RU2003129657A - Способ травления слоев, нанесенных на прозрачные подложки типа стеклянной подложки - Google Patents
Способ травления слоев, нанесенных на прозрачные подложки типа стеклянной подложки Download PDFInfo
- Publication number
- RU2003129657A RU2003129657A RU2003129657/02A RU2003129657A RU2003129657A RU 2003129657 A RU2003129657 A RU 2003129657A RU 2003129657/02 A RU2003129657/02 A RU 2003129657/02A RU 2003129657 A RU2003129657 A RU 2003129657A RU 2003129657 A RU2003129657 A RU 2003129657A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- electrode
- substrate
- etched
- solution
- layer
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005056 compaction Methods 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3063—Electrolytic etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
- C25F3/02—Etching
- C25F3/14—Etching locally
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2217/00—Gas-filled discharge tubes
- H01J2217/38—Cold-cathode tubes
- H01J2217/49—Display panels, e.g. not making use of alternating current
- H01J2217/492—Details
- H01J2217/49207—Electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Weting (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Claims (28)
1. Способ электрохимического травления слоя (11) с электропроводящими свойствами типа легированного оксида металла на прозрачной подложке (10) типа стекла, которая содержит маску (12), предварительно нанесенную на упомянутый слой (11) перед осуществлением способа и имеющую рисунок, ограничивающий множество обнаженных участков (13) слоя (11), причем маска приспособлена к удалению после травления, содержащий
- приведение в контакт с электропроводящим раствором (20) по меньшей мере одного подлежащего травлению участка (13) слоя,
- погружение в раствор (20) электрода (30) и помещение его напротив и на расстоянии (d) от участка (13),
- приложение электрического напряжения (U) между электродом (30) и подлежащим травлению слоем (11),
отличающийся тем, что используют по меньшей мере один электрод, и этот электрод имеет продолговатую форму, так что травление осуществляют на нескольких участках слоя по ширине l.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что подложку (10) или электрод (30) перемещают друг относительно друга, при этом один из них является неподвижным, так что электрод последовательно располагают напротив подлежащих одновременному травлению участков, а уже подвергнутые травлению участки физически изолируют от электропроводящего раствора (20).
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что подложку (10) или электрод (30) перемещают друг относительно друга, при этом один из них является неподвижным, так что электрод последовательно располагают напротив подлежащих одновременному травлению участков, и скорость травления увеличивают по мере того, как участки подвергаются травлению и остаются в контакте с электропроводящим раствором.
4. Способ по п.2, отличающийся тем, что электрод (30) сохраняют неподвижным в проводящем растворе (20), который временным образом на время травления приводят в контакт только с участками (13), подлежащими одновременному травлению.
5. Способ по п.4, отличающийся тем, что проводящий раствор (20) находится в фиксированном положении, тогда как подложку перемещают с постоянной скоростью по отношению к раствору.
6. Способ по п.4, отличающийся тем, что подложка находится в фиксированном положении, тогда как раствор (20) перемещают с постоянной скоростью по отношению к подложке.
7. Способ по любому из пп.4-6, отличающийся тем, что проводящий раствор (20) содержится в баке (21), подобранном по размерам электрода и расположенном под подложкой.
8. Способ по п.4, отличающийся тем, что подложку погружают в проводящий раствор (20) для травления, а после травления погружают во второй непроводящий раствор (23), на котором покоится проводящий раствор (20).
9. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что подложку (10) полностью погружают и фиксируют в растворе (20), при этом ее поверхность, снабженную слоем (11), располагают параллельно и напротив поверхности раствора, а электрод (30) перемещают с постоянной скоростью напротив подлежащих травлению участков (13) и соединяют с укрывающими средствами (32), которые окружают электрод и подвергающиеся травлению участки с тем, чтобы изолировать их от уже подвергнутых травлению участков.
10. Способ по п.3, отличающийся тем, что электрод фиксируют в проводящем растворе (20), тогда как подложку (10) постепенно погружают в раствор по мере травления, при этом скорость травления увеличивают, уменьшая скорость перемещения подложки.
