JPH05113447A - 加速度センサ素子およびその製造方法 - Google Patents
加速度センサ素子およびその製造方法Info
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- JPH05113447A JPH05113447A JP27293291A JP27293291A JPH05113447A JP H05113447 A JPH05113447 A JP H05113447A JP 27293291 A JP27293291 A JP 27293291A JP 27293291 A JP27293291 A JP 27293291A JP H05113447 A JPH05113447 A JP H05113447A
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- acceleration sensor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型化および高集積化を目的とする。
【構成】 基板１の上面に平板状の第１電極２ａと第２
電極２ｂとを所定の間隔をおいて配設し、前記第１電極
２ａおよび第２電極２ｂに対して所定の間隔を開けて、
かつ、それぞれに対向して平板状の第３電極６を配設
し、前記第１電極２ａおよび第２電極２ｂと第３電極６
との間に移動可能に誘電体からなる可動部４ａを伸縮可
能な支持部を介して絶縁体に支持し、前記可動部４ａの
移動方向に加わる加速度を、第１電極２ａおよび第２電
極２ｂと第３電極６との間の静電容量および電位差の変
化によって検出する。
電極２ｂとを所定の間隔をおいて配設し、前記第１電極
２ａおよび第２電極２ｂに対して所定の間隔を開けて、
かつ、それぞれに対向して平板状の第３電極６を配設
し、前記第１電極２ａおよび第２電極２ｂと第３電極６
との間に移動可能に誘電体からなる可動部４ａを伸縮可
能な支持部を介して絶縁体に支持し、前記可動部４ａの
移動方向に加わる加速度を、第１電極２ａおよび第２電
極２ｂと第３電極６との間の静電容量および電位差の変
化によって検出する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は加速度センサ素子およ
びその製造方法に関し、特に、小型化、集積化および大
量生産が可能となった加速度センサ素子およびその製造
方法に関するものである。
びその製造方法に関し、特に、小型化、集積化および大
量生産が可能となった加速度センサ素子およびその製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来技術および解決しようとする課題】従来の加速度
センサとしては、図１５に示すような歪ゲージを用いた
振り子式の加速度センサが知られている。すなわち、こ
の加速度センサは、ケース２１内にオイル２２を充填
し、このオイル２２内にケース２１の上部から可撓性部
材２４で支持された重り２３を懸架し、前記可撓性部材
２４に歪ゲージ２５を配設したものである。
センサとしては、図１５に示すような歪ゲージを用いた
振り子式の加速度センサが知られている。すなわち、こ
の加速度センサは、ケース２１内にオイル２２を充填
し、このオイル２２内にケース２１の上部から可撓性部
材２４で支持された重り２３を懸架し、前記可撓性部材
２４に歪ゲージ２５を配設したものである。
【０００３】そして、この加速度センサは、加速度に応
じて重り２３が揺動し、可撓性部材２４に設けられた歪
ゲージ２５の抵抗値が前記重り２３の揺動に伴って変化
し、この変化量を測定して加速度を検出するようになっ
ている。
じて重り２３が揺動し、可撓性部材２４に設けられた歪
ゲージ２５の抵抗値が前記重り２３の揺動に伴って変化
し、この変化量を測定して加速度を検出するようになっ
ている。
【０００４】しかしながら、この加速度センサは、機械
加工および組立工程を必要とし、小型化および大量生産
が困難であるという問題点を有していた。
加工および組立工程を必要とし、小型化および大量生産
が困難であるという問題点を有していた。
【０００５】この発明は上記のような従来のもののもつ
問題点を解決したものであって、小型化、集積化および
大量生産が可能となった加速度センサ素子およびその製
造方法を提供することを目的とするものである。
問題点を解決したものであって、小型化、集積化および
