RU2002116670A - Сегментная управляющая структура катода с автоэлектронной эмиссией и способ динамической коррекции формы электронного пучка - Google Patents
Сегментная управляющая структура катода с автоэлектронной эмиссией и способ динамической коррекции формы электронного пучка Download PDFInfo
- Publication number
- RU2002116670A RU2002116670A RU2002116670/09A RU2002116670A RU2002116670A RU 2002116670 A RU2002116670 A RU 2002116670A RU 2002116670/09 A RU2002116670/09 A RU 2002116670/09A RU 2002116670 A RU2002116670 A RU 2002116670A RU 2002116670 A RU2002116670 A RU 2002116670A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- control electrodes
- cathode
- dielectric layer
- matrix
- micro
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 16
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims 13
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 23
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 5
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 claims 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/04—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/48—Electron guns
- H01J29/481—Electron guns using field-emission, photo-emission, or secondary-emission electron source
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J3/00—Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J3/02—Electron guns
- H01J3/021—Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source
- H01J3/022—Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source with microengineered cathode, e.g. Spindt-type
Claims (27)
1. Катод с автоэлектронной эмиссией, содержащий кристалл, который имеет поверхность и матрицу выступов микрокончиков, выходящих наружу из указанной поверхности, первый диэлектрический слой, смежный с матрицей, множество управляющих электродов, выходящих наружу из первого диэлектрического слоя, со смещением от каждого из выступов микрокончиков и вокруг них, которые позволяют воздействовать на ток в электронном пучке от микрокончиков, когда переменные значения электрического напряжения приложены к управляющим электродам, и электрические соединения с управляющими электродами.
2. Катод с автоэлектронной эмиссией по п.1, отличающийся тем, что кристалл и выступы микрокончиков состоят из материала на базе углерода.
3. Катод с автоэлектронной эмиссией по п.1, отличающийся тем, что первый диэлектрический слой состоит из диоксида кремния.
4. Катод с автоэлектронной эмиссией по п.1, отличающийся тем, что электрические соединения содержат сквозное межсоединение и контактная площадку для проволочного монтажа.
5. Катод с автоэлектронной эмиссией по п.1, отличающийся тем, что дополнительно содержит второй диэлектрический слой, неразрывный с первым диэлектрическим слоем и идущий наружу от управляющих электродов, множество фокусирующих линз, идущих наружу от второго диэлектрического слоя со смещением от каждого из микрокончиков и вокруг них, и электрическое соединение с фокусирующими линзами.
6. Катод с автоэлектронной эмиссией по п.5, отличающийся тем, что электрическое соединение с фокусирующими линзами содержит проволоку, соединенную со слоем, содержащим фокусирующие линзы.
7. Катод с автоэлектронной эмиссией по п.1, отличающийся тем, что дополнительно содержит слой электропроводного материала между выбранными управляющими электродами, предназначенный для объединения вместе выбранных управляющих электродов и для формирования зоны управления электрическим напряжением.
8. Способ регулировки формы электронного пучка, падающего на экран электронно-лучевой трубки под выбранным углом отклонения, предусматривающий использование катода с автоэлектронной эмиссией, который содержит кристалл, имеющий поверхность и матрицу выступов микрокончиков, выходящих наружу из указанной поверхности, первый диэлектрический слой, смежный с матрицей, множество управляющих электродов, выходящих наружу из первого диэлектрического слоя, со смещением от каждого из выступов микрокончиков и вокруг них, которые позволяют воздействовать на ток в электронном пучке от микрокончиков, когда переменные значения электрического напряжения приложены к управляющим электродам, и электрические соединения с управляющими электродами, монтаж катода в электронно-лучевой трубке, включение электронно-лучевой трубки и приложение электрического напряжения к указанной матрице для создания пучка, падающего под определенным углом отклонения на экран электронно-лучевой трубки и образующею на нем пятно, и наблюдение формы пятна и регулирование электрического напряжения, приложенного к одному или нескольким управляющим электродам, для корректировки формы пятна.
9. Способ по п.8, отличающийся тем, что матрица микрокончиков главным образом состоит из материала на базе углерода.
10. Способ по п.8, отличающийся тем, что катод с автоэлектронной эмиссией дополнительно содержит второй диэлектрический слой, неразрывный с первым диэлектрическим слоем и идущий наружу от управляющих электродов, множество фокусирующих линз, идущих наружу от второго диэлектрического слоя со смещением от каждого из микрокончиков и вокруг них, и электрическое соединение с фокусирующими линзами.
11. Способ по п.8, отличающийся тем, что дополнительно включает в себя операцию расчета формы электронного пучка с использованием имитации электронного пучка.
