RU2003113320A - Датчик абсолютного давления с микрообработанной поверхностью и способ его изготовления - Google Patents
Датчик абсолютного давления с микрообработанной поверхностью и способ его изготовленияInfo
- Publication number
- RU2003113320A RU2003113320A RU2003113320/28A RU2003113320A RU2003113320A RU 2003113320 A RU2003113320 A RU 2003113320A RU 2003113320/28 A RU2003113320/28 A RU 2003113320/28A RU 2003113320 A RU2003113320 A RU 2003113320A RU 2003113320 A RU2003113320 A RU 2003113320A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- preceding paragraphs
- layer
- pressure sensor
- polycrystalline silicon
- movable electrode
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 claims 1
Claims (19)
1. Емкостной датчик давления, в частности для измерения абсолютного давления, содержащий по меньшей мере один фиксированный электрод (3) и по меньшей мере один подвижный электрод (6, 7), электрически изолированный от фиксированного электрода (3) и пространственно отделенный от фиксированного электрода (3), отличающийся тем, что часть подвижного электрода (6, 7) сформирована из пористого слоя (6) поликристаллического кремния, причем указанный слой в полностью собранном компоненте остается интегральной частью указанного гибкого подвижного электрода (6, 7).
2. Датчик давления по п.1, отличающийся тем, что у кромок низковакуумного объема (10) оставлен участок материала расходуемого слоя (4) за счет незавершенного вытравливания указанного материала в боковом направлении.
3. Датчик давления по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что его части, остающейся под указанным пористым поликристаллическим слоем (6), придана жесткость посредством помещения под ней однородного кремниевого слоя (5), имеющего выполненные в нем отверстия (13).
4. Датчик давления по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что внутри низковакуумного изменяющегося объема в опорном элементе сформированы посредством оставления определенных участков расходуемого слоя непротравленными проставки (14) в форме столбиков.
5. Датчик давления по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что к центру гибкой диафрагмы (6, 7) прикреплена утолщенная площадка (12), которая служит для придания жесткости чувствительному элементу датчика у его центральной зоны.
6. Датчик давления по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что поверх гибкого пористого слоя (6) поликристаллического кремния осажден слой (7) поликристаллического кремния таким образом, чтобы композитная слоистая структура стала непроницаемой для газов.
7. Датчик давления по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что содержит множество единичных чувствительных элементов, соединенных друг с другом параллельно или последовательно.
8. Датчик давления по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что изготовлен с применением микромеханических технических приемов обработки кремния.
9. Датчик давления по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что представляет собой датчик абсолютного давления.
10. Способ изготовления структуры емкостного датчика давления, в частности датчика для измерения абсолютного давления, который содержит по меньшей мере один фиксированный электрод (3) и по меньшей мере один подвижный электрод (6, 7), электрически изолированный от фиксированного электрода (3) и пространственно отделенный от указанного фиксированного электрода (3), отличающийся тем, что часть указанного подвижного электрода (6, 7) формируют из пористого слоя (6) поликристаллического кремния, причем указанный слой в полностью собранном компоненте остается в качестве интегральной части указанного гибкого подвижного электрода (6, 7).
11. Способ по п.10, отличающийся тем, что у кромок низковакуумного объема (10) оставляют участок материала расходуемого слоя (4) за счет неполного вытравливания указанного материала в боковом направлении.
12. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что структуре, остающейся под указанным пористым поликристаллическим слоем (6), придают жесткость посредством помещения под ней однородного кремниевого слоя (5), имеющего выполненные в нем отверстия (13).
13. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что внутри низковакуумного смещаемого объема (10) элемента сравнения формируют проставки (14) в форме столбиков, оставляя непротравленными определенные участки расходуемого слоя.
14. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что к центру гибкой диафрагмы (6, 7) прикрепляют утолщенную площадку (12), которая служит для придания жесткости чувствительному элементу датчика у его центральной зоны.
15. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что поверх гибкого пористого слоя (6) поликристаллического кремния осаждают слой (7) поликристаллического кремния таким образом, чтобы композитная слоистая структура стала непроницаемой для газов.
16. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что датчик формируют из множества единичных чувствительных элементов, соединенных друг с другом параллельно или последовательно.
17. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что датчик изготавливают с применением микромеханической технологии обработки кремния.
18. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что твердый материал расходуемого слоя (4) из внутреннего объема полости, которая в полностью собранном датчике находится под низким вакуумом, удаляют через пористый слой (6) поликристаллического кремния.
19. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что герметизацию чувствительного элемента проводят, осаждая на указанный пористый слой поликристаллического кремния другой пористый слой поликристаллического кремния в процессе, который обеспечивает поддержание низкого вакуума во внутреннем объеме чувствительного элемента при осуществлении указанного процесса осаждения.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20002472 | 2000-11-10 | ||
| FI20002472A FI112644B (fi) | 2000-11-10 | 2000-11-10 | Pintamikromekaaninen absoluuttipaineanturi ja menetelmä sen valmistamiseksi |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2003113320A true RU2003113320A (ru) | 2004-11-10 |
| RU2258914C2 RU2258914C2 (ru) | 2005-08-20 |
Family
ID=8559475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2003113320/28A RU2258914C2 (ru) | 2000-11-10 | 2001-11-07 | Датчик абсолютного давления с микрообработанной поверхностью и способ его изготовления |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6931935B2 (ru) |
| EP (1) | EP1337458B1 (ru) |
| JP (1) | JP3857231B2 (ru) |
| CN (1) | CN1225400C (ru) |
| AT (1) | ATE514652T1 (ru) |
| AU (1) | AU2002214074A1 (ru) |
| FI (1) | FI112644B (ru) |
| RU (1) | RU2258914C2 (ru) |
| WO (1) | WO2002038491A1 (ru) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10117486A1 (de) | 2001-04-07 | 2002-10-17 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstelung eines Halbleiterbauelements sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement |
| DE10247487A1 (de) | 2002-10-11 | 2004-05-06 | Infineon Technologies Ag | Membran und Verfahren zu deren Herstellung |
| DE102004015442A1 (de) * | 2004-03-30 | 2005-10-20 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum Verschließen von perforierten Membranen |
| US6923069B1 (en) | 2004-10-18 | 2005-08-02 | Honeywell International Inc. | Top side reference cavity for absolute pressure sensor |
| DE102005016243B3 (de) | 2005-04-08 | 2006-09-28 | Austriamicrosystems Ag | Mikromechanisches Bauelement, Verfahren zur Herstellung und Verwendung |
| US7560789B2 (en) | 2005-05-27 | 2009-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2007029133A2 (en) * | 2005-09-09 | 2007-03-15 | Koninklijke Philips Electronics N. V. | A method of manufacturing a microsystem, such a microsystem, a stack of foils comprising such a microsystem, an electronic device comprising such a microsystem and use of the electronic device |
| JP2009507655A (ja) * | 2005-09-09 | 2009-02-26 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | マイクロシステムの製造方法、当該マイクロシステム、当該マクロシステムを有するホイルの積層体、当該マイクロシステムを有するエレクトロニクス素子、及び該エレクトロニクス素子の使用 |
| US7711239B2 (en) | 2006-04-19 | 2010-05-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device and method utilizing nanoparticles |
| US7417784B2 (en) | 2006-04-19 | 2008-08-26 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device and method utilizing a porous surface |
| EP2104948A2 (en) * | 2007-02-20 | 2009-09-30 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Equipment and methods for etching of mems |
| CN101802985A (zh) * | 2007-09-14 | 2010-08-11 | 高通Mems科技公司 | 用于微机电系统生产的蚀刻工艺 |
| US8022490B2 (en) * | 2008-03-24 | 2011-09-20 | Conexant Systems, Inc. | Micro electro-mechanical sensor (MEMS) fabricated with ribbon wire bonds |
| DE102008028300B4 (de) * | 2008-06-13 | 2021-10-07 | Tdk Electronics Ag | Leiterplatte mit flexiblem Bereich und Verfahren zur Herstellung |
| RU2465681C2 (ru) * | 2009-02-19 | 2012-10-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана) | Способ изготовления чувствительного элемента датчика давления жидких и газообразных сред |
| US8393222B2 (en) | 2010-02-27 | 2013-03-12 | Codman Neuro Sciences Sárl | Apparatus and method for minimizing drift of a piezo-resistive pressure sensor due to progressive release of mechanical stress over time |
| KR101184459B1 (ko) | 2010-05-06 | 2012-09-19 | 삼성전기주식회사 | 압력센서 |
| US8659816B2 (en) | 2011-04-25 | 2014-02-25 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Mechanical layer and methods of making the same |
| RU2477846C1 (ru) * | 2011-12-02 | 2013-03-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА") | Датчик абсолютного давления |
| CN102539029B (zh) * | 2012-02-29 | 2013-09-25 | 上海交通大学 | 基于柔性mems技术的三维流体应力传感器及其阵列 |
| FR3002219B1 (fr) * | 2013-02-19 | 2015-04-10 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'une structure micromecanique et/ou nanomecanique comportant une surface poreuse |