大量生産が可能となった加速度センサ素子およびその製
造方法を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明は基板の上面に平板状の第１電極と第２
電極とを所定の間隔をおいて配設し、前記第１電極およ
び第２電極に対して所定の間隔を開けて、かつ、それぞ
れに対向して平板状の第３電極を配設し、前記第１電極
および第２電極と第３電極との間に平行移動可能に誘電
体からなる可動部を支持部４ｂを介して絶縁体に支持
し、前記可動部の移動方向に加わる加速度を、第１電極
および第２電極と第３電極との間の静電容量および電位
差の変化によって検出するという手段を採用したもので
ある。また、基板の上面に所定の間隔をおいて第１電極
と第２電極とを形成し、前記第１電極および第２電極の
上面に犠牲層を介して誘電体からなる可動部および支持
部を形成し、前記可動部を支持部を介して絶縁体層から
形成される支柱部で平行移動可能に支持し、前記犠牲層
を除去した後、前記可動部に対向する第３電極を前記支
柱部で支持して配設し、前記第１電極、第２電極、第３
電極、可動部、支持部、犠牲層および絶縁体層等を真空
成膜法およびホトリソグラフィ法で形成するという手段
を採用したものである。
めに、この発明は基板の上面に平板状の第１電極と第２
電極とを所定の間隔をおいて配設し、前記第１電極およ
び第２電極に対して所定の間隔を開けて、かつ、それぞ
れに対向して平板状の第３電極を配設し、前記第１電極
および第２電極と第３電極との間に平行移動可能に誘電
体からなる可動部を支持部４ｂを介して絶縁体に支持
し、前記可動部の移動方向に加わる加速度を、第１電極
および第２電極と第３電極との間の静電容量および電位
差の変化によって検出するという手段を採用したもので
ある。また、基板の上面に所定の間隔をおいて第１電極
と第２電極とを形成し、前記第１電極および第２電極の
上面に犠牲層を介して誘電体からなる可動部および支持
部を形成し、前記可動部を支持部を介して絶縁体層から
形成される支柱部で平行移動可能に支持し、前記犠牲層
を除去した後、前記可動部に対向する第３電極を前記支
柱部で支持して配設し、前記第１電極、第２電極、第３
電極、可動部、支持部、犠牲層および絶縁体層等を真空
成膜法およびホトリソグラフィ法で形成するという手段
を採用したものである。
【０００７】
【作用】この発明は上記の手段を採用したことにより、
真空成膜法（ＰＶＤまたはＣＶＤ）を用いることによ
り、電極膜、犠牲層、誘電体膜および絶縁体層等をきわ
めて薄く形成することができ、ホトリソグラフィ法によ
るウェットエッチングによってパターンエッチングする
ことができるため、小型化および高集積化が可能であ
る。また、加速度センサ素子を小型化および高集積化す
ることができるため、基板上に配設される電極膜のパタ
ーンを変えることにより、複数の加速度とその方向を検
出することができる加速度センサ素子を製造することが
できる。さらに、この加速度センサ素子の製造方法を用
いればウエハによる大量生産が可能となる。
真空成膜法（ＰＶＤまたはＣＶＤ）を用いることによ
り、電極膜、犠牲層、誘電体膜および絶縁体層等をきわ
めて薄く形成することができ、ホトリソグラフィ法によ
るウェットエッチングによってパターンエッチングする
ことができるため、小型化および高集積化が可能であ
る。また、加速度センサ素子を小型化および高集積化す
ることができるため、基板上に配設される電極膜のパタ
ーンを変えることにより、複数の加速度とその方向を検
出することができる加速度センサ素子を製造することが
できる。さらに、この加速度センサ素子の製造方法を用
いればウエハによる大量生産が可能となる。
【０００８】
【実施例】以下、図面に示すこの発明の実施例について
説明する。図１〜図４にはこの発明による加速度センサ
素子の実施例が示されていて、この加速度センサ素子
は、図１に示すように、基板１の上面に平板状の第１電
極２ａと第２電極２ｂとを所定の間隔をおいて配設し、
前記第１電極２ａおよび第２電極２ｂに対して所定の間
隔を開けて、かつ、それぞれに対向して平板状の第３電
極６を配設し、前記第１電極２ａおよび第２電極２ｂと
第３電極６との間に平行移動可能に可動部４ａを配設し
たものである。
説明する。図１〜図４にはこの発明による加速度センサ
素子の実施例が示されていて、この加速度センサ素子
は、図１に示すように、基板１の上面に平板状の第１電