12. Способ по п.8, отличающийся тем, что матрица дополнительно содержит слой электропроводного материала между выбранными управляющими электродами для объединения вместе выбранных управляющих электродов и для формирования зоны управления электрическим напряжением управляющих электродов, причем приложение электрического напряжения к одному или нескольким управляющим электродам для регулирования формы пятна производят путем приложения электрического напряжения к одной или нескольким указанным зонам управления электрическим напряжением.
13. Способ определения преимущественной картины электрического напряжения, которую прикладывают к катоду с автоэлектронной эмиссией, имеющему матрицу и создающему электронный пучок, испускаемый из матрицы под выбранным углом отклонения, предусматривающий использование катода с автоэлектронной эмиссией, который содержит кристалл, имеющий поверхность и матрицу выступов микрокончиков, выходящих наружу из указанной поверхности, первый диэлектрический слой, смежный с матрицей, множество управляющих электродов, выходящих наружу из первого диэлектрического слоя, со смещением от каждого из выступов микрокончиков и вокруг них, которые позволяют воздействовать на ток в электронном пучке от микрокончиков, когда переменные значения электрического напряжения приложены к управляющим электродам, и электрические соединения с управляющими электродами, монтаж катода в электронно-лучевой трубке, включение электронно-лучевой трубки и приложение переменных значений электрического напряжения к управляющим электродам для создания пучка, падающего под определенным углом отклонения на экран электронно-лучевой трубки и образующего на нем пятно, наблюдение формы пятна и регулирование картины электрического напряжения, приложенного к матрице, пока не будет получена заданная форма пятна, и регистрация картины электрического напряжения на матрице, создающей заданную форму пятна под выбранным углом отклонения.
14. Способ по п.13, отличающийся тем, что матрица микрокончиков состоит главным образом из материала на базе углерода.
15. Способ по п.13, отличающийся тем, что катод с автоэлектронной эмиссией дополнительно содержит второй диэлектрический слой, выполненный неразрывно с первым диэлектрическим слоем и идущий наружу от управляющих электродов, множество фокусирующих линз, идущих наружу от второго диэлектрического слоя со смещением от каждого из микрокончиков и вокруг них, и электрическое соединение с фокусирующими линзами.
16. Способ по п.13, отличающийся тем, что дополнительно включает в себя операцию расчета формы электронного пучка с использованием имитации электронного пучка.
17. Способ по п.13, отличающийся тем, что матрица дополнительно содержит слой электропроводного материала между выбранными управляющими электродами для объединения вместе выбранных управляющих электродов и для формирования зоны управления электрическим напряжением управляющих электродов, причем приложение электрического напряжения к одному или нескольким управляющим электродам для регулирования формы пятна производят путем приложения электрического напряжения к одной или нескольким указанным зонам управления электрическим напряжением.
18. Способ динамического формирования электронного пучка в электронно-лучевой трубке, включающий в себя следующие операции: использование катода с автоэлектронной эмиссией, который содержит кристалл, имеющий поверхность и матрицу выступов микрокончиков, выходящих наружу из указанной поверхности, первый диэлектрический слой, смежный с матрицей, множество управляющих электродов, выходящих наружу из первого диэлектрического слоя, со смещением от каждого из выступов микрокончиков и вокруг них, которые позволяют воздействовать на ток в электронном пучке от микрокончиков, когда переменные значения электрического напряжения приложены к управляющим электродам, и электрические соединения с управляющими электродами, монтаж катода в электронно-лучевой трубке, и включение электронно-лучевой трубки и приложение переменных значений электрического напряжения к управляющим электродам для создания выбранной картины электрического напряжения на матрице, соответствующей углу отклонения пучка.
19. Способ по п.18, отличающийся тем, что выбранной картиной электрического напряжения для каждого угла отклонения пучка управляют при помощи микроконтроллера.
20. Способ по п.18, отличающийся тем, что выбранная картина электрического напряжения для каждого угла отклонения пучка позволяет поддерживать главным образом постоянный ток пучка для каждого угла отклонения пучка.
21. Способ по п.18, отличающийся тем, что схема возбуждения прикладывает выбранную картину электрического напряжения к матрице для каждого угла отклонения пучка в соответствии с заранее выбранными сигналами синхронизации.
22. Электронно-лучевая трубка, содержащая оболочку с экраном и электродами, а также систему отклонения электронного пучка и электрические соединения через оболочку, катод с автоэлектронной эмиссией, который содержит кристалл, имеющий поверхность и матрицу выступов микрокончиков, выходящих наружу из указанной поверхности, первый диэлектрический слой, смежный с матрицей, множество управляющих электродов, выходящих наружу из первого диэлектрического слоя, со смещением от каждого из выступов микрокончиков и вокруг них, которые позволяют воздействовать на ток в электронном пучке от микрокончиков, когда переменные значения электрического напряжения приложены к управляющим электродам, и электрические соединения с управляющими электродами.
