RU2002132889A - Заготовка линзы для оптической литографии на основе фторидного кристалла - Google Patents

Заготовка линзы для оптической литографии на основе фторидного кристалла Download PDF

Info

Publication number
RU2002132889A
RU2002132889A RU2002132889/15A RU2002132889A RU2002132889A RU 2002132889 A RU2002132889 A RU 2002132889A RU 2002132889/15 A RU2002132889/15 A RU 2002132889/15A RU 2002132889 A RU2002132889 A RU 2002132889A RU 2002132889 A RU2002132889 A RU 2002132889A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
less
million
fluoride
preform
fluoride crystal
Prior art date
Application number
RU2002132889/15A
Other languages
English (en)
Inventor
Александр М. МАЙОЛЕ (FR)
Александр М. МАЙОЛЕ
Майкл А. ПЕЛЛ (FR)
Майкл А. ПЕЛЛ
Original Assignee
Корнинг Инкорпорейтед (US)
Корнинг Инкорпорейтед
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Корнинг Инкорпорейтед (US), Корнинг Инкорпорейтед filed Critical Корнинг Инкорпорейтед (US)
Publication of RU2002132889A publication Critical patent/RU2002132889A/ru

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/12—Halides
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/02—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of crystals, e.g. rock-salt, semi-conductors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
    • G03F7/70958—Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
    • G03F7/70958—Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
    • G03F7/70966—Birefringence
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S501/00—Compositions: ceramic
    • Y10S501/90—Optical glass, e.g. silent on refractive index and/or ABBE number

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Claims (24)