極２ａと第２電極２ｂとを所定の間隔をおいて配設し、
前記第１電極２ａおよび第２電極２ｂに対して所定の間
隔を開けて、かつ、それぞれに対向して平板状の第３電
極６を配設し、前記第１電極２ａおよび第２電極２ｂと
第３電極６との間に平行移動可能に可動部４ａを配設し
たものである。
【０００９】また、前記可動部４ａは、図２に示すよう
に誘電体から形成された方形状の薄膜状であるととも
に、両端部と周縁部に形成された支柱部５ａとの間を支
持部４ｂによって支持されている。前記支持部４ｂは方
形状の枠形で、前記可動部４ａと一体に形成され、前記
可動部４ａと支柱部５ａとの間にその角部が連設し、対
角線方向に伸縮するようになっている。従って、前記可
動部４ａは第１電極２ａおよび第２電極２ｂと第３電極
６との間を水平方向に移動可能となっている。
に誘電体から形成された方形状の薄膜状であるととも
に、両端部と周縁部に形成された支柱部５ａとの間を支
持部４ｂによって支持されている。前記支持部４ｂは方
形状の枠形で、前記可動部４ａと一体に形成され、前記
可動部４ａと支柱部５ａとの間にその角部が連設し、対
角線方向に伸縮するようになっている。従って、前記可
動部４ａは第１電極２ａおよび第２電極２ｂと第３電極
６との間を水平方向に移動可能となっている。
【００１０】そして、図３、図４に示すように、前記第
１電極２ａおよび第２電極２ｂと第３電極６との間に電
圧を加え、第１電極２ａと第３電極６との間の静電容量
Ｃ1および電位差と、第２電極２ｂと第３電極６との間
の静電容量Ｃ2 および電位差とを測定する測定器が接続
されている。
１電極２ａおよび第２電極２ｂと第３電極６との間に電
圧を加え、第１電極２ａと第３電極６との間の静電容量
Ｃ1および電位差と、第２電極２ｂと第３電極６との間
の静電容量Ｃ2 および電位差とを測定する測定器が接続
されている。
【００１１】また、この加速度センサ素子の製造方法は
図５〜図１４に示すように、まず、図５に示すように、
基板１の上面に電極膜２を真空成膜法（ＰＶＤまたはＣ
ＶＤ）で形成し、ホトリソグラフィ法によるウェットエ
ッチングによって、図６に示すように前記基板１の上面
に所定の間隔をおいて前記電極膜２からなる第１電極２
ａおよび第２電極２ｂを形成する。前記電極膜２として
は、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ等の導電体が用いられる。
図５〜図１４に示すように、まず、図５に示すように、
基板１の上面に電極膜２を真空成膜法（ＰＶＤまたはＣ
ＶＤ）で形成し、ホトリソグラフィ法によるウェットエ
ッチングによって、図６に示すように前記基板１の上面
に所定の間隔をおいて前記電極膜２からなる第１電極２
ａおよび第２電極２ｂを形成する。前記電極膜２として
は、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ等の導電体が用いられる。
【００１２】そして、図７に示すように、前記第１電極
２ａおよび第２電極２ｂの上面に犠牲層３を形成し、ホ
トリソグラフィ法によるウェットエッチングによって図
８に示すように周縁部を除去して前記第１電極２ａと第
２電極２ｂとの上面に渡って犠牲層３を形成する。この
犠牲層３には、Ａｌ、Ｃｒ等のエッチングが比較的容易
で、前記電極膜２を侵すことがないエッチング液で除去
される物質が用いられる。
２ａおよび第２電極２ｂの上面に犠牲層３を形成し、ホ
トリソグラフィ法によるウェットエッチングによって図
８に示すように周縁部を除去して前記第１電極２ａと第
２電極２ｂとの上面に渡って犠牲層３を形成する。この
犠牲層３には、Ａｌ、Ｃｒ等のエッチングが比較的容易
で、前記電極膜２を侵すことがないエッチング液で除去
される物質が用いられる。
【００１３】次に、前記第１電極２ａ、第２電極２ｂお
よび犠牲層３の上面に図９に示すように誘電体膜４を真
空成膜法（ＰＶＤまたはＣＶＤ）で形成し、ホトリソグ
ラフィ法によるウェットエッチングによって図１０、図
１１に示すように前記犠牲層３の上面に可動部４ａとこ
の可動部４ａの両端部に接続する支持部４ｂとが一体と
なったものを前記誘電体膜４から形成する。前記誘電体
膜４は、ＳｉＯ2 （二酸化ケイ素）、ＴｉＯ2 （二酸化
チタン）等の誘電体が用いられる。
よび犠牲層３の上面に図９に示すように誘電体膜４を真
空成膜法（ＰＶＤまたはＣＶＤ）で形成し、ホトリソグ
ラフィ法によるウェットエッチングによって図１０、図
