RU2003204C1 - Способ монтажа кремниевого кристалла на плате - Google Patents
Способ монтажа кремниевого кристалла на платеInfo
- Publication number
- RU2003204C1 RU2003204C1 SU904890033A SU4890033A RU2003204C1 RU 2003204 C1 RU2003204 C1 RU 2003204C1 SU 904890033 A SU904890033 A SU 904890033A SU 4890033 A SU4890033 A SU 4890033A RU 2003204 C1 RU2003204 C1 RU 2003204C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- contact pads
- crystal
- board
- conductors
- contact
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
нице алюминий - двуокись меди, а, с другой стороны - быстротечность процесса сварки, не сравнима со скоростью диффузионного процесса образовани эвтетики, т.к. современна лазерна техника позвол ет формировать импульсы излучени достаточной мощности с длительностью в дес тые, сотые и меньшие доли секунды.
Следует отметить, также, что реализаци насто щего изобретени способствуют современна технологи производства диэлектрических и полупроводниковых пластин дл микроэлектроники и технологи изготовлени металлизированных проводФормула изобретени
Claims (2)
1. СПОСОБ МОНТАЖА КРЕМНИЕВОГО КРИСТАЛЛА НА ПЛАТЕ, включающий совмещение контактных площадок лицевой поверхности кристалла с контактными площадками проводников платы, прижатие контактных площадок проводников платы .к контактным площадкам кристалла и их сварку лазерным излучением, отличающийс тем, что, с целью повышени производительности и снижени энергозатрат, перед установкой кристалла контактные площадки проводников платы формируют на ее поверхности зеркально-симметрично
5
никое, например - напылением, позвол ющие обеспечить достаточную плоскостность системы кристалл-подложка и механическое контактирование между контактными площадками полупроводниковых приборов или ИС и токоведущими дорожками на подложке и, при необходимости, сформировать дл этого на токоведущих дорожках утолщени в местах контактировани .
(56) Патент США № 4879450, кл. В 23 К 26/00, 1989.
Европатент№ 0010610, кл. В 23 К 26/00. 1979..
20
контактным площадкам кристалла, которые при совмещении размещают напротив контактных площадок проводников платы, при зтом прижатие контактных площадок к проводникам платы осуществл ют со стороны основани кремниевого кристалла, через которое воздействуют на контактные
„с- площадки лазерным излучением с длиной волны 5 10,4 мкм до их оплавлени и сварки.
2. Способ по п.1, отличающийс тем, что лазерное излучение фокусируют в зоне
Зд совмещени контактных площадок.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU904890033A RU2003204C1 (ru) | 1990-12-12 | 1990-12-12 | Способ монтажа кремниевого кристалла на плате |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU904890033A RU2003204C1 (ru) | 1990-12-12 | 1990-12-12 | Способ монтажа кремниевого кристалла на плате |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2003204C1 true RU2003204C1 (ru) | 1993-11-15 |
Family
ID=21549525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU904890033A RU2003204C1 (ru) | 1990-12-12 | 1990-12-12 | Способ монтажа кремниевого кристалла на плате |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2003204C1 (ru) |
-
1990
- 1990-12-12 RU SU904890033A patent/RU2003204C1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5561328A (en) | Photo-definable template for semiconductor chip alignment | |
| WO2003054954A3 (en) | Electrical/optical integration scheme using direct copper bonding | |
| EP1193750A3 (en) | Micro soldering method and apparatus | |
| RU2003204C1 (ru) | Способ монтажа кремниевого кристалла на плате | |
| JPS57126154A (en) | Lsi package | |
| JPS6367792A (ja) | 光電子部品の実装構造 | |
| GB8515479D0 (en) | Providing electrical connections to planar semiconductor devices | |
| JPS56165333A (en) | Mounting method for electronic parts | |
| JPH0368157A (ja) | 高周波用厚膜集積回路装置 | |
| JPH04164384A (ja) | 電力用混成集積回路 | |
| JPS58218130A (ja) | 混成集積回路 | |
| RU2065641C1 (ru) | Способ изготовления высокоинтегрированной гибридной микросхемы | |
| JP3265289B2 (ja) | 窒化アルミニウム基板の製造方法 | |
| JPH05166811A (ja) | 半田バンプの形成方法 | |
| KR100192845B1 (ko) | 기판상에 전극 패턴을 형성하는 방법과 그를 이용한 모듈 패키지 | |
| JP3190908B2 (ja) | 窒化アルミニウム基板 | |
| JP3148941B2 (ja) | セラミック回路基板 | |
| JPH01150332A (ja) | プリント回路基板 | |
| JP2513255B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02281679A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS63117437A (ja) | 半導体チツプ | |
| JPS5334483A (en) | Substrate for semiconductor integrating circuit | |
| GB1197272A (en) | Improvements relating to Semiconductor Circuit Assemblies | |
| JPS6424602A (en) | Mounting method for chip type inductor | |
| JPS57184239A (en) | Substrate for semiconductor device |