23. Электронно-лучевая трубка по п.22, отличающаяся тем, что с автоэлектронной эмиссией дополнительно содержит второй диэлектрический слой, неразрывный с первым диэлектрическим слоем и идущий наружу от управляющих электродов, множество фокусирующих линз, идущих наружу от второго диэлектрического слоя со смещением от каждого из микрокончиков и вокруг них, и электрическое соединение с фокусирующими линзами.
24. Электронно-лучевая трубка по п.22, отличающаяся тем, что матрица микрокончиков состоит главным образом из материала на базе углерода.
25. Электронно-лучевая трубка по п.22, отличающаяся тем, что катод с автоэлектронной эмиссией дополнительно содержит второй диэлектрический слой, выполненный неразрывно с первым диэлектрическим слоем и идущий наружу от управляющих электродов, множество фокусирующих линз, идущих наружу от второго диэлектрического слоя со смещением от каждого из микрокончиков и вокруг них, и электрическое соединение с фокусирующими линзами.
26. Способ по п.13, отличающийся тем, что указанная матрица дополнительно содержит слой электропроводного материала между выбранными управляющими электродами, предназначенный для объединения вместе выбранных управляющих электродов и для формирования зоны управления электрическим напряжением управляющих электродов.
27. Катод с автоэлектронной эмиссией, включающий в себя полупроводниковую подложку, первый изолирующий слой, образованный на поверхности полупроводниковую подложки, перекрывающий проводящий слой, образованный поверх изолирующего слоя, и по меньшей мере одно местоположение катода с автоэлектронной эмиссией, образованное отверстием в изолирующем слое и перекрывающем проводящем слое, обнажающем участок лежащей ниже полупроводниковой подложки, причем центральная область обнаженной лежащей ниже полупроводниковой подложки образует выступающий эмиттирующий кончик полупроводника, объединенный с лежащей ниже полупроводниковой подложкой, второй изолирующий слой, перекрывающий проводящий слой, сегментную зону управления электрическим напряжением, перекрывающую второй изолирующий слой, и электрические соединения с указанной сегментной зоной управления электрическим напряжением.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/476,051 US6429596B1 (en) | 1999-12-31 | 1999-12-31 | Segmented gate drive for dynamic beam shape correction in field emission cathodes |
US09/476,051 | 1999-12-31 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2002116670A true RU2002116670A (ru) | 2004-02-20 |
Family
ID=23890302
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2002116670/09A RU2002116670A (ru) | 1999-12-31 | 2000-12-28 | Сегментная управляющая структура катода с автоэлектронной эмиссией и способ динамической коррекции формы электронного пучка |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6429596B1 (ru) |
EP (1) | EP1243014A1 (ru) |
JP (1) | JP2003519888A (ru) |
KR (1) | KR20020065625A (ru) |
CN (1) | CN1413353A (ru) |
AU (1) | AU2461901A (ru) |
CA (1) | CA2396164A1 (ru) |
HK (1) | HK1051438A1 (ru) |
MX (1) | MXPA02006408A (ru) |
RU (1) | RU2002116670A (ru) |
WO (1) | WO2001050491A1 (ru) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6683414B2 (en) * | 2001-10-25 | 2004-01-27 | Northrop Grumman Corporation | Ion-shielded focusing method for high-density electron beams generated by planar cold cathode electron emitters |
US7057353B2 (en) * | 2003-01-13 | 2006-06-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Electronic device with wide lens for small emission spot size |
KR101009985B1 (ko) * | 2004-02-25 | 2011-01-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 표시장치 |
KR101017037B1 (ko) * | 2004-02-26 | 2011-02-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 표시장치 |