１１に示すように前記犠牲層３の上面に可動部４ａとこ
の可動部４ａの両端部に接続する支持部４ｂとが一体と
なったものを前記誘電体膜４から形成する。前記誘電体
膜４は、ＳｉＯ2 （二酸化ケイ素）、ＴｉＯ2 （二酸化
チタン）等の誘電体が用いられる。
【００１４】さらに、前記第１電極２ａ、第２電極２ｂ
および誘電体膜４の上面に図１２に示すように絶縁体層
５を真空成膜法（ＰＶＤまたはＣＶＤ）で形成し、ホト
リソグラフィ法によるウェットエッチングによって図１
３に示すように前記犠牲層３を除去するとともに、絶縁
体層５からなる支柱部５ａを形成し、この支柱部５ａに
よって前記可動部４ａは支持部４ｂを介して支持される
ようになっている。前記絶縁体層５には、Ａｌ2 Ｏ3
（酸化アルミニウム）、Ｓｉ3 Ｎ4 （窒化ケイ素）等が
用いられる。
および誘電体膜４の上面に図１２に示すように絶縁体層
５を真空成膜法（ＰＶＤまたはＣＶＤ）で形成し、ホト
リソグラフィ法によるウェットエッチングによって図１
３に示すように前記犠牲層３を除去するとともに、絶縁
体層５からなる支柱部５ａを形成し、この支柱部５ａに
よって前記可動部４ａは支持部４ｂを介して支持される
ようになっている。前記絶縁体層５には、Ａｌ2 Ｏ3
（酸化アルミニウム）、Ｓｉ3 Ｎ4 （窒化ケイ素）等が
用いられる。
【００１５】そして、別の基板７の上面に電極膜を真空
成膜法（ＰＶＤまたはＣＶＤ）で形成した第３電極６を
図１４に示すように、前記絶縁体層５から形成された前
記支柱部５ａの上面に当接させることによって、前記第
１電極２ａおよび第２電極２ｂに対向して配設する。
成膜法（ＰＶＤまたはＣＶＤ）で形成した第３電極６を
図１４に示すように、前記絶縁体層５から形成された前
記支柱部５ａの上面に当接させることによって、前記第
１電極２ａおよび第２電極２ｂに対向して配設する。
【００１６】次に、上記のように構成された加速度セン
サ素子の作用について説明する。まず、図３に示すよう
に、可動部４ａの移動方向に加速度Ｇが加わっていない
状態においては、支持部４ｂの作用により前記可動部４
ａは第１電極２ａと第２電極２ｂとの中間の位置にある
ため、第１電極２ａ側の静電容量Ｃ1 と第２電極２ｂ側
の静電容量Ｃ2 とは等しい大きさとなり、加速度Ｇが零
の状態が検出できる。
サ素子の作用について説明する。まず、図３に示すよう
に、可動部４ａの移動方向に加速度Ｇが加わっていない
状態においては、支持部４ｂの作用により前記可動部４
ａは第１電極２ａと第２電極２ｂとの中間の位置にある
ため、第１電極２ａ側の静電容量Ｃ1 と第２電極２ｂ側
の静電容量Ｃ2 とは等しい大きさとなり、加速度Ｇが零
の状態が検出できる。
【００１７】次に、前記可動部４ａの移動方向に加速度
Ｇが加わると、第１電極２ａおよび第２電極２ｂと第３
電極６との間に配設された可動部４ａが第１電極２ａま
たは第２電極２ｂ方向に偏る。そして、図４に示すよう
に第１電極２ａ側に可動部４ａが偏ると第１電極２ａ側
の静電容量Ｃ1 が第２電極２ｂ側の静電容量Ｃ2 より大
きくなる。このように、第１電極２ａ側の静電容量Ｃ1
と第２電極２ｂ側の静電容量Ｃ2との静電容量および電
位差の変化量から加速度Ｇの大きさと向きとを検出する
ことができる。
Ｇが加わると、第１電極２ａおよび第２電極２ｂと第３
電極６との間に配設された可動部４ａが第１電極２ａま
たは第２電極２ｂ方向に偏る。そして、図４に示すよう
に第１電極２ａ側に可動部４ａが偏ると第１電極２ａ側
の静電容量Ｃ1 が第２電極２ｂ側の静電容量Ｃ2 より大
きくなる。このように、第１電極２ａ側の静電容量Ｃ1
と第２電極２ｂ側の静電容量Ｃ2との静電容量および電
位差の変化量から加速度Ｇの大きさと向きとを検出する
ことができる。
【００１８】そして、真空成膜法（ＰＶＤまたはＣＶ
Ｄ）を用いることにより、電極膜２、犠牲層３、誘電体
膜４および絶縁体層５等をきわめて薄く形成することが
でき、ホトリソグラフィ法によるウェットエッチングに
よってパターンエッチングすることによって、パターン
を微細化することができ、加速度センサ素子の小型化お
よび高集積化が可能である。
Ｄ）を用いることにより、電極膜２、犠牲層３、誘電体
膜４および絶縁体層５等をきわめて薄く形成することが
でき、ホトリソグラフィ法によるウェットエッチングに
よってパターンエッチングすることによって、パターン
を微細化することができ、加速度センサ素子の小型化お
よび高集積化が可能である。