| DE102017213354A1 (de) | 2017-08-02 | 2019-02-07 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanische Drucksensorvorrichtung und entsprechendes Herstellungsverfahren |
| CN209326840U (zh) | 2018-12-27 | 2019-08-30 | 热敏碟公司 | 压力传感器及压力变送器 |
| JP7485045B2 (ja) * | 2020-07-21 | 2024-05-16 | 株式会社村田製作所 | 圧力センサ構造、圧力センサ装置および圧力センサ構造の製造方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0750789B2 (ja) * | 1986-07-18 | 1995-05-31 | 日産自動車株式会社 | 半導体圧力変換装置の製造方法 |
| US5177661A (en) * | 1989-01-13 | 1993-01-05 | Kopin Corporation | SOI diaphgram sensor |
| US5506454A (en) * | 1991-03-20 | 1996-04-09 | Hitachi, Ltd. | System and method for diagnosing characteristics of acceleration sensor |
| US5707077A (en) * | 1991-11-18 | 1998-01-13 | Hitachi, Ltd. | Airbag system using three-dimensional acceleration sensor |
| US5802684A (en) * | 1993-09-14 | 1998-09-08 | Nikon Corporation | Process for producing a vibration angular-velocity sensor |
| DE59508560D1 (de) * | 1994-11-24 | 2000-08-17 | Siemens Ag | Kapazitiver Drucksensor |
| FI100918B (fi) * | 1995-02-17 | 1998-03-13 | Vaisala Oy | Pintamikromekaaninen, symmetrinen paine-eroanturi |
| JPH08236784A (ja) * | 1995-02-23 | 1996-09-13 | Tokai Rika Co Ltd | 加速度センサ及びその製造方法 |
| US5831162A (en) * | 1997-01-21 | 1998-11-03 | Delco Electronics Corporation | Silicon micromachined motion sensor and method of making |
| JP3362714B2 (ja) * | 1998-11-16 | 2003-01-07 | 株式会社豊田中央研究所 | 静電容量型圧力センサおよびその製造方法 |
| US6816301B1 (en) * | 1999-06-29 | 2004-11-09 | Regents Of The University Of Minnesota | Micro-electromechanical devices and methods of manufacture |
| DE10032579B4 (de) * | 2000-07-05 | 2020-07-02 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement |
-
2000
- 2000-11-10 FI FI20002472A patent/FI112644B/fi not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-11-07 US US10/416,267 patent/US6931935B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-07 CN CN01821908.XA patent/CN1225400C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-07 JP JP2002541035A patent/JP3857231B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-07 RU RU2003113320/28A patent/RU2258914C2/ru active
- 2001-11-07 AT AT01982512T patent/ATE514652T1/de not_active IP Right Cessation
- 2001-11-07 EP EP01982512A patent/EP1337458B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-07 AU AU2002214074A patent/AU2002214074A1/en not_active Abandoned
- 2001-11-07 WO PCT/FI2001/000970 patent/WO2002038491A1/en active Application Filing
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2003113320A (ru) | Датчик абсолютного давления с микрообработанной поверхностью и способ его изготовления | |
| CN1225400C (zh) | 表面微型机械加工的绝对压力传感器及其制造方法 | |
| US10578505B2 (en) | Process for manufacturing a MEMS pressure sensor, and corresponding MEMS pressure sensor | |
| EP0727650B1 (en) | Surface-micromachined symmetrical differential pressure sensor with polysilicon | |
| KR102511103B1 (ko) | 멤스 마이크로폰 및 이의 제조 방법 | |
| US7878061B2 (en) | Micromechanical system including a suspension and an electrode positioned movably | |
| EP1436582B1 (en) | Pressure sensor | |
| KR101932301B1 (ko) | 변경된 응력 특성들을 가지는 멤브레인을 형성하는 방법 | |
| EP2420470B1 (en) | MEMS Microphone | |
| EP1305586A2 (en) | Micro-machined absolute pressure sensor | |
| EP0389071A3 (en) | Method for fabricating semiconductor diaphragms | |
| US20070256501A1 (en) | High temperature LC pressure transducer and methods for making the same | |
| IT201600121533A1 (it) | Trasduttore elettroacustico integrato mems con sensibilita' migliorata e relativo processo di fabbricazione | |
| WO2016203106A1 (en) | Mems capacitive pressure sensor and manufacturing method | |
| CN110149582B (zh) | 一种mems结构的制备方法 | |
| JP2004525352A (ja) | 特に可動質量体を有する半導体構成素子を製作するための方法ならびに該方法により製作された半導体構成素子 | |
| JP3620302B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| CN113226979B (zh) | 传感器装置和用于制造传感器装置的方法 | |
| US20230382717A1 (en) | Mems sensor and mems sensor manufacturing method | |
| CN113227741B (zh) | 微机械传感器装置和用于制造微机械传感器装置的方法 | |
| IT202100022511A1 (it) | Procedimento di fabbricazione di un sistema integrato includente un sensore di pressione capacitivo e un sensore inerziale, e sistema integrato | |
| CN209608857U (zh) | 一种mems结构 | |
| TW200508590A (en) | A micro sensor, its manufacturing method, and sensor using the same | |
| JPH05113447A (ja) | 加速度センサ素子およびその製造方法 |