CN100395863C (zh) * | 2004-04-30 | 2008-06-18 | 东元奈米应材股份有限公司 | 四极场发射显示器 |
EP1760762B1 (en) * | 2005-09-06 | 2012-02-01 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Device and method for selecting an emission area of an emission pattern |
CH698896B1 (de) * | 2006-08-29 | 2009-11-30 | Inficon Gmbh | Massenspektrometer. |
WO2008031058A2 (en) * | 2006-09-07 | 2008-03-13 | Michigan Technological University | Self-regenerating nanotips for low-power electric propulsion (ep) cathodes |
US7847273B2 (en) * | 2007-03-30 | 2010-12-07 | Eloret Corporation | Carbon nanotube electron gun |
CN101071741B (zh) * | 2007-06-20 | 2011-01-05 | 中原工学院 | 环栅控谷口型阴极结构的平板显示器及其制作工艺 |
CN101441962B (zh) * | 2007-11-21 | 2010-09-08 | 中国科学院微电子研究所 | 基于场致电子发射原理的微尖端阵列器件及其制作方法 |
CN102651298A (zh) * | 2011-02-23 | 2012-08-29 | 中国科学院微电子研究所 | 红外探成像装置及其制备方法 |
CN103972024A (zh) * | 2013-01-29 | 2014-08-06 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种场发射光源 |
CN104064432A (zh) * | 2013-03-22 | 2014-09-24 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种场发射平面光源及其制备方法 |
CN104064437A (zh) * | 2013-03-22 | 2014-09-24 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种场发射平面光源及其制备方法 |
CN108400075A (zh) * | 2018-01-22 | 2018-08-14 | 电子科技大学 | 平行多束电子枪 |
CN110600350B (zh) * | 2019-09-04 | 2020-08-04 | 中山大学 | 一种双环栅结构的纳米冷阴极电子源及其制作方法 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3755704A (en) | 1970-02-06 | 1973-08-28 | Stanford Research Inst | Field emission cathode structures and devices utilizing such structures |
US3789471A (en) | 1970-02-06 | 1974-02-05 | Stanford Research Inst | Field emission cathode structures, devices utilizing such structures, and methods of producing such structures |
US3812559A (en) | 1970-07-13 | 1974-05-28 | Stanford Research Inst | Methods of producing field ionizer and field emission cathode structures |
US3753022A (en) | 1971-04-26 | 1973-08-14 | Us Army | Miniature, directed, electron-beam source |
US3970887A (en) | 1974-06-19 | 1976-07-20 | Micro-Bit Corporation | Micro-structure field emission electron source |
US4178531A (en) | 1977-06-15 | 1979-12-11 | Rca Corporation | CRT with field-emission cathode |
US4857799A (en) | 1986-07-30 | 1989-08-15 | Sri International | Matrix-addressed flat panel display |
US5103145A (en) | 1990-09-05 | 1992-04-07 | Raytheon Company | Luminance control for cathode-ray tube having field emission cathode |
EP0497627B1 (en) | 1991-02-01 | 1997-07-30 | Fujitsu Limited | Field emission microcathode arrays |
DE69204629T2 (de) | 1991-11-29 | 1996-04-18 | Motorola Inc | Herstellungsverfahren einer Feldemissionsvorrichtung mit integraler elektrostatischer Linsenanordnung. |
US5449970A (en) | 1992-03-16 | 1995-09-12 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Diode structure flat panel display |
US5424605A (en) | 1992-04-10 | 1995-06-13 | Silicon Video Corporation | Self supporting flat video display |
EP0691032A1 (en) | 1993-03-11 | 1996-01-10 | Fed Corporation | Emitter tip structure and field emission device comprising same, and method of making same |
JPH0721903A (ja) | 1993-07-01 | 1995-01-24 | Nec Corp | 電界放出型陰極を用いた陰極線管用電子銃構体 |
US5363021A (en) | 1993-07-12 | 1994-11-08 | Cornell Research Foundation, Inc. | Massively parallel array cathode |
GB2285168B (en) | 1993-12-22 | 1997-07-16 | Marconi Gec Ltd | Electron field emission devices |
TW253971B (en) | 1994-02-21 | 1995-08-11 | Futaba Denshi Kogyo Kk | Method for driving electron gun and cathode ray tube |
JP3070469B2 (ja) * | 1995-03-20 | 2000-07-31 | 日本電気株式会社 | 電界放射冷陰極およびその製造方法 |
JPH08315721A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Nec Kansai Ltd | 電界放出冷陰極 |
JP2947145B2 (ja) | 1995-10-23 | 1999-09-13 | 日本電気株式会社 | 陰極線管を用いたディスプレイ装置 |