1. Заготовка линзы для оптической литографии на основе фторидного кристалла, причем указанная заготовка оптического элемента на основе фторидного кристалла содержит множество кристаллических субзерен, причем каждое из указанных субзерен имеет кристаллическую структуру субзерен, причем указанная заготовка на основе фторидного кристалла включает в себя, по меньшей мере, первую структуру субзерен и вторую структуру субзерен, причем указанная вторая структура субзерен находится рядом с указанной первой структурой субзерен и граничит с ней на первой границе дефектов, образованной множеством дефектов дислокации, причем указанные граничные дефекты дислокации имеют граничный угол между соседними первым субзерном и вторым субзерном, причем указанный граничный угол между первым субзерном и вторым субзерном составляет менее двух минут, причем указанная заготовка оптического элемента на основе кристалла имеет содержание примесей менее 1 млн-1 Pb по массе, менее 0,5 млн-1 Ce по массе, менее 2 млн-1 Na по массе и менее 2 млн-1 K по массе, причем указанная заготовка имеет 10-кратный показатель поглощения на длине волны 157 нм менее 0,0022/см и 10-кратный показатель поглощения на длине волны 193 нм менее 0,00043/см, причем указанная заготовка имеет оптическую однородность менее 2 млн-1 и среднее двулучепреломление менее 2 нм/см согласно среднеквадратичному значению при максимальном двулучепреломлении менее 5 нм/см.
2. Оптическая заготовка на основе фторидного кристалла по п.1, отличающаяся тем, что указанная заготовка содержит третью структуру субзерен, причем указанная третья структура формирует вторую границу дефектов с соседней граничащей с ней структурой субзерен, причем указанная вторая граница дефектов имеет второй граничный угол между соседними субзернами, причем указанный второй граничный угол между соседними субзернами меньше 2 мин.
3. Оптическая заготовка на основе фторидного кристалла по п.1, отличающаяся тем, что указанный первый граничный угол между первым субзерном и вторым субзерном меньше или равен одной минуте.
4. Оптическая заготовка на основе фторидного кристалла по п.2, отличающаяся тем, что указанный второй граничный угол между соседними субзернами меньше или равен одной минуте.
5. Оптическая заготовка на основе фторидного кристалла по п.1, отличающаяся тем, что указанная заготовка состоит из фторида кальция.
6. Оптическая заготовка на основе фторидного кристалла по п.1, отличающаяся тем, что указанная заготовка состоит из фторида бария.
7. Оптическая заготовка на основе фторидного кристалла по п.1, отличающаяся тем, что указанная заготовка имеет уровень содержания примеси Pb менее 100 млрд-1 по массе.
8. Оптическая заготовка на основе фторидного кристалла по п.1, отличающаяся тем, что указанная заготовка имеет уровень примеси Na менее 0,5 млн-1 по массе.
9. Оптическая заготовка на основе фторидного кристалла по п.1, отличающаяся тем, что указанная заготовка имеет уровень содержания примеси К менее 0,5 млн-1 по массе.
10. Оптическая заготовка на основе фторидного кристалла по п.1, отличающаяся тем, что указанная заготовка имеет поглощение свинцом на длине волны 205 нм <0,23 см-1 при локальном облучении с длиной волны 205 нм.
11. Оптическая заготовка на основе фторидного кристалла по п.1, отличающаяся тем, что указанная заготовка имеет поглощение церием на длине волны 306 нм <0,35×10-3 см-1 при локальном облучении с длиной волны 306 нм.
12. Оптическая заготовка на основе фторидного кристалла по п.1, отличающаяся тем, что указанная заготовка не имеет пика поглощения кислорода в диапазоне длин волн от 140 нм до 150 нм.
13. Оптическая заготовка на основе фторидного кристалла по п.1, отличающаяся тем, что указанная заготовка имеет среднее двулучепреломление меньше 1 нм/см (среднеквадратичное значение) при максимальном двулучепреломлении менее 2 нм/см.
14. Оптическая заготовка на основе фторидного кристалла по п.1, отличающаяся тем, что указанная заготовка имеет поверхность большого размера, причем поверхность указанной заготовки имеет множество поверхностных субзерен, ограниченных соседними, граничащими с ними субзернами с граничными углами дезориентации в диапазоне от >20 с до <2 мин, где указанная поверхность заготовки имеет, по меньшей мере, три поверхностных субзерна на см2.
15. Оптическая заготовка на основе фторидного кристалла по п.13, отличающаяся тем, что указанная поверхность большого размера имеет площадь поверхности, по меньшей мере, 300 см2.
16. Оптическая заготовка на основе фторидного кристалла по п.14, где указанная заготовка состоит, по существу, из множества субзерен фторида кальция, ограниченных соседними, граничащими с ними субзернами фторида кальция с граничными углами дезориентации в диапазоне от >20 с до <2 мин.
17. Способ изготовления заготовки линзы для оптической литографии на основе фторидного кристалла, включающий в себя формирование расплава кристаллического фторида, кристаллизацию указанного расплава во фторидный кристаллический элемент с большим размером ≥200 мм, отжиг указанного фторидного кристаллического элемента, оценку указанного отожженного фторидного кристаллического элемента для обеспечения заготовки линзы для оптической литографии на основе фторидного кристалла с показателем внутреннего поглощения на длине волны 157 нм меньше 0,0022/см и показателем внутреннего поглощения на длине волны 193 нм меньше 0,00043/см, с поглощением свинцом на длине волны 205 нм <0,23 см-1 при локальном облучении, поглощением церием на длине волны 306 нм <0,7×10-3 см-1 при локальном облучении, со средним двулучепреломлением менее 2 нм/см, с максимальным двулучепреломлением менее 5 нм/см и оптической однородностью менее 2 млн-1 при граничном угле дезориентации между поверхностными субзернами ≤2 мин.
18. Способ по п.17, отличающийся тем, что формирование расплава кристаллического фторида включает в себя плавление сырьевого материала фторида кальция высокой степени чистоты, имеющего следующие уровни содержания примесей по массе: Li - меньше или равно 1 млн-1, Na - меньше или равно 3,3 млн-1, К - меньше или равно 3,8 млн-1, Mg - меньше или равно 0,5 млн-1, Sr - меньше или равно 19 млн-1, Ba - меньше или равно 0,5 млн-1, Sc - менее 0,2 млн-1, Y - менее 0,2 млн-1, La - менее 0,2 млн-1, Gd - меньше или равно 0,2 млн-1, Yb - менее 0,2 млн-1, Ti - менее 0,2 млн-1, Cr - менее 0,2 млн-1, Mn - меньше или равно 4,2 млн-1, Fe - меньше или равно 0,4 млн-1, Co - меньше или равно 0,2 млн-1, Ni - менее 0,2 млн-1, Cu - меньше или равно 0,3 млн-1, О - менее 200 млн-1.
19. Способ по п.17, отличающийся тем, что формирование расплава кристаллического фторида включает в себя обеспечение, по меньшей мере, одного деоксигенированного уплотненного твердого диска из кристаллического фторида, имеющего диаметр ≥200 мм, и плавление, по меньшей мере, одного деоксигенированного уплотненного твердого диска из кристаллического фторида с диаметром ≥200 мм.
20. Способ по п.17, отличающийся тем, что формирование расплава кристаллического фторида включает в себя формирование расплава фторида кальция, и оценка включает в себя анализ пиков поглощения кислорода внутри диапазона длин волн от 140 нм до 150 нм.
21. Способ по п.17, отличающийся тем, что оценка включает в себя измерение спектра поглощения элемента в диапазоне от 200 до 220 нм для пика поглощения свинцом на длине волны 205 нм и облучение элемента излучением с длиной волны 203 нм и измерение спектра люминесценции, полученного за счет облучения элемента.
22. Способ по п.21, отличающийся тем, что оценка включает в себя определение граничных углов дезориентации поверхностных субзерен элемента.
23. Способ по п.22, отличающийся тем, что определение включает в себя воздействие на заготовку на основе фторидного кристалла источника синхротронного излучения.
24. Способ по п.22, отличающийся тем, что определение включает в себя обнаружение излучения, дифрагировавшего под влиянием заготовки на основе фторидного кристалла.
RU2002132889/15A 2000-05-09 2001-04-03 Заготовка линзы для оптической литографии на основе фторидного кристалла RU2002132889A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP00401271A EP1154046B1 (en) 2000-05-09 2000-05-09 Fluoride crystalline optical lithography lens element blank
EP00401271.2 2000-05-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2002132889A true RU2002132889A (ru) 2004-03-27