11. Способ по п.10, отличающийся тем, что скорость перемещения подложки представляет собой экспоненциально убывающую функцию.
12. Способ по любому из пп.1-11, отличающийся тем, что электрод (30) изготовлен из платины.
13. Способ по любому из пп.1-12, отличающийся тем, что электрод (30) имеет площадь поперечного сечения (s) в интервале от 0,2 до 5 мм2.
14. Способ по любому из пп.1-13, отличающийся тем, что расстояние (d), отделяющее участок (13) от электрода (30), находится в интервале от 0,1 до 30 мм.
15. Способ по любому из пп.1-14, отличающийся тем, что совокупность подлежащих травлению участков (13) представляет собой множество полосок, по существу, параллельных друг другу.
16. Способ по п.15, отличающийся тем, что электрод (30) располагают поперек полосок.
17. Способ по любому из пп.1-16, отличающийся тем, что слой (11) подложки (10) снабжают электрическим контактом (14) для приложения электрического напряжения (U), причем контакт устанавливают на одном конце подложки, а травление осуществляют, начиная с конца, свободного от всякого электрического контакта, и до противоположного конца, снабженного электрическим контактом (14).
18. Способ по п.4, отличающийся тем, что приложение напряжения между электродом (30) и слоем (11) осуществляют через электрический контакт, полученный погружением электрода (31) в электропроводящий раствор (24), контактирующий с по меньшей мере одним не подвергавшимся травлению участком (13).
19. Способ по любому из пп.1-18, отличающийся тем, что электрическое напряжение (U) по меньшей мере равно потенциалу восстановления проводящего материала, образующего слой (11).
20. Способ по любому из пп.1-19, отличающийся тем, что предусматривают средства (50) для удаления пузырьков (51) кислорода и водорода, появляющихся во время травления вблизи электрода и/или на электроде.
21. Применение способа по любому из пп.1-20 к слою (11) оксида олова, или легированного фтором оксида олова, или оксида индия-олова (ITO).
22. Прозрачная подложка, содержащая слой (11) с электропроводящими свойствами, подвергнутый травлению способом по любому из пп.1-20.
23. Подложка по п.22, которая состоит из стеклянной композиции, имеющей температуру деформации более 540°С, при этом величина уплотнения подложки составляет менее 60 млн-1, а ее тепловая характеристика DT составляет более 130°С.
24. Экран для визуализации типа плазменного экрана, включающий в себя подложку по п.22 или 23.
25. Устройство для травления участков (13) прозрачной подложки (10), покрытой слоем (11) с электропроводящими свойствами, содержащее по меньшей мере один электрод (30) и электропроводящий раствор (20), в который погружен указанный электрод, отличающееся тем, что электрод имеет продолговатую форму.
26. Устройство по п.25, отличающееся тем, что содержит средства (53, 54, 55) перемещения подложки или электрода, при этом один из них остается неподвижным относительно другого, причем упомянутые средства способны иммобилизировать подложку или электрод таким образом, что электрод располагается напротив подлежащих травлению участков, а также средства (21, 23, 32) для изоляции уже подвергнутых травлению участков от раствора (20).
27. Устройство по п.26, отличающееся тем, что средства для изоляции уже подвергнутых травлению участков состоят из бака (21), содержащего раствор (20) и подобранного по размерам электрода.
28. Устройство по п.25, отличающееся тем, что средства для изоляции уже подвергнутых травлению участков состоят из непроводящего раствора (23), на котором покоится проводящий раствор (20).