JP2910837B2 (ja) | 1996-04-16 | 1999-06-23 | 日本電気株式会社 | 電界放出型電子銃 |
JPH09306376A (ja) | 1996-05-09 | 1997-11-28 | Mitsubishi Electric Corp | 陰極線管用電子銃 |
JPH1064410A (ja) | 1996-07-08 | 1998-03-06 | Samsung Electron Devices Co Ltd | 陰極構造体及びこれを用いた陰極線管用の電子銃 |
JP3086193B2 (ja) | 1996-07-08 | 2000-09-11 | 三星エスディアイ株式会社 | 陰極構造体、これを用いた陰極線管用の電子銃及びカラー陰極線管 |
JP2907150B2 (ja) | 1996-09-27 | 1999-06-21 | 日本電気株式会社 | 冷陰極電子銃およびこれを用いた電子ビーム装置 |
US5905332A (en) | 1997-09-03 | 1999-05-18 | Samsung Display Devices Co., Ltd. | Electron gun for color cathode ray tube |
US6441543B1 (en) | 1998-01-30 | 2002-08-27 | Si Diamond Technology, Inc. | Flat CRT display that includes a focus electrode as well as multiple anode and deflector electrodes |
US6181055B1 (en) | 1998-10-12 | 2001-01-30 | Extreme Devices, Inc. | Multilayer carbon-based field emission electron device for high current density applications |
US6255768B1 (en) | 1999-07-19 | 2001-07-03 | Extreme Devices, Inc. | Compact field emission electron gun and focus lens |
-
1999
- 1999-12-31 US US09/476,051 patent/US6429596B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-12-28 EP EP00988408A patent/EP1243014A1/en not_active Withdrawn
- 2000-12-28 KR KR1020027008504A patent/KR20020065625A/ko not_active Application Discontinuation
- 2000-12-28 CA CA002396164A patent/CA2396164A1/en not_active Abandoned
- 2000-12-28 RU RU2002116670/09A patent/RU2002116670A/ru not_active Application Discontinuation
- 2000-12-28 JP JP2001550771A patent/JP2003519888A/ja not_active Withdrawn
- 2000-12-28 WO PCT/US2000/035485 patent/WO2001050491A1/en not_active Application Discontinuation
- 2000-12-28 AU AU24619/01A patent/AU2461901A/en not_active Abandoned
- 2000-12-28 MX MXPA02006408A patent/MXPA02006408A/es unknown
- 2000-12-28 CN CN00817563A patent/CN1413353A/zh active Pending
-
2003
- 2003-03-25 HK HK03102173.2A patent/HK1051438A1/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1413353A (zh) | 2003-04-23 |
JP2003519888A (ja) | 2003-06-24 |
EP1243014A1 (en) | 2002-09-25 |
HK1051438A1 (zh) | 2003-08-01 |
WO2001050491A1 (en) | 2001-07-12 |
KR20020065625A (ko) | 2002-08-13 |
US6429596B1 (en) | 2002-08-06 |
MXPA02006408A (es) | 2003-10-15 |
AU2461901A (en) | 2001-07-16 |
CA2396164A1 (en) | 2001-07-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2002116670A (ru) | Сегментная управляющая структура катода с автоэлектронной эмиссией и способ динамической коррекции формы электронного пучка | |
KR100312694B1 (ko) | 카본 나노튜브 필름을 전자 방출원으로 사용하는 전계 방출 표시 장치 | |
JPH05266806A (ja) | 電界放出デバイスの静電気電子ビームの焦点のための装置 | |
US5451175A (en) | Method of fabricating electronic device employing field emission devices with dis-similar electron emission characteristics | |
US6137232A (en) | Linear response field emission device | |
CA1168290A (en) | Multiple electron beam cathode ray tube | |
JPH0335775B2 (ru) | ||
JPH09306332A (ja) | 電界放出型電子銃 | |
JP2956612B2 (ja) | フィールドエミッタアレイとその製造方法およびその駆動方法 | |
US5889359A (en) | Field-emission type cold cathode with enhanced electron beam axis symmetry | |
JPS6367742B2 (ru) | ||
JP2004055484A (ja) | 電子放出素子の製造方法、及び表示装置 | |
KR100213177B1 (ko) | 음극구조체 및 이를 이용한 음극선관용 전자총 | |
JP4197457B2 (ja) | 蛍光表示管の駆動方法 | |
KR100362536B1 (ko) | 형광 표시관 | |
KR100224742B1 (ko) | 전계 전자 방출 소자 | |
JPH0519251B2 (ru) | ||
KR100453187B1 (ko) | 전자총의음극구조체용전계방출소자 | |
JP3601275B2 (ja) | 電界電子放出素子 | |
KR100195172B1 (ko) | 음극 구조체 및 이를 이용한 음극선관용 전자총 | |
JP2561920B2 (ja) | 平面形電子放出装置 | |
JPH11339636A (ja) | 電界放出型電子銃 | |
KR20020007495A (ko) | 냉음극을 채용한 전자총 | |
KR20010046795A (ko) | 집속 렌즈를 갖는 전계 방출 표시 소자 및 그 제조방법 | |
JP2004119126A (ja) | 冷陰極電子銃構体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FA93 | Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination) |
Effective date: 20090417 |