【００１９】また、加速度センサ素子を小型化および高
集積化することができるため、基板１上に配設される電
極膜２のパターンを変えることにより、複数の加速度と
その方向を検出することができる加速度センサ素子を製
造することができる。
集積化することができるため、基板１上に配設される電
極膜２のパターンを変えることにより、複数の加速度と
その方向を検出することができる加速度センサ素子を製
造することができる。
【００２０】さらに、この加速度センサ素子の製造方法
を用いればウエハによる大量生産が可能となる。
を用いればウエハによる大量生産が可能となる。
【００２１】
【発明の効果】この発明は前記のように構成したことに
より、真空成膜法（ＰＶＤまたはＣＶＤ）を用いること
により、電極膜、犠牲層、誘電体膜および絶縁体層等を
きわめて薄く形成することができ、ホトリソグラフィ法
によるウェットエッチングによってパターンエッチング
することによって、パターンを微細化することができ、
加速度センサ素子の小型化および高集積化が可能であ
る。また、加速度センサ素子を小型化および高集積化す
ることができるため、基板上に配設される電極膜のパタ
ーンを変えることにより、複数の加速度とその方向を検
出することができる加速度センサ素子を製造することが
できる。さらに、この加速度センサ素子の製造方法を用
いればウエハによる大量生産が可能となるという優れた
効果を有するものである。
より、真空成膜法（ＰＶＤまたはＣＶＤ）を用いること
により、電極膜、犠牲層、誘電体膜および絶縁体層等を
きわめて薄く形成することができ、ホトリソグラフィ法
によるウェットエッチングによってパターンエッチング
することによって、パターンを微細化することができ、
加速度センサ素子の小型化および高集積化が可能であ
る。また、加速度センサ素子を小型化および高集積化す
ることができるため、基板上に配設される電極膜のパタ
ーンを変えることにより、複数の加速度とその方向を検
出することができる加速度センサ素子を製造することが
できる。さらに、この加速度センサ素子の製造方法を用
いればウエハによる大量生産が可能となるという優れた
効果を有するものである。
【図１】この発明による加速度センサ素子の実施例を示
す概略断面図である。
す概略断面図である。
【図２】この発明による加速度センサ素子の実施例を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図３】この発明による加速度センサ素子を電源および
測定器に接続した状態を示す概略断面図である。
測定器に接続した状態を示す概略断面図である。
【図４】この発明による加速度センサ素子に加速度Ｇが
加わった状態を示す概略断面図である。
加わった状態を示す概略断面図である。
【図５】基板の上面に電極膜を成膜した状態を示す概略
断面図である。
断面図である。
【図６】基板の上面に成膜された電極膜をパターンエッ
チングして第１電極、第２電極を形成した状態を示す概
略断面図である。
チングして第１電極、第２電極を形成した状態を示す概
略断面図である。
【図７】第１電極および第２電極の上面に犠牲層を成膜
した状態を示す概略断面図である。
した状態を示す概略断面図である。
【図８】第１電極および第２電極の上面に成膜された犠
牲層をパターンエッチングした状態を示す概略断面図で
ある。
牲層をパターンエッチングした状態を示す概略断面図で
ある。
【図９】犠牲層の上面に誘電体層を成膜した状態を示す
概略断面図である。
概略断面図である。
【図１０】犠牲層の上面に成膜された誘電体膜をパター
ンエッチングして可動部および支持部を形成した状態を
示す概略断面図である。
ンエッチングして可動部および支持部を形成した状態を
示す概略断面図である。
【図１１】図１０の斜視図である。
【図１２】可動部および支持部の上面に絶縁体層を成膜
した状態を示す概略断面図である。
した状態を示す概略断面図である。
【図１３】可動部および支持部の上面に成膜された絶縁
体層および犠牲層をパターンエッチングして絶縁体から
なる支柱部に支持された可動部および支持部を形成した
状態を示す概略断面図である。
体層および犠牲層をパターンエッチングして絶縁体から
なる支柱部に支持された可動部および支持部を形成した
状態を示す概略断面図である。
【図１４】基板に第３電極を成膜したものを第１電極お
よび第２電極に対向して配設した状態を示す概略断面図
である。
よび第２電極に対向して配設した状態を示す概略断面図