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR01/03092 | 2001-03-07 | ||
| FR0103092A FR2821862B1 (fr) | 2001-03-07 | 2001-03-07 | Procede de gravure de couches deposees sur des substrats transparents du type substrat verrier |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2003129657A true RU2003129657A (ru) | 2005-02-10 |
| RU2285067C2 RU2285067C2 (ru) | 2006-10-10 |
Family
ID=8860835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2003129657/02A RU2285067C2 (ru) | 2001-03-07 | 2002-02-27 | Способ травления слоев, нанесенных на прозрачные подложки |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7507324B2 (ru) |
| EP (1) | EP1366220A1 (ru) |
| JP (1) | JP2004531641A (ru) |
| KR (1) | KR100888244B1 (ru) |
| CN (1) | CN1279219C (ru) |
| CA (1) | CA2437886A1 (ru) |
| CZ (1) | CZ20032409A3 (ru) |
| FR (1) | FR2821862B1 (ru) |
| PL (1) | PL369225A1 (ru) |
| RU (1) | RU2285067C2 (ru) |
| WO (1) | WO2002070792A1 (ru) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2831708B1 (fr) * | 2001-10-29 | 2004-01-30 | Thomson Licensing Sa | Procede et dispositif pour decaper une couche mince conductrice deposee sur une plaque isolante, de maniere a y former un reseau d'electrodes |
| WO2007015454A1 (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-08 | Hitachi Zosen Corporation | 導電性金属酸化物薄膜除去方法及び装置 |
| JP4824365B2 (ja) * | 2005-08-25 | 2011-11-30 | 日立造船株式会社 | 導電性金属酸化物除去方法及び装置 |
| JP4824430B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2011-11-30 | 富士フイルム株式会社 | ナノ構造体の製造方法 |
| WO2007122752A1 (ja) * | 2006-04-12 | 2007-11-01 | Hitachi Zosen Corporation | 導電性金属酸化物薄膜の除去方法及び装置 |
| FR2957941B1 (fr) * | 2010-03-26 | 2012-06-08 | Commissariat Energie Atomique | Procede pour graver une couche d'oxyde metallique conducteur utilisant une microelectrode |
| US8557099B2 (en) * | 2010-10-25 | 2013-10-15 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Electrocurtain coating process for coating solar mirrors |
| JP2014105366A (ja) * | 2012-11-28 | 2014-06-09 | Mitsubishi Electric Corp | 金属成分の回収方法および回収装置 |
| KR101498654B1 (ko) * | 2013-05-29 | 2015-03-05 | (주)솔라세라믹 | 고헤이즈를 위한 불소가 도핑된 산화 주석 박막 식각 방법 |
| CN103435266B (zh) * | 2013-08-22 | 2015-08-26 | 大连七色光太阳能科技开发有限公司 | 一种fto导电薄膜的刻蚀方法 |
| RU2572099C1 (ru) * | 2014-07-15 | 2015-12-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук | Способ локального удаления электропроводного оксидного слоя с диэлектрической подложки |
| KR101614835B1 (ko) | 2015-08-12 | 2016-04-25 | 서울과학기술대학교 산학협력단 | 전기화학적 에칭을 이용한 투명 전극의 표면 개질방법 |
| JP7190814B2 (ja) * | 2017-02-13 | 2022-12-16 | ラム リサーチ コーポレーション | エアギャップの形成方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2541675A1 (de) * | 1975-09-18 | 1977-03-24 | Siemens Ag | Verfahren zum aetzen von zinn- oder indium-dioxyd |
| JPS56163832A (en) * | 1980-05-15 | 1981-12-16 | Inoue Japax Res Inc | Electric machining device |
| US5567304A (en) * | 1995-01-03 | 1996-10-22 | Ibm Corporation | Elimination of island formation and contact resistance problems during electroetching of blanket or patterned thin metallic layers on insulating substrate |
| JP3222423B2 (ja) * | 1997-08-29 | 2001-10-29 | 株式会社城洋 | 電解還元法による導電性金属酸化物の微細加工方法及びその加工装置 |
| US6395152B1 (en) * | 1998-07-09 | 2002-05-28 | Acm Research, Inc. | Methods and apparatus for electropolishing metal interconnections on semiconductor devices |
| US6544391B1 (en) * | 2000-10-17 | 2003-04-08 | Semitool, Inc. | Reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece including improved electrode assembly |
