| JP2010125371A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Yokohama National Univ | 酸化物触媒粒子の担持方法 |
| JP2012031015A (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-16 | Toray Ind Inc | カーボンナノチューブ製造法 |
| JP2012211034A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 高配向カーボンナノチューブの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20060067872A1 (en) | 2006-03-30 |
| KR20060002476A (ko) | 2006-01-09 |
| CN1721323A (zh) | 2006-01-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2006015342A (ja) | カーボンナノチューブ製造用の触媒ベースの製造方法及びそれを利用したカーボンナノチューブの製造方法 | |
| US7235159B2 (en) | Methods for producing and using catalytic substrates for carbon nanotube growth | |
| JP2006007213A (ja) | 炭素ナノチューブ製造用触媒の製造方法 | |
| JP3804594B2 (ja) | 触媒担持基板およびそれを用いたカーボンナノチューブの成長方法ならびにカーボンナノチューブを用いたトランジスタ | |
| JP4584142B2 (ja) | 単層カーボンナノチューブ製造用触媒金属微粒子形成方法 | |
| JP4988330B2 (ja) | 窒素ドーピングされた単層カーボンナノチューブの製造方法 | |
| US20050214197A1 (en) | Methods for producing and using catalytic substrates for carbon nanotube growth | |
| JP2008255003A (ja) | カーバイド誘導炭素を利用したカーボンナノチューブ混成体とその製造方法、それを含む電子放出源及び前記電子放出源を備えた電子放出素子 | |
| JPWO2006025393A1 (ja) | ナノスケールの低次元量子構造体の製造方法、及び、当該製造方法を用いた集積回路の製造方法 | |
| US7755264B2 (en) | Composition for formatting an electron emission source for use in an electron emission device and an electron emission source fabricated using the same | |
| JP4642658B2 (ja) | 直径のそろった単層カーボンナノチューブの製造方法 | |
| WO2012057229A1 (ja) | カーボンナノチューブの製造方法 | |
| JP3913583B2 (ja) | カーボンナノチューブの製造方法 | |
| JP2006298684A (ja) | 炭素系一次元材料およびその合成方法ならびに炭素系一次元材料合成用触媒およびその合成方法ならびに電子素子およびその製造方法 | |
| JP2004051432A (ja) | カーボンナノチューブの製造用基板及びそれを用いたカーボンナノチューブの製造方法 | |
| JP4984131B2 (ja) | ナノカーボンペースト及びナノカーボンエミッタの製造方法 | |
| US7641884B2 (en) | Method for fabricating carbon nanotubes and carbon nano particles | |
| JP2005126323A (ja) | 触媒担持基板、それを用いたカーボンナノチューブの成長方法及びカーボンナノチューブを用いたトランジスタ | |
| JP5099331B2 (ja) | ナノ炭素材料複合体およびその製造方法並びにそれを用いた電子放出素子 | |
| JP5630727B2 (ja) | ナノ炭素材料複合体の製造方法 | |
| KR100698393B1 (ko) | 수용성 촉매를 이용한 단일층 탄소나노튜브의 선택적성장방법 및 이에 의해 형성된 단일층 탄소나노튜브를포함하는 전자소자 또는 광전소자 | |
| JP2008050238A (ja) | ナノカーボンペースト及びナノカーボンエミッタの製造方法 | |
| JP2009227873A (ja) | ナノ炭素材料複合体ペーストおよびそれを用いたパターン形成方法 | |
| JP5418874B2 (ja) | ナノ炭素材料複合体の製造方法及びナノ炭素材料複合体を用いた電子放出素子 | |
| JP5033937B1 (ja) | 磁気ナノトランジスタ |