である。
【図１５】従来の加速度センサ素子を示す概略断面図で
ある。
ある。
１、７……基板 ２……電極膜 ２ａ……第１電極 ２ｂ……第２電極 ３……犠牲層 ４……誘電体膜 ４ａ……可動部 ４ｂ……支持部 ５……絶縁体層 ５ａ……支柱部 ６……第３電極 ２１……ケース ２２……オイル ２３……重り ２４……可撓性部材 ２５……歪ゲージ
Claims (3)
- 【請求項１】 基板（１）の上面に平板状の第１電極
（２ａ）と第２電極（２ｂ）とを所定の間隔をおいて配
設し、前記第１電極（２ａ）および第２電極（２ｂ）に
対して所定の間隔を開けて、かつ、それぞれに対向して
平板状の第３電極（６）を配設し、前記第１電極（２
ａ）および第２電極（２ｂ）と第３電極（６）との間に
平行移動可能に誘電体からなる可動部（４ａ）を支持部
（４ｂ）を介して絶縁体に支持し、前記可動部（４ａ）
の移動方向に加わる加速度を、第１電極（２ａ）および
第２電極（２ｂ）と第３電極（６）との間の静電容量お
よび電位差の変化によって検出することを特徴とする加
速度センサ素子。 - 【請求項２】 基板（１）の上面に所定の間隔をおいて
第１電極（２ａ）と第２電極（２ｂ）とを形成し、前記
第１電極（２ａ）および第２電極（２ｂ）の上面に犠牲
層（３）を介して誘電体からなる可動部（４ａ）および
支持部（４ｂ）を形成し、前記可動部（４ａ）を支持部
（４ｂ）を介して絶縁体層（５）から形成される支柱部
（５ａ）で平行移動可能に支持し、前記犠牲層（３）を
除去した後、前記可動部（４ａ）に対向する第３電極
（６）を前記支柱部（５ａ）で支持して配設することを
特徴とする加速度センサ素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記第１電極（２ａ）、第２電極（２
ｂ）、第３電極（６）、可動部（４ａ）、支持部（４
ｂ）、犠牲層（３）および絶縁体層（５）等を真空成膜
法およびホトリソグラフィ法で形成した請求項２記載の
加速度センサ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27293291A JPH05113447A (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 加速度センサ素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27293291A JPH05113447A (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 加速度センサ素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05113447A true JPH05113447A (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=17520776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27293291A Pending JPH05113447A (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 加速度センサ素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05113447A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001075457A1 (en) * | 2000-03-31 | 2001-10-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Acceleration sensor |
-
1991
- 1991-10-21 JP JP27293291A patent/JPH05113447A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001075457A1 (en) * | 2000-03-31 | 2001-10-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Acceleration sensor |
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