-
2001
- 2001-03-07 FR FR0103092A patent/FR2821862B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-02-27 PL PL02369225A patent/PL369225A1/xx not_active Application Discontinuation
- 2002-02-27 CN CNB028060393A patent/CN1279219C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-02-27 US US10/469,830 patent/US7507324B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-02-27 WO PCT/FR2002/000706 patent/WO2002070792A1/fr active Application Filing
- 2002-02-27 KR KR1020037011490A patent/KR100888244B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-02-27 EP EP02708421A patent/EP1366220A1/fr not_active Withdrawn
- 2002-02-27 CZ CZ20032409A patent/CZ20032409A3/cs unknown
- 2002-02-27 RU RU2003129657/02A patent/RU2285067C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2002-02-27 JP JP2002569493A patent/JP2004531641A/ja active Pending
- 2002-02-27 CA CA002437886A patent/CA2437886A1/fr not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2821862A1 (fr) | 2002-09-13 |
| KR20030087631A (ko) | 2003-11-14 |
| JP2004531641A (ja) | 2004-10-14 |
| PL369225A1 (en) | 2005-04-18 |
| RU2285067C2 (ru) | 2006-10-10 |
| CN1279219C (zh) | 2006-10-11 |
| FR2821862B1 (fr) | 2003-11-14 |
| CA2437886A1 (fr) | 2002-09-12 |
| EP1366220A1 (fr) | 2003-12-03 |
| CN1500158A (zh) | 2004-05-26 |
| CZ20032409A3 (cs) | 2004-02-18 |
| KR100888244B1 (ko) | 2009-03-11 |
| US7507324B2 (en) | 2009-03-24 |
| WO2002070792A1 (fr) | 2002-09-12 |
| US20040140227A1 (en) | 2004-07-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2003129657A (ru) | Способ травления слоев, нанесенных на прозрачные подложки типа стеклянной подложки | |
| TW522175B (en) | Process for etching a conductive layer | |
| KR970063504A (ko) | 반도체 장치 제조 방법 및 제조 장치 | |
| RU2007118645A (ru) | Устройство травления проводящего слоя и способ травления | |
| JP2004531641A5 (ru) | ||
| CN106024608A (zh) | 一种薄膜晶体管及其制作方法、衬底基板及显示装置 | |
| US5312643A (en) | Method of producing a transparent conductive film provided with supplementary metal lines | |
| EP0050415A1 (en) | Process for forming a pattern of transparent conductive material | |
| KR20060020575A (ko) | 다결정 ｉｔｏ 필름 및 다결정 ｉｔｏ 전극의 제조 방법 | |
| CN105655293B (zh) | 阵列基板及其制作方法和显示装置 | |
| WO2000077568A8 (en) | Electrodes for liquid crystal cells | |
| EP0072658A1 (en) | Display device manufacture | |
| TW200506101A (en) | Electrode for use in liquid and material thereof | |
| JPH0548132A (ja) | 非晶質半導体太陽電池の製造方法 | |
| EP0236938A2 (de) | Verfahren zur Vermeidung von Kurzschlüssen bei der Herstellung von Dünnschichtsolarzellen aus amorphem Silizium | |
| JPS557474A (en) | Forming method for film resistor of thermal recording head | |
| CN109671617B (zh) | 一种光阻剥离方法 | |
| KR101481464B1 (ko) | 금속 패턴 형성 방법 | |
| Kono et al. | In-situ observation and evaluation of silver precipitation behavior in borosilicate glass | |
| CN111650631A (zh) | 多丝正比计数器中金属丝网的装配方法 | |
| CN115458631A (zh) | 一种在晶硅太阳能电池片上形成金属线条的方法 | |
| JPS5772350A (en) | Fabrication of semiconductor device | |
| RU2572099C1 (ru) | Способ локального удаления электропроводного оксидного слоя с диэлектрической подложки | |
| RU2143152C1 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного электролюминесцентного индикатора | |
| JPS5559718A (en) | Producing method of semiconductor unit |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20100228 |