Family

ID=8173670

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2002132889/15A RU2002132889A (ru) 2000-05-09 2001-04-03 Заготовка линзы для оптической литографии на основе фторидного кристалла

Country Status (8)

Country Link
US (3) US6395657B2 (ru)
EP (1) EP1154046B1 (ru)
JP (1) JP2003532610A (ru)
KR (1) KR20030011327A (ru)
CN (1) CN1429285A (ru)
RU (1) RU2002132889A (ru)
TW (1) TW581830B (ru)
WO (1) WO2001086032A1 (ru)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0997778A3 (en) * 1998-10-30 2002-05-02 Nikon Corporation Optical member and projection optical system for photolithography using the same
DE10010485C2 (de) * 2000-03-03 2002-10-02 Schott Glas Verfahren zur Herstellung von hochhomogenen, grossformatigen Einkristallen aus Calciumfluorid sowie deren Verwendung
EP1154046B1 (en) * 2000-05-09 2011-12-28 Hellma Materials GmbH & Co. KG Fluoride crystalline optical lithography lens element blank
WO2002093201A2 (en) 2001-05-16 2002-11-21 Corning Incorporated Preferred crystal orientation optical elements from cubic materials
WO2003006367A1 (en) * 2001-07-09 2003-01-23 The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of Commerce Minimizing spatial-dispersion-induced birefringence
FR2828933A1 (fr) * 2001-08-27 2003-02-28 Corning Inc Procede de determination de la qualite optique d'un monocristal de fluorure et element optique
DE10142649A1 (de) 2001-08-31 2003-04-24 Schott Glas Verfahren zur Herstellung bruchfester Calciumfluorid-Einkristalle sowie deren Verwendung
DE10142651C5 (de) * 2001-08-31 2009-04-23 Schott Ag Verfahren zur Herstellung von hoch homogenen strahlenbeständigen streufreien Einkristallen, eines damit erhaltenen Ingots sowie deren Verwendung
KR20040035780A (ko) 2001-09-14 2004-04-29 코닝 인코포레이티드 포토리소그라피 방법 및 최소 공간분산을 갖는 유브이투과용 플루오라이드 결정
US20030094128A1 (en) * 2001-11-20 2003-05-22 Sparrow Robert W. Dispersion management optical lithography crystals for below 160nm optical lithography method thereof
US6669920B2 (en) * 2001-11-20 2003-12-30 Corning Incorporated Below 160NM optical lithography crystal materials and methods of making
JP3741208B2 (ja) * 2001-11-29 2006-02-01 株式会社ニコン 光リソグラフィー用光学部材及びその評価方法
JP2005524055A (ja) 2001-12-13 2005-08-11 コーニング インコーポレイテッド λ＜２００ｎｍレーザリソグラフィ用ＵＶ光学フッ化物結晶素子並びにその作成及び検査方法
US20030213916A1 (en) * 2002-05-16 2003-11-20 Orvek Kevin J. VUV-attenuating windows
US6997987B2 (en) * 2002-07-17 2006-02-14 Corning Incorporated Optical lithography fluoride crystal annealing furnace
RU2002121259A (ru) * 2002-08-12 2004-03-20 Корнинг Инкорпорейтед (US) Способ обнаружения уровней содержания свинцовой примеси, составляющих менее миллионной доли, в оптическом фторидном кристалле, способ измерения этих уровней, способ изготовления оптического элемента, способ изготовления оптического фторидного кристалла и оптический фторидный кристалл
US7075905B2 (en) * 2002-09-11 2006-07-11 Qualcomm Incorporated Quality indicator bit (QIB) generation in wireless communications systems
DE10307423B4 (de) * 2003-02-21 2005-03-24 Schott Ag Verfahren zur Qualitätsbestimmung von Kristallen
US20050016446A1 (en) * 2003-07-23 2005-01-27 Abbott John S. CaF2 lenses with reduced birefringence
CA2545574A1 (en) * 2003-11-14 2005-05-26 Canada Post Corporation Systems and methods of providing marketing campaign management services
US7014703B2 (en) * 2003-12-30 2006-03-21 Corning Incorporated Method for annealing group IIA metal fluoride crystals
US7856374B2 (en) * 2004-01-23 2010-12-21 3Point5 Training retail staff members based on storylines
US7306673B2 (en) * 2004-08-20 2007-12-11 Corning Incorporated Furnace purification and metal fluoride crystal grown in a purified furnace
US7128984B2 (en) * 2004-08-31 2006-10-31 Corning Incorporated Surfacing of metal fluoride excimer optics
US20060249072A1 (en) * 2005-05-05 2006-11-09 Csillag Frank J Method of synthesizing a fluoride growth material for improved outgassing
DE102005024678B3 (de) * 2005-05-30 2006-08-31 Schott Ag Verfahren zur Bestimmung von irreversiblen Strahlenschäden von optischem Material
US8252208B2 (en) * 2008-10-31 2012-08-28 Corning Incorporated Calcium fluoride optics with improved laser durability
US8986572B2 (en) * 2009-10-21 2015-03-24 Corning Incorporated Calcium fluoride optics with improved laser durability
EP2597178A4 (en) * 2010-07-22 2015-04-22 Nihon Kessho Kogaku Co Ltd PROCESS FOR PRODUCING FLUORIN

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE213514C (ru)
US4038201A (en) * 1972-03-24 1977-07-26 Optovac, Inc. Polycrystalline bodies and means for producing them
DE3415530A1 (de) * 1984-04-26 1985-10-31 Bayer Ag, 5090 Leverkusen Thermotrope aromatische polyester hoher steifigkeit und zaehigkeit, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung zur herstellung von formkoerpern, filamenten, fasern und folien
US5045507A (en) * 1990-01-22 1991-09-03 Infrared Fiber Systems, Inc. In-situ quenched fluoride glasses
JP3487680B2 (ja) 1995-06-20 2004-01-19 セイレイ工業株式会社 根菜類収穫機の抜き上げ搬送装置
JP3957782B2 (ja) * 1996-03-22 2007-08-15 キヤノン株式会社 蛍石及びその製造方法並びに露光装置
JPH09315815A (ja) * 1996-03-22 1997-12-09 Canon Inc 蛍石とそれを用いた光学物品及びフォトリソグラフィー用の露光装置
JP3697008B2 (ja) * 1996-03-22 2005-09-21 キヤノン株式会社 フッ化物結晶及びフッ化物結晶レンズの製造方法
US6342312B2 (en) * 1996-03-22 2002-01-29 Canon Kabushiki Kaisha Calcium fluoride crystal, optical article and exposure apparatus for photo-lithography using the same
JP3707750B2 (ja) 1996-05-30 2005-10-19 株式会社ニコン フッ化カルシウム結晶の製造方法
JPH1059799A (ja) * 1996-08-20 1998-03-03 Nikon Corp 光リソグラフィー装置
JPH10260349A (ja) * 1997-03-18 1998-09-29 Nikon Corp 紫外線レーザ用結像光学系
JP3475407B2 (ja) * 1997-03-31 2003-12-08 キヤノン株式会社 フッ化物結晶の製造装置及び製造法並びにルツボ
US6268026B1 (en) * 1997-10-20 2001-07-31 Hoechst Celanese Corporation Multilayer laminate formed from a substantially stretched non-molten wholly aromatic liquid crystalline polymer and non-liquid crystalline polyester and method for forming same
JP4154744B2 (ja) 1997-12-01 2008-09-24 株式会社ニコン フッ化カルシウム結晶の製造方法および原料の処理方法
JP2000081367A (ja) * 1998-09-07 2000-03-21 Nikon Corp 光透過性光学部材、その製造方法、その評価方法、および光リソグラフィー装置
JP3631063B2 (ja) * 1998-10-21 2005-03-23 キヤノン株式会社 フッ化物の精製方法及びフッ化物結晶の製造方法
US6630117B2 (en) * 1999-06-04 2003-10-07 Corning Incorporated Making a dispersion managing crystal
US6309461B1 (en) * 1999-06-07 2001-10-30 Sandia Corporation Crystal growth and annealing method and apparatus
US6350310B1 (en) * 1999-06-07 2002-02-26 Sandia Corporation Crystal growth and annealing for minimized residual stress
FR2799194B1 (fr) * 1999-10-05 2001-12-14 Corning Sa Billes d'un fluorure d'alcalin ou d'alcalino-terreux polycristallin, leur preparation et leur utilisation pour preparer des monocristaux
EP1154046B1 (en) * 2000-05-09 2011-12-28 Hellma Materials GmbH & Co. KG Fluoride crystalline optical lithography lens element blank

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003532610A (ja) 2003-11-05
US7204942B2 (en) 2007-04-17
CN1429285A (zh) 2003-07-09
US20020132719A1 (en) 2002-09-19
WO2001086032A1 (en) 2001-11-15
US20040115485A1 (en) 2004-06-17
TW581830B (en) 2004-04-01
US20010046091A1 (en) 2001-11-29
KR20030011327A (ko) 2003-02-07
US6699408B2 (en) 2004-03-02
US6395657B2 (en) 2002-05-28
EP1154046A1 (en) 2001-11-14
EP1154046B1 (en) 2011-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2002132889A (ru) Заготовка линзы для оптической литографии на основе фторидного кристалла
TWI364066B (ru)
CN1902474A (zh) 宝石中缺陷的检测
JP4540636B2 (ja) 光学材料の不可逆性放射線損傷測定方法
US6850371B2 (en) Optical member and method of producing the same, and projection aligner
US10753883B2 (en) Method and system for detecting inclusions in float glass
JP2004269287A (ja) 光学用合成石英ガラス部材及びその製造方法
US7666508B2 (en) Glass article having a laser melted surface
US20050227849A1 (en) Optical element made of fluoride crystal
JP4959526B2 (ja) ＢａＬｉＦ３単結晶体
JP2011073934A (ja) 光学部品用ガラス部材、光学部品の製造方法及び光学部品用ガラス組成物
JP2000128696A (ja) フッ化物単結晶からなる光学素子作製用素材とその製造方法
CN111936677B (zh) 石英玻璃坩埚
CN1555499A (zh) 光刻用透射uv的混合氟化物晶体
US8257675B2 (en) Artificial quartz member, process for producing the same, and optical element comprising the same
US6806039B2 (en) Photolithographic element blank calcium strontium fluoride UV transmitting mixed fluoride crystal with minimized spatial dispersion
JP2530954B2 (ja) 光学部材
JP2005001933A (ja) 金属フッ化物体とその製造方法
JP2006219349A (ja) シリカガラス板材及びその製造方法
JP2007290950A (ja) マイクロリソグラフィーに使用する光学素子に特に適した材料、およびこの材料からブランクを製造する方法
JP4174400B2 (ja) シリカガラスの選別方法
JP4159852B2 (ja) 光学部材用合成石英ガラス材料
JP4706354B2 (ja) フッ化物単結晶及びフッ化カルシウム単結晶の選別方法
JP4391163B2 (ja) Ｙａｇレーザー高調波用合成石英ガラス光学材料
JPH05152648A (ja) 紫外線レーザー用合成石英ガラス成形体の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
FA93 Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination)

Effective